华润微电子再度荣膺“十大中国IC设计公司”

发布时间：2025-03-31 09:24
作者：AMEYA360
来源：华润微
阅读量：798

　　3月27日，在2025年度中国IC设计成就奖颁奖典礼暨中国IC领袖峰会上，华润微电子再次获评中国IC设计成就奖“十大中国IC设计公司”。该奖项由AspenCore颁发，旨在表彰在集成电路设计领域取得显著成就的企业。凭借在IC设计领域的创新能力和突出成绩，华润微电子脱颖而出，斩获该项荣誉。

华润微电子再度荣膺“十大中国IC设计公司”

　　“十大中国IC设计公司”是中国集成电路行业最为重要的奖项之一，已有23年的历史。该奖项不仅关注企业的技术创新实力，还综合考量产品在市场上的表现以及品牌的影响力。

　　近年来，华润微电子持续加大研发投入，以硬核技术突破实现产业地位跃升，核心产品线全面爆发——MOSFET产品持续领跑本土市场，市场占有率连续五年稳居第一;MEMS传感器首度冲入中国十强榜单第二位，IPM、IGBT等模块产品营收再创历史新高，同时IPM在拓展头部客户及深度合作层面成绩斐然。多系列车规级新品亮相，包括IGBT、MOS、SiC等功率器件及模块新品，以及MCU、IPM、光电等品类的集成电路新品，同时晶圆制造与封装新工艺也相继问世，标志着华润微电子在半导体全产业链的技术研发能力迈入新阶段，有力推动了行业高质量发展。

　　此次获奖，充分证明了华润微电子在2024年所实现的技术突破和产品创新得到了行业的广泛认可。


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　　6月24日，重庆市经济和信息化委员会公示了2025年重庆市先进级智能工厂及基础级智能工厂最终名单，华润微电子重庆12吋功率半导体晶圆制造先进级智能工厂凭借优异的智能化建设成果成功入选，荣获“2025年重庆市先进级智能工厂”称号。　　作为华润微电子重庆12吋项目的关键实施主体，润西微电子(重庆)有限公司肩负着打造国内领先的车规级半导体平台的重任，其在此次评选中的脱颖而出，无疑彰显了华润微电子在智能制造领域深耕所取得的斐然成效。“先进级智能工厂”荣誉作为重庆市在智能制造领域认定的最高等级之一，此次获奖意味着公司在智能制造、智慧运营、质量管控以及仓储物流等核心业务环节的数字化转型工作已取得显著成果，成功树立起重庆市乃至全国功率半导体制造领域的智能化标杆。　　早在2025年1月，重庆市经信委便启动了2025年重庆市先进级智能工厂的申报工作，历经企业自主申报、区县经信主管部门的严格初审、专家的专业评审以及现场核查等多道严谨程序，华润微电子重庆12吋晶圆制造工厂最终成功上榜。这一荣誉的获得，既充分体现了重庆市政府对华润微电子在智能制造建设方面所取得成果的高度认可，更是华润微电子智能化发展历程中的关键里程碑事件。　　在智能制造的探索与实践中，华润微电子积极推动前沿技术与先进智能装备的深度融合，将5G通信、数字孪生、大数据分析及人工智能等前沿科技与生产制造紧密结合，成功构建起具有显著行业示范效应的智能制造创新模式，实现了生产效率的大幅提升与运营成本的显著降低，充分展现了智能制造所蕴含的巨大价值优势。　　一、先进智能装备配置齐全　　华润微电子通过引入自动化天车系统(AMHS)、智能检测系统、自动化立体仓库等一系列先进智能装备，有力地推动了12吋晶圆生产线生产效率与工艺精度的显著提升，为高质量产品的稳定产出提供了坚实硬件支撑。　　二、全流程数字化管理　　华润微电子精心打造了一个集成制造执行系统(MES)、实时派工系统(RTD)、先进制程控制系统(APC)、良率管理系统(YMS)等核心信息系统的一体化平台，成功实现了12吋晶圆生产线从生产计划下达、物料配送、工艺执行到产品检验等全流程的数字化管理与全自动化运行，极大提高了生产运营的协同性和精准性。　　三、打通研发生产数据壁垒　　华润微电子通过搭建数据中台并接入集团公有云平台，成功打破了研发、生产、物流等环节与核心信息系统之间的数据隔阂，实现海量数据的互联互通与融合应用。这不仅为深度的大数据分析、智能决策以及预测性维护提供了丰富而精准的数据基础，更成功催生了多个智能制造典型应用场景，进一步推动了公司智能化水平的全面提升。　　数智化已成为新型工业化的显著标志，更是加快新质生产力发展的重要驱动力。华润微电子重庆园区在智能化领域硕果累累。早在 2020 年，华润微电子(重庆)有限公司的 8 英寸晶圆生产智能工厂就已获评“重庆市智能工厂”荣誉;2024 年，华润润安科技(重庆)有限公司的功率半导体封测智能工厂同样载誉而归，获得“重庆市智能工厂”称号。这些荣誉不仅是对华润微电子过往智能化建设成果的高度肯定，更是公司持续推进智能化升级的有力见证。　　展望未来，华润微电子将继续坚定不移地深化数智技术在企业生产运营各环节的应用，持续助力提升车规级功率器件产品的迭代速度和量产效率，加速推动公司整体向高端化、智能化、绿色化的方向迈进。同时，华润微电子也将积极携手上下游企业，共同构建开放协同的智能生态体系，不断夯实高质量发展的根基，携手共筑产业创新发展的全新格局，为我国半导体产业的智能化升级贡献更大力量。
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　　随着训练与推理端的算力需求越来越大，AI芯片的功率持续攀升，具有更高功率密度、更高效率的大功率服务器电源会持续迭代，以满足日益增长的市场需求。根据2025年欧陆通的研究报告，2027年全球AI服务器电源和全球服务器电源市场规模分别有望达783.13亿元和911.83亿元。华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)凭借在MOSFET领域的深厚技术积累，推出新一代25V SGT MOSFET产品CRSK010NE2L6。该产品的开关损耗更低、UIS性能优异，适用于AI计算服务器DC-DC二次电源及砖块电源等高频电源领域，保障设备高效可靠运行。　　一、产品简介　　PDBG依托12吋功率器件晶圆生产线的技术优势，加速中低压SGT G6平台的产业化进程。此次推出的CRSK010NE2L6是基于公司第6代SGT技术平台的最新成果，综合性能大幅提升。相比上一代产品，CRSK010NE2L6在Ciss、Crss、Rg以及体二极管软度等方面显著优化，可为MHz级高频电源领域提供更高效、更可靠的解决方案。　　△产品封装外形　　二、产品优势　　01产品性能显著提升　　(1)体二极管特性：在DC-DC应用中，SR MOSFET的体二极管会参与续流工作。PDBG针对客户需求，对体二极管进行了优化。实测波形显示，CRSK010NE2L6在反向恢复阶段，体二极管的反向恢复特性更“软”，能有效降低Vds尖峰，提升系统可靠性。同时，其DS振荡幅度更小，电磁干扰(EMI)表现更优。虽然CRSK010NE2L6的体二极管VF参数与竞品A相当，但凭借更高的软度因子，其Vrrm电压尖峰显著降低，对抑制Vds尖峰效果显著。　　(2) 开关特性：CRSK010NE2L6 VS竞品A开关特性对比实测数据如下：　　△实测关断对比波形：CRSK010NE2L6 vs 竞品A(绿)　　从CRSK010NE2L6与竞品A的开关特性实测波形以及开关时间对比来看，CRSK010NE2L6通过优化开关特性参数，显著提升开关速度。这一改进有效减少了MOSFET开关过程中的电流与电压的交叠时长，从而降低了MOSFET的开关损耗，在高频应用场景中，这一优势尤为突出，大幅降低了电源系统的整体损耗。　　(3)UIS能力：CRSK010NE2L6与竞品A从UIS的实测数据如下：　　△实测UIS波形(CRSK010NE2L6 264A未失效波形)　　△实测UIS波形(竞品A 263A未失效波形)　　CRSK010NE2L6的Rsp略优于竞品，PDBG通过创新产品设计和结构优化调整，优化UIS性能，提升了器件的鲁棒性，加强系统的冗余可靠性。这一技术突破不仅提升了产品性能，更实现了成本优化，为客户提供兼具高性能与高性价比的解决方案，助力客户综合竞争力提升。　　02技术亮点　　先进12吋fab低压小线宽工艺　　产品采用ONO resurf 结构　　Rsp值已达到行业优异水平　　薄片工艺，减薄厚度50um　　三、应用领域　　CRSK010NE2L6广泛适配高频电源应用领域，如AI计算服务器DC-DC二次电源模块(buck)、砖块电源等。
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　　5月16日，华润微电子功率器件事业群润新微电子在大连举办氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式，活动以“亿芯突破·智启新程”为主题。华润微电子副总裁庄恒前，华润微电子功率器件事业群总经理李超，润新微电子总经理梁辉南，大连高新区党工委副书记、管委会主任胡凡，高新区党工委委员、管委会副主任国翔宇，大连金运副总经理张作伟，达晨财智高级副总裁梁国智，华润集团战略管理部代表，润新微股东代表及员工代表出席仪式，与众多项目建设伙伴、客户及供应商代表共同见证外延生产基地启幕。　　氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式　　活动现场，公司举行氮化镓亿颗芯片庆典，庆祝氮化镓芯片成功出货一亿颗，标志着公司迈入了新的发展阶段，具有里程碑意义。　　华润微电子及功率器件事业群管理层、润新微电子管理团队、大连高新区有关领导、项目建设代表共同为外延生产基地通线剪彩。润新微电子外延生产基地从立项到建成仅用九个月，采用了前沿的工艺技术和创新理念，致力于打造国内一流、国际领先的外延片生产基地。　　华润微电子副总裁庄恒前致辞　　华润微电子副总裁庄恒前在致辞中对长期以来给予华润微电子、润新微电子鼎力支持的大连高新区政府、投资机构及合作伙伴致以诚挚的感谢。他介绍了华润微电子在第三代半导体领域的业务布局和技术优势，并强调润新微电子是公司在氮化镓赛道进行战略规划的关键战略举措。润新微电子外延生产基地的建成，标志着华润微电子在氮化镓产线布局上实现新的关键里程碑。未来，华润微电子将依托该生产基地，结合自身在氮化镓晶圆制造及封测领域的技术优势，通过共享市场销售网络、提供资金保障等措施，助力润新微电子成为国内氮化镓细分领域领军企业。　　嘉宾致辞　　大连高新区党工委委员、管委会副主任国翔宇在致辞中对华润微电子在大连的投资成效表示感谢，希望华润微电子持续深耕半导体领域，充分发挥行业龙头带动效应，加速战略性新兴产业的集聚，为大连高新区的新质生产力发展注入源源不断的强劲动能。　　嘉宾互动　　2022年，华润微电子通过战略投资控股润新微电子，加速了公司在氮化镓领域的战略布局。近年来，依托华润微电子的IDM全产业链资源优势，润新微电子在D-mode氮化镓领域持续深耕，构建起从外延材料制备到器件工艺优化的完整技术链条，成功与电源管理等领域的头部客户达成合作，市场品牌影响力大幅提升。2024年，基于“战略所向、经营所需”的双重考量，华润微电子投资建设润新微电子外延生产基地，通过垂直整合核心制造环节，进一步夯实了在外延能力上的竞争优势。活动当天，与会人员共同参观了华润微电子氮化镓外延基地生产线，深入了解生产线布局及工艺流程。　　展望未来，华润微电子将继续秉持创新驱动理念，进一步加大研发投入，持续深化宽禁带半导体等高端领域布局，以更高标准不断提升产品性能和质量，精准满足市场对高端外延片日益增长的需求。同时还将积极强化与产业链上下游企业的深度合作，携手共进，共同攻克技术难题，完善产业生态，全力推动半导体产业链的协同发展，向着更高层次、更深领域探索前行，为我国半导体产业的自主可控、安全可靠持续贡献力量，助力第三代半导体等高端应用市场蓬勃发展。
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