在追求高效、高功率密度与高可靠性的现代电力电子领域,碳化硅MOSFET正成为推动技术革新的关键力量。鲁光电子推出的 LGE3M35120Q,是一款采用TO-247-4封装的高性能1200V碳化硅MOSFET,凭借其优异的电气性能,正广泛应用于新能源、可再生能源发电及高端工业电源等前沿领域,成为国产功率半导体自主化进程中的一颗关键器件。


性能优势
1.高速开关: 得益于碳化硅材料和四引脚封装,开关损耗显著低于传统硅基IGBT和Si MOSFET。
2.高效运行: 低导通电阻与低开关损耗相结合,可提升系统整体效率,尤其在频繁开关的应用中。
3.易于驱动: 与硅基MOSFET兼容的驱动电压,简化了电路设计。
4.高温工作能力: 碳化硅器件本身具备更高的工作结温能力,可靠性更强。
二、特性曲线


三、关键应用领域
基于上述卓越性能,LGE3M35120Q在多类高效率、高密度功率转换场景中发挥着核心作用:
1. 新能源与充电设施
1.1 OBC与 DC-DC 转换器:利用其高频优势,可缩小OBC内的变压器和滤波器体积,实现更轻量化的电源系统。
1.2充电桩(直流快充桩):作为直流充电模块的核心开关元件,其高效率特性有助于减少充电过程中的能量损耗和散热需求,提升充电桩的功率密度与可靠性。
2. 可再生能源发电系统
2.1光伏逆变器与储能变流器(PCS):在太阳能逆变器中,碳化硅 MOSFET能够降低开关损耗,提升整机效率。同样,它也适用于储能系统的双向DC-AC或DC-DC转换。
2.2 风力发电变流器:有助于应对风力发电不稳定的输入特性,提高电能转换效率和质量。
3. 工业与通信电源
3.1服务器电源与通信电源:为数据中心和5G基站提供高效、高功率密度的AC/DC或DC/DC电源解决方案。
3.2不间断电源(UPS):提升UPS的转换效率,降低运行能耗和散热成本,对于大型数据中心和工业备用电源系统意义重大。
3.3电机驱动与电焊机:可用于高性能伺服驱动和工业焊接电源,实现更精确的控制和更高的能效。
四、总结
鲁光LGE3M35120Q碳化硅MOSFET以其高耐压、低损耗、高工作频率和高温运行能力,完美契合了现代电力电子系统对高效率与高功率密度的双重追求。它的成熟应用,提供了优秀的国产器件选择。
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