上海雷卯：Cyberchuck汽车电子48V系统浪涌保护方案

Release time：2024-08-28
author：AMEYA360
source：上海雷卯
reading：1005

　　1.Cyberchuck汽车电子48V系统背景：

　　自20世纪50年代起，主流乘用车的低压电路都是12伏架构，这实际上是七八十年前的标准，一直沿用到了现在，目前各种雷达、摄像头等感知硬件，更高的算力需求，更高功率的音响，更多的屏幕。再加上各种的电动调节以及加热等的用电设备，给传统的12伏汽车配电总线增加了很多的额外负担，线束越来越粗，重量、成本、空间布置等要求也越来越高，所以提高电压是必然。48伏是一个公认的方向，早期混合动力车曾将电压提升到48V，不过直到特斯拉Cybertruck推出，48V系统才得到更广泛应用。

上海雷卯：Cyberchuck汽车电子48V系统浪涌保护方案

　　2.Cyberchuck汽车电子48V系统优势：

　　(1)提高电力负载：48V系统能提供更高电力负载，使汽车实现更多、更耗电的功能，如自动辅助驾驶感知系统、计算系统、4G/5G传输、线控转向和线控刹车等都需要更高的功率支持。在相同电流条件下，48V系统比12V系统能输出更高功率;相同输出功率时，48V系统能实现更低电流，进而降低功率损耗。

　　(2)提升工作效率：与传统系统相比，48V系统工作效率更高，降低了功率损耗，并且耐用性和安全性更好。Cybertruck的48V系统让电压提高4倍，所需电流减少到原来的1/4，损失的能量更少，线束产生的热量也会降低，可增加线束使用寿命和安全性，同时允许电气组件响应更快。

　　(3)优化成本与空间：更低的电流意味着可以使用更轻的线缆，减少了线缆的尺寸和重量，能够节省成本，还能为车辆提供更大的驾乘空间，并且可以装备更多的电池。由于电流与铜材料成本相关，减少电流还能节省大量铜材料。例如，Cybertruck使用48V架构帮助将布线减少了77%，铜需求减少了50%，从而降低整体重量，提高效率收益，每年能为特斯拉节省大约100亿美元的成本

　　(4)简化整车结构：48V系统可以使整车结构变得更加简洁。比如特斯拉Cybertruck用高速数据总线(以太网)替代了CAN总线，可以用菊花链式方式，连接遗留系统中需要点对点布线运行的大多数组件。

　　3.上海雷卯向48V系统保护方案迈进

　　转换到48V系统，对于整个车辆供应链是个庞大的工程，它需要各个厂家的配合执行。在这个电压等级上，各种的车规及元器件都需要重新开发，包括电容、功率器件、线束、线组、马达等等，安全性、可靠性就要持续的来验证。上海雷卯是一家车辆EMC安全保护方案公司，根据这一需求迅速做出反应，将在48V电压系统浪涌保护方案上给予支持。

　　4.为什么48V电压系统需要做浪涌保护

　　主要基于以下几个重要原因：

　　首先，汽车电气系统在运行中会面临各种动态变化。例如，引擎启动瞬间，电池会释放出大电流，这可能引发电压的急剧波动，产生浪涌。

上海雷卯：Cyberchuck汽车电子48V系统浪涌保护方案

　　其次，车辆中的电气负载突然切换，如大功率电器的启动或停止，也会导致电流和

　　电压的瞬间变化，从而引发浪涌现象。

　　再者，汽车在行驶过程中可能会遭遇外部的电磁干扰，例如雷电、静电放电等，这些都可能在电路中引入高能量的浪涌电压。

　　另外，现代汽车中的电子设备和控制系统越来越复杂和精密，对电压的稳定性要求极高。48V 电压系统中的敏感电子元件，如各种传感器、控制模块等，如果受到浪涌电压的冲击，可能会出现性能下降、故障甚至永久性损坏，进而影响整个汽车的性能、安全性和可靠性。

　　最后，随着汽车智能化和电动化的发展，48V 电压系统的应用越来越广泛，其承载的功能也越来越重要，因此更需要有效的浪涌保护措施来确保系统的稳定运行和长寿命

　　因此，为了保障汽车 48V 电压系统的正常工作，避免电子设备受损，提高汽车的安全性和可靠性，浪涌保护是必不可少的。

　　5.汽车DC 48V电压系统浪涌保护方案

　　(1)传统保护方案：采用了MOV+GDT+电感+ TVS

上海雷卯：Cyberchuck汽车电子48V系统浪涌保护方案

　　(2) 上海雷卯推荐简化方案: 采用低残压大功率TVS

　　所用TVS列表

上海雷卯：Cyberchuck汽车电子48V系统浪涌保护方案

　　肖特基和PPTC 列表

上海雷卯：Cyberchuck汽车电子48V系统浪涌保护方案

　　相比传统方案优势：

　　(1) 成本低：传统方案用了7颗元件，雷卯简化方案用了3颗元件，降低了成本。

　　(2) 更耐用：传统方案GDT和MOV 使用次数有限，容易衰损，小更换，增加了维修成本。

　　(3) 简化方案优势：LM1K58CLV浪涌可以通过 IEC61000-4-5，GB/T17626.5 8/20μs 2KV标准。SM8S58CA用于满足ISO7637-25A/5B测试

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上海雷卯电子：这两种TVS有啥不同？
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上海雷卯电子：这两种TVS有啥不同？

　　当我们查看TVS二极管的规格书 ,常会看到有以下两种种引脚功能标识图：　　对于初学者，看到感到疑惑，他们一样吗?他们有啥区别?为啥有的两个尖头往外 ，阳极连在一起，有的两个尖头往里，阴极连在一起?一连三问。EMC小哥根据自己经验略作分析。　　使用这两种图的规格书上都有标注 bidirectional ESD protection diode。因此可以确定这两种的功能是一样的，都是双向保护二极管。　　图1在国外品牌规格书上看到的比较多，比如Nexperia(安世)， Littelfuse(美国力特)，VISHAY(威世)等等，图2 国内品牌使用比较多，比如上海雷卯。　　我们看两种TVS二极管在电路中的应用：参看图3，图4。　　先看上图3： 静电过来后首先反向击穿通过D1连接1脚的二极管，然后再正向通过D1的下方连接2脚二极管，(减去大约0.7V )，最后导入到地。　　图4静电过来后首先正向通过D2的上方连接1脚二极管(减去大约0.7V ),然后反向击穿通过D2连接2脚的二极管，最后导入到地。所以，静电进来后两种TVS二极管都是要经过一次反向击穿和正向导通电压才导入到地，所以从电气性能上分析这两种实现的功能是一样的，从应用上是没有区别的。　　那他们本质上有区别吗?我们知道二极管是有PN结组成，如图5，电流从P极进去，N极出来，正向导通， 硅管的管压降VF为0.7V。　　对于TVS二级管，因为是反向击穿起保护作用，所以是从N极流入P极，P极到N极是正向导通。　　那么上面图1，图2两种TVS二极管功能图内部结构可以近似如下图表示：　　这就是这两种二极管内部叠层结构不同。　　因此，从电气特性角度分析，图1和图2所示均为双向TVS二极管，应用上没有区别，仅内部结构存在差异。对工程师而言，只要器件规格书中的参数相近，所实现的功能一致，二者便具备替代性。　　上海雷卯电子(Leiditech)凭借多年技术积累，其国产ESD/TVS器件可兼容替代NXP、SEMTECH、LITTELFUSE、ON、VISHAY、TI等多款国外品牌产品。公司提供包括USB接口、汽车电子、工业控制等领域的电路保护方案，并备有详细替代型号列表供参考。雷卯产品支持样品申请，助力客户实现供应链优化与国产化替代。　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
2025-09-19 15:45 reading：320
上海雷卯：长距离POE供电模块静电浪涌防护方案
行业新闻

上海雷卯：长距离POE供电模块静电浪涌防护方案

　　上海雷卯 EMC 小哥以海康威视摄像机内置 POE 供电模块(以下简称 “海康 POE 模块”)为研究对象，结合模块拆解图深入分析现有防护基础，针对性提出适配长距离场景的静电浪涌防护方案，聚焦户外安防监控、工业远程监控等场景的核心痛点，确保 POE 模块 “供电+数据传输” 双重功能稳定可靠。　　一、长距离 POE 应用场景风险与防护标准　　在户外道路沿线、园区周界及工业工厂车间、矿山井下等长距离 POE 应用中，网线易受三重威胁：一是雷雨天气引发的雷击电磁感应，浪涌能量沿网线叠加传输;二是工业设备启停产生的瞬态干扰，形成高频电压尖峰;三是超 100 米长距离网线的分布电容、电感进一步放大冲击。这些威胁轻则导致 POE 模块供电中断、数据丢包，重则击穿 DC-DC 转换器、PHY 芯片，损毁后端摄像机。　　基于此，上海雷卯明确防护需满足两大国际标准：　　IEC61000-4-2(静电放电抗扰度)：达等级 4 要求，输入端口接触放电、空气放电均达 30kV，输出端口接触放电 8kV、空气放电 15kV;　　IEC61000-4-5(浪涌抗扰度)：应对 10/700μs、40Ω、6kV、±5 次浪涌冲击，适配长距离场景的能量叠加特性;1.2/50μs 波形(适用于 100-300 米场景)的标准阻抗为 2Ω(电源端口)或 12Ω(通信端口)、±6kV、±5 次。　　二、海康 POE 模块接口分级防护方案(雷卯优化)　　通过拆解海康POE 模块可见，其防护核心集中在输入、输出两大端口，雷卯 EMC 小哥在此基础上强化 “分级拦截” 逻辑，融入雷卯自研防护器件与策略：　　01 输入端口：雷卯三级防护拦截 前端浪涌　　输入端口是浪涌侵入首要路径，采用“泄放-钳位-精准防护” 三级策略，核心器件与部署要求如下：　　第一级：大电流泄放(变压器前端)　　雷卯选用 GDT(气体放电管 3R090-5S)与 MOV(压敏电阻 14D821KJ)串联，快速泄放雷击等大能量浪涌(如 6kV 浪涌下可泄放 60% 以上能量)。　　部署注意：户外场景需确保 GDT 接地端与设备接地极路径≤5cm，减少泄放损耗。　　第二级：共模 / 差模钳位(变压器抽头处)　　搭配 MB6S 整流桥实现 POE 供电极性转换，并联 3 颗 TVS 二极管(LM1K58CC、SMBJ58CA×2 雷卯选型)，分别针对共模与差模浪涌进行钳位过电压;同时集成 Bob Smith 终端电路，兼顾浪涌防护与以太网差分信号完整性，降低信号反射损耗。　　第三级：后端精准防护(变压器后端)　　采用 4 颗雷卯GBLC03C 瞬态抑制二极管，针对 PHY 芯片等低压器件进行 3.3V 精准钳位，响应时间<1ns，弥补前两级防护疏漏，避免低压电路击穿和数据丢包。　　02 输出端口：稳定负载与尖峰吸收　　输出端口直接连接 12V 摄像机，雷卯EMC 小哥重点优化 “防倒灌 + 尖峰抑制” 能力：　　雷卯采用SS210LA 肖特基二极管(100V/2A)防倒灌，确保 12V 输出方向正确，减少长距离供电损耗，同时规避施工阶段的电路倒灌风险;　　并联SMBJ15CA型TVS 二极管，可有效钳制因负载波动(如摄像机红外灯启停瞬间)引发的电压尖峰，保护后端设备。　　三、浪涌波形适配与 PCB 布局关键要求　　01 浪涌波形与场景匹配　　雷卯 EMC 小哥指出，长距离 POE 场景需根据网线长度选择对应浪涌测试波形，避免防护错配：　　10/700μs 波形：适用于超 300 米户外对称线路，模拟长距离传输中雷击感应的叠加浪涌能量;　　1.2/50μs 波形：适用于 100-300 米户外线或工业内线，是多数 POE 设备的主流测试波形。　　02 PCB 布局：留足安全余量，避免防护失效　　PCB 布局直接影响浪涌泄放与隔离效果，需严格遵循以下要求：　　1.间距要求：外层铜迹间距≥6mm，内层≥3mm;垂直层间偏移 1mm，保留 3kV 隔离余量，防止层间击穿;　　2.铜箔与迹线：雷卯推荐采用 1oz 铜箔，迹线宽度≥0.3mm(0.13mm 细迹线易在 GR-1089-CORE 测试中熔断);GDT/MOV 接地迹线≥2mm，降低泄放阻抗;　　3.接地与屏蔽：STP 网线屏蔽层两端接地(接地电阻≤4Ω);GDT/MOV 用独立接地线(线径≥1.5mm²)，避免多器件共用接地导致浪涌串扰;　　Leiditech 雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应 ESD(如 GBLC03C)、TVS、TSS、GDT(如 3R090-5S)、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有经验丰富的研发团队，可根据不同应用场景(户外 / 室内、PoE / 非 PoE)提供个性化防护方案，为千兆设备接口安全保驾护航。
2025-09-12 11:54 reading：327
上海雷卯千兆以太网防护：三步搞定电涌威胁
行业新闻

上海雷卯千兆以太网防护：三步搞定电涌威胁

　　雷电、设备插拔、环境静电、电机启动等场景中，可通过网线损坏交换机、摄像头等设备，其中ESD(静电放电，含电缆放电事件 CDE)因发生场景高频、直接作用核心元器件，需在防护设计中重点关注。本文上海雷卯 EMC 小哥围绕以太网接口核心威胁，提供三层防护方案，助力千兆设备实现 “电涌 + 静电可靠防护”。　　一、 以太网接口面临的三类威胁　　以太网接口在运行中易受多种电磁干扰影响，不同干扰的触发场景、危害形式存在差异，需针对性设防：　　1.ESD(静电放电，含 CDE 电缆放电事件)　　触发场景：日常设备插拔、人员接触、环境干燥时的静电释放，以及插拔带电网线时的 CDE，后者是静电瞬间集中释放的典型形式。　　危害特点：峰值电流可达数十安，直接作用于 PHY 芯片输入级，是导致 PHY 芯片损坏的主要诱因之一;因设备操作、环境变化均可能引发，这类干扰的发生频率显著高于其他类型。　　防护标准：依据 IEC 61000-4-2 标准，户外及工业环境设备需满足 Level 4(±15kV 空气放电、±8kV 接触放电)要求，以应对各类静电场景。　　2.浪涌(Surge)　　触发场景：主要由雷击感应或电力系统故障引发，电压可达数千伏，能量密度高但发生概率较低。　　防护标准：按 IEC 61000-4-5 标准，户外设备需抵御 4kV 电压波(1.2/50μs)、2kA 电流波(8/20μs)的冲击，避免强能量损坏接口电路。　　3. EFT(电快速瞬变脉冲群)　　触发场景：电机、继电器等设备开关动作时产生，频率范围 5kHz-100kHz，主要干扰信号传输稳定性，直接损坏设备的概率较低。　　防护标准：IEC 61000-4-4 标准规定，户外设备需按 4 级(±4kV)设防，保障信号传输不受高频脉冲干扰。　　二、雷卯核心方案：三层协同防护　　典型的以太网接口应包含隔离变压器(满足 IEEE 802.3 标准，隔离耐压1500VRMS，集成共模扼流圈)和Bob smith终端(75Ω 电阻+1000pF高压电容，降低共模辐射)，再遵循 “分级泄放能量 + 精准钳位干扰” 逻辑，构建三层防护体系：　　1. 接口层泄放：优先吸收共模大能量　　雷卯采用低电容 GDT(气体放电管，型号 3R090-5S) 作为第一级防护，重点泄放 80% 的共模电流：　　响应速度<100ns，通流能力达 5KA，可快速吸收雷击等引发的共模能量，避免后续防护组件过载，为核心芯片防护奠定基础。　　2. 变压器层衰减：降低干扰能量强度　　利用隔离变压器的隔离特性，结合 Bob-Smith 终端优化共模阻抗：　　变压器对 ESD、浪涌能量的衰减率超 60%，可将静电峰值电流从 “数十安” 降至 “数安级”，大幅减轻后续钳位环节的防护压力，同时减少干扰对信号传输的影响。　　3. 芯片层钳位：精准守护 PHY 芯片　　这是抵御 ESD 与差模浪涌的关键环节，采用雷卯GBLC03C 低电容 ESD 二极管：　　电容值<0.3pF，完全适配千兆以太网信号传输需求，避免信号衰减或误码;　　可精准钳位差模方向的 ESD(含 CDE 残余电流)与浪涌能量，将 PHY 芯片端瞬态电压控制在安全范围，满足 IEC 61000-4-2 Level 4(±30kV)、IEC 61000-4-5(4kV)等严苛标准。　　三、设计避坑指南　　接口防护失效常与设计细节偏差相关，尤其在 ESD 防护环节，上海雷卯建议需规避以下误区：　　ESD 布局误区：位置与连接方式决定防护效果　　错误做法：将 ESD 二极管置于变压器前的 RJ45 接口处，采用 “信号线对地” 连接.　　问题：变压器 1500VRMS 的隔离特性会阻碍静电共模能量泄放，还可能引发 “共模→差模” 瞬态转换，导致静电直接冲击 PHY 芯片。　　雷卯EMC小哥建议的正确策略是：将 ESD 二极管跨接在变压器 PHY 侧的差分信号对之间。　　原理：借助变压器已衰减的静电能量，配合 ESD 二极管<1ns 的快速响应，可直接抑制差模方向的 ESD 瞬态，大幅提升防护效率。　　GDT 使用误区：按需配置，避免冗余或不足　　严苛环境(户外 / 工业)：需搭配低电容 GDT(如 3R090-5S)作为第一级，但需确保与后级 GBLC03C ESD 的协同 ——GDT 泄放共模后，ESD 专注钳位差模，避免两者 “能量冲突” 影响防护效果。　　普通环境(室内办公)：无需额外添加 GDT，仅通过 “变压器衰减 + PHY 侧 ESD” 即可应对日常静电场景，盲目增加 GDT 反而可能引入信号干扰。　　防护能力误区：不可仅依赖 PHY 内置 ESD　　错误认知：认为 PHY 芯片自带 ESD 防护，无需外置组件。　　实际局限：PHY 内置 ESD 仅能应对 ±8kV 以下的轻微静电，完全无法抵御 CDE(能量超过内置防护上限)及 PoE 插拔瞬态，必须外置 GBLC03C (±30kV)等专用 ESD，才能实现可靠防护。　　工程师需通过厘清各类干扰的防护逻辑、避开设计误区，可在保障千兆以太网信号质量的同时，显著提升接口对静电与电涌的抗扰度，降低设备故障率。
2025-09-03 14:13 reading：389
上海雷卯：二极管半导体器件的应用和参数对比
行业新闻

上海雷卯：二极管半导体器件的应用和参数对比

　　二极管种类区别　　按操作特性进行比较：　　器件结构说明对比：　　肖特基二极管由金属与半导体结结形成。在电气方面，它由多数载波进行，具有较低的电流泄漏和正向偏置电压(VF)的快速响应。肖特基二极管广泛应用于高频电路中。　　齐纳二极管由掺杂的P-N半导体结组成。有两种物理效应可以称为泽纳状态(泽纳效应和阿瓦兰奇效应)。当对P-N结施加低反向电压时，由于量子效应而传导，将发生泽纳效应。当大于 5.5 伏特电压反向施加到 PN 结时，产生电子孔对与晶格碰撞时，就会产生 Avalanche 效应。基于齐纳效应的齐纳二极管在电子电路中被广泛用作电压参考源。　　TVS二极管由专门设计的 P-N 半导体结组成，用于浪涌保护。PN 结通常涂覆，以防止在非传导状态期间过早发生电压电弧。当发生瞬态电压事件时，TVS 二极管会使用 Avalanche 效应进行夹紧瞬态电压。TVS二极管广泛应用于电信、通用电子和数字消费市场，用于闪电、ESD和其他电压瞬态保护。　　ESD代表TVS硅保护阵列。它是一系列集成的 PN 结、SSC 或其他硅保护结构，封装在多引脚结构中。ESD可用作电信、通用电子产品和数字消费市场的 ESD、闪电和 EFT 保护的集成解决方案，这些市场存在多个保护机会。例如，它可用于 HDMI、USB 和以太网端口 ESD 保护。
2025-08-19 16:44 reading：496
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