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佑风微：SiC Schottky Diode碳化<span style='color:red'>硅</span>肖特基二极管应用及产品选型

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佑风微：SiC Schottky Diode碳化硅肖特基二极管应用及产品选型

　　广东佑风微电子有限公司推出多款650V 1200V 1700V SiC Schottky Diode碳化硅肖特基二极管。产品广泛应用于光伏逆变器，开关模式电源，电池充电器，电动驱动，不间断电源等产品上。

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佑风微

发布时间：2025-03-27 16:46 阅读量：213 继续阅读>>

英飞凌：采用电平位移驱动器和碳化<span style='color:red'>硅</span>SiC MOSFET交错调制图腾柱5kW PFC评估板

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英飞凌：采用电平位移驱动器和碳化硅SiC MOSFET交错调制图腾柱5kW PFC评估板

　　电子设备会污染电网，导致电网失真，威胁着供电系统的稳定性和效率。　　为此，电源设计中需要采用先进的功率因数校正(PFC)电路。PFC通过同步输入电流和电压波形来确保高功率因数。通过使用PFC，电源系统可以减少失真，保持稳定高效的供电。　　英飞凌新品EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交错图腾柱PFC(功率因数校正)的完整系统解决方案。图腾柱PFC电路采用EiceDRIVER™ 1ED21271S65F和CoolSiC™ MOSFET IMBG65R022M1H。　　测试结果显示，在230 VAC半负载条件下，功率达98.7%。　　产品型号：　　■ EVAL-1EDSIC-PFC-5KW　　所用器件：　　■ EiceDRIVER™ 1ED21271S65F驱动CoolSiC™ MOSFET　　■ CoolSiC™ MOSFET IMBG65R022M1H　　■ EiceDRIVER™ 2ED2182S06F驱动CoolMOS™　　■ CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 600V IPQC60R010S7　　■ Controller:XMC™ 4200 Arm® Cortex®-M4　　■ 辅助电源：ICE2QR2280G　　产品特点　　采用CoolSiC™和CoolMOS™的交错图腾柱设计，由电平位移驱动器驱动1ED21271驱动　　高压侧电源开关的硬件击穿保护　　CCM图腾柱PFC　　提高性能和稳健性　　应用价值　　半负载时效率高达97.8%　　输入电压范围：100-240伏　　固定400V输出直流电压　　峰值电流限制50A　　竞争优势　　高压侧驱动器集成保护　　高速直通保护　　创新的PFC级设计　　框图　　应用领域　　暖通空调(HVAC)　　家用电器　　功率变换系统　　通用驱动器

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英飞凌

发布时间：2025-03-21 09:17 阅读量：229 继续阅读>>

埃肯有机<span style='color:red'>硅</span>ELKEM斩获2025首个创新奖项

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埃肯有机硅ELKEM斩获2025首个创新奖项

　　在新能源汽车高强度运转的复杂工况下，高压连接器必须具备出色的耐热稳定性和持久的防水性能，才能确保车辆在各种恶劣环境中安全运行。然而，许多连接器在长期老化测试中失败，往往是因为密封圈失效导致密封性能下降。这一问题在行业内曾长期困扰着众多企业，成为亟待解决的痛点。　　新能源汽车高压连接器对长期防水密封提出了更高的要求，埃肯有机硅ELKEM的液体硅橡胶BLUESIL™ LSR 3935系列针对行业存在的痛点研发，为新能源汽车高压连接器提供长期防水的有机硅解决方案。这个系列产品，覆盖从硬度从ShA20到ShA60，可以满足客户对设计和装配的各种要求。作为一款创新液体硅橡胶产品，直面行业难题，即使在高温老化的情况下，也能全力保障新能源汽车中高压连接器的密封性能，为智能出行进一步升级做出贡献，并成功获得获得2025年塑料行业荣格技术创新奖。　　三大优势，能够保证长期防水效果：　　满足表面自润滑　　提供长期很低的压缩变形能力　　杰出的耐热稳定性

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ELKEM

发布时间：2025-03-20 13:49 阅读量：273 继续阅读>>

安森美推出基于碳化<span style='color:red'>硅</span>的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本

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安森美推出基于碳化硅的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本

　　安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的SPM 31智能功率模块(IPM)系列。　　与使用第7代场截止(FS7)IGBT技术相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度，从而实现比市场上其他领先解决方案更低的整体系统成本。这些IPM改进了热性能、降低了功耗，支持快速开关速度，非常适用于三相变频驱动应用，如AI数据中心、热泵、商用暖通空调(HVAC)系统、伺服电机、机器人、变频驱动器(VFD)以及工业泵和风机等应用中的电子换向(EC)风机。　　EliteSiC SPM 31 IPM 与安森美IGBT SPM 31 IPM 产品组合(涵盖15A至35A的低电流)形成互补，提供从40A到70A的多种额定电流。安森美目前以紧凑的封装提供业界领先的广泛可扩展、灵活的集成功率模块解决方案。　　随着电气化和人工智能应用的增长，尤其是更多AI数据中心的建设增加了能源需求，降低该领域应用的能耗变得愈发重要。在这个向低碳排放世界转型的过程中，能够高效转换电能的功率半导体发挥着关键作用。　　随着数据中心的数量和规模不断增长，预计对EC风机的需求也将随之增加。这些冷却风机可为数据中心的所有设备维持理想的运行环境，对于准确、无误的数据传送至关重要。SiC IPM可确保EC风机以更高能效可靠运行。　　与压缩机驱动和泵等许多其他工业应用一样，EC风机需要比现有较大的IGBT解决方案具有更高的功率密度和能效。通过改用EliteSiC SPM 31 IPM，客户将受益于更小的尺寸、更高的性能以及因高度集成而简化的设计，从而缩短开发时间，降低整体系统成本，并减少温室气体排放。例如，与使用当前IGBT功率集成模块(PIM)的系统解决方案相比，在70%负载时的功率损耗为500W，而采用高效的EliteSiC SPM 31 IPM 可使每个EC风机的年能耗和成本降低52%。　　全集成的EliteSiC SPM 31 IPM 包括一个独立的上桥栅极驱动器、低压集成电路(LVIC)、六个EliteSiC MOSFET 和一个温度传感器(电压温度传感器(VTS)或热敏电阻)。该模块基于业界领先的 M3 SiC 技术，缩小了裸片尺寸，并利用SPM 31封装提高短路耐受时间(SCWT)，从而针对硬开关应用进行了优化，适用于工业用变频电机驱动。MOSFET采用三相桥式结构，下桥臂采用独立源极连接，充分提高了选择控制算法的灵活性。　　此外，EliteSiC SPM 31 IPM 还包括以下优势：　　▷低损耗、额定抗短路能力的 M3 EliteSiC MOSFET，可防止设备和元件发生灾难性故障，如电击或火灾。　　▷内置欠压保护(UVP)，防止电压过低时损坏设备。　　▷作为 FS7 IGBT SPM 31 的对等产品，客户可以在使用相同 PCB 板的同时选择不同的额定电流。　　▷获得UL认证，符合国家和国际安全标准　　▷单接地电源可提供更好的安全性、设备保护和降噪。　　▷简化设计并缩小客户电路板尺寸，这得益于　　栅极驱动器控制和保护　　内置自举二极管(BSD)和自举电阻(BSR)　　为上桥栅极升压驱动提供内部升压二极管　　集成温度传感器(由LVIC和/或热敏电阻输出VTS)　　内置高速高压集成电路

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安森美

发布时间：2025-03-18 15:15 阅读量：262 继续阅读>>

一文了解<span style='color:red'>硅</span>光通信铌酸锂光器件技术

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一文了解硅光通信铌酸锂光器件技术

　　一、集成电路发展　　1947年,贝尔实验室成功制备出了第一支晶体管,克服了电子管体积大､功耗高和结构脆弱的缺点,揭开了集成电路(Integrated circuit , IC)的序幕｡　　几十年以来,其按照摩尔定律预测的那样发展着,即半导体芯片的集成度每18个月增长一倍,而价格却降低一半｡　　然而,随着器件的加工线宽发展到纳米量级和集成度的不断提高,集成电路面临制备工艺达到极限和发热量持续增加的问题,亟需新的解决方案｡　　与电子集成将晶体管､电容器和电阻器等电子器件集成类似,光子集成(Photonic integrated circuit, PIC)是将各种光子器件集成在一起,如:电光调制器､激光器､光放大器､光电探测器和光复用/解复用器等｡　　二、光子集成技术的出现　　PIC的概念从20世纪60年代后期开始提出, 20世纪70年代后期开始从实验室走入实际应用｡　　集成光子器件主要由微米或纳米量级宽度的光波导构成｡　　将多个光子器件集成在同一块衬底上, 充分利用电光效应､热光效应和磁光效应等对光进行调制, 具有小型化､低成本､调制效率高､功率密度高和低功耗的优点｡　　到目前为止, 各种制备工艺的进步(如: 溅射技术､化学气相沉积技术､刻蚀技术和光刻技术) 为光子器件精细的结构制备提供了技术支持｡光子集成技术正在快速发展, 一些新的应用也会随工艺的改进而显现出来, 促进社会的进步和发展｡　　硅是应用最广泛的半导体材料, 带隙为1.12eV, 属于间接带隙半导体｡硅的导电性会因温度､掺杂浓度和光辐照强度变化而显著变化, 广泛应用于集成电路｡　　绝缘体上硅(Siliconon insulator ,SOI)技术, 即使用一薄的绝缘层将硅薄膜和硅衬底隔离开,给电子集成器件带来许多的好处，pn结的面积减小, 因而寄生电容和结的漏电电流减小, 使器件工作速度高､功率低; 容易实现理想的浅结, 使得短沟效应得到改善, 使得芯片面积减小; 可以简化器件工艺,提高器件良率, 降低生产成本; 衬底仍然为硅, 为微电子或纳电子芯片提供所需的优质衬底｡　　同时, 硅基光子集成可以与电子芯片的互补金属氧化物半导体( Compementary meta oxide-semi conductor , CMOS) 制备工艺兼容, 可以充分利用电子集成芯片成熟的加工工艺, 实现较低的生产成本和批量生产｡　　在Si 中进行掺杂, 利用载流子色散效应来实现电光调制, 可以在SOI上实现电光调制器｡主要有三类调制机制: 载流子注入､载流子积累和载流子耗尽, 如图所示｡　　其中, 载流子耗尽可以获得最高的调制速度｡但是, 自由载流子色散本质上是吸收的和非线性的, 这降低了光调制幅度, 并且在使用先进的调制格式时可能导致信号失真｡　　三、铌酸锂光子集成技术　　铌酸锂(LN) 晶体具有卓越的电光､声光､非线性光学､光折变､压电､铁电､光弹和热释电等效应, 且机械性能稳定和具有宽的透明窗(0.3-5μm),在集成光学中有广泛的应用｡　　基于铌酸锂晶体上传统的光波导制备方法制备的光波导, 如: 离子注入､质子交换和钛扩散法,具有小的折射率差, 大的波导弯曲半径导致器件尺寸大, 限制了其在集成光学中的应用｡　　铌酸锂薄膜( LNOI) 具有较大的折射率对比度, 这可以使波导具有仅数十微米的弯曲半径和亚微米量级的波导截面, 允许高密度的光子集成和强的光限制来增强光与物质相互作用｡　　LNOI 可以通过脉冲激光沉积、容胶凝胶法､射频磁控溅射和化学气相沉积法等方法制备, 但这些方法获得的LNOI呈现出多晶结构的性质, 造成光传输损耗明显增加｡其次, 薄膜的物理性质和指标与单晶LN也存在明显的差距, 这无疑会对光子器件的性能产生不良影响｡　　1998年, M.Levy 等人采用离子注入和横向刻蚀相结合的方法制备了单晶LN薄膜。目前, 随着制备技术的不断提高, 高质量､大尺寸的LNOI 晶圆已经商业化, 促进了LN集成光子学的发展, LN薄膜厚度可以为300-900nm, 晶圆尺寸可达8英寸｡　　LNOI的制备是使用离子注入､直接键合和热退火等一系列过程, 从LN体材料中物理剥离LN薄膜并将其转移到衬底上同时, 研磨和抛光的方法也可以产生高质量的 LNOI｡该方法避免了离子注入过程对 LN 晶体晶格的损伤, 对晶体质量影响较小, 但对薄膜厚度均匀性控制要求严格｡　　LNOI不仅保留了LN体材料的电光､声光和非线性光学等物理性质, 而且具有单晶结构, 有利于实现低的光传输损耗｡　　光波导是集成光子学的基本器件之一 , 光波导的制备方法有多种｡　　LNOI上的光波导可以采用传统的光波导制备方法制备, 如质子交换｡ LN化学惰性强, 为避免LN的刻蚀, 可以在LNOI上沉积容易刻蚀的材料来制备加载条波导,加载条材料有: TiO2､SiO2､ SiNx､ Ta2O5､硫属化合物玻璃和Si等｡　　利用化学机械抛光方法制备的LNOI 光波导实现了传播损耗0. 027dB/cm, 但是其较浅的波导侧壁使小弯曲半径波导的实现比较困难｡　　利用等离子刻蚀的方法制备的LNOI 波导实现了0.027dB/cm的传输损耗, 这是一个里程碑式的进步, 意味着可以实现大规模的光子集成和单光子级处理｡　　除了光波导, 许多高性能的光子器件也在LNOI 上制备了, 如: 微环/微盘谐振器､端面和光栅耦合器以及光子晶体等｡此外, 诸多功能光子器件也得以实现｡利用LN晶体卓越的电光和非线性光学效应, 在LNOI 上实现了高带宽光电调制､高效率的非线性转换和电光可控光频梳产生等多种光子功能器件｡　　LN还具有声光效应, 在LNOI 上制备的声光M-Z调制器, 利用悬浮铌酸锂薄膜上的光力学相互作用, 将频率4.5GHz的微波转换为了1500nm波长的光, 实现了微波光信号的高效转换｡　　在蓝宝石衬底的LN薄膜上制备的声光调制器, 因为蓝宝石具有高的声速, 可以避免器件的悬浮结构,同时减小了声波能量的泄露｡　　在LNOI上制备的集成声光移频器, 其移频效率髙于氮化铝薄膜上的声光移频器｡激光器和放大器在稀土掺杂的LNOI上已经取得了重大进展｡　　然而, LNOI的稀土掺杂区域对通讯光波段有明显的光吸收, 限制了其大规模光子集成｡在LNOI 上探索局部稀土掺杂将是解决这一问题的好方法｡在LNOI 上沉积非晶硅可以制备光电探测器, 制备的金属半导体，金属光电探测器在波长635-850nm的响应度为22-37mA/ W｡　　同时, 将III-V族半导体激光器和探测器异质集成到LNOI上, 也是在LNOI上实现激光器和探测器的好方案, 但是制备工艺复杂,成本高, 需要完善工艺降低成本, 提高成功几率｡ LNOI上的各种集成光子器件如下图所示：　　四、硅和铌酸锂复合薄膜技术　　Si是广泛应用的半导体材料, 具有重要的电子学和微加工优势｡　　SOI 给电子集成器件带来了诸多好处, 广泛应用于集成电路｡同时, SOI还具有如下优点: Si 和SiO2之间具有大的折射率差,使其具有很强的限光能力和小的波导弯曲半径; 在1200nm以上波段具有低的光吸收; 基于SOI的光子器件可以用CMOS工艺制备｡这使其在集成光学中也成为一种极具吸引力的材料平台｡但是, Si是中心对称晶体,缺乏电光､声光和非线性光学等效应, 阻碍了其在集成光学中的发展｡　　如果将Si薄膜和LN薄膜结合在一起，就可以实现材料性能互补和充分利用。　　LNOI保留了LN 体材料卓越的电光､声光和非线性光学等效应, 同时具有大的折射率对比度, 被认为是一种极具潜力的集成光学材料平台｡

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硅光通信

发布时间：2025-03-10 14:26 阅读量：239 继续阅读>>

安森美将收购碳化<span style='color:red'>硅</span>JFET技术，以增强其针对人工智能数据中心的电源产品组合

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安森美将收购碳化硅JFET技术，以增强其针对人工智能数据中心的电源产品组合

　　安森美(onsemi，纳斯达克股票代码：ON)宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能(AI)数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求，还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB)等新兴市场的部署。　　SiC JFET的单位面积导通电阻超低，低于任何其他技术的一半。它们还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器。综合这些优势，SiC JFET的采用能够加快开发速度，减少能耗并降低系统成本，为电源设计人员和数据中心运营商提供显著的价值。　　“随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。”安森美电源方案事业群总裁兼总经理Simon Keeton表示，“随着Qorvo业界领先的SiC JFET技术的加入，我们的智能电源产品组合将为客户提供多一种优化能耗，并提高功率密度的选择。”　　该交易需满足惯例成交条件，预计将于2025年第一季度完成。

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安森美

发布时间：2024-12-13 10:29 阅读量：595 继续阅读>>

维安可控<span style='color:red'>硅</span>：电力控制的一部分

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维安可控硅：电力控制的一部分

　　在《丰富规格，灵活封装：维安可控硅满足您的多种需求》一文中，我们分享了维安可控硅的类型及应用场景。本文将承接上篇持续拓展，对维安可控硅的产品性能，进一步剖析其在多元应用场景中所呈现的突出效能与卓越特质。　　维安可控硅产品汲取维安防浪涌器件的高浪涌，高可靠性设计经验，在功能性参数维持一致的前提下表现出更优秀的可靠性和稳定性。相同版面下器件8-20浪涌能力，要优于友商。且产品能过严苛的AC/PCT环境实验，适用于对浪涌有需求、高温、高湿的应用环境。　　对比行业内常用品牌，维安浪涌能力在市场具有竞争力。　　维安可控硅产品通过的可靠性高：　　可控硅广泛应用于可控整流、逆变、变频、调压、调温、无触点开关等领域。　　家用电器：　　典型应用一　　调光灯、调速风扇、空调机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光控电路、定时控制器、燃气点火器、玩具装置、电动工具等都大量使用了可控硅器件。　　1、维安可控硅在家用电器领域　　工业控制：　　典型应用二　　在工业自动化领域，可控硅用于电动机控制、温度控制、电炉控制、焊接控制等。　　电机驱动、温度控制、电源调节、电气加热、电热水器等场景中广泛使用，可控硅作为核心控制元件，实现精确的电机调速和温度控制等。　　2、维安可控硅在工业控制领域　　应用案例　　图2：维安可控硅在电加热器的应用　　可控硅按其工作原理和结构特点可分为?　　单向可控硅　　只能在一个方向导通电流，常用于整流和直流调压电路。　　双向可控硅　　可以在两个方向导通电流，适用于交流调压和交流开关电路。　　维安单向可控硅产品　　1、门极灵敏型单向可控硅　　维安双向可控硅产品　　1、三象限双向可控硅　　2、四象限双向可控硅　　未来维安将持续深耕产品研发，不断优化产品性能，通过完善的质量管理体系和卓越的客户服务标准，赋能终端用户，持续提升产品竞争力，为市场带来更多优质的产品选择。

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维安

发布时间：2024-12-06 09:35 阅读量：649 继续阅读>>

锗二极管型号及参数 <span style='color:red'>硅</span>管和锗管有什么区别

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锗二极管型号及参数硅管和锗管有什么区别

　　锗二极管是一种常用于电子电路中的半导体器件。在选择合适的锗二极管时，了解其型号和参数非常重要。此外，还需要清楚硅管和锗管之间的区别。　　1.锗二极管型号及参数　　锗二极管的型号通常由制造商根据该器件的特性指定。常见的锗二极管型号包括但不限于：1N34、1N60、OA81等。这些型号具有各自独特的电性能和应用场景。　　在选择锗二极管时，关注以下参数至关重要：　　最大反向电压(VRM)：即锗二极管可承受的最大反向电压值。　　最大正向电流(IFM)：锗二极管可通过的最大正向电流。　　正向压降(VF)：锗二极管正向导通时的电压降。　　尺寸：锗二极管的物理尺寸对于某些应用也是一个重要考量因素。　　2.硅管和锗管的区别　　尽管硅管和锗管都是半导体材料，但它们在一些方面存在显著区别：　　材料特性：硅管比锗管更普遍，在许多应用中使用。硅管具有较低的功耗和较高的工作温度范围。　　电学特性：锗管的导电性能优于硅管，因此在一些特定应用中，如高频应用，锗管可能更适合。　　价格和稳定性：通常情况下，硅管比锗管便宜，且具有更好的稳定性和一致性。　　反向饱和电压：锗管的反向饱和电压较硅管低，这在一些电路设计中具有优势。　　锗二极管作为一种重要的半导体器件，其型号和参数决定了其在电路中的具体应用。在实际选型时需要结合具体需求进行选择。同时，与硅管相比，锗管在电学特性等方面有着明显的差异，合理选择器件能够有效提高电路性能和稳定性。

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二极管

发布时间：2024-11-21 11:53 阅读量：634 继续阅读>>

在沉积多晶<span style='color:red'>硅</span>时，如何控制晶粒尺寸和结构

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在沉积多晶硅时，如何控制晶粒尺寸和结构

　　多晶硅(Polycrystalline Silicon，简称poly-Si)是一种重要的半导体材料，广泛应用于电子、光电器件等领域。在多晶硅的制备过程中，控制晶粒尺寸和结构对其性能至关重要。本文将探讨在沉积多晶硅时，如何有效地控制晶粒尺寸和结构的方法。　　1.沉积多晶硅及晶粒生长机制　　1. 多晶硅的制备：多晶硅通常通过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PECVD)等技术制备，其中主要前驱体为硅源气体(如硅烷气体)。　　2. 晶粒生长机制：在沉积过程中，硅原子会沉积在基底表面并形成晶核，随后晶核逐渐增长形成多晶硅薄膜，晶粒的尺寸和结构取决于沉积条件和影响因素。　　2.控制晶粒尺寸和结构的策略　　1. 温度控制：适当选择反应温度可以影响晶粒生长速率和晶粒尺寸，通常较高温度会促进晶粒长大，但过高的温度可能导致晶粒聚集和过大晶粒产生。　　2. 气氛调节：调节反应气氛中的气体流量和比例，以控制气相中的硅浓度和扩散速率，从而影响晶粒的成核和生长速率。　　3. 压力优化：合适的反应压力有助于维持稳定的气相传输速率，避免非均匀的沉积和晶粒不规则生长，提高晶粒尺寸均匀性。　　4. 添加掺杂物：通过向多晶硅中掺入适量的掺杂物(如磷、硼等)，可以调节晶格结构，限制晶粒长大，抑制异质晶界的形成，改善多晶硅的电学性能。　　5. 表面处理：在多晶硅生长之前对基底表面进行预处理，如氢气退火等，可改善表面平整度、去除杂质层，促进晶核的均匀分布和生长。

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多晶硅

发布时间：2024-08-23 11:41 阅读量：661 继续阅读>>

英飞凌600 V CoolMOS™ 8 新一代<span style='color:red'>硅</span>基MOSFET技术助力电力电子行业变革

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英飞凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技术助力电力电子行业变革

　　在日新月异的电力电子行业，对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET，英飞凌进行了巨大的研发投入，以重新定义系统集成标准，使其在广泛的电力电子应用中能够实现更高功率密度和效率。　　在英飞凌，CoolMOS™ 8的推出意味着这些投入已经取得了成效。它是一项先进的MOSFET技术，集成快速体二极管，能够让设计人员和工程师前所未有地获益。该技术是对英飞凌现有宽禁带半导体技术的有力补充，将对数据中心、可再生能源和消费电子等行业产生深远影响。　　在了解关键特性和益处之前，我们先来看看CoolMOS™ 8的起源。CoolMOS™ 8是英飞凌新一代硅基MOSFET技术，旨在取代现有的高/低功率开关电源(SMPS)的CoolMOS™ 7产品系列。它是CoolGaN™和CoolSiC™宽禁带半导体技术的有力补充。该产品组合将使设计人员能够满足不同类型的电力电子应用需求。CoolMOS™ 8主要面向消费和工业终端市场;这意味着，该系列并未包含适用于汽车应用的器件。汽车应用的设计人员可以继续使用现有的车规级CoolMOS™ 7器件。　　CoolMOS™ 8的创新之处在于，该系列所有器件中都集成了快速体二极管，使得设计人员能将该系列产品用于目标应用中的所有主要拓扑。600 V CoolMOS™ 8产品系列具有完善的产品组合，英飞凌最先将供应直插封装、表面贴装和顶部冷却(TSC)器件。CoolMOS™ 8 MOSFET还比同类竞品具有更高的电流处理能力，且拥有最小的导通电阻(RDS(on))与面积乘积。　　但这对设计人员和工程师意味着什么呢?CoolMOS™ 8在最终面向消费和工业市场推出后，将大大简化英飞凌客户的产品选型;因为相比已有的CoolMOS™ 7产品系列，它的产品数量减少了50%以上。在CoolMOS™ 7产品系列下，拥有快速体二极管的器件通过在产品名称中包含“FD”来进行区分。CoolMOS™ 8系列下的所有产品都拥有快速体二极管(无论导通电阻(RDS(on))值为何)，这意味着它无需再遵循之前的命名规则。　　当前供应的600 V CoolMOS™ 8产品组合(2024年)　　CoolMOS™ 8 的关键特性　　上面我们回顾了一些产品开发背景和原理，现在我们来看看CoolMOS™ 8的一些关键特性。这包括用于谐振拓扑的最佳快速体二极管性能，先进芯片焊接技术，以及创新的顶部冷却(TSC)封装技术。　　相比CoolMOS™ 7系列同类器件，CoolMOS™ 8技术的关断损耗(Eoss)降低10%，输出电容(Coss)降低50%。CoolMOS™ 8器件相比CoolMOS™ 7还将热阻降低至少14%，大大改进了热性能。能够实现这一改进，是因为使用了英飞凌专有的互连技术(.XT)，该技术提高了将硅芯片连接至引线框架时的热导率。这些性能优势使得CoolMOS™ 8比CoolMOS™ 7 具有更高效率。　　(3.3 kW)LLC级与(2.5 kW)PFC级之间的相对效率比较　　CoolMOS™ 8 MOSFET采用的创新ThinTOLL 8 × 8封装，相比ThinPAK 8 × 8封装具有更优的性能，有助于保持引脚兼容性。ThinTOLL 8 × 8封装占板面积小，有助于实现高功率密度;且充分利用了英飞凌先进的互连技术，提高了热性能。ThinTOLL封装尽管尺寸小巧，但在电路板温度循环试验中的故障率与采用TOLL封装的器件非常接近，且二者具有几乎相同的性能因数。　　新ThinTOLL 8 × 8封装与ThinPAK 8 × 8封装的尺寸比较　　封装的升级不仅有助于实现大批量组装和改进电路板设计，还通过帮助实现高引脚数器件的全自动处理，使得在成本高昂的组装工厂进行光学焊接检测更容易。凭借在最近七年里累计交付的超过67亿颗器件中，仅有过5次现场故障，CoolMOS™ 8无疑巩固了英飞凌在可靠性方面的卓越声誉。　　对系统集成的益处　　CoolMOS™ 8对系统集成的益处，可通过英飞凌利用该系列器件进行的参考设计来证明。例如，一台3.3 kW高频率和超紧凑整流器可达到97.5%的效率，以及95 W/in3的功率密度，尺寸为1U时也是如此。能达到如此高的工作效率和功率密度，是因为在设计中联合使用了CoolMOS™ 8、CoolSiC™及CoolGaN™ 技术;它采用了创新的集成式平面磁性结构，并对图腾柱功率因数校正(PFC)级和半桥GaN LLC DC/DC功率变换级进行完全数字化控制。　　单独提供的2.7 kW配套评估板展示了利用无桥图腾柱PFC和LLC DC/DC功率变换级构建的高效率(>96%)电源装置(PSU)。这一高功率密度的设计联合使用了650 V CoolSiC™和600 V CoolMOS™ 8开关技术。该PSU可利用XMC1404控制器(控制PFC级)和XMC4200控制器(控制LLC级)进行数字化控制，使得可以控制和调整PFC开关频率，以进一步减小电感器尺寸，和/或降低功耗。试验表明，该PSU在高负载条件下的效率提高了0.1%，使其相比利用CoolMOS™ 7 MOSFET构建的类似设计，拥有更低功耗和更好的散热性能。　　当前供应的评估板(2.7-kW PSU和3.3-kW HD/HF SMPS)　　主要应用　　CoolMOS™ 8器件是工业和消费市场中不同SMPS应用的理想选择。但它们仍然尤其适用于数据中心和可再生能源等重要终端市场。在数据中心应用领域，CoolMOS™ 8通过实现利用硅器件可能达到的、尽可能最高的系统级功率密度，来帮助设计人员达成能源效率和总拥有成本目标。在可再生能源应用领域，采用顶部冷却(TSC)封装的CoolMOS™ 8器件，可帮助减小系统尺寸和降低解决方案成本。　　面向目标应用的DDPAK和QDPAK封装产品　　由于600 V CoolMOS™ 8还拥有极低的导通电阻(RDS(on))值(7 mΩ)，因此在日益壮大的固态继电器应用(S4)市场，它适合作为替代CoolSiC™ 的、更具性价比的技术。相比机械继电器，固态继电器拥有更快开关速度，不产生触点拱起或弹跳，因而能够延长系统寿命。它们还具有良好的抗冲击、抗振动能力，以及低噪声。　　另外，通过将CoolMOS™ 8与CoolSiC™ 器件结合使用，设计人员还可优化系统级性价比。对于2型壁挂式充电盒、轻型电动交通工具、无线充电器、电动叉车、电动自行车和专业工具充电，CoolMOS™ 8还可帮助实现更具成本竞争力的设计。在更宽泛的消费类应用领域，CoolMOS™ 8可让终端产品更容易满足静电放电要求，并助力实现更灵活的系统设计。与此同时，顶部冷却(TSC)封装还有助于进一步降低组装成本，并提高功率密度。　　与先进MOSFET设计有关的　　下一步计划　　我们不久就会推出用于驱动CoolMOS™ 8 MOSFET的新一代栅极驱动器，使其能够在开关应用中实现最优的RDS(on)性能。这些EiceDRIVER™栅极驱动器将具有单极驱动能力，以及封装共模瞬变抗扰度(@600 V)，能够帮助简化系统认证与合规。由于厚度减小，CoolMOS™ 8器件非常适合使用QDPAK TSC封装，甚至可被置于散热片的下面。英飞凌还计划在未来几年内推出采用多种不同封装的CoolMOS™ 8 MOSFET。　　600 V CoolMOS™ 8新一代硅基MOSFET技术的推出，推动电力电子领域取得了一次重大进展。集成快速体二极管、先进芯片焊接技术以及创新封装技术等重要配置，凸显出英飞凌致力于提供先进解决方案以满足设计人员和工程师的更高需求的坚定决心。通过极低的现场故障率可以证明，这项技术还具有良好的热性能及可靠性。　　随着CoolMOS™ 8器件逐渐出现在不同的SMPS应用中，尤其是数据中心和可再生能源等应用领域，它们将帮助实现更节能、更紧凑和更具性价比的设计。未来，通过充分发挥CoolMOS™ 8 MOSFET与即将推出的新一代栅极驱动器之间的协同作用，英飞凌将采取一体化方法来推进MOSFET的设计和应用。这一旅程将帮助巩固英飞凌的半导体技术领先地位，并为未来的发展奠定坚实基础。

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发布时间：2024-08-08 09:16 阅读量：634 继续阅读>>

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