上海<span style='color:red'>雷卯</span>：Cyberchuck汽车电子48V系统浪涌保护方案
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上海雷卯：Cyberchuck汽车电子48V系统浪涌保护方案

　　1.Cyberchuck汽车电子48V系统背景：　　自20世纪50年代起，主流乘用车的低压电路都是12伏架构，这实际上是七八十年前的标准，一直沿用到了现在，目前各种雷达、摄像头等感知硬件，更高的算力需求，更高功率的音响，更多的屏幕。再加上各种的电动调节以及加热等的用电设备，给传统的12伏汽车配电总线增加了很多的额外负担，线束越来越粗，重量、成本、空间布置等要求也越来越高，所以提高电压是必然。48伏是一个公认的方向，早期混合动力车曾将电压提升到48V，不过直到特斯拉Cybertruck推出，48V系统才得到更广泛应用。　　2.Cyberchuck汽车电子48V系统优势：　　(1)提高电力负载：48V系统能提供更高电力负载，使汽车实现更多、更耗电的功能，如自动辅助驾驶感知系统、计算系统、4G/5G传输、线控转向和线控刹车等都需要更高的功率支持。在相同电流条件下，48V系统比12V系统能输出更高功率;相同输出功率时，48V系统能实现更低电流，进而降低功率损耗。　　(2)提升工作效率：与传统系统相比，48V系统工作效率更高，降低了功率损耗，并且耐用性和安全性更好。Cybertruck的48V系统让电压提高4倍，所需电流减少到原来的1/4，损失的能量更少，线束产生的热量也会降低，可增加线束使用寿命和安全性，同时允许电气组件响应更快。　　(3)优化成本与空间：更低的电流意味着可以使用更轻的线缆，减少了线缆的尺寸和重量，能够节省成本，还能为车辆提供更大的驾乘空间，并且可以装备更多的电池。由于电流与铜材料成本相关，减少电流还能节省大量铜材料。例如，Cybertruck使用48V架构帮助将布线减少了77%，铜需求减少了50%，从而降低整体重量，提高效率收益，每年能为特斯拉节省大约100亿美元的成本　　(4)简化整车结构：48V系统可以使整车结构变得更加简洁。比如特斯拉Cybertruck用高速数据总线(以太网)替代了CAN总线，可以用菊花链式方式，连接遗留系统中需要点对点布线运行的大多数组件。　　3.上海雷卯向48V系统保护方案迈进　　转换到48V系统，对于整个车辆供应链是个庞大的工程，它需要各个厂家的配合执行。在这个电压等级上，各种的车规及元器件都需要重新开发，包括电容、功率器件、线束、线组、马达等等，安全性、可靠性就要持续的来验证。上海雷卯是一家车辆EMC安全保护方案公司，根据这一需求迅速做出反应，将在48V电压系统浪涌保护方案上给予支持。　　4.为什么48V电压系统需要做浪涌保护　　主要基于以下几个重要原因：　　首先，汽车电气系统在运行中会面临各种动态变化。例如，引擎启动瞬间，电池会释放出大电流，这可能引发电压的急剧波动，产生浪涌。　　其次，车辆中的电气负载突然切换，如大功率电器的启动或停止，也会导致电流和　　电压的瞬间变化，从而引发浪涌现象。　　再者，汽车在行驶过程中可能会遭遇外部的电磁干扰，例如雷电、静电放电等，这些都可能在电路中引入高能量的浪涌电压。　　另外，现代汽车中的电子设备和控制系统越来越复杂和精密，对电压的稳定性要求极高。48V 电压系统中的敏感电子元件，如各种传感器、控制模块等，如果受到浪涌电压的冲击，可能会出现性能下降、故障甚至永久性损坏，进而影响整个汽车的性能、安全性和可靠性。　　最后，随着汽车智能化和电动化的发展，48V 电压系统的应用越来越广泛，其承载的功能也越来越重要，因此更需要有效的浪涌保护措施来确保系统的稳定运行和长寿命　　因此，为了保障汽车 48V 电压系统的正常工作，避免电子设备受损，提高汽车的安全性和可靠性，浪涌保护是必不可少的。　　5.汽车DC 48V电压系统浪涌保护方案　　(1)传统保护方案：采用了MOV+GDT+电感+ TVS　　(2) 上海雷卯推荐简化方案: 采用低残压大功率TVS　　所用TVS列表　　肖特基和PPTC 列表　　相比传统方案优势：　　(1) 成本低：传统方案用了7颗元件，雷卯简化方案用了3颗元件，降低了成本。　　(2) 更耐用：传统方案GDT和MOV 使用次数有限，容易衰损，小更换，增加了维修成本。　　(3) 简化方案优势：LM1K58CLV浪涌可以通过 IEC61000-4-5，GB/T17626.5 8/20μs 2KV标准。SM8S58CA用于满足ISO7637-25A/5B测试
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发布时间：2024-08-28 14:49 阅读量：674 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>：MOSFET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥？
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上海雷卯：MOSFET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥？

　　作为上海雷卯电子的一名资深工程师，我经常被问及MOSFET器件的参数计算问题。在本文中，我将分享关于MOSFET中几个关键温度参数的计算方法：TJ(结温)、TA(环境温度)和TC(外壳温度)。　　1. MOSFET温度参数的重要性　　在电力电子应用中，温度是影响MOSFET性能和寿命的关键因素。过高的温度会导致器件性能下降，甚至损坏。因此，了解和计算这些温度参数对于确保MOSFET器件的稳定运行至关重要。　　2. 温度参数定义TJ、TA、TC　　l TJ(结温)(Junction Temperature)：是指 MOSFET 芯片内部 PN 结的温度。它是 MOSFET 工作时所能承受的最高温度限制，超过这个温度可能会导致器件性能下降、损坏甚至失效。　　l TA(环境温度)(Ambient Temperature)”，指 MOSFET 所处的周围环境的温度。　　TC(外壳温度)Case Temperature)：MOSFET外壳表面的温度。 计算结温需要用到热阻参数，下面介绍热阻参数。　　3. 热阻定义及计算　　热阻(Rθ)是衡量热量传递难易程度的参数。　　l 结到壳的热阻(RθJC)：表示从 MOSFET 的结(Junction)到壳(Case)的热阻。　　l 壳到环境的热阻(RθCA)：表示从 MOSFET 的壳到周围环境的热阻。　　l 结到环境的热阻(RθJA)：RθJA = RθJC + RθCA。　　MOSFET 通常会给出结到壳(RθJC)、结到环境(RθJA)等热阻参数。热阻可以通过数据手册获取。　　4. TJ、TA、TC 三个温度参数关系　　TJ(结温)= TC(壳温)+ 功率损耗×(结到壳的热阻 RθJC); 公式1　　TC(壳温)= TA(环境温度)+ 功率损耗×(壳到环境的热阻 RθCA);公式2　　代入公式1，综合可得：　　TJ(结温)= TA(环境温度)+ 功率损耗×(结到壳的热阻 RθJC + 壳到环境的热阻 RθCA)　　其中功率损耗(Pd)主要由导通损耗和开关损耗组成。　　导通损耗 = I² × Rds(on) (其中 I 是导通电流，Rds(on) 是导通电阻)　　开关损耗的计算较为复杂，通常需要考虑开关频率、驱动电压等因素，并且可能需要参考 MOSFET 的数据手册提供的公式或曲线。　　5.温度计算实例　　以下为您提供几个 MOSFET 温度参数计算的实际案例：　　例一：　　一个 MOSFET 的导通电阻 RDS(on) 为 0.1Ω，导通电流 Id 为 10A，结到环境的热阻 RθJA 为 50°C/W，环境温度 TA 为 25°C。首先计算功率损耗：P = Id²×RDS(on) = 10²×0.1 = 10W　　然后计算结温：TJ = TA + P×RθJA = 25 + 10×50 = 525°C　　例二：　　另一个 MOSFET 的导通电阻 RDS(on) 为 0.05Ω，导通电流 Id 为 5A，结到壳的热阻 RθJC 为 2°C/W，壳到环境的热阻 RθCA 为 30°C/W，环境温度 TA 为 20°C。　　先计算导通损耗：P = Id²×RDS(on) = 5²×0.05 = 1.25W　　由于热阻是串联的，总热阻 RθJA = RθJC + RθCA = 2 + 30 = 32°C/W结温 TJ = TA + P×RθJA = 20 + 1.25×32 = 60°C　　例三：　　某 MOSFET 在高频开关应用中，开关损耗为 5W，导通损耗为 3W，结到环境热阻 RθJA 为 60°C/W，环境温度 TA 为 30°C。　　总功率损耗 P = 5 + 3 = 8W　　结温 TJ = TA + P×RθJA = 30 + 8×60 = 510°C　　6.结论　　通过上述计算，我们可以看到，MOSFET的结温可能达到非常高的水平。一般来说，MOSFET 所能承受的最高结温是有限制的，在设计和使用时，需要确保结温不超过这个极限值，因此，设计合适的散热方案和监控温度是至关重要的。作为上海雷卯电子的工程师，我们始终致力于提供高性能的MOSFET器件，并为客户提供准确的参数计算指导，以确保器件的长期稳定运行。　　请注意，本文中的计算仅为示例，实际应用中应根据具体的器件参数和工作条件进行计算。上海雷卯电子提供的器件数据手册和技术支持将帮助您更准确地进行温度参数的计算和评估。　　雷卯电子专业为客户提供电磁兼容EMC的设计服务，提供实验室做摸底免费测试，为客户高效，控本完成设计，能快速通过EMC的项目，提高产品可靠性尽力。
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发布时间：2024-08-23 11:15 阅读量：680 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子：防雷防静电元件之接口选型推荐
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上海雷卯电子：防雷防静电元件之接口选型推荐

　　智能设备如何防雷防静电呢?哪些型号适合相关接口呢?　　雷卯EMC代理商AMEYA360整理了各种接口可以选用的防雷防静电型号。如下表：　　需要EXCEL表格和具体规格书可以联系AMEYA360获取！　　上海雷卯专业研发销售EMC电磁兼容相关元器件，如：ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯致力于为客户提供高品质产品，以保护电路免受静电干扰和电压波动的影响。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2024-08-15 09:36 阅读量：1026 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>：气体放电管怎样选型
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上海雷卯：气体放电管怎样选型

一、 GDT 参数选择步骤　　关于GDT的选型上海雷卯EMC小哥引用“AC 220V线路进行2kV线间和4kV线对地的过电压防护”案例来阐述GDT的选型。　　1. 续流电压　　考虑AC 220V线路工作电压远大于续弧电压15V，因此不能直接只使用GDT进行防护，需要采取其他措施(如串联电阻或使用其他类型的保护器件)来避免续弧现象。　　2. 直流击穿电压　　直流击穿电压选择多大需根据以下计算得出：线路正常运行电压峰值(交流线路需将有效值转换为峰值)故220V×1.414=311.08V,最小直流击穿电压 min(ufdc)应当大于等于线路正常运行电压峰值 (Up) 的1.8倍则1.8×311.08V=559.944V，可以选择一个接近但不低于560V的直流击穿电压。例如，选择600V的直流击穿电压的GDT。　　3. 后级器件耐压值　　GDT的脉冲击穿电压需要基于后级电路中元件的耐压能力来确定。后级保护器件的耐压应当大于GDT的脉冲击穿电压，以确保电路安全。这一部分的具体数值需要根据后级电路的设计来决定。　　4. 通流容量　　首先确认测试波形，一般是8/20us和10/700us 2种波形，通流容量大小选择：假设浪涌电压完全出现在内阻上，则通流容量为 2000V/2Ω = 1000A，为了确保GDT能承受这一级别的浪涌电流，所选GDT的通流容量至少应为1000A。　　通过上述步骤，我们可以合理地选择并配置GDT以实现有效的浪涌保护。　　二、GDT的应用　　通常电源、高速信号等都可以使用GDT浪涌防护, 低电容可以保证信号传输，微信搜索上海雷卯微信公众号内可查看全套的防护方案。摘列示意图如下。　　三、GDT的续流问题　　当过电压施加于GDT两端时，其两端电压上升至足以引发气体放电，从而导通GDT。随着通过GDT的电流增加，放电状态会从辉光放电过渡到弧光放电。这两种放电状态都需要一定的维持电压才能持续。在过电压消失之后，理想的GDT应该立即断开，以恢复正常的工作状态，然而在实际应用中，如果电路的工作电压高于GDT的续流电压(也称为维持电压)，GDT可能会继续导通，形成续流现象。GDT的持续导通会导致电路短路，进而产生较大的电流，最终可能导致GDT或其他电路元件过热甚至损坏。　　为了避免上述续流问题，上海雷卯建议采取以下措施之一或结合使用：　　1. 串联限流电阻：在GDT与电路之间串联一个适当的电阻，以限制通过GDT的电流，降低续流的可能性。　　2. 使用附加保护器件：压敏电阻可以在过电压事件发生时与GDT共同工作，而在正常工作条件下能够确保电路不受GDT续流的影响。　　3. 选择具有较高续流电压的GDT，使得在正常工作电压下不易触发续流现象。提高续弧电压，并不是不续流，工作电压足够大，还是会续流，要注意这点。　　四、上海雷卯既往客户的案例分析　　产品背景：220V AC输入，满足浪涌8/20us和1.2/50us测试标准，差模6kV,共模10kV，绝缘耐压测试1750V，3S实验，但是浪涌共模10kV时，次级电解电容异常。　　初始选型问题：初始设计中，考虑到绝缘耐压测试的要求，选择了直流击穿电压高达3600V的GDT。然而，这样的选择导致了残压过高(约5.1kV)，这与电路保护的需求产生了冲突。在浪涌测试过程中，次级电解电容器由于残压过高而受到损害。　　解决方案 更换GDT：将GDT的直流击穿电压从3600V降低至2500V，以减小残压(大约2.8kV)，同时确保它能够承受绝缘耐压测试的要求。更换后的GDT在进行10kV共模浪涌测试时，次级电解电容器未再出现异常，测试通过。　　安规测试：在安规测试中，通常要求移除过电压保护器件来进行绝缘耐压测试，以便准确评估线缆和绝缘外壳之间的耐压性能。然而，在某些行业中，如铁路行业，不允许移除保护器件，因为这种做法一般不符合现场实际情况。　　结论：在本案例中，通过调整GDT的选择，上海雷卯成功解决了次级电解电容器在共模10kV浪涌测试中出现的问题。同时也综合考虑行业实践与安规标准之间的平衡。通过合理选择保护器件，并根据实际情况进行适当的调整，可以确保电路既符合安全标准又能在实际应用中提供有效的保护。　　五、常见场景的浪涌防护GDT用料推荐　　上海雷卯专业研发销售ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯致力于为客户提供高品质产品，以保护电路免受静电干扰和电压波动的影响。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2024-08-01 10:46 阅读量：717 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>：CAN BUS芯片静电浪涌击穿整改方案
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上海雷卯：CAN BUS芯片静电浪涌击穿整改方案

　　Canbus芯片静电浪涌击穿整改方案　　在现代电子系统中，CAN Bus(Controller Area Network Bus，控制器局域网络总线)作为一种常用的通信协议，标准CAN通常指的是CAN 2.0A和CAN 2.0B协议，其最大通讯速率为1Mbps。而高速CAN通常指的是CAN FD(CAN Flexible Data-rate)协议，大家都知道工作环境中可能面临静电放电(ESD EOS)的威胁，因此在CAN BUS电路中工程师们都放置ESD二极管以作静电浪涌防护用，但还会出现IC被静电浪涌打坏，造成不能正常工作，这是什么原因?　　一.放置ESD二极管为什么后端还会损坏的原因　　上海雷卯EMC小哥根据自己多年ESD 器件选型整改经验分析如下：　　1.静电放电浪涌能量过大：如果遇到的静电放电能量超出了防静电二极管的承受能力，仍可能有部分能量传导到器件上，导致器件烧毁。所以各个ESD器件的抗浪涌能力不相同，尽可能复现浪涌水平，并评估选择合适器件。　　2. 钳位电压VC 过高 ，超过了后端IC 的承受电压范围，因此导致损坏，这种情况非常普遍。　　3. 布线或接地问题：CAN 总线的布线不合理，例如线路过长、走线过于靠近干扰源，或者接地不良，都可能导致静电无法及时有效地通过二极管泄放，从而对器件造成损害。　　以上三种情况比较常见。因此，选择合适的静电保护器件至关重要，正确选择 CAN Bus 静电保护器件不仅能够保障系统的稳定运行，还能有效延长设备的使用寿命，降低维护成本。　　二.如何选择更好的CAN BUS静电保护器件　　第一、CAN Bus 工作的电气特性需深入了解。CAN Bus 通常在特定的电压范围内工作，比如常用的24V，因此所选的静电保护器件必须能够在这个电压范围内正常运行。这要求我们对 CAN Bus 标准的工作电压、信号幅度、传输速率等参数有清晰的认识。　　第二、静电防护等级是选择静电保护器件的关键指标。确保所选器件能够提供足够高的静电放电(ESD)防护能力，以应对可能出现的静电冲击。常见的防护等级标准如 IEC 61000-4-2 等。一般来说，防护等级越高，器件对静电的抵御能力就越强。　　第三、电容值也是一个不容忽视的因素。由于 CAN Bus 对信号完整性要求较高，静电保护器件的电容值如果过大，可能会导致信号失真、延迟增加等问题，从而影响通信质量。因此，应优先选择电容值较低的保护器件，以最大限度地减少对 CAN Bus 信号传输的影响。　　第四、工作电压和钳位电压也是重要的考量参数。静电保护器件的工作电压应大于等于 CAN Bus 正常工作时的电压24V，以确保在正常工作条件下器件不会误触发。同时，钳位电压应足够低，以便在静电放电发生时能够迅速将过高的电压限制在安全范围内，从而保护后端的电路元件。　　了解到上面这几个关键点后，在选择CAN BUS 防静电ESD二极管时我们就会做出正确的选择。　　三.常见几种CAN BUS静电二极管参数比较　　以下是CAN BUS 总线ESD保护电路及常见的知名品牌CAN BUS 静电二极管几种型号参数列表　　我们对这个表来进行详细观察，发现有几点不同：IEC 61000-4-2防静电能力，功率，VB,VC IPP, Cj 。　　在此特别把上海雷卯的三款低钳位电压(表中VC) CAN BUS 静电二极管放入表中做比较：SMC24XQ，SMC24LVQ，SMC24HQ。　　·根据前面分析我们知道 要选择静电高的比低的好，上海雷卯的三款SMC24系列都是30KV, 达到静电防护最高级。　　·防静电能力：上海雷卯的SMC24XQ，SMC24LVQ，SMC24HQ关键是低VC ，三款VC 都在32V-34V 之间,是这些列表里面最低的VC值，这是选择ESD二极管的最重要参数。　　·钳位电压VC: 上海雷卯SMC24低VC系列三款电流有5A , 10A,13A 可以根据实际电路情况选择，当然电流越大越好，另外推出低箝位电压，VC的产品。　　·结电容 Cj : 也是表里最低的，5PF,15PF ,不影响信号传输，完全可以保证信号完整性。　　·下面对其中一款SMC24LVQ测试图做展示。
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发布时间：2024-07-31 09:08 阅读量：629 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>：【充电桩浪涌保护方案】是保障充电设施安全稳定运行的关键!
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上海雷卯：【充电桩浪涌保护方案】是保障充电设施安全稳定运行的关键!

       在当今新能源汽车蓬勃发展的时代，充电桩作为电动汽车的“加油站”，其重要性不言而喻。然而，由于其复杂的电气环境和暴露于户外的特点，充电桩容易受到浪涌的影响。浪涌可能来自雷电、电网故障、大功率设备的启停等，对充电桩的电子设备和储能系统造成严重损害。因此，设计一套有效的浪涌保护方案是保障储能充电桩安全可靠运行的关键。　　一 、浪涌来源及危害　　充电桩浪涌来源主要有：　　1. 雷电：直接雷击或附近雷击产生的强大电磁场会在充电桩的线路上感应出高电压和大电流浪涌。　　2. 电网故障：如短路、开关操作、电网电压波动等，可能导致瞬时过电压。　　3. 设备启停：大功率设备(如电动机、变压器等)的启动和停止会引起线路中的电流和电压突变，产生浪涌。　　浪涌可能导致以下危害：　　1. 损坏充电桩的充电模块、控制单元、通信设备等，影响正常充电功能。　　2. 对储能系统中的电池管理系统(BMS)、电池组造成损害，降低电池寿命和性能。　　3. 引发火灾、爆炸等严重安全事故。　　给予以上原因，若不加以有效防护，将对充电桩及其连接的电动汽车造成严重损害。因此，制定一套科学合理的充电桩浪涌保护方案至关重要。　　二、保护方案设计原则　　1. 多层次防护：采用分级保护策略，从电源进线到设备端口，逐步降低浪涌能量和电压。　　2. 快速响应：保护器件应具有快速的响应时间，能够在浪涌出现的瞬间动作。　　3. 足够的通流容量：能够承受可能出现的最大浪涌电流，确保不被击穿。　　4. 低残压：在泄放浪涌电流后，应尽量降低输出端的残余电压，保护后端设备。　　三、具体保护措施　　首先，在充电桩的电源入口处，应安装高性能的浪涌保护器(SPD)。这类保护器通常由气体放电管GDT、压敏电阻MOV和大功率瞬态电压抑制二极管(TVS)等元件组成GDT够承受较大的浪涌电流，在浪涌来临时迅速导通，将大部分能量泄放至大地;MOV则具有较快的响应速度，能在微秒级时间内限制电压的上升;大功率TVS二极管则以其极快的响应速度(纳秒级)和精准的电压钳位能力，对残余的浪涌进行进一步抑制，确保后端电路的安全。　　这三类器件是充电桩防浪涌主要器件，也是上海雷卯的优势器件，GDT 和MOV 之前博客已介绍，此次主要介绍大功率蓝宝宝 BPSS。　　四、大功率 TVS 蓝宝宝　　通常指的是蓝宝宝浪涌抑制器，这是一款超大功率的 TVS 二极管(瞬态电压抑制二极管)。它具有超强的浪涌吸收能力和抑制电压能力，在实际应用中通常并接在电路中，既能解决雷击大浪涌问题，又能对静电起到超强的防护效果。　　其主要优势包括：　　·浪涌吸收能力强：最大 Ipp 可达到20KA。　　·系列全：例如有 1KA、2KA、3KA、6KA、10KA、16KA、20KA 等系列。　　·响应速度快(微秒级)，可保护设备免受损害。　　·漏电流lr小，减少发热。　　·具有低斜率电阻。　　·高效能耗，有助于降低能源成本。　　·有多种封装尺寸供选择。　　·支持极低电压。　　·稳定可靠、寿命更长、体积更小。　　五、充电桩选用TVS蓝宝宝型号
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发布时间：2024-07-26 09:03 阅读量：707 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>：ESD管ESD113-B1-02EL(S)国产替代型号ULC0342CDNH，ULC0321CDNH参数对比
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上海雷卯：ESD管ESD113-B1-02EL(S)国产替代型号ULC0342CDNH，ULC0321CDNH参数对比

　　雷卯型号全，能替代大量infineon型号。具体如下：　　应用于3.3V高速信号静电保护器件，infineon的ESD113-B1-02EL(DFN1006)和ESD113-B1-02ELS(DFN0603)，交期长，价格高。已经有很多客户选雷卯的 ULC0342CDNH(DFN1006)，ULC0321CDNH(DFN0603)，可以获得更好的价格和更快的交期，　　ULC0321CDNH带回扫 ，钳位电压Vc比ESD113-B1-02EL更低只有5.5V，并且IPP为6A，能很好的保护后级电路。　　我们可以参看下面列出的参数对比。　　判断ESD二极管是否可以替代需注意的几点：　　1.VRWM是否接近;　　2.抗静电能力是否接近;　　3.VBR是否接近　　4.IPP是否接近;　　5.CJ是否接近。　　ULC0342CDNH，ESD113-B1-02EL封装都是 DFN1006。　　ULC0342CDNH的 VRWM,VBR,CJ ESD(air,contact)参数都几乎同ESD113-B1-02EL一样，但IPP, Vc两个参数更优优于ESD113-B1-02EL。　　ULC0321CDNH，ESD113-B1-02ELS封装都是 DFN0603。　　ULC0321CDNH的VRWM,VBR,CJ ESD(air,contact)参数都几乎同ESD113-B1-02ELS一样，但IPP, Vc两个参数更优优于ESD113-B1-02ELS。　　ULC0342CDNH，ULC0321CDNH主要应用于:USB3.0,HDMI,DVI,显示接口，移动HDMI,MDDI,MIPI,SWP/NFC 保护。　　规格书主要部分展示如下：　　上海雷卯专业研发销售ESD TVS产品。我们致力于为客户提供高品质的ESD TVS产品，以保护电路免受静电干扰和电压波动的影响。我们的产品涵盖广泛的应用领域，包括电子、通讯、计算机、汽车、医疗等行业。我们拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务。我们的目标是成为全球领先的ESD TVS供应商之一，为客户提供最优质的解决方案和服务。
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发布时间：2024-07-15 11:18 阅读量：615 继续阅读>>
<span style='color:red'>雷卯</span>推出小封装高压防静电二极管SD60C
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雷卯推出小封装高压防静电二极管SD60C

　　一.高电压通讯信号线静电防护的为何有难度　　高电压通讯信号线静电防护很多公司普遍可以做到1.8至36V,48V ESD静电防护，比如上海雷卯的36V ESD二极管SD36C，LC36CI，GBLC36C ,分别可以用于低数据速率到高数据速率静电防护。48V 的ESD二极管有SD48C。　　如果信号电压再高，比如60V ,此时的信号线，大多工厂没有合适的静电防护器件。如果你说可以用TVS 比如 SMAJ60CA,SMBJ60CA 等等。要知道这是通讯用的信号线，这些TVS 结电容接近1nF，用于信号线会严重影响信号质量。所以这一直是一些高压通信设备的痛处。　　二.上海雷卯推出SD60C高压静电防护器件　　上海雷卯为了帮助广大客户解决实际问题，研发生产推出一款Vrwm 为60V的ESD二极管SD60C，适用于通讯信号线静电保护。　　在此举例说明SD60C在高压故障保护方面的作用。　　在某些应用中，由于各种原因(如电源直接短路、误接线故障、连接器故障、电缆损坏以及工具误用)，RS-485 总线可能会承受高电压，使用SD60C ,总线接口引脚可在高于 ±70V 的直流过压条件下受到保护，比如，A 和 B 引脚在工业自动化设备中意外短接到 70V 或更高电压，SD60C 在超过击穿电压69V后迅速导通，保护RS485接口后端设备。同样CAN总线也可能遇到上述情况，因此，在RS485和CAN 总线应用出现有高压环境情况下，SD60C 可以发挥安全保障作用。　　三. SD60C性能特点　　具有如下性能特点：　　封装小 ：SOD-323封装 ，管脚容易焊接　　大功率：峰值功率为 650W　　抗静电能力：IEC 61000-4-2 (ESD) 空气放电：±20kV，接触放电：±15kV　　满足静电等级4　　抗浪涌能力：IEC61000-4-5 7A (8/20μs)，具有一定的抗浪涌能力　　低钳位电压：Vc =78V 测试条件IPP = 1A (8 x 20μs pulse)　　Vc =90V 测试条件IPP = 7A (8 x 20μs pulse)　　低结电容 ：Cj 典型值为12PF ,最大20PF 查看下图“结电容数据速率关系图”，可以满足数据速率20M以下信号线静电防护使用，具体以电路应用环境测试为准。　　测试附图如下：　　双向ESD二极管，图片如下：　　应用场景　　适合通信环境有高压存在，希望做好高压防护的环境。　　(1)汽车电子系统：汽车电子设备通常需要承受较高的电压峰值，例如车辆启动时产生的电压冲击。　　(2)通信设备：在通信领域，如基站、网络交换设备等。　　(3)工程建筑设备：在建筑和工程设备中，如智能楼宇系统、安全监控设备。　　(4)工业自动化等设备。　　四. 规格书部分展示如下
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发布时间：2024-07-10 10:31 阅读量：895 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>：满足GMSL静电防护要求的方案
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上海雷卯：满足GMSL静电防护要求的方案

　　什么是GMSL?它是做什么用的?它有什么优点?设计GMSL防静电有啥难度?带着这些疑问我们先了解下什么是GMSL。　　一.简述 GMSL　　GMSL(Gigabit Multimedia Serial Link)即千兆多媒体串行链路，是 Maxim 公司推出的一种高速串行接口，适用于音频、视频和控制信号的传输。　　通信介质支持同轴电缆以及屏蔽双绞线，使用50Ω同轴电缆或者100Ω屏蔽双绞线(STP)时，长度可达15米。其核心技术是串行器/解串器技术(SerDes)，首先通过串行器将并行数据流转为串行数据流，然后通过更高的频率进行传输，之后再通过解串器将接收到的串行数据流转换为并行数据流。　　GMSL 的意义在于解决了音频、视频和控制信号的高速传输问题。在此之前，大量数据传输通常采用并行总线增加带宽，但线束过多会增加成本、重量和 EMI 电磁干扰。当数据量达到一定量级后，并行总线的劣势显现，如难以和时钟同步、布线长度差异导致同步困难、信号线间相互干扰等，这是并行总线的技术瓶颈。而串行总线不存在信号线间干扰和同一时序问题，只需提高频率，且工业上一般使用差分信号传输，更能保证信号准确性，所以目前面对高数据流传输，串行总线被广泛采用。　　二. GMSL 应用场合　　GMSL 常见的应用场景包括以下几方面：　　1. 汽车电子领域：用于车载摄像头、显示屏等设备之间的高速数据传输，以支持高级驾驶辅助系统(ADAS)和车载信息娱乐系统。　　2. 工业自动化：在工厂自动化设备中，连接各类传感器、摄像头和控制单元，实现高速、可靠的数据通信。　　3. 安防监控系统：用于连接监控摄像头和监控中心的设备，确保高清视频信号的稳定传输。　　4. 医疗设备：例如在医疗成像设备中，实现图像数据的快速传输和处理。　　所以GMSL应用就在我们身边，这些应用场景都依赖于它能够提供的高速、低延迟和抗干扰的数据传输能力。　　三.GMSL 具有以下特点和优势　　高速率：目前基于 GMSL 架构的通信协议最高可实现单通道 6Gbps(GMSL2) 的速率。　　远距离：使用特定线缆时传输距离15米。　　抗干扰性强：串行传输方式及差分信号传输使其具有较强的抗干扰能力。　　GMSL 技术经历了较长的发展时间。第一代 GMSL 从 2003 年开始，最高支持 3Gbps 的传输速率，可传输 1080p/30fps(1 百万-3 百万像素)的视频流数据;2017 年之后出现的 GMSL2 代技术，传输带宽提升至 6Gbps，能轻松传输 4K/30fps(8 百万像素)的视频流数据。　　四.GMSL-POC设计　　GMSL-POC 是现在大家应用的比较多的一项技术，POC 则是指同轴电缆供电(Power Over Coaxial)，也就是在同轴线缆中除了传输 GMSL 串行数据外，还同时传输电源。　　在 GMSL 系统中使用 POC 技术具有一些优势，例如减少线缆数量、简化系统布线等。POC 电路设计的原则是通过多个电感构成宽频带滤波器，在低频时使 DC 直流电源顺利通过，在高频时具有足够大的阻抗以抑制正向通道数据(如摄像头采集的数据信号)及反向通道(控制信号)数据通过，防止信号泄露到直流电源端。同时采用电容隔离直流信号，耦合高速信号，以确保高速信号在要求的带宽区间内顺利通过。　　在实际应用中，为了确保 GMSL POC 系统的正常运行，需要合理配置相关的电阻、电感等元件，并根据具体的电压情况(如 5V 或 12V POC)进行调整。同时，要注意保护系统免受过压和过流等情况的影响。　　GMSL-POC系统设计框图如下：　　五. 关于GMSL静电保护　　1. 为什么需要增加静电保护器件?　　我们知道静电放电(ESD)是一种电荷的积累，静电可能会导致GMSL 相关的设备出现各种问题，例如功能失效、数据错误、甚至永久性损坏等。在一些对可靠性要求较高的应用场景中，如汽车电子系统，微小的静电脉冲都可能干扰或破坏数据的传输，影响整个系统的正常运行。具体来说，GMSL 常用于视频、音频和控制信号的传输，这些信号对干扰较为敏感。静电可能通过各种途径引入到系统中，例如人体接触、设备之间的摩擦、环境中的静电积累等。　　为了确保 GMSL 系统的稳定和可靠运行，采取静电保护措施是必要的。这些保护措施通常包括使用具有静电保护功能的芯片比如ESD二极管，如上图D1，D2，D3，D4。有的芯片内部有ESD保护，比如MAX96705就具有±8kV 接触放电 ESD 保护和±15kV 气隙放电保护，但这个量级的保护没有达到您的要求，所以需要外部增加一颗，文章后面的列表中列出的上海雷卯几款抗静电能力较强的ESD二极管，抗静电能力都高于芯片内部。有了外部ESD二极管的保护从而提升了系统的抗静电干扰能力，保证在存在一定静电环境的情况下，GMSL 设备仍能正常工作，可靠地传输数据　　2. ESD二极管的放置位置。　　按一般常理来说ESD二极管应该放置在连接器的接口处，但对于GMSL-POC系统ESD二极管放在靠近Serializer/Deserializer芯片管脚处更为合适，为什么?　　对于带有POC的GMSL系统 ,如果POC 供电电压是12V , ESD二极管的击穿电压必须高压12V ，POC才能正常工作，否则一上电ESD二极管处于击穿状态，POC无法正常供电。但如果所选二极管击穿电压高于12V , 当低于12V的静电引入后，Serializer/Deserializer芯片管脚容易被打坏，无法做到很好保护，因此把ESD二极管放在Serializer/Deserializer芯片管脚处是比较合适的。如果GMSL不使用POC , 可以选择把ESD二极管放在接口处。　　我们根据所选Serializer/Deserializer管脚电平，选择合适的ESD二极管做保护。　　3. 上海雷卯推出的几款GMSL 静电保护二极管
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发布时间：2024-07-08 16:07 阅读量：681 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>：耳机接口静电保护方案
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上海雷卯：耳机接口静电保护方案

　　方案优点：左右声道和MIC信号线上放ESD二极管保护后级芯片，再根据情况增加磁珠滤出杂讯，可以选择3.3V或5V ESD 二极管，可以保证信号完整性的同时，通过静电测试。 满足：IEC61000-4-2，接触放电 30kV，空气放电30kV，ISO10605-2等级4
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发布时间：2024-07-04 09:47 阅读量：560 继续阅读>>

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