安森美:如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模块,打造充电更快的车载充电器?

发布时间:2023-05-23 10:56
作者:AMEYA360
来源:网络
阅读量:2889

  早期的电动汽车 (EV) 由于难以存储足够的能量来驱动强大的主驱电机,行驶里程较为有限。为了延长行驶里程,电动汽车制造商增加了车辆电池的能量容量。然而,更大的电池意味着更长的充电时间。

  要能快速高效地为电动车更大的电池充电,电动车才能在市场普及并发展。2021 年,市场上排名前 12 位的电动汽车的平均电池容量为 80 kW-hr。消费者主要在家中使用车辆的车载充电器(OBC) 进行充电。为确保合理的车辆充电时间,OEM 还将 OBC 的功率容量从 6.6 kW 提高到 11 kW,甚至高达 22 kW。使用 6.6 kW OBC 时,这些电动汽车需要 12.1 小时才能充满电。而将 OBC 功率增加到 11 kW 后,充电时间缩短至 7.3 小时,而使用 22 kW OBC 时,只需 3.6 小时即可充满电。

  需要注意的是,直流快速充电桩可以提供大约 250 kW 的功率,只需 20 分钟即可为上述容量的电池充满电,而且这些充电桩不使用车辆的 OBC。然而,根据加州能源委员会的数据,购买和安装商用直流快速充电桩的平均成本超过 10 万美元 。在这个价位上,直流快速充电桩只有在工业和商业应用中才有意义,因为同一个充电桩可以被许多车辆使用。目前,消费者必须依靠 OBC 在家充电,而缩短充电时间是将 OBC 功率提高到 6.6 kW 以上的主要动因。

  影响 OBC 设计的两个关键因素是电压和开关频率。

  电池电压正从 400 V 增加到 800 V 甚至更高,更高的电池电压会增加电池的能量容量(能量容量 = 电压 x 安-时容量)。例如,将电压加倍会使电池容量(以千瓦时为单位)和车辆的行驶里程都加倍。在更高的电压下运行还可以减少整个车辆所需的电流,从而降低电源系统、电池和 OBC 之间的电缆成本。

  开关频率决定了车辆所需磁性元件(如电感器)的尺寸和重量。通过提高开关频率,可以使用更小更轻的磁性元件,较小的元件比较大的元件便宜。由于更轻,它们减少了车载充电器的质量,使工程师能够在不改变整车重量的情况下,在电动汽车的其他地方增加重量。更紧凑的尺寸还意味着 OBC 系统的封装尺寸更小,有利于实现时尚的车辆设计。更小的封装还降低了 OBC 外壳在碰撞中成为危险抛射物的可能性,由此增加了安全性。简而言之,增加开关频率使设计人员能够在更小的物理尺寸内实现更高的功率密度。

  总之,更高的电压和更高的开关频率可以显著提高 OBC 的容量。开发人员面临的挑战是,他们使用的组件必须能够承受更高的电压和更高的开关频率。请注意,即使是更低的电压设计(即 400 V),也仍然可以受益于更高的开关频率,以减小磁性元件的尺寸和重量。

  碳化硅支持更高开关频率

  当前几代 OBC 架构利用超结 MOSFET 和 IGBT 组件,然而,这些技术适合以较低开关频率运行的低压应用。具体而言,硅基超级结 MOSFET 的效率随着电压的升高而降低。虽然基于 IGBT 的器件可用于更高电压应用,但 IGBT 在更高频率下的表现不佳。

  为了提供更快的充电速度,车载充电器需要一种专为更高电压和更高开关频率设计的新拓扑结构。此外,新拓扑结构需要在提供更高功率的同时,简化整体电源系统的设计。借助碳化硅 (SiC) 技术,此类新拓扑结构成为可能。

  与传统超级结 MOSFET 和硅基 IGBT 相比,基于 SiC 的器件和模块具有多项优势。例如,通常情况下,随着功率的增加,系统的整体损耗也会增加,而基于 SiC 的 MOSFET 使 OEM 能够在 OBC 系统中创建更好的电源转换电路。结果是 OEM 可以提高“从发电到驱动”的整体效率,更重要的是,在更高的电压水平下保持这样的效率。

  除了延长电动汽车的行驶里程外,使充电系统的效率最大化,与电动推进系统保持一致,还可以降低充电车辆的成本。因此,采用 SiC 技术提高 OBC 效率,不仅可以满足消费者的需求,应对竞争压力,降低电动汽车的运行成本,还可以提高电动汽车的整体可持续性。随着 11 kW 和 22 kW 电动汽车的面世,SiC 技术将继续助力提高效率和节省运行成本。

  基于 SiC 的电源系统可以提高系统效率和功率密度,其中一部分原因是由于更小无源元件具有更低电阻,导通损耗更低。因此,与超级结 MOSFET 和 IGBT 相比,SiC 提供了出色的热性能,最大程度地降低了功耗,并使系统需要相对较少的散热。

  例如,假设有一个效率为 94% 的 3.6 kW IGBT 充电器,该充电器有 200 W 的损耗。然而,随着 OBC 额定功率增加到 11 kW,94% 的效率将转化为 660 W 的损耗。产生超过 3 倍的损耗会对散热系统设计产生负面影响,给电源带来更高的负载,进一步降低效率。

  基于 SiC 的 OBC 可达到约 97% 的效率,具体取决于设计。对于一个 11 kW 的系统,这会造成大约 230 W 的损耗,相当于现有的 3.6 kW 系统所须应对的损耗。因此,用于3.6 kW  IGBT系统的现有散热系统一样可以支持基于 SiC 的 11 kW 系统。换个方式比较,基于 IGBT 的 11 kW 系统的散热装置将需要比基于 SiC 的 11 kW 系统更频繁地运行,消耗额外的功率,拉低整体效率,导致运行成本增加。

  基于 SiC 的 OBC 设计

  车载充电器的功能主要分为两个阶段。

  第一个阶段是功率因数校正 (PFC),它是 AC/DC 转换器的初始阶段,它具有三个功能:将交流电转换为直流电,将输入电压提升至正确的直流电压,以及产生单位功率因数。其中,第三个功能的作用是确保电流和电压同相。没有有效单位功率因数的系统会对电网产生干扰。

  第二个主要阶段是调节充电的 DC/DC 转换器。充电电压不是恒定的,而是根据特定的电池配置文件而变化。该配置文件使工程师能够在效率、充电时间和延长电池寿命方面实现尽可能好的充电体验。

  传统上,3.6 kW 系统 PFC 级使用一个 4 二极管整流桥将交流电转换为直流电,然后是升压转换器的一个或多个相。通常,这需要每相一个 MOSFET 和整流器或两个 MOSFET。

  要从 3.6 kW 提高到 11 kW,需要并联三个 3.6 kW 电路(见图 1)。要达到 22 kW,需要并联 6 个 3.6 kW 电路。使用 SiC 时,只需更少的功率器件就能达到 11 kW 或 22 kW,从而简化了整体设计并实现了更高的效率。

安森美:如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模块,打造充电更快的车载充电器?

  安森美 (onsemi) 提供 NVXK2KR80WDT、NVXK2TR80WDT 和 NVXK2TR40WXT 1200 V EliteSiC MOSFET 模块,可用于电动汽车的 OBC 应用中,以发挥 SiC 的优势。这些 EliteSiC 模块可以改进 OBC 设计。NVXK2KR80WDT 是一款 Vienna 整流器模块,集成了 1200 V 80 mΩ EliteSiC MOSFET,SiC 和 Si 二极管都贴装在 Al2O3 陶瓷基板上。NVXK2TR80WDT 是一款双半桥模块,搭载 1200 V 80 mΩ EliteSiC MOSFET,贴装在 Al2O3 陶瓷基板上。NVXK2TR40WXT 是一款双半桥模块,搭载 1200 V 40 mΩ EliteSiC MOSFET,贴装在 AlN 陶瓷基板上,用于提高电流处理能力。

  而不需要三个并联的电路,或者可以使用三个 NVXK2KR80WDT 模块来实现三相 Vienna 整流器,每个模块处理一相。对于第二级,DC/DC 转换器(两个 NVXK2TR80WDT 模块或两个 NVXK2TR40WXT 模块)构成了 CLLC 谐振转换器的初级侧和次级侧桥。这种拓扑结构可以减少整体元器件数量并提高效率,元器件减少了大约 50%。22 kW 系统也可以应用这种拓扑结构。

  工程师可以使用一系列模块而不是分立元件来简化设计,同时确保具有高功率密度的紧凑设计。模块对分立元件的设计进行了整合,降低复杂性,从而减少了 OBC 制造商的设计和装配工作,同时提供了更高的可靠性。

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  图 2. 使用碳化硅模块,仅需一个电路即可支持 11 kW 系统的所有三相

  安森美提供广泛的功率器件组合,可简化工程并提供不同的折衷方案,为工程师提供更大的灵活性。例如,相比于 NVXK2xx40WXT 的0.47°C/W 的 RqJC,NVXK2xx80WDT 有一个 1.84°C/W(每瓦温升)的 RqJC。虽然 xx80WDT 的发热量更高,但它比 xx40WXT 更小、更便宜,xx40WXT 的散热性能更好。这使开发人员能够选择合适的器件来匹配特定应用的额定功率,并在尺寸/成本和散热之间进行权衡。

  请注意,将模块的 RqJC 与分立元件的 RqJC 进行比较并不是一对一的比较。该模块已经有一个嵌入式电绝缘层,必须将其添加到分立方案中。此外,分立封装中的可比元件具有外部和内部热接口,温升比单独的分立元件要高得多。

  另一个要考虑的因素是剖面。由于可能的集成度,模块的间隙比分立式方案要好得多。例如,IEC-60664-1 要求封装至少有 5.0 mm 的间隙。选择模块可确保满足间隙要求,同时简化工程设计。

  负载平衡

  典型的充电场景是驾驶员下班回家后为电动汽车通宵充电,随着越来越多的电动汽车上路,电力公司面临的一个主要挑战将是负载平衡需求。目前,相关方正在进行研究以创建协调的智能电网,包括在全国层面和全球层面进行协调。例如,一种潜在的策略是电力公司在不同时间在不同地点使用电动汽车电池,以帮助保持电网稳定,从而满足高峰期的电动汽车充电需求。

  这些新的基于 SiC 的拓扑结构的优点之一是它们是双向的,并且在引入时很可能能够支持各种协调的智能电网策略。鉴于不断发展的法规会提出现有 EV 架构难以胜任的新功能,这种能力有助于打造面向未来的设计。

  双向 OBC 还使电动汽车能够充当家用应急发电机。例如,当下大雪造成停电后,拥有电动汽车的家庭可以使用电动汽车为加热器和照明灯等基本设备供电,供电量可达 60 千瓦时,具体取决于电池容量。随着技术的进步,电动汽车可以在多种职业场景充当发电机,比如在偏远的建筑工地提供电力。

  安森美率先推出符合汽车标准的基于 SiC 的功率模块,适用于车载充电器应用。凭借 15 年的 SiC 模块量产经验,安森美在为客户提供价值和质量方面拥有良好的业绩记录和悠久历史。

  安森美也是少数拥有全整合供应链的 SiC 制造商之一。从 SiC 晶锭生长到晶圆制造,再到模块和分立器件,安森美拥有自己的内部 SiC 制造和装配流程,以确保功率器件符合高品质标准。安森美不仅是端到端的 SiC 供应商,而且具备卓越运营能力和快速响应能力。

  下一代车载充电器需要处理高压和不断增加的开关频率,以提供汽车制造商所需的效率和功率密度。碳化硅技术支持新的拓扑结构,使电源工程师能够满足这些新的要求,同时减小 OBC 的尺寸、重量、成本和复杂性。凭借全面的电源产品组合,安森美可帮助加速 OBC 设计,为开发人员提供应用灵活性,打造出面向未来的设计,以适应不断变化的法规并支持新的应用。


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2025-03-21 09:09 阅读量:241
开关性能大幅提升!安森美M3S 与M2 SiC MOSFET直观对比
  安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模块中的 M3S 技术已经发布。M3S MOSFET 的导通电阻和开关损耗均较低,提供 650 V 和 1200 V 两种电压等级选项。本白皮书侧重于探讨专为低电池电压领域的高速开关应用而设计的先进 onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技术。通过各种特性测试和仿真,评估了 MOSFET 相对于同等竞争产品的性能。第一篇介绍SiC MOSFET的基础知识、M3S 技术和产品组合。本文为第二篇,将介绍电气特性、参数和品质因数、拓扑与仿真等。  电气特性、参数和品质因数  在本小节中,我们将比较 M3S SiC MOSFET (NVBG023N065M3S) 与 M2 器件 (NVBG060N065SC1) 以及竞争器件。我们选择了导通电阻和峰值电流均非常相似的表面贴装器件 (SMD) 作为开关,并在不同条件下进行了特性测试,以比较各器件的重要参数。  a. 静态参数  器件的导通损耗可以用关键参数 RDS(on)来衡量。因此,本小节在 25°C 和 175°C 结温下测量了器件的 RDS(on)特性。此外还在 15 V 和 18 V 两个不同的栅极-源极电压下进行了测量,其中导通脉冲宽度为 300 µs。  测试得出的主要结论是NVBG023N065M3S 器件在各种电流水平下均具有稳定的 RDS(on)。NVBG023N065M3S 的 RDS(on)从 5 A 到 100 A 的偏差为 13%,而 NVBG060N065SC1 和竞争产品 A 的对应数值分别为 25% 和 26%。  b. 动态参数  SiC 器件的反向恢复电荷比 Si MOSFET 少,因此开通峰值电流更小,开通开关损耗也更低。为了更好地理解和量化开关损耗,通常使用 Ciss、Coss、Crss和 Qrr等关键参数进行评估。在大多数高功率应用中,Ciss、Coss、Crss的电压水平一般都超过 10 V。米勒电容 (Crss) 至关重要,因为它可以耦合漏极和栅极电压。  在开关过程中,较低的 Crss减少了改变 MOSFET 状态所需提供或从栅极移除的电荷量。这使器件能够更快地在开通和关断状态之间进行转换,从而缩短电压电流同时较高的时间,减少开关损耗。图3比较了 M3S、M2 和竞争产品 A 之间的电容。  安森美的新一代产品 NVBG023N065M3S 在 VDS≥ 11V 时的 Crss值较低,这有助于减少导通和关断开关损耗。此外,NVBG023N065M3S 的 Coss值非常接近竞争产品,并且在某些电压水平下优于其他器件。  本文测量了几种负载电流条件下两种器件的开关损耗。测量过程采用双脉冲测试设置,测试条件设定如下:  Vin= 400 V,  Rg= 2 Ω − 4.7 Ω,  Vgs_on= +18 V,  Vgs_off= −3 V,  开关电流 = [5A, 100A]  每个器件的内部栅极电阻不同,因此总栅极电阻匹配为 6 Ω。下图为这三个器件在 25°C 时的开通、关断和总开关损耗。  可以得出结论,与其他两款器件相比,NVBG023N065M3S 的开通和关断损耗更低。在 5 A 至 100 A 的负载电流范围内,NVBG023N065M3S 的平均总损耗与上一代器件 NVBG060N065SC1 相比减少了 31%,与竞争产品 A 相比减少了 42%。  进行反向恢复测试时,漏极电流为 ID= {20 A, 40 A, 60 A},总栅极电阻为 Rg, tot= 8.5 Ω,栅极电压为 Vgs= −3 V/18 V,温度为 25 °C。根据图 5 中的结果,与竞争产品 A 相比,安森美新一代 NVBG023N065M3S 的反向恢复时间更短、反向恢复电荷更少且反向恢复能量也更低,因此具有更优异的反向恢复性能。  c. 参数和品质因数比较  下表总结了各器件主要属性的比较情况。各数值的每个属性已根据 M3S 器件值进行归一化。  根据上图,可以得出关于 NVBG023N065M3S 的以下结论:  与竞争产品器件相比,开关损耗降低 35%。  175°C 时,特定导通电阻比竞争产品器件低 28%。  与竞争产品器件相比,反向恢复电荷低 26%。  这证明 M3S 是适用于硬开关应用的出色技术。  拓扑与仿真  a. 基准拓扑  安森美的 M3S SiC MOSFET 专为高频开关应用而设计,是车载充电器应用和 HV DC/DC 转换器的理想选择。相关器件经过专门定制,具有超低开关损耗,同时保持非常低的导通损耗,因此成为了图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器等硬开关应用的理想选择。此外,由于导通电阻 RDS(on)较低、开关损耗非常小,M3S 器件也是LLC 转换器、CLLC 转换器和相移全桥等软开关应用的优选。  图腾柱 PFC 转换器是一种简单且高效的拓扑,广泛应用于需要高密度设计的领域。需要更高的功率和更高的能效时,可采用三相交错式图腾柱 PFC 转换器(如下图)。  b. PFC 转换器的功率损耗比较示例  在前面几小节中,我们通过测量值评估了导通和开关损耗,然后使用 PSIM 仿真程序对比了损耗情况。选择三相图腾柱 PFC 转换器作为拓扑,并采用以下测试条件(如图6所示)。  Vin= 230 Vrms  Vout= 400 V  Rg, tot= 6.1 Ω  Vgs= −5/18 V  Fsw= 100 kHz  Pout= 11 kW  下表展示了每种器件满负荷(11 kW)时的功率损耗。可以观察到,NVBG023N065M3S 器件受益于较低的导通损耗以及较低的开关损耗,最终实现了更高的系统能效。  结论  安森美M3S 650V SiC MOSFET 技术在电力电子领域取得了重大进展,尤其适用于电动汽车 (EV) 和其他节能系统中的高速开关应用。从 M1 到 M3 的演进将特定导通电阻 (RSP) 降低 50% 以上,并引入了四引脚 TO-247-4 等封装创新,逐步提高了开关性能,这彰显了安森美致力于优化 MOSFET 设计的承诺。M3S 产品组合以低 RDS(on)和出色的开关性能而闻名,在车载充电器和 DC-DC 转换器等成本敏感型市场中占据领先技术地位。  特性分析结果表明,M3S 与安森美前几代产品的性能优于竞争产品,开关损耗降低 31-42%,总开关损耗降低 35%。M3S的输出和反向电容较低,有助于加快开关速度,也因此成为了图腾柱 PFC 转换器等硬开关拓扑和 LLC 转换器等软开关拓扑的理想选择。此外,M3S SiC MOSFET 表现出优异的反向恢复性能,与竞争产品相比,恢复电荷和能量显著降低,进一步提高了系统能效。  随着电动汽车系统对功率密度、能效和热性能的要求不断提高,M3S 技术解决了行业面临的关键挑战。搭配全面的产品组合,安森美M3S MOSFET 为高能效电源转换提供了多功能的可靠解决方案。
2025-03-18 15:30 阅读量:261
安森美:一文解读ADAS 系统中的关键传感器技术
  交通安全是一项巨大的挑战--每年有 110 多万人因道路交通事故丧生,另有约2000万到5000万人受伤。  造成这些事故的一个主要原因是驾驶员失误。汽车制造商和政府监管机构一直在寻找提高安全性的方法,近年来,先进驾驶辅助系统(ADAS)在帮助减少道路伤亡方面取得了巨大进步。  安森美在开发ADAS所需的传感器技术方面发挥了重要作用。安森美发明了双转换增益像素技术和HDR(高动态范围)模式,这些技术现在被业界许多传感器采用,并开创了创新的超级曝光设计,使传感器既能提供出色的低照度性能,又能通过单个光电二极管捕捉 HDR 场景而不会出现饱和现象。  由于这种市场和技术领导地位,因此目前道路上大多数ADAS图像传感器都是由安森美开发的。这些创新使安森美能够在过去的二十年里为汽车应用提供高性能的传感器,进而使ADAS在提高车辆安全方面产生了显著的影响。  在本文中,我们将探讨 ADAS 在提高道路安全方面的作用,以及各种对实现这一目标至关重要的传感器技术。  ADAS 的演变和重要性  自上世纪 70 年代首次引入防抱死制动系统(ABS)以来,ADAS 技术在乘用车中的应用稳步增加,安全性也相应提高。据美国国家安全委员会(NSC)估计,仅在美国,ADAS就有可能避免约62%的交通死亡事故,每年可挽救超过20,000人的生命3。近年来,自动紧急制动(AEB)和前撞预警(FCW)等ADAS功能已变得越来越普及,超过四分之一的车辆都配备了这些功能,以帮助驾驶员预防事故并最终挽救生命。  ADAS 需要多种技术协同工作。一套感知套件充当系统的“眼睛”,检测车辆周围环境并为系统的 “大脑 ”提供数据,后者利用这些数据计算出车辆的执行决策,以辅助驾驶员——例如,当检测到前方有车辆且驾驶员未踩下刹车时,AEB会自动刹车,使车辆及时停下,避免追尾碰撞。  ADAS 感知套件由一个视觉系统组成,该系统包括一个车规级摄像头,其核心是一个高性能图像传感器,可捕捉车辆周围环境的视频流,用于检测车辆、行人、交通标志等,在低速行驶和停车情况下显示这些图像以辅助驾驶员。  摄像头通常与毫米波雷达、激光雷达(LiDAR)或超声波传感器等深度感知系统匹配应用,这些传感器提供深度信息以增强摄像头的二维图像,增加冗余度并消除物体距离测量的模糊性。  对于汽车制造商及其一级系统供应商来说,实施 ADAS 系统可能是一个挑战:处理多个传感器产生的所有数据的处理能力有限,而且传感器本身也有性能限制。汽车行业的要求决定了每个组件都必须具有极高的可靠性,不仅包括硬件,还包括相关的软件算法,因此需要进行大量测试以确保安全。系统还必须在最恶劣的照明和天气条件下保持稳定的性能,能够应对极端温度,并在整个车辆生命周期内可靠运行。  ADAS 系统中的关键传感器技术  现在让我们来详细了解一下 ADAS 中使用的一些关键传感器技术,包括图像传感器、激光雷达(LiDAR)和超声波传感器。每种传感器都会提供特定类型的数据,通过软件算法对这些数据进行处理,并将这些数据相互结合,从而生成对环境的准确而全面的了解。  这一过程被称为传感器融合,它可以通过多种传感器模式的冗余来提高软件感知算法的准确性和可靠性,从而通过更高的置信度决策实现更高级别的安全。这些多传感器套件的复杂性可能会迅速上升,算法需要越来越强大的处理能力。与此同时,传感器本身也在变得越来越先进,从而可以在传感器级而不是在中央 ADAS 处理器上进行本地处理。  汽车图像传感器  图像传感器是车辆的 “眼睛”--可以说是任何配备 ADAS 的车辆中最重要的传感器类型。从自动紧急制动、前方碰撞预警和车道偏离警告等 “机器视觉 ”驾驶辅助功能,到用于泊车辅助的 360 度环视摄像头和用于电子后视镜的摄像头监控系统等 “人类视角 ”功能,再到可检测到分心或疲劳的驾驶员并发出警报以防止事故发生的驾驶员监控系统,图像传感器提供的图像数据可用于实现各种 ADAS 功能。  安森美提供包括 Hyperlux 系列在内的各种图像传感器,这些传感器以低功耗提供出色的图像质量。Hyperlux 传感器像素架构包括创新的超级曝光成像方案,可通过 LED 闪烁缓解 (LFM) 捕获高动态范围 (HDR) 帧,克服了 LED 前后车灯或 LED 交通标志因为脉冲频闪造成的误读问题。  Hyperlux图像传感器设计用于应对具有挑战性的汽车场景条件,例如在高架桥上方的直射阳光下,能够捕捉高达150分贝(dB)的动态范围。配备Hyperlux图像传感器的摄像头在处理极端情况时的表现远优于人眼,在远低于1 lux的光照水平下也能正常工作。  安森美的 Hyperlux 图像传感器包括 800 万像素的 AR0823AT 和 300 万像素的 AR0341AT。这些数字 CMOS 图像传感器采用 Hyperlux 2.1 µm 超曝光单光电二极管像素技术,具有出色的低照度性能,同时还能在同一帧图像中捕捉高照度和低照度场景中的宽动态范围。超级曝光像素可在一帧图像中实现足够大的动态范围,从而实现 “无忧设置”的曝光方案,有效消除了在光线条件发生变化时自动调节曝光的需要,例如在晴天驶出隧道或停车场时。  深度传感器(激光雷达)  精确测量物体与传感器之间的距离被称为深度感知。深度信息可以消除场景中的模糊性,对于各种 ADAS 功能以及实现更高级别的 ADAS 和全自动驾驶至关重要。  有多种技术可用于深度感知。如果要考虑深度性能,光探测和测距(激光雷达,LiDAR)是最佳选择。LiDAR 能够以高深度和角度分辨率进行深度感知,并且由于系统通过近红外(NIR)激光与传感器的配合实现了主动照明,因此可以在所有环境光条件下工作。它既适用于近距应用,也适用于远距应用。虽然低成本的毫米波雷达传感器在当今的汽车应用中更为普遍,但它们缺乏LiDAR 的角度分辨率,无法提供超出基本ADAS需求的更高级别自动驾驶所需的那种高分辨率三维点云环境信息。  最常见的LiDAR架构是直接飞行时间(ToF)法,它通过发射一个短红外光脉冲,并测量信号从物体反射回到传感器所需的时间,从而能够直接计算出距离。LiDAR传感器通过在其视野范围内扫描光线来复制这一测量过程,以捕捉整个场景。  安森美的ARRAYRDM-0112A20硅光电倍增管(SiPM)阵列是一种单光子敏感传感器,在单片阵列中具有 12 个通道,在近红外波长如905nm处具有高光子探测效率(PDE),用于检测返回的脉冲。此SiPM阵列已被集成到一款LiDAR中4,该LiDAR装备在世界上首批提供真正“视线离开”的自动驾驶功能的乘用车上,使车辆具备了超越基础驾驶辅助的自动驾驶能力,即驾驶员可以不再关注路面情况。这种水平的自动驾驶功能,没有LiDAR深度感知的支持,至今尚未能在消费级车辆上可靠地实现。  超声波传感器  另一种用于距离测量的技术是超声波检测,即通过传感器发射频率超出人类听觉范围的声波,然后检测反弹回来的声音,从而通过飞行时间测量距离。  超声波传感器可用于泊车辅助等近距离障碍物探测和低速操控应用。超声波传感器的一个优点是声音比光慢得多,因此反射声波返回传感器的时间通常为几微秒,而光的时间为纳秒,这意味着超声波传感器所需的处理性能要低得多,从而降低了系统成本。  超声波传感器的一个例子是安森美 NCV75215 泊车距离测量 ASSP。在车辆停放过程中,该元件通过压电超声波变换器对障碍物的距离进行飞行时间测量。它可检测距离为 0.25 米至 4.5 米的物体,并具有高灵敏度和低噪声特点。  结语  车行业正持续大力投资于 ADAS,并追求车辆全自动驾驶的目标--超越由SAE定义的基本驾驶辅助功能(即L1级和L2级)6,迈向真正的自动驾驶能力(即SAE定义的L3级、L4级和L5级)。减少道路伤亡是这一趋势背后的主要动力之一,安森美的传感器技术将在这一汽车安全变革中发挥至关重要的作用。
2025-03-18 15:19 阅读量:264
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