上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子:功率MOSFET选型的几点经验
  在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。  由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的,这里不作赘述,只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外,这里的功率MOSFET应用选型为功率开关应用,对于功率放大应用不一定适用。不正之处,希望大家不吝指正。  功率MOSFET的分类及优缺点  和小功率MOSFET类似,功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势(请查阅资料,不详述),但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。(可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧,看来理论总是跟实际有差距的,哈哈)  MOSFET是电压控制型器件,三极管是电流控制型器件,这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的:优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等;缺点—难以制成高电压、大电流型器件,这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。  言归正传,下面来看看具体如何选型—功率MOSFET的选型  一、我的应用该选择哪种类型的MOSFET?  前面说了,实际应用主要使用增强型功率MOSFET,但到底该选择N沟道的还是P沟道的呢?如果你对这个问题有疑问,下面的图和注释会让你一目了然!  负载(Load)的连接方式决定了所选MOSFET的类型,这是出于对驱动电压的考虑。当负载接地时,采用P沟道MOSFET;当负载连接电源电压时,选择N沟道MOSFET。  二、确定额定电压与额定电流  选好MOSFET的类型后,接下来要做的是确定在你的设计中,漏极和源级间可能承受的最大电压,即最大VDS 。MOSFET能承受的最大电压会随温度变化,这是我们工程师在设计时必须考虑到的,必须在整个可能工作温度范围内测试电压变化范围。  接下来,说点实际的:  MOSFET在关断瞬间,会承受到最大的电压冲击,这个最大电压跟负载有很大关系:如果是阻性负载,那就是来自VCC端的电压,但还需要考虑电源本身的质量,如果电源质量不佳,需要在前级加些必要的保护措施;如果是感性负载,那承受的电压会大不少,因为电感在关断瞬间会产生感生电动势(电磁感应定律),其方向与VCC方向相同(楞次定律),承受的最大电压为VCC与感生电动势之和;如果是变压器负载的话,在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势。
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发布时间:2025-01-03 13:56 阅读量:624 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子:TOSHIBA的SSM3K37FS国产替代型号LM1012T参数对比
<span style='color:red'>雷卯</span>电子:集成电路电磁兼容性及应对措施相关分析(二)集成电路ESD问题应对措施
  ESD是指处于不同电位的两个物体之间,由于直接接触或静电场感应导致的电荷传输现象。在电子设备中,ESD 可能会对敏感的电子元件造成损害,因此提高ESD抗扰度对于保证电子设备的正常运行至关重要。预防措施能够将 ESD 抗扰度提高到约 15kV,这表明通过合理的设计和防护,可以有效降低 ESD 对电子模块的影响。  ESD问题应对措施  ESD测试只能在成品部件上进行,这是因为只有在整个部件完成开发和生产后,才能准确地评估其在实际工作环境中的ESD抗扰度。这也意味着在产品开发过程中,需要提前规划和考虑ESD防护措施,以避免在测试阶段出现问题而导致成本增加和时间延误.  1、改进IC设计:IC 制造商可以通过改进 IC 的设计来提高其ESD抗扰度。例如,采用更先进的ESD保护技术、优化电路布局和增加ESD保护器件等。这可以在一定程度上降低 ESD故障的发生概率,但需要在 IC 设计和制造过程中进行大量的研究和投入.  2、优化机械结构设计:在机械结构设计中采取适当的EMC预防措施也可以减少ESD对集成电路的影响。当 ESD干扰源自散热器并直接作用于IC外壳时,改变机械设计是解决问题的有效方法。这可能包括重新设计散热器的结构、位置或材料,以减少其对 IC 的干扰。然而,这种方法需要更改机械结构部件和生产工具,成本较高。因此,在产品设计的早期阶段,了解 IC 的电磁兼容性特性,并采取相应的预防措施,可以避免在后期出现此类问题,从而降低成本和缩短开发周期.  3、增加屏蔽:集成电路(IC)周围增加屏蔽罩、滤波电路等,以减少电磁干扰的耦合和传播。这需要在设计阶段就充分考虑 EMC 问题,并与电子设计人员进行密切合作。  (图3) 用场源检测到的微控制器的易感区域  比如,为了提高 ESD 免疫力,可以在 IC 上方设置屏蔽罩,以拦截散热片发出的电场,(如图3所示),在进行静电放电(ESD)  测试中,屏蔽罩还必须延伸到石英晶体上。从而将 ESD 免疫力提高到大约 15kV 左右。不过,需要注意的是,IC中的其他薄弱点可能会限制进一步提高免疫力,因为干扰仍可能通过线路网络耦合到 IC。因此在电子设备的设计中,需要综合考虑各种因素,不能仅仅依赖屏蔽层来解决电磁兼容性问题。  4、加强测试和评估:为了确保IC的 EMC 性能,需要进行严格的测试和评估。这包括 ESD 测试、电磁兼容性测试等,以验证集成电路在各种电磁环境下的性能和可靠性。通过测试,可以及时发现问题并采取相应的改进措施,从而提高集成电路的质量和稳定性。
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发布时间:2024-12-20 09:44 阅读量:731 继续阅读>>
<span style='color:red'>雷卯</span>展示SOD-323封装大功率ESD
  上海雷卯有全系列各种电压的SOD-323封装ESD,现整理部分产品列表如下:  一、SOD-323的优势特点  1、尺寸与空间优势  体积小:SOD-323封装本身尺寸小巧,在电路板上所占空间小,适用于如手机、便携式设备、数码相机等对空间要求严苛的电子产品,有助于实现产品的小型化与集成化.能在有限的电路板面积上集成更多的保护器件,满足高度集成化电路设计需求,提升电路功能与性能。  2、电气性能优越  、大功率承受能力:如SD0381D3W峰值脉冲功率可达2500W,除了抗静电可以达到±30KV,也可应对较大的瞬间能量冲击,有效保护电路。  - 低钳位电压:能在ESD事件发生时快速将过电压钳制在较低水平,如SD0571D3WH具有低钳位电压特性,浪涌电流110A 时,钳位电压低至9.5V。列表里许多款钳位电压低,因此可以帮助用户产品避免敏感元件因过压损坏.  3、可靠性与兼容性强  符合标准:众多SOD-323封装大功率ESD器件符合IEC 61000-4-2等国际标准,静电等级满足4级 ,可以达到空气和接触±30KV,能满足不同应用场景的ESD防护要求,确保电子设备的电磁兼容性。  二、 应用场景  SOD-323封装大功率ESD的应用广泛,主要包括以下领域:  1、消费电子领域  智能手机和平板电脑,笔记本电脑等。用于此类产品电源浪涌防护或者频率不  高的信号处做静电浪涌防护。比如用于保护显示屏、触摸屏、按键、耳机插孔、USB接口等部件电源处免受ESD损害,防止屏幕出现闪烁、花屏、触控失灵,以及接口电路损坏等问题。  2、通信设备领域  路由器和交换机:保护网络接口、通信芯片、电源电路等,保障网络设备在复杂电磁环境下的稳定运行,防止ESD引发的通信中断、数据丢包等故障.  基站中的射频模块、基带处理单元、电源管理模块等都需要ESD保护,以确保基站在户外恶劣环境下的长期稳定工作,降低设备故障率和维护成本。  3、工业控制领域  PLC和工控计算机,传感器和变送器:保护电源防止ESD干扰导致的控制信号错误、设备误动作,保证测量数据的准确性和稳定性。  4、汽车领域  车载娱乐系统:保护车载音响、导航系统、多媒体显示屏等设备的电子元件和接口,防止ESD对其造成损害,确保车载娱乐系统的正常使用.  车身控制系统:车身控制模块、车窗控制电机、车门锁控制器等设备中的电子元件和电路,需要ESD保护来防止因静电放电导致的设备故障和误动作,保障车身控制系统的可靠性和安全性。  汽车电子传感器:汽车发动机控制单元中的温度传感器、氧传感器、曲轴位置传感器等,以及胎压监测传感器、倒车雷达传感器等,都需要SOD-323封装大功率ESD器件进行保护,以确保传感器的正常工作,提高汽车的安全性和性能。  此方案图可以应用于直流电压静电浪涌防护 ,器件选择可以参考前面表格,根据保护电源电压选择合适ESD二极管。  Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌,供应ESD,TVS,TSS,GDT,MOV,MOSFET,Zener,电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务,为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间:2024-12-11 11:10 阅读量:591 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子:USB3.0 /TYPE-C接口静电保护六路器件
上海<span style='color:red'>雷卯</span>:制定车载广播系统国家标准,应对行业变革与未来挑战
  引言  2023 年 9 月 14 日,我国广播电视总局、工业和信息化部、国家市场监督管理总局联合发布《关于进一步加强车载音视频管理的通知》,明确指出车载广播系统的重要性,并部署推动无线广播接收系统在汽车领域的安装。  2024年9月18日,美国众议院能源与商务委员会通过了《2024车载调幅广播法案》,要求所有在美国制造和销售的车辆中保留AM(调幅广播)功能。  这些举措引发了我们对车载广播系统标准化必要性的深入思考。在行业不断变革、未来充满挑战的当下,制定车载广播系统国家标准究竟有着怎样的意义和价值?  一、提升车载广播质量,国家标准迫在眉睫  背景案例:2021年7月20日,河南郑州遭遇特大暴雨,导致城市内涝、交通中断、电力和网络瘫痪。在这种极端情况下,无线广播成为了唯一的通讯手段之一,车载广播系统发挥了重要作用,但部分车主反映车载广播信号不稳定。这一事件凸显了车载广播系统质量和可靠性的重要性。  重要性:车载广播系统不仅是驾乘人员获取信息的重要渠道,也是公共安全体系的关键组成部分。制定国家标准可以确保车载广播系统的技术指标达标,提升产品质量,确保其在紧急情况下能够可靠工作,有效传递信息,维护公共安全。  二、推动国际合作,增强国际竞争力  现状分析:2020年,中国汽车出口额首次突破千亿美元,但标准差异仍然是进入某些市场的障碍。建立与国际接轨的国家标准,有助于提升中国汽车产品的国际竞争力。  战略意义:通过参与国际标准的制定,中国不仅可以促进技术交流与合作,还能提高中国汽车工业在全球市场的认可度。  以下是主要国家和地区车载无线广播接收系统的标准制定进程:  中国:目前处于《车载无线广播接收系统》强制性国家标准制修订计划项目的公开征集意见阶段,技术内容包括终端和天线的功能、性能、车规环境可靠性、电磁兼容等。  欧盟:2014年发布2014/53/EU无线电设备指令,要求车载广播收音机等设备符合CE标志要求。2018年发布的《欧盟电子通信法规》要求新车集成数字音频广播(DAB)功能。  日本:由汽车工业协会制定ARIB-STD-B3标准,指导行业设计开发。  中东地区:阿联酋和沙特阿拉伯分别发布了各自的车载广播接收机技术标准。  美国:正在推进《AM每辆车法案》,要求新车强制安装AM广播接收模块。  三、顺应行业变革,迎接未来挑战  技术趋势:随着自动驾驶技术的发展,车载广播系统将集成更多智能互联功能。例如,2021年谷歌与沃尔沃合作开发的车载信息娱乐系统,集成了语音助手、地图导航等多项功能。国家标准的制定不仅能够确保这些新功能的顺利实现,还能促进不同品牌之间的互操作性,提升用户体验。  未来展望:车载无线广播接收系统国家标准的制定,对于提升产品质量、推动技术创新、加强安全保障以及促进国际合作具有深远的意义。这是对技术进步的认可,更是对公共安全重视的具体体现。  四、雷卯助力车载广播系统,为其保驾护航  上海雷卯将在车载广播系统的标准化工作中贡献专业技术,特别是在防护器件的设计、测试及应用方面可以提供专业的意见和支持,确保系统在复杂的电磁环境中依然能够稳定运行。  以下是雷卯针对汽车无线电调谐器不同接口提供典型保护案例。  汽车无线电调谐器原理图  上海雷卯针对汽车无线电调谐器所带有的USB、RS232,CAN、以太网、模拟音频、扬声器等接口提供了典型的保护案例,综合列表如下,可以直接应用于实际场景。  上海雷卯专业研发销售 ESD,TVS,TSS,GDT,MOV,MOSFET,Zener,电感等产品。雷卯致力于为客户提供高品质产品,以保护电路免受静电干扰和电压波动的影响。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务,为客户提供最优质的解决方案。  结语:  在科技飞速发展的时代,车载广播系统看似有些 “复古”,但在关键时刻却能发挥不可替代的作用。制定车载广播系统国家标准,不仅是对传统广播技术的传承与发展,更是为了在未来的不确定中为人们筑牢一道信息安全的防线。它将引领汽车行业在创新与稳定之间找到平衡,为我们的出行生活增添一份可靠的保障。让我们共同期待这一标准的落地实施,为应对行业变革与未来挑战贡献力量。
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发布时间:2024-10-11 11:34 阅读量:876 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>:怎样选择合适的MOSFET
  一、确定应用需求  1、电路类型  - 开关电路:如果应用于开关电路,如电源开关、电机驱动等,需要关注 MOSFET 的开关速度、导通电阻和栅极电荷等参数。快速的开关速度可以减少开关损耗,提高效率;低导通电阻能降低导通时的能量损耗;而低栅极电荷则有助于加快开关转换过程。  - 放大电路:用于放大电路时,要重点考虑 MOSFET 的线性度、增益和噪声等特性。具有良好线性度和高增益的 MOSFET 能够保证信号的准确放大,低噪声则可以减少对信号的干扰。  2. 工作电压和电流  - 工作电压:确定电路的工作电压范围,选择的 MOSFET 额定电压应大于等于电路的最大工作电压,并留有一定的余量(建议至少 1.5 倍余量),以确保在电压波动或瞬态电压情况下 MOSFET 能够正常工作。  - 工作电流:根据负载的电流需求,选择能够承受相应电流的 MOSFET。注意查看 MOSFET 的额定电流(连续电流)和最大漏极脉冲电流等参数,额定电流应满足负载在正常工作状态下的电流需求,而最大漏极脉冲电流则要考虑在瞬态或脉冲电流情况下的承受能力。  3. 工作温度  了解应用环境的温度范围,确保所选 MOSFET 的工作温度范围能够覆盖该范围。如果工作环境温度较高,需要关注 MOSFET 的热阻、结温等参数,选择热阻较小、结温较高的器件,以保证在高温环境下的可靠性。  二、选择MOSFET类型(P沟道或N沟道)  - P 沟道 MOSFET:P 沟道 MOSFET 的栅极电压为负时导通,适用于源极接电源正极的电路。在一些需要低电压控制或逻辑电平转换的场合比较适用,例如电池供电的设备中,可用于防反接保护电路。其优点是在电路设计上可以简化驱动电路,但缺点是导通电阻相对较大,电流驱动能力相对较弱。  - N 沟道 MOSFET:N 沟道 MOSFET 的栅极电压为正时导通,通常用于源极接地的电路。具有较低的导通电阻和较高的电流驱动能力,适用于对功率要求较高、需要大电流输出的场合,如功率放大器、电源转换电路等。但其驱动电路相对复杂,需要较高的栅极电压来控制导通。  三、关注关键参数  -导通电阻(Rds(on)):导通电阻越低,MOSFET 在导通状态下的能量损耗越小,效率越高。对于对效率要求较高或工作电流较大的应用,应选择导通电阻较小的 MOSFET。但导通电阻较低的器件价格可能相对较高,需要在性能和成本之间进行权衡。  - 栅极电荷(Qg):栅极电荷决定了 MOSFET 的开关速度和驱动电路的功耗。栅极电荷越小,开关速度越快,驱动电路的功耗越低。在高频开关应用中,应选择栅极电荷较小的 MOSFET 以提高系统的效率和性能。  - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):漏源击穿电压是 MOSFET 能够承受的最大漏源电压,选择时应确保该参数大于电路中的最大电压应力,以防止器件击穿损坏。  - 热阻(Rθ):热阻反映了 MOSFET 散热的能力,热阻越小,器件在工作时产生的热量越容易散发出去,结温越低,可靠性越高。在高功率应用或散热条件较差的环境中,应选择热阻较小的 MOSFET,热阻的具体参数可以参考另外一篇  《MOSFET器件参数:TJ、TA、TC到底讲啥》。  四、封装选择  - 封装类型:上海雷卯提供多种封装类型的 MOSFET,如 SOT-23、SOP-8、DFN 等。不同的封装类型具有不同的尺寸、引脚排列和散热性能。例如,  SOT-23 封装体积小,适用于空间受限的应用;  SOP-8 封装引脚较多,可提供更好的电气连接和散热性能;  DFN 封装具有较低的寄生电感和电容,适合高频应用。  - 封装质量:检查封装的质量和可靠性,确保引脚焊接牢固,封装材料能够承受高温和机械应力。良好的封装可以保证 MOSFET 在长期使用过程中的稳定性和可靠性。  五. 参考数据手册和应用案例  - 数据手册:仔细阅读上海雷卯 MOSFET 的数据手册,了解器件的详细参数、性能曲线、工作条件和应用注意事项等信息。数据手册是选型的重要依据,能够帮助您准确地选择适合的 MOSFET。  - 应用案例:参考上海雷卯提供的应用案例或其他客户的成功经验,了解不同型号的 MOSFET 在类似应用中的表现和可靠性。这可以为您的选型提供参考,避免在实际应用中出现问题。  六 、应用案例分享  1. LM3D40P02  - 特点:这是一款 P 沟道沟槽技术的 MOSFET,专为电子烟等小型设备优化设计。具有低阈值电压(Vgs(th)=-0.65V(type)),可使设备快速启动;强大的电流承载能力(Id=-40A),能在高负载条件下稳定工作;较低的导通电阻(Rds(on)=5mΩ),能有效减少能量损耗,延长电池续航;低门极电荷(Qg=38nc),加快了开关速度,提高了整体效率;采用 DFN3.3*3.3 的紧凑型封装,易于集成到小型设备中。  - 应用场景:非常适合电子烟、小型智能设备等对空间和功耗有较高要求的应用场景。  2. LM8S16P03  - 特点:属于 PMOS 类型的 MOSFET。漏源电压(Vdss)为-30V,漏极电流(Id)为-16A,漏源导通电阻(Rdson)为 6.5mΩ,栅源电压(Vgs)为±20V,栅极电荷(Qg)为 62.5。工作温度范围为-55℃~150℃,可适应较为恶劣的工作环境。  - 应用场景:适用于新能源、家用电器、3C 数码、汽车电子、测量仪器、智能家居等多种领域。
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发布时间:2024-09-30 10:12 阅读量:721 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子:车端EVCC静电浪涌保护
  EVCC全称Electric Vehicle Communication Controller,中文名称:电动汽车充电通信控制器,是国标电动汽车出口必备汽车配件之一。如下图一所示。  一、为什么国标电动汽车出口要配备EVCC  全球电动汽车市场存在多种充电标准,如中国的GB/T 27930、欧洲的DIN 70121和ISO 15118、美国的SAE J1772以及日本的CHAdeMO等。这些标准在通信协议、电压等级、充电接口等方面存在差异,这会导致国标电动汽车出口后无法直接在海外充电桩上充电,图二所示各国充电标准。  二、EVCC 功能  因国标电动汽车无法直接出口到国外,需配备上EVCC才能与国外充电桩建立通信。EVCC是电动汽车充电过程中的重要控制器,是电动汽车与充电桩之间的通信桥梁,其主要功能是将电动汽车的通信协议转换为充电桩所能理解的协议。实现电动汽车与充电系统之间的通信、电力传输控制和数据交换。并且EVCC可以监测电动汽车的电池容量,控制充电功率和充电时间,并记录数据以供后续分析和管理。如图三所示。  三、国标电动汽车如何通过EVCC转换成欧标和美标  如图三所示 ,需要从硬件和软件两部分做工作.  (1)硬件部分  第一更换为欧标或美标的充电座  第二增加EVCC充电通信控制器  (2)软件部分  需要EVCC与BMS交互,由EVCC将国标CAN通信转换成符合海外标准的PLC通信。  这样中国电动汽车出口到欧洲、美洲等市场时,通过安装EVCC,电动汽车能够与当地的充电桩进行有效通信,这不仅降低了成本,也加快了电动汽车的国际化进程。  四、EVCC硬件组成部分  简单说有五大模块组成:包括微处理器、电源模块、通信模块、传感器、安全保护电路等。  (1)微处理器是 EVCC 的核心,负责控制整个系统的运行。  微控制器接收和处理信息,控制充电过程中的各个参数。并通过传感器实时监测充电过程中的各种参数,如果发现异常情况,立即采取保护措施,以确保充电过程的安全。  (2)电源模块  主要给整改EVCC提供安全稳定的电源供应。  (3)通信模块  通信模块负责 EVCC 与充电桩和车辆其他系统之间的通信。主要包括以下几个方面:协议解析,数据传输,信号调制和解调。  (4)传感器模块  传感器用于监测充电过程中的各种参数,为微处理器提供实时的状态信息,包括电流传感器,电压传感器,温度传感器等。  (5)安全保护电路  安全保护电路用于确保充电过程的安全,防止过流、过压、过热等异常情况对车辆和充电设备造成损坏。  五、EVCC需要静电浪涌保护吗  需要,原因如下:  (1)静电危害:EVCC 可能会受到静电放电的影响。静电放电可能会损坏电子元件,导致设备故障。  (2)浪涌风险:电气系统中可能会出现浪涌现象,如雷击、电网波动等。这些浪涌可能会对 EVCC 造成严重损坏。  为了保护 EVCC,我们需要采取以下措施:  (1)使用静电保护器件:如 TVS 二极管、压敏电阻等,可以有效地吸收静电放电和浪涌能量。  (2)良好的接地设计:确保 EVCC 有良好的接地,以便将静电和浪涌电流引导到大地。  六、如何选择合适的EVCC静电浪涌保护器件  上海雷卯EMC小哥建议在选择合适的静电浪涌保护器件方面建议考虑以下几个方面:  1、了解保护需求  (1) 确定保护对象:明确需要保护的是 EVCC中的哪些部分,如微处理器、通信接口、电源电路等。不同的保护对象对静电浪涌保护器件的要求可能会有所不同。  (2)分析潜在威胁:考虑可能面临的静电和浪涌来源,例如人体静电放电、电源波动、雷击等。了解这些潜在威胁的特性,包括电压幅度、电流大小、上升时间等,以便选择能够有效应对这些威胁的保护器件。  (3)确定保护等级:根据相关认证标准和规范,确定所需的静电浪涌保护等级。对于EVCC 一般会参考ISO16750-2 5B 和ISO7637-2 5B 做测试 。下面是测试波形和设置参数表格。  2、选择合适的器件保护类型  从信号线和电源两个角度来做分析  (1)信号保护静电放电(ESD)保护器件选择需考虑:  ESD二极管需要低电容、低漏电流等特点,适用于高速通信接口的静电保护。例如,在 CAN 接口可以选用上海雷卯SMC24。  聚合物 ESD 抑制器:具有体积小、重量轻、低结电容等优点,适用于空间受限的应用场合,封装参照下图。  (2)电源浪涌保护器件  传统方案一般会选择 MOV,GDT ,TVS 进行浪涌保护。缺点是MOV,GDT 器件容易损耗,残压高。  上海雷卯新型的适合车用的大功率带回扫防浪涌保护TVS ,其残压低,能很好的保护后级电路。如下表所列,为上海雷卯新型大功率低残压常规几颗TVS。  1,3,5行为新型低残压 TVS, 2,4,6 行为同Vrwm电压同功率的普通TVS。  从以上参数对比VC要比普通的低很多。  3、考虑关键参数  (1) 工作电压:选择保护器件的工作电压应高于被保护电路的正常工作电压,但不能过高,以免影响保护效果。  (2)钳位电压:钳位电压是指在浪涌发生时,保护器件将电压钳位到的水平。钳位电压越低,对被保护电路的保护效果越好。但钳位电压也不能过低,以免影响正常工作。  (3)通流容量:通流容量是指保护器件能够承受的最大电流。应根据可能面临的浪涌电流大小选择具有足够通流容量的保护器件,以确保在浪涌发生时能够有效地保护被保护电路。  (4)响应时间:响应时间是指保护器件从检测到浪涌到开始发挥保护作用的时间。响应时间越短,对被保护电路的保护效果越好。对于高速通信接口和对电压敏感的电子设备,应选择响应时间极短的保护器件。  (5)电容:对于高速通信接口,保护器件的电容应尽可能小,以免影响信号传输质量。  4、参考可靠性和品牌因素  (1) 可靠性:选择具有高可靠性的保护器件,以确保在长期使用过程中能够稳定地发挥保护作用。可以参考保护器件的质量认证、厂家的信誉度、产品的故障率等因素。  (2). 品牌和供应商:选择知名品牌和可靠的供应商,以保证产品的质量和售后服务。可以通过查阅产品评测、咨询行业专家、参考其他用户的经验等方式来选择合适的品牌和供应商。  上海雷卯致力于为客户提供高品质产品,以保护电路免受静电干扰和电压波动的影响。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务,为客户提供最优质的解决方案。  5、进行实际测试和验证  在实际应用环境中进行测试:在选择保护器件后,应在实际应用环境中进行测试,以验证其保护效果。可以通过模拟静电放电和浪涌情况,观察保护器件是否能够有效地保护被保护电路。  综上所述,选择合适的静电浪涌保护器件需要综合考虑保护需求、保护器件类型、关键参数、可靠性和品牌因素等,并进行实际测试和验证,以确保能够为 EVCC 提供有效的保护。  其实对于其它电子产品我们也可以按照同样的方法步骤选择适合的静电浪涌保护器件。
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发布时间:2024-09-26 10:47 阅读量:1088 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>:快充手机vbus防护案例---SMD12CA SMD15CA SMD24CA
  智能手机越来越追求快充,功率越来越高,不仅对充电适配器要求高,对type-c接口也是挑战,所以快充手机的充电浪涌测试越来越严格。  一、SMD12CA SMD15CA SMD24CA三颗防静电  二极管性能优势  这三颗料是作为USB接口Vbus电源接口静电浪涌保护常用料。推荐这三款的原因是如下:  功率高,能抗大浪涌,这样频繁的热插拔也能保护内部电路。上海雷卯这几款做到5500W-6000W(8/20us),相对Nexperia semtech litttefuse 品牌的DFN2020系列参数一致,单成本只有一半。  Flat-Clamp 技术,提供平坦和与温度无关的箝位电压,将受保护系统的残余电压降至最低,这样能更好的保护后级电路,VC超低。  抗静电能力强:接触和空气都在30KV  下表列出了主要参数:  依靠以上优势性能目前手机充电口印度非洲都非常适合这几款大功率TVS。  SMD12CA/15CA/24CA V/I 特性图如下:  二、为什么手机USB接口要放TVS  二极管  首先一点 ,手机USB接口我们插拔的次数比较多,第二,日常使用中因摩擦、触碰容易接触到,所以这一接口在出厂之前必定要做ESD测试认证,即 IEC 61000-4-2 测试。  我们知道静电和浪涌可能会对手机 USB 口及内部电路造成严重损害。静电产生时瞬间的高电压可能会击穿 USB 口的电路元件。我们插拔USB接口容易产生EOS这都会对内部元件造成浪涌,强大的电流冲击可能损坏手机的芯片和其他电子元件。 所以我们需要对手机USB接口做静电保护,延长手机使用寿命,确保数据安全,稳定性能。  三、常见的保护措施  1. 内置保护电路:许多手机在设计时已经内置了一定程度的静电浪涌保护电路,例如使用瞬态电压抑制二极管(TVS)等元件来吸收过高的电压和电流。  2. 使用保护配件:如带有静电浪涌保护功能的数据线、充电器等,可以在外部提供额外的保护。  四、上海雷卯针对手机USB接口静电浪涌保护方案  手机USB接口静电浪涌保护示意图如下:  USB接口静电保护元件参数列表:
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发布时间:2024-09-19 09:31 阅读量:920 继续阅读>>
<span style='color:red'>雷卯</span>荣获2023-2024车联网科技创新十佳芯片元器件奖
  在车联网行业蓬勃发展的浪潮中,雷卯近日迎来了一个激动人心的时刻——荣获“2023-2024车联网科技创新十佳芯片元器件奖”。这一殊荣不仅是对雷卯产品和技术的高度认可,更是对雷卯在汽车电子领域深耕不辍的见证。  上海雷卯是国家高新技术企业。公司研发团队由留美博士和TI原开发经理组建,凭借技术精湛的研发队伍和经验丰富的电磁兼容行业专家,主要提供防静电TVS/ESD以及相关EMC元器件(放电管TSS/GDT、稳压管ZENER、压敏电阻MOV、整流二极管RECTIFIER、自恢复保险丝PPTC、场效应管MOSFET、电感),紧跟国内外技术更新脉搏,不断创新EMC保护方案和相关器件,目标方向为小封装,大功率,为国产化替代提供可信赖方案和元器件。  技术创新,持续引领  本次大湾区车联网论坛上,上海雷卯提交了基于保护ISO7637-2和ISO16750-2 汽车电源保护的可回扫TVS,在同样的芯片面积下,提供更大保护电流和更低的箝位电压,经过众多tier1和车厂批量验证,获得良好评价。  值得一提的是上海雷卯的基于CAN总线和车载以太网的ESD保护器件在对比分析评价中,取得了非常好的参数成绩,电流和指标甚至强于安世和smetech厂家参数。以下列举几项关键器件参数。  在获得此次奖项后,我们将继续秉持“为未来汽车保驾护航,为中国制造曾信心”的理念,进一步提升产品性能,拓展应用场景,力争为客户提供更为优质保护器件。  行业展望,未来可期  车联网作为未来智能交通的关键组成部分,正在快速演变。随着5G技术的普及和自动驾驶的逐步落地,车联网市场蕴藏着巨大的发展潜力。我们相信,凭借此次获奖的契机,公司将进一步扩大市场份额,与合作伙伴共同探索更多可能性。  荣获“2023-2024车联网科技创新十佳芯片元器件奖”,是对我们过去努力的肯定,更是对未来发展的激励。我们将继续以创新为动力,推动车联网技术的进步,为用户带来更安全、更智能的出行体验。感谢所有客户、合作伙伴及员工的支持与信任,让我们携手共创智能出行的美好未来!
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发布时间:2024-08-29 10:21 阅读量:902 继续阅读>>

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