芯片国产化投资机遇:芯片价格看涨 国产替代基于显露

发布时间:2018-07-03 00:00
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来源:中国证券报
阅读量:1738

业内人士认为,半导体产品除了是5G、物联网、AI等不可或缺的一部分,也早已提升到国家战略层面。近期半导体硅晶圆仍紧缺,预计晶圆价格会逐季上涨,显示出半导体行业持续高景气态势。芯片国产化板块中长期投资机会已经来临。

芯片国产化投资机遇:芯片价格看涨 国产替代基于显露

芯片价格看涨

2018年一季度,中国集成电路仍旧保持高速增长态势,销售额达到1152.9亿元,同比增长20.8%。目前“大基金”二期也在募集中,预计规模将达1500亿元-2000亿元。

集成电路应用前景广泛,是典型的“小行业、大机会”,下游涵盖汽车、光伏、工业、消费等多个领域。从需求端来看,光伏、消费电子增长稳定,而随着新能源汽车及自动驾驶的推广,汽车电子市场即将爆发,对需求亦大幅拉动。

国金证券(6.86 -3.52%,诊股)分析师唐川认为,2017年以来,MLCC、片阻、铝电解电容等产品价格多次上调,主要原因是日厂将常规产能转移至高端车用和工业产品,常规产品出现供给缺口,叠加消费电子和汽车电子需求旺盛以及原材料涨价压力传导,导致MLCC价格不断调涨。芯片电阻缺货也是越来越严重,一方面环保限产,另一方面基板厂商由于亏损严重不愿扩产,导致供给不足,叠加需求大幅增长,从而缺货蔓延。

根据机构预测,功率半导体器件下半年缺货涨价情况依然严峻,近年来轨道交通、电网、新能源车、充电桩对MOSFET的需求在逐步放大,无人机、可穿戴及IOT设备的需求也在增长,但是供应没有同比例的扩大,欧美的公司还在压缩产能,2017年存储芯片和指纹识别芯片大量的需求使得12寸、8寸及6寸晶圆的产能迅速转移,造成了功率半导体器件的紧缺。

国产替代基于显露

半导体产业是一个高度技术与资本密集型产业,中国凭借政策支持、资金投入,叠加工程师红利,积累技术经验和人才储备,拉近与国外的差距,逐步占据产业战略高地。

6月18日,京东集团和Google宣布,Google将以5.5亿美元现金投资京东,双方将结成广泛的战略合作伙伴关系。Google和京东将在一系列战略项目上进行合作,其中一项是在包括东南亚、美国和欧洲在内的全球多个地区合作开发零售解决方案。此外,中昌数据10亿元并购云克科技,打造全球数字营销网络,其客户群体包括京东、今日头条、阿里巴巴、微博等。

6月24日中国电子第六研究所在北京发布了完全自主研发的国产可编程逻辑控制器(PLC),“工业互联网”有望实现进程加速。唐川介绍,近年来在小型PLC领域国内企业开始发力进入市场,尤其是在国家大力推进“智能制造2025”的大背景下,行业增速一直保持在20%以上,国内企业的市场份额也在逐步增加。看好国内企业在渗透率提升和进口替代国外企业双重机遇下的发展潜力。

事实上,我国芯片研发的国产化进程也在近期接连取得重大进展。近期开幕的第八届世界雷达博览会上,由中国电子科技集团14所自主研制的“华睿2号”芯片首度对外公开,综合处理性能优于国际主流DSP芯片;国内晶圆代工龙头——中芯国际的14纳米制程现已接近研发完成,试产良率达到95%,距2019年实现量产的目标更进一步。

华泰证券分析认为,芯片国产化是中国制造崛起之匙,国产装备迎历史机遇。新趋势下本土企业分化在所难免,掌握核心技术、重视技术研发的企业有望脱颖而出,在产业和资本市场的价值也会进一步提高。考虑到国产化进度,建议“从产业链后端向前端、从配套到核心环节”逻辑看受益顺序,建议优选技术准备充分、业绩上率先受益国产产能建设的装备企业。

根据SEMI预计,2018年中国半导体设备市场有望同比增长50%,全球份额或达19%。

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半导体集成电路选用八大原则
  电子元器件是电子产品最基本组成单元,电子设备的故障有很大一部分是由于元器件的性能、质量或选用的不合理而造成的,故电子元器件的正确选用是保障电子产品可靠性的基本前提。可靠性设计就是选用在最坏的使用环境下仍能保证高可靠性的元器件的过程。  半导体集成电路选用八大原则  一、集成电路的优选顺序为超大规模集成电路→大规模集成电路→中规模集成电路→小规模集成电路。  二、尽量选用金属外壳集成电路,以利于散热。  三、选用的集成稳压器,其内部应有过热、过电流保护电路。  四、超大规模集成电路的选择应考虑可以对电路测试和筛选,否则影响其使用可靠性。  五、集成电路MOS器件的选用应注意以下内容:  1)MOS器件的电流负载能力较低,并且容抗性负载会对器件工作速度造成较大影响。  2)对时序、组合逻辑电路,选用器件的最高频率应高于电路应用部位的2~3倍。  3)对输入接口,器件的抗干扰要强。  4)对输出接口,器件的驱动能力要强。  六、应用CMOS集成电路时应注意下列问题:  1)CMOS集成电路输入电压的摆幅应控制在源极电源电压与漏极电源电压之间。  2)CMOS集成电路源极电源电压VSS为低电位,漏极电源电压VDD为高电位,不可倒置。  3)输入信号源和CMOS集成电路不用同一组电源时,应先接通CMOS集成电路电源,后接通信号源;应先断开信号源,后断开CMOS集成电路电源。  4)CMOS集成电路输入(出)端如接有长线或大的积分或滤波电容时,应在其输入(出)端串联限流电阻(1~10kΩ),把其输入(出)电流限制到10mA以内。  5)当输入到CMOS集成电路的时钟信号因负载过重等原因而造成边沿过缓时,不仅会引起数据错误,而且会使其功耗增加,可靠性下降。为此可在其输入端加一个施密特触发器来改善时钟信号的边沿。  七、CMOS集成电路中所有不同的输入端不应闲置,按其工作功能一般应作如下处理:  1)与门和非门的多余端,应通过0.5~1MΩ的电阻接至VDD或高电平。  2)或门和或非门的多余端,应通过0.5~1MΩ的电阻接至VSS或低电平。  3)如果电路的工作速度不高,功耗也不要特别考虑的话,可将多余端与同一芯片上相同功能的使用端并接。应当指出,并接运用与单个运用相比,传输特性有些变化。  八、选用集成运算放大器和集成比较器时应注意下列问题:  1)无内部补偿的集成运算放大器在作负反馈应用时,应采取补偿措施,防止产生自激振荡。  2)集成比较器开环应用时,有时也会产生自激振荡。采取的主要措施是实施电源去耦,减小布线电容、电感耦合。  3)输出功率较大时,应加缓冲级。输出端连线直通电路板外部时,应考虑在输出端加短路保护。  4)输入端应加过电压保护,特别当输入端连线直通电路板外部时,必须在输入端采取过电压保护措施。
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