雷卯展示SOD-323封装大功率ESD

发布时间：2024-12-11 11:10
作者：AMEYA360
来源：雷卯电子
阅读量：830

　　上海雷卯有全系列各种电压的SOD-323封装ESD，现整理部分产品列表如下：

雷卯展示SOD-323封装大功率ESD

雷卯展示SOD-323封装大功率ESD

　　一、SOD-323的优势特点

　　1、尺寸与空间优势

　　体积小：SOD-323封装本身尺寸小巧，在电路板上所占空间小，适用于如手机、便携式设备、数码相机等对空间要求严苛的电子产品，有助于实现产品的小型化与集成化.能在有限的电路板面积上集成更多的保护器件，满足高度集成化电路设计需求，提升电路功能与性能。

　　2、电气性能优越

　　、大功率承受能力：如SD0381D3W峰值脉冲功率可达2500W，除了抗静电可以达到±30KV，也可应对较大的瞬间能量冲击，有效保护电路。

　　- 低钳位电压：能在ESD事件发生时快速将过电压钳制在较低水平，如SD0571D3WH具有低钳位电压特性，浪涌电流110A 时,钳位电压低至9.5V。列表里许多款钳位电压低，因此可以帮助用户产品避免敏感元件因过压损坏.

　　3、可靠性与兼容性强

　　符合标准：众多SOD-323封装大功率ESD器件符合IEC 61000-4-2等国际标准，静电等级满足4级 ，可以达到空气和接触±30KV，能满足不同应用场景的ESD防护要求，确保电子设备的电磁兼容性。

　　二、 应用场景

　　SOD-323封装大功率ESD的应用广泛，主要包括以下领域：

　　1、消费电子领域

　　智能手机和平板电脑，笔记本电脑等。用于此类产品电源浪涌防护或者频率不

　　高的信号处做静电浪涌防护。比如用于保护显示屏、触摸屏、按键、耳机插孔、USB接口等部件电源处免受ESD损害，防止屏幕出现闪烁、花屏、触控失灵，以及接口电路损坏等问题。

　　2、通信设备领域

　　路由器和交换机：保护网络接口、通信芯片、电源电路等，保障网络设备在复杂电磁环境下的稳定运行，防止ESD引发的通信中断、数据丢包等故障.

　　基站中的射频模块、基带处理单元、电源管理模块等都需要ESD保护，以确保基站在户外恶劣环境下的长期稳定工作，降低设备故障率和维护成本。

雷卯展示SOD-323封装大功率ESD

　　3、工业控制领域

　　PLC和工控计算机，传感器和变送器：保护电源防止ESD干扰导致的控制信号错误、设备误动作，保证测量数据的准确性和稳定性。

　　4、汽车领域

　　车载娱乐系统：保护车载音响、导航系统、多媒体显示屏等设备的电子元件和接口，防止ESD对其造成损害，确保车载娱乐系统的正常使用.

　　车身控制系统：车身控制模块、车窗控制电机、车门锁控制器等设备中的电子元件和电路，需要ESD保护来防止因静电放电导致的设备故障和误动作，保障车身控制系统的可靠性和安全性。

　　汽车电子传感器：汽车发动机控制单元中的温度传感器、氧传感器、曲轴位置传感器等，以及胎压监测传感器、倒车雷达传感器等，都需要SOD-323封装大功率ESD器件进行保护，以确保传感器的正常工作，提高汽车的安全性和性能。

　　此方案图可以应用于直流电压静电浪涌防护 ，器件选择可以参考前面表格，根据保护电源电压选择合适ESD二极管。

　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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　　采用电池是最方便干净的电源，为电子电路提供电压。还有许多其他方法，为电子设备供电，如适配器，太阳能电池等，但最常见的直流电源是电池。通常，所有设备都带有防反接保护电路，但是如果您有任何电池供电的设备没有防反接保护，那么在更换电池时始终必须小心，否则它可能会炸毁设备。　　因此，在这种情况下，防反接保护电路将是电路的有用补充。有一些简单的方法可以保护电路免受反极性连接的影响，例如使用二极管或二极管桥，或者将P沟道MOSFET用作HIGH侧的开关。　　使用二极管的极性反接保护　　使用二极管是极性反接保护最简单、最便宜的方法，但它存在漏电问题。当输入电源电压很高时，小的压降可能没关系，特别是当电流较低时。但在低压操作系统的情况下，即使是少量的压降也是不可接受的。　　众所周知，通用二极管上的压降为0.7V，因此我们可以通过使用肖特基二极管来限制此压降，因为它的压降约为0.3V至0.4V，并且还可以承受高电流负载。选择肖特基二极管时要注意，因为许多肖特基二极管都具有高反向电流泄漏，因此请确保选择具有低反向电流(小于100uA)的二极管。　　雷卯电子有专门开发的超低Vf肖特基二极管和超低漏流的肖特基二极管，适合防反接使用。　　在4安培时，电路中肖特基二极管的功率损耗为：　　4x 0.4V= 1.6W　　在普通二极管中：　　4x 0.7 V=2.8W　　所以肖特基在电路中的节能效果明显，如果电路电流较大，也可以选用DO-277封装的肖特基二极管，比如雷卯电子SS10U60。　　整流桥堆防反接保护　　我们也可以使用全桥整流器进行防反接保护，因为它与极性无关。但是桥式整流器由四个二极管组成，因此在单二极管的上述电路中，功率浪费量将是功率浪费的两倍。　　使用P 沟道MOSFET 的防反接保护　　使用P沟道MOSFET进行反接极性保护比其他方法更可靠，因为它具有低压降和高电流能力。该电路由一个P沟道MOSFET、齐纳二极管和一个下拉电阻组成。如果电源电压低于P沟道MOSFET的栅极至源电压(Vgs)，则只需要不带二极管或电阻的MOSFET。您只需要将MOSFET的栅极端子连接到接地即可。　　现在，如果电源电压大于Vgs，则必须降低栅极端子和源极之间的电压。下面提到了制造电路硬件所需的组件。　　P 沟道场效应管 型号根据电流电压选择　　采用P沟道MOSFET的极性反接保护电路的工作原理　　现在，当您按照电路图连接电池时，具有正确的极性，它会导致晶体管打开并允许电流流过它。如果电池向后或以反极性连接，则晶体管关闭，我们的电路将受到保护。　　该保护电路比其他保护电路更有效。让我们分析一下当电池以正确的方式连接时，P沟道MOSFET将导通，因为栅极和源极之间的电压为负。查找栅极和源极之间电压的公式为：Vgs= (Vg- Vs)　　当电池连接不正确时，栅极端子的电压将为正极，我们知道P沟道MOSFET仅在栅极端子的电压为负时(此MOSFET的最低-2.0V或更低)导通。因此，每当电池以相反方向连接时，电路都将受到MOSFET的保护。　　现在，让我们来谈谈电路中的功率损耗，当晶体管导通时，漏极和源极之间的电阻几乎可以忽略不计，但为了更准确，您可以浏览P沟道MOSFET的数据表。对于LMAK30P06P 沟道MOSFET，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.020Ω(典型值)。因此，我们可以计算电路中的功率损耗。　　如下所示：功率损耗=I*I*R　　假设流经晶体管的电流为1A。所以功率损耗将是　　功率损耗=I2R= (1A)2*0.02Ω= 0.02W　　因此，功率损耗比使用单二极管的电路小约27倍。这就是为什么使用P沟道MOSFET进行防反接保护比其他方法要好得多的原因。它比二极管贵一点，但它使保护电路更安全，更高效。　　我们还在电路中使用了齐纳二极管和电阻器，以防止超过栅极到源电压。通过添加电阻和9.1V的齐纳二极管，我们可以将栅源电压箝位到最大负9.1V，因此晶体管保持安全。　　当然MOS的防反接电路也可以采用Nmos来截断电路，截断的就是负极电路，我们一般的理念还是开关正极，就像家里电灯开关一样，是装在火线上，而不是零线上。
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上海雷卯电子：近场通信NFC接口防静电ESD

　　上海雷卯EMC小哥针对NFC接口静电保护，推出了ESD器件和保护方案：ULC1811CDN 满足18V的低容参数需求，而且VC箝位电压低，电容超低，可保护NFC接口天线的有效使用。　　近场通信(Near Field Communication，NFC)是一种短距离无线通信技术，通过将两个设备的NFC芯片靠近，实现数据的传输和共享。NFC技术基于射频识别(RFID)技术，运行在13.56MHz的无线频段。NFC设备通常包括两种模式：卡模式和读写模式。在卡模式下，NFC设备可以作为一个被动的卡片，用于支付、门禁控制、公交卡等应用。在读写模式下，NFC设备可以主动读取或写入其他NFC设备中的数据。NFC技术的特点：短距离通信、快速传输、简便易用、兼容性广泛。　　1. NFC设备接口的特点　　NFC设备接口通常工作在低电压和高频率的环境下，因此，选择合适的TVS/ESD二极管需要考虑以下几个因素：　　1、低电压响应：选择具有低电压响应特性的TVS/ESD二极管，以确保在低电压下也能起到保护作用。　　2、快速响应时间：选择具有快速响应时间的TVS/ESD二极管，以能够迅速抑制瞬态过电压和静电放电。　　3、低电容：选择具有低电容的TVS/ESD二极管，以避免对NFC信号的干扰。　　2.注意TVS/ESD二极管的安装和布局　　为了确保TVS/ESD二极管发挥最佳的保护作用，需要注意以下几点：　　· 尽量靠近NFC设备接口的位置安装TVS/ESD二极管，以最大程度地减少静电放电和过电压对设备接口的影响。　　· 使用封装良好的二极管，以防止外部环境对其造成损害。　　· 采用合适的布局，确保电路的地线和信号线布线合理。
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