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极海<span style='color:red'>半导体</span>：基于G32A1445的车载空调控制器应用方案

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极海半导体：基于G32A1445的车载空调控制器应用方案

　　车载空调控制器作为汽车舒适性系统的核心组件，能够精准调节车内温度、风速和风向，同时集成了空气净化、湿度控制等功能，以确保驾乘人员享有舒适的车内环境。随着汽车制造商和消费者愈发关注驾乘体验，车载空调控制器的功能和智能化程度已成为衡量汽车品质的重要指标之一。　　在汽车技术不断进步与环保要求的推动下，高效且智能的车载空调控制器市场需求日益增长。整机系统主要由MCU、电源模块、显示面板、多种传感器模块、执行单元、电机和高低边驱动等模块组成，而MCU作为整个控制器的核心器件，对于保障车载空调控制器的高抗干扰性和可靠性尤为重要。　　极海半导体G32A1445车载空调控制器应用方案介绍　　车辆环境对可靠性和稳定性的要求高，因此在选择车载空调控制器的MCU时，需考虑车辆特有的环境因素，如温度波动、振动、电磁干扰等。针对系统的关键设计与功能需求，搭载极海G32A1445汽车通用MCU的车载空调控制器应用方案，已成功量产上车，可实现温度调节、风速控制、空气分布控制、内外循环自动模式选择、除湿、空气净化、后窗加热、定时控制、状态显示、故障诊断等功能，全面满足汽车舒适环境的要求。　　主控G32A1445汽车通用MCU与显示面板、传感器、执行单元、控制模块、空调制冷剂循环系统等模块组合实现空调控制系统。具体来说，G32A1445通过LPSPI控制执行器来控制风扇电机工作;通过灵活输入检测处理执行器来传输AC反馈信号、除霜反馈信号、压力开关信号等，实现诊断和状态显示功能;通过LIN总线与空调面板显示屏传输状态。　　G32A1445车载空调控制器应用方案特点：　　■ 集成CFGTMR定时器模块，来驱动鼓风机、压缩机、步进电机等应用，满足不同暖通空调系统加热、冷却、通风、清洁或除湿等功能操作　　■ 通过多路ADC(4路温度传感器、1路湿度传感器、2路环境传感器)，轻松采集空调控制器各类传感数据信息　　■ 通过CAN总线，将当前空调状态信息传送到整车CAN网络，实现对空调压缩机、PTC\鼓风机等部件的精确控制　　■ 支持过压、欠压、过流、过温保护等故障检测功能，保证系统的可靠性和安全性　　■ 符合2.0A/2.0B(主动)规范，通信速率高达1Mbit/s，满足与汽车CAN总线系统进行交互通信，实现车辆总线快速稳定交互通信要求;可升级的CANFD协议，数据长度最大支持64字节，比特率最高支持8Mbit/s　　极海致力于满足汽车系统设计中越来越复杂的功能需求与关键性能指标，持续用高品质汽车芯片产品及配套方案广泛支持汽车细分场景应用。基于G32A1445/1465系列汽车通用MCU的量产级应用方案，为智能汽车在安全系统、动力系统、控制系统、信息娱乐系统技术创新与升级提供了有力支撑。

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极海半导体

发布时间：2025-02-27 15:46 阅读量：579 继续阅读>>

极海<span style='color:red'>半导体</span>：基于G32R501的800W双路MPPT微型逆变器参考方案

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极海半导体：基于G32R501的800W双路MPPT微型逆变器参考方案

　　近年来，全球可再生能源需求持续增长，尤其是分布式发电和户储光伏系统的广泛应用，推动了微型逆变器市场规模的迅速扩张，目前已达百亿级别。微型逆变器作为连接太阳能与电网的关键设备，不仅是能源转换的核心枢纽，更是推动绿色能源普及的重要技术载体。　　极海半导体推出G32R501 800W双路MPPT微型逆变器参考方案，旨在以更高效、更智能的量产级技术方案，助力全球能源转型。该方案通过G32R501实时控制MCU实现光伏微逆变器的数字控制，并可同时接入两路光伏输入，具有独立MPPT功能，额定功率800W，可使用锁相环追踪电网角度，支持并网运行模式。　　极海800W双路MPPT微型逆变器参考方案介绍　　极海微型逆变器参考方案采用G32R501实时控制MCU，应用中需要的所有关键功能均由该芯片主控实现，如MPPT、电网SPLL同步、反激原边电流逐波追踪电网电压正弦变化以及对外USART通讯等，并驱动两个功率单元实现反激隔离变换与输出换向功能。　　方案特点　　· 基于G325R01实时控制MCU单芯片方案，对反激和换向功率单元进行全面数字控制;　　· 最大光伏输入电压60V，MPPT电压范围16V~60V，启动电压22V，2路MPPT，最大输入电流14A;　　· 支持电网电压范围AC 180V~275V，频率45Hz~55Hz;　　· 额定输出功率800W，额定输出电流3.5A;　　· 满载功率因数>0.99，峰值效率94.0%;　　· 标称MPPT效率99.80%;　　· 工作温度-40℃~60℃，自然散热。　　方案功能　　本方案集成反激功率单元和换向功率单元，并由单芯片G32R501实时控制MCU实现光伏并网输出功能。　　· 反激功率单元作为微型逆变器的核心功率单元，由两组完全相同的反激电路组成，为提升系统传输功率，每组反激电路又进行了两相交错并联，实现光伏的最大功率追踪(MPPT)功能，并调节反激变压器的原边电流的变化趋势、追踪电网电压正弦变化，实现单位功率因数输出功能;　　· 换向功率单元由两个桥臂组成H桥，每个桥臂由一只MOS管和一只可控硅串连组成，通过锁相环为反激功率单元工作提供角度，并控制四只管子实现电流的正弦输出。　　· 基于极海G32R501微型逆变器方案，其两路MPPT独立寻优，避免光伏系统中因组件的不匹配(比如阴影遮挡，光照角度等)导致整体发电量的损失，提升发电量至少5%;　　· 另外单块组件损坏或逆变器故障，不会对整个系统运行产生影响，确保整体系统发电高效稳定;　　· 支持组件多朝向、多倾角安装(如屋顶不同斜面)，最大化利用不规则空间，且兼容不同功率、型号的光伏组件，新旧设备可混合使用。　　G32R501芯片特性　　· 高算力：主频高达250MHz，SRAM可灵活配置为零等待访问周期ITCM和DTCM，通过Cortex-M52内核的ACI功能，可以将自定义指令直接纳入内核处理，大幅提高运算能力，为电源应用中常用滤波器、补偿器、锁相环等算法提供运算加速;　　· 控制外设：内置16个PWM通道，每个通道均支持典型值151ps的高分辨率PWM输出，另外还带有谷底开通模块，满足微型逆变器谷底开通、峰值电流关断的配置要求;　　· 模拟外设：7个比较器单元，每个比较器内置2个12-bit DAC，支持消隐和滤波功能，可实现微型逆变器的峰值电流关断和谷底开通配置;　　· 3个3.45 MSPS 12 位模数转换器，支持31个外部通道，可为微型逆变器提供同步采集和短延时采集需求，更优的MPPT追踪性能;　　· 工作温度覆盖-40℃~125℃，对电磁环境有更高容忍度，适应复杂的工业工作环境。　　微型逆变器作为光伏发电系统中重要的组成部分，是推动可再生能源普及、实现能源结构转型和可持续发展目标的重要技术点。极海G32R501 800W双路MPPT微型逆变器参考方案，可提供完善的软硬件设计文件，涵盖示例程序固件、极海自研上位机以及用户指南等，方便工程师快速进行上手使用、性能评估以及二次开发，助力客户项目快速量产落地。

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极海半导体

发布时间：2025-02-27 13:35 阅读量：532 继续阅读>>

荣湃<span style='color:red'>半导体</span> : 隔离式I2C接口在SMBus总线中的应用

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荣湃半导体 : 隔离式I2C接口在SMBus总线中的应用

　　System Management Bus，简称为SMBus，是一种两线制式的通信接口协议，广泛应用在低功耗、低速率的系统通信。其数据线(Data)可以支持单线双向通信，挂载在SMBus上的芯片之间无需单独拉信号线，互相通信非常方便。　　SMBus协议是在I2C协议的基础上制定的，因此两者在物理层和工作原理上具有很高的相似性，仅在部分电气参数上略有不同。　　荣湃半导体此次全新推出的隔离I2C Pai220N61-W5R采用了紧凑的宽8封装设计，与传统的 WB SOIC-16 封装相比，显著减小了占用面积，更加节省空间，同样适用于SMBus总线，为其提供可靠的电气隔离解决方案。　　目前已上市的 I2C 系列产品提供两种封装类型，分别为 NB SOIC-8 和 WB SOIC-16，满足不同应用场景的需求。　　前文提到，SMBus是基于I2C来设计的，所以它的硬件电路在绝大多数情况下都和I2C硬件电路兼容，但是也有少数情况是不兼容的。在SMBus的参数规格白皮书中，附录B专门指出了SMBus和I2C的差异之处。本文汇总罗列如下：　　直流参数差异：　　通信速率对比：　　荣湃隔离式I2C Pai22xN系列产品最高支持2MHz，可以完全兼容SMBus与I2C的通信速率要求。　　由于I2C器件的IO均为开漏(Open-Drain)设计，其只能提供下拉能力，上拉能力由外部的上拉电阻提供。实际使用时只要保证上拉电阻连接到器件的VDD，就能满足SMBus的逻辑电平需求。　　总结　　SMBus的物理层定义与I2C协议接近，荣湃全新推出的Pai220Nx1隔离式I2C接口器件能够完整兼容SMBus的使用。

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荣湃半导体

发布时间：2025-02-26 13:30 阅读量：480 继续阅读>>

日本电产尼得科与瑞萨电子合作开发新一代电动汽车用电驱系统E-Axle的<span style='color:red'>半导体</span>解决方案

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日本电产尼得科与瑞萨电子合作开发新一代电动汽车用电驱系统E-Axle的半导体解决方案

　　尼得科株式会社（以下简称“尼得科”）瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）已达成共识，将合作开发应用于新一代E-Axle（X-in-1系统）的半导体解决方案，该新一代E-Axle系统集成了电动汽车（EV）的驱动电机和功率电子器件。　　当下的电动汽车越来越多采用将电机、逆变器和减速机合为一体的E-Axle三合一电驱系统。为了在实现更高性能、更高效率的同时，实现更小型轻量和更低成本，并提高车辆研发的效率，将DC-DC转换器和车载充电器（OBC）等功率电子控制器件等集成到电驱系统的趋势也不断加快。特别是在EV增长快速的中国市场，多家电动汽车制造商为此开发出集多种功能为一体的X-in-1平台，并被越来越多的车型所采用。　　由于X-in-1集合了多种功能同时也增加了复杂性，使得保持车规级标准变得越来越具有挑战性。因此，开发诊断功能和故障预测等安全防范技术对于确保车辆的可靠性和安全性至关重要。为了应对这一挑战，两家公司达成共识，将结合尼得科的电机技术与瑞萨电子的半导体技术，共同为X-in-1系统开发一种高品质、高性能的PoC（Proof of Concept：概念验证）方案，旨在实现具有行业高水平的高性能、高效率以及小型轻量和低成本。　　两家公司计划在2023年底前推出第一款六合一PoC，该系统将在电机、逆变器、减速机的基础上，搭载DC-DC转换器、OBC、电源分配单元。2024年，尼得科和瑞萨电子还计划开发新的集成度较高的第二款X-in-1 PoC，其中包含电池管理系统（BMS）和其他组件。第一款PoC将在功率器件上搭载SiC（碳化硅），第二款PoC将用高频操作性优异的GaN（氮化镓）取代DC-DC和OBC功率器件，进一步实现小型化和低成本化。　　尼得科将以此次合作开发的PoC为基础，迅速将E-Axle系统产品化，扩充E-Axle系统的产品阵容，并逐步构建起量产体系，带动整个E-Axle市场向前发展。　　瑞萨电子计划将此次携手开发的PoC作为E-Axle的参考设计并加以扩展，为日趋复杂化的X-in-1系统开发提供“交钥匙解决方案”。

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尼得科

发布时间：2023-06-06 11:16 阅读量：2496 继续阅读>>

安森美:第三代<span style='color:red'>半导体</span>功率器件在汽车上的应用

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安森美:第三代半导体功率器件在汽车上的应用

　　目前碳化硅(SiC)在车载充电器(OBC)已经得到了普及应用，在电驱的话已经开始逐步有企业开始大规模应用，当然SiC和Si的功率器件在成本上还有一定的差距，主要是因为SiC的衬底良率还有长晶的速度很慢导致成本偏高。随着工艺的改进，这些都会得到解决。　　同时SiC由于开关速度比较快，衍生出来的问题在应用里还没有完全的暴露出来，随着SiC的终端客户在这方面的应用经验越来越丰富，SiC的使用也会趋于成熟。　　接下来，安森美(onsemi)汽车主驱功率模块产品线经理陆涛将和您聊聊关于未来SiC在新能源汽车上的普及及应用。　　▲安森美汽车主驱功率模块产品线经理陆涛　　要降低第三代半导体功率器件在新能源汽车上的使用门槛，您认为供应链上的各个环节需要怎么做？垂直整合(IDM)模式和Fabless + Foundry模式那个更适合？请简述理由　　IDM和Fabless都有机会，IDM由于整个供应链是完美整合的，所以它有天然的优势去解决上面的问题。Fabless需要和Foundry深入配合才有可能解决这些问题。相对而言在SiC领域IDM会比Fabless发展快一些。　　能否点评一下目前几种主流的电动汽车功率器件的优劣势，硅基MOSFET、SJ-MOSFET、硅基SiC、硅基GaN等？　　电动汽车功率器件目前主要是硅基IGBT、MOSFET、GaN以及SiC MOSFET。硅基的IGBT优点是工艺成熟，高压大电流工况下性能优异。但是开关速度不快，小电流损耗偏大。而硅基MOSFET优点是工艺成熟，低压小电流条件下导通电阻比较低，同时速度也比较快但是高压器件的导通电阻偏大。　　SiC的MOSFET优点是高压器件的导通电阻相对而言比较低，开关速度比较快。高压小电流的情况下，导通电阻比较低特别适用于新能源汽车的逆变器应用里。但是它的成本偏高，同时高压大电流的时候导通电阻比较高相对IGBT而言在这个时候损耗会偏高。　　作为当前的电动汽车普及第一大国，中国提出了“双碳”目标，汽车大厂比亚迪也率先宣布停售燃油车，这一系列的举动是否会对国内的第三代半导体起到助推作用？贵司会如何开发和利用好这一市场？　　第三代半导体对于电动车是非常关键的一个器件，未来会得到大规模的普及应用。安森美是少数具备SiC垂直供应链的供应商之一，已经积极在整个SiC供应链全部环节投入大量的资源，包括基板衬底到最终产品的封装相关的技术，积极应对这一趋势。尤其安森美在收购SiC生产商GT Advanced Technologies(“GTAT”)后，更进一步增强其在SiC领域的独特优势，以满足市场不断增长的SiC需求。　　当前已有新能源汽车企业或投资、或与半导体公司成立合资公司，共同开发或定制车规级第三代半导体功率器件，甚至自建产线。这样一方面可以绑定产能避免缺货，另一方面协同研发定制器件能更有效针对终端进行优化。您如何看这类模式的前景？　　这个是目前市场的趋势之一，其实还有一种趋势是和IDM厂家谈保供(LTSA)。相对而言保供协议更容易实施。　　从全球来看，2005年以来已经有很多国家和地区相继公告并推动禁售燃油车的政策和时间节点，大部分发达国家预计在2030年前后实现燃油车禁售。您认为这样的时间节点对车用第三代半导体器件厂商来说意味着什么？　　无论是第三代半导体或者硅基器件厂商，这都意味着一个巨大的市场前景。区别在于第三代半导体的市场份额大小，要想获得更多的市场份额，那么就要在衬底和器件方面同时发力，提高性能的同时降低成本。

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安森美,半导体,功率器,汽车

发布时间：2023-02-23 11:00 阅读量：2085 继续阅读>>

第三代<span style='color:red'>半导体</span>功率器件在汽车上的应用

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第三代半导体功率器件在汽车上的应用

　　目前碳化硅(SiC)在车载充电器(OBC)已经得到了普及应用，在电驱的话已经开始逐步有企业开始大规模应用，当然SiC和Si的功率器件在成本上还有一定的差距，主要是因为SiC的衬底良率还有长晶的速度很慢导致成本偏高。随着工艺的改进，这些都会得到解决。同时SiC由于开关速度比较快，衍生出来的问题在应用里还没有完全的暴露出来，随着SiC的终端客户在这方面的应用经验越来越丰富，SiC的使用也会趋于成熟。　　要降低第三代半导体功率器件在新能源汽车上的使用门槛，您认为供应链上的各个环节需要怎么做垂直整合(IDM)模式和Fabless + Foundry模式那个更适合?　　IDM和Fabless都有机会，IDM由于整个供应链是完美整合的，所以它有天然的优势去解决上面的问题。Fabless需要和Foundry深入配合才有可能解决这些问题。相对而言在SiC领域IDM会比Fabless发展快一些。　　目前几种主流的电动汽车功率器件的优劣势，硅基MOSFET、SJ-MOSFET、硅基SiC、硅基GaN等?　　电动汽车功率器件目前主要是硅基IGBT、MOSFET、GaN以及SiC MOSFET。硅基的IGBT优点是工艺成熟，高压大电流工况下性能优异。但是开关速度不快，小电流损耗偏大。而硅基MOSFET优点是工艺成熟，低压小电流条件下导通电阻比较低，同时速度也比较快但是高压器件的导通电阻偏大。　　SiC的MOSFET优点是高压器件的导通电阻相对而言比较低，开关速度比较快。高压小电流的情况下，导通电阻比较低特别适用于新能源汽车的逆变器应用里。但是它的成本偏高，同时高压大电流的时候导通电阻比较高相对IGBT而言在这个时候损耗会偏高。　　作为当前的电动汽车普及第一大国，中国提出了“双碳”目标，汽车大厂比亚迪也率先宣布停售燃油车，这一系列的举动是否会对国内的第三代半导体起到助推作用?贵司会如何开发和利用好这一市场?　　第三代半导体对于电动车是非常关键的一个器件，未来会得到大规模的普及应用。安森美是少数具备SiC垂直供应链的供应商之一，已经积极在整个SiC供应链全部环节投入大量的资源，包括基板衬底到最终产品的封装相关的技术，积极应对这一趋势。尤其安森美在收购SiC生产商GT Advanced Technologies(“GTAT”)后，更进一步增强其在SiC领域的独特优势，以满足市场不断增长的SiC需求。　　当前已有新能源汽车企业或投资、或与半导体公司成立合资公司，共同开发或定制车规级第三代半导体功率器件，甚至自建产线。这样一方面可以绑定产能避免缺货，另一方面协同研发定制器件能更有效针对终端进行优化。您如何看这类模式的前景?　　这个是目前市场的趋势之一，其实还有一种趋势是和IDM厂家谈保供(LTSA)。相对而言保供协议更容易实施。　　从全球来看，2005年以来已经有很多国家和地区相继公告并推动禁售燃油车的政策和时间节点，大部分发达国家预计在2030年前后实现燃油车禁售。您认为这样的时间节点对车用第三代半导体器件厂商来说意味着什么?　　无论是第三代半导体或者硅基器件厂商，这都意味着一个巨大的市场前景。区别在于第三代半导体的市场份额大小，要想获得更多的市场份额，那么就要在衬底和器件方面同时发力，提高性能的同时降低成本。

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半导体,功率器,汽车

发布时间：2023-02-06 13:29 阅读量：2828 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies

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