永铭丨AI<span style='color:red'>服务器</span>机柜BBU的毫秒级瞬态功率缺口：为什么“混合型超级电容（LIC）+BBU”更合适？
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永铭丨AI服务器机柜BBU的毫秒级瞬态功率缺口：为什么“混合型超级电容（LIC）+BBU”更合适？

　　AI服务器机柜在训练/推理负载快速切换时，会出现毫秒级(典型1–50 ms)的功率突变与直流母线(DC Bus)掉压风险。NVIDIA在介绍 GB300 NVL72 电源架设计时提到，其电源架内集成能量存储元件并配合控制器，实现机柜级的快速瞬态功率平滑(见参考资料[1])。　　工程实践中，用“混合型超级电容(LIC)+BBU(Battery Backup Unit，备用电源单元)”构成就近缓冲层，可把“瞬态响应”和“短时备电”分工解耦：LIC负责毫秒级补偿，BBU负责秒级到分钟级接管。本文给出工程师可复现的选型思路、关键指标清单与验证项，并以永铭SLF 4.0V 4500F(单体ESR≤0.8mΩ，持续放电电流200A，参数应引用规格书[3])为例给出配置建议与对比数据支撑。　　机柜BBU电源正在把“瞬态功率平滑”前置到近端　　随着单柜功耗走向百千瓦级，AI工作负载会在短时间内造成电流阶跃。若母线掉压超过系统阈值，可能触发主板保护、GPU错误或重启。为降低对上游供电与电网侧的峰值冲击，一些架构开始在机柜电源架内部引入能量缓冲与控制策略，使功率尖峰在机柜内被“就地吸收与释放”。这类设计的核心启示是：瞬态问题优先在离负载最近的位置解决。　　在搭载英伟达GB200/GB300等超高功率(千瓦级)GPU的服务器中，电源系统面临的核心挑战已从传统的备电，转变为应对毫秒级、数百千瓦级的瞬态功率冲击。传统以铅酸电池为核心的BBU备用电源方案，因其固有的化学反应延迟、高内阻及有限的动态电荷接受能力，在响应速度与功率密度上存在瓶颈，已成为制约单机柜算力提升与系统可靠性的关键因素。　　表1：三级混合储能模式在机柜BBU中的位置示意(表格框图)　　架构演进，从“电池备电”到“三级混合储能模式”　　传统BBU多以电池为核心储能。面对毫秒级功率缺口，电池受限于化学反应动力学与等效内阻，响应往往不如电容类储能敏捷。因此，机柜侧开始采用“LIC(瞬态)+BBU(短时)+UPS/HVDC(长时)”的分级策略：　　LIC并联于DC Bus近端：承担毫秒级功率补偿与电压支撑(高倍率充放电)　　BBU(电池或其他储能)：承担秒级到分钟级接管(系统按备电时长设计)　　机房级UPS/HVDC：承担更长时长的不间断供电与电网侧调节　　这种分工把“快变量”和“慢变量”解耦：既稳住母线，又降低储能单元长期应力与维护压力。　　深度解析：为何是永铭混合型超级电容?　　永铭混合型超级电容LIC(Lithium-ion Capacitor，锂离子电容)在结构上结合了电容的高功率特性与电化学体系的较高能量密度。在瞬态补偿场景中，决定能否“顶住”的关键是：在目标Δt内输出所需能量，并且在允许的温升与电压跌落范围内通过足够大的脉冲电流。　　高功率输出：在GPU负载突变、电网波动时，传统铅酸电池由于化学反应速度慢、内阻高，其动态电荷接受能力会迅速恶化，导致在毫秒时间内无法及时响应。混合型超级电容能够在1-50ms内完成瞬时补偿，随后BBU备用电源提供分钟级备电，保障母线电压平稳，显著降低主板和GPU死机风险。　　体积与重量优化：体积与重量优化：在以“同等可用能量(由 V_hi→V_lo 电压窗口决定)+相同瞬态窗口(Δt)”为对比口径时，LIC 缓冲层方案相较传统电池备电通常可显著降低体积与重量(体积可减少约 50%～70%，重量可减轻约 50%～60%，典型值无公开出处，需项目验证)，释放机柜空间与风道资源。(具体比例取决于对比对象规格、结构件与散热方案，建议在项目口径下对比验证。)　　充电速度提升：LIC具备高倍率充放电能力，回充速度通常高于电池方案(速度提升5倍以上，可实现接近十分钟快充，来源：混合型超级电容对比铅酸电池典型值)。回充时间由系统功率余量、充电策略与热设计共同决定，建议以“回充到 V_hi 所需时间”作为验收指标，并结合重复脉冲温升进行评估。　　循环寿命长：LIC 在高频充放电工况下通常具备更高循环寿命与更低维护压力(100万次循环寿命，6年以上寿命，是传统铅酸电池方案的约200倍，来源：混合型超级电容对比铅酸电池典型值)。循环寿命与温升极限请以具体规格与测试条件为准，从全生命周期角度有助于降低运维与故障成本。　　图2：混合储能系统示意：　　锂电池(秒–分钟级)+ 锂离子电容LIC(毫秒级缓冲)　　以英伟达GB300参考设计的日本武藏CCP3300SC(3.8V 3000F)为对标，在公开规格参数维度具备更高容量密度、更高电压以及更高容量：4.0V的工作电压与4500F的容量，带来了更高的单体能存储能量，在相同模组体积下提供更强的缓冲能力，确保毫秒级响应能力不打折扣。永铭SLF系列混合型超级电容关键参数：额定电压：4.0V;标称容量：4500FDC内阻/ESR：≤0.8mΩ持续放电电流：200A工作电压范围：4.0–2.5V　　采用永铭混合型超级电容的 BBU 就近缓冲方案，可在毫秒级窗口内对直流母线(DC Bus) 提供大电流补偿，提升母线电压稳定性;在同等可用能量与瞬态窗口的对比口径下，缓冲层通常更有利于降低空间占用并释放机柜资源;同时更适配高频充放电与快速恢复需求，降低维护压力。具体效果请以项目口径验证为准。　　选型指南：场景精准匹配　　面对AI算力极限挑战，供电系统的创新至关重要。永铭SLF 4.0V 4500F混合型超级电容，以扎实的自主技术，提供了高性能、高可靠的国产化BBU缓冲层解决方案，为AI数据中心实现稳定、高效、集约化的持续进化提供了核心支撑。　　如您需要获取详细技术资料，我们可提供：规格书、测试数据、应用选型表、样品等支持。同时请您提供：母线电压、ΔP/Δt、空间尺寸、环境温度、寿命口径等关键信息，以便我们快速给出配置建议。　　Q&A板块　　Q：AI服务器的GPU负载可能在毫秒内飙升150%，传统铅酸电池响应跟不上。永铭锂离子超级电容具体的响应时间是多少，如何实现这种快速支撑?　　A：永铭混合型超级电容(SLF 4.0V 4500F)依托于物理储能原理，内阻极低(≤0.8mΩ)，能够实现1-50毫秒级别的瞬时高倍率放电。当GPU负载突变导致直流母线电压骤降时，它可以近乎无延迟地释放大电流，直接对母线进行功率补偿，从而为后端BBU电源的唤醒与接管争取时间，确保电压平滑过渡，避免因电压跌落引发的运算错误或硬件死机。　　文末摘要　　适用场景：AI 服务器机柜级 BBU(备用电源单元)，直流母线(DC Bus)存在毫秒级瞬态功率冲击/电压跌落风险的场景;适用于“混合型超级电容 + BBU”的就近缓冲架构，用于短时断电、电网波动、GPU 负载突变下的母线稳压与瞬态补偿。　　核心优势：毫秒级快速响应(补偿1-50ms 瞬态窗口);低内阻/大电流能力，提升母线电压稳定性并降低意外重启风险;支持高倍率充放电与快速回充，缩短备电恢复时间;相较传统电池方案更适合高频充放电工况，有助于降低维护压力与全生命周期成本。　　推荐型号：永铭方形混合型超级电容SLF 4.0V 4500F
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发布时间：2026-01-15 14:28 阅读量：236 继续阅读>>
永铭 MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容：为 AI <span style='color:red'>服务器</span> CPU/GPU 供电提供纳秒级瞬态支撑与高频噪声抑制
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永铭 MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容：为 AI 服务器 CPU/GPU 供电提供纳秒级瞬态支撑与高频噪声抑制

　　在 AI 算力持续爆发与供应链自主可控的双重背景下，AI 服务器主板 CPU/GPU 供电电路(VRM，Voltage Regulator Module，电压调节模块)的 DC-DC 输出端，正面临着更严苛的供电考验。公开行业资料显示，AI 芯片核心电压呈低压化趋势(典型约 0.8–1.2 V)，单相电流能力可达到百安级。以往，满足此类高端 VRM 输出端需求的低 ESR 叠层/固态类电容方案主要由少数国际一线品牌长期主导。为应对纳秒级电流瞬变(di/dt)、MHz 级开关噪声、长期高温应力三大挑战，国内 AI 服务器厂商亟需性能达到国际同等标准，同时具备快速响应、稳定供应与成本优势的国产化取代方案。　　注：以上电压/电流/频率为行业公开资料与典型 VRM 设计区间，具体以实际平台设计为准。　　理念升级：从基础滤波到精准保障，重新定义供电末端电容价值　　AI 服务器的高算力需求，使供电链路的瞬态响应速度与噪声控制精度要求显著提升。VRM 输出端的电容网络不再只是滤波/储能的通用配置，而是 AI 芯片供电的最后储能缓冲池与高频噪声泄放通道：既要在 VRM 响应延迟的空窗期快速补充能量，又要在高频段为噪声提供低阻抗路径。　　因此，供电末端电容的选型理念应从满足基础电路需求升级为匹配 AI 芯片极致供电目标，聚焦精准瞬态支撑与高频噪声抑制两大核心。　　三大核心指标：为什么 AI 服务器 VRM 输出端需要高端低 ESR 电容?　　1)纳秒级瞬态支撑：降低电压下陷风险　　在部分 AI 负载/平台的典型工况中，电流阶跃可呈现纳秒级特征(以平台与测试为准)。当 AI 计算单元在 10–100 ns 量级快速激活时，VRM 控制环路响应往往处于微秒级。若输出端电容的等效串联电阻(ESR)偏高，电荷释放速度不足，容易造成核心电压下陷，进而触发降频、错误或不稳定风险。因此，mΩ 级超低 ESR(例如 ≤3 mΩ)是满足此类瞬态供电要求的重要技术门槛之一(以目标阻抗与实测为准)。　　2)MHz 级噪声抑制：有助于提升信号完整性　　VRM 开关频率可达 MHz 量级(典型工作区间以平台设计为准)，带来的高频纹波与谐波可能耦合到 PCIe、DDR 等高速信号通道。若电容在 MHz 频段阻抗偏高，噪声难以及时吸收与泄放，可能导致信号完整性下降与误码风险上升。因此，电容在高频段保持低阻抗特性，是保障高速系统信号纯净度的重要条件。　　3)高温高纹波与长寿命：匹配 7×24h 可靠性与 TCO　　数据中心 AI 服务器 7×24h 不间断运行，电容长期处于 85–105°C 高温环境及高纹波电流应力下。若材料体系与结构设计不足，可能出现容量衰减、ESR 上升乃至早期失效，成为系统可靠性短板。因此，满足 105°C/2000 h 等寿命等级，并具备 >10 A(@45°C/100 kHz，视具体型号)纹波承载能力，是降低宕机风险与优化全生命周期运维成本(TCO)的关键。　　方案落地：永铭 MPS 系列——达到国际标准，更具备本土化高价值的替代选择　　针对 AI 服务器 CPU/GPU 的 VRM 输出端供电需求，以及本土厂商对供应链安全与成本优化的迫切诉求，永铭电子推出 MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容。该系列在关键电性能与可靠性指标上对标国际主流高端产品，并在交付响应、技术支持与本土供应链稳定性方面提供附加价值。　　表 1|关键规格对标(2.5V/470µF 示例)　　表 2|实测参数(示例条件)　　表 3|容量-温度数据表(单位：µF;温度点：-55/-25/0/20/45/65/85/105°C)　　表 4|ESR-温度数据表(单位：mΩ;测试频率：100kHz;温度点同上)　　表 5|105°C 直流 2000 h 寿命验证趋势(节选)　　关键对标数据文本摘要　　• ESR：在 20°C/100kHz 条件下，永铭MPS 实测 ESR 约 2.4 mΩ;对标样品约 2.1mΩ。规格书 ESR Max 均为 3 mΩ(以具体规格书为准)。　　• 纹波电流：两者在 45°C/100kHz 的额定纹波电流指标为 10.2 A_rms(以具体型号规格书为准)。　　• 寿命：两者寿命等级均为 105°C/2000 h(以具体规格书为准)。　　结语：在国产化趋势下，为 AI 服务器供电可靠性提供可替代、可交付、可验证的选择　　在 AI 服务器的算力竞争与供应链自主化趋势下，供电链路元件的性能与来源同样关键。选择一款在核心电性能与可靠性上达到国际同等标准，同时在供应安全、成本优化与服务响应上具备本土优势的电容方案，正成为 AI 服务器厂商提升竞争力的重要抓手。永铭 MPS 系列致力于成为您的可靠替代选择。　　如需为您的 AI 服务器项目评估供电完整性(PI，Power Integrity，电源完整性)方案，获取 MPS 系列规格书、测试报告或样品，欢迎与我们联系。建议提供：核心电压范围、瞬态电流需求、PCB 布局空间、温升与寿命目标，我们将提供针对性的选型与验证建议。　　Q&A　　Q：在 AI 服务器中，如何选择 CPU/GPU 供电的 DC-DC 输出端电容?　　A：建议重点关注三大核心指标：　　1)超低 ESR(例如 <3 mΩ)，以满足瞬态供电与目标阻抗要求(以平台实测为准);　　2)高纹波电流能力(例如 >10 A @45°C/100kHz，视具体型号)，适配长期高负荷运行;　　3)高温长寿命(例如 105°C/2000 h 等级)，匹配数据中心 7×24h 工作模式。　　MPS 系列叠层固态电容围绕上述主流指标设计，并结合本土化支持，可作为高性价比替代方案参考。　　核心摘要　　适用场景：AI 服务器/高性能计算服务器 CPU/GPU 的 VRM(DC-DC)输出端滤波与储能。　　核心优势：超低 ESR(mΩ 级)瞬态支撑;高频低阻抗噪声抑制;高温高纹波与寿命等级对齐国际主流标准;并具备本土供应链稳定与快速响应。　　推荐产品：永铭电子(YMIN)MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容(2.5V/470µF 示例：MPS471M0ED19003R)。　　数据口径与商标声明　　1)数据来源：本文规格参数来自公开规格书;表 2–5 中的曲线/寿命趋势数据为我方对样品进行的对标测试结果(样品通过公开渠道采购)，用于技术交流与选型参考。　　2)测试说明：不同测试平台、样品批次与测试条件可能导致差异;本文数据仅对应所述条件与样品，不代表所有批次与全部型号。　　3)商标声明：Panasonic、GX 等为其权利人商标/系列名称。文中提及仅用于识别对标对象与技术对比说明，不构成任何形式的关联、背书或贬损。
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发布时间：2026-01-12 10:34 阅读量：309 继续阅读>>
永铭丨1U AI <span style='color:red'>服务器</span>电源设计的突破：电容小型化如何不翻车？
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永铭丨1U AI 服务器电源设计的突破：电容小型化如何不翻车？

　　随着AI算力需求不断增长，服务器电源的设计面临着前所未有的挑战。在1U高度的服务器电源设计中，如何满足高功率密度、高负载稳定性，并且在有限的空间内做到小型化，一直是工程师们亟待解决的问题。　　1U电源设计：电容成为小型化的核心限制因素　　在1U AI 服务器设计的高功率密度电源方案中，电容器往往是最难压缩的元件之一。即便GaN等新型功率器件不断提高开关频率与效率，服务器的体积和散热空间却没有同步放宽。　　在这一设计中，电容不仅仅是配套元件，而是直接决定电源方案能否成功的关键因素。　　1. 电容小型化面临的挑战　　在实际的AI 服务器电源项目中，工程师通常要面对以下挑战：　　· 功率密度提升　　· 电源模块体积压缩 50% 以上　　· 长期高温下稳定运行，105℃工作环境　　· 高纹波电流承受能力，长期高负载运行　　· 容量衰减可控，保持系统稳定性　　在这些要求下，电容的尺寸压缩直接影响整个系统的设计。更小的电容体积意味着容量和纹波电流能力可能无法同时满足需求，这给设计带来了极大的挑战。　　2. GaN 电源的优势与对电容要求的提升　　随着GaN(氮化镓)技术的引入，电源开关频率、效率和体积得到了提升，但这也对电容器的性能要求提出了更高的标准。　　对于GaN电源而言，电容器不仅需要具备更高的容量密度，还需要承受更大的纹波电流和更长的使用寿命，以确保系统的稳定性。　　永铭IDC3系列电容，解决高功率密度电源方案的核心难题　　为了应对这些挑战，永铭电子推出了IDC3系列液态铝电解电容，专为 GaN AI服务器电源设计。这款电容的核心优势是高容量密度与高纹波电流承载能力，能够在高温、高负载的严苛环境下稳定运行，成为高功率密度电源设计中的“关键一环”。　　产品信息　　系列：IDC3　　规格：450V / 1400μF　　尺寸：30 × 70 mm　　结构形式：牛角型液态铝电解电容　　1.电容小型化的“底层能力”——容量密度提升70%　　IDC3 系列电容在容量密度上的提升让我们能够在不增加体积的前提下，提供更高的容量和纹波电流承载能力。与日系同类产品相比，IDC3 系列的容量密度提升了70.7%，从13.64μF/cm³提升到23.29 μF/cm³。这使得电源模块体积可以缩小约 55%，并且不影响性能稳定性。　　2.长期高负载运行中的稳定性：纹波电流和高温寿命　　在高负载、高温环境下，电容的稳定性至关重要。IDC3 系列电容能够承受高纹波电流(19A)，有效减少并联电容数量，优化电源布局，降低局部热堆积风险。　　此外，在 105℃ 的工作温度下，IDC3的寿命大于3000小时，并且容量衰减控制在8%以内，确保在长期运行中仍能维持稳定的电源性能。　　3.系统级的收益：不仅仅是电容的优化　　在 纳微(Navitas)氮化镓 AI 服务器电源方案 中，IDC3 系列电容的引入带来了以下多方面的改进：电源效率提升1%~2%、系统温升降低约10℃、电源模块体积大幅缩小。　　这些优化最终带来了整个服务器系统的稳定性和长期可靠性，充分证明了电容在高功率密度电源设计中的核心地位。　　结语：电容在1U AI服务器电源设计中的关键作用　　在高功率密度与高负载并存的1U AI 服务器电源设计中，电容不仅仅是一个元件，更是决定电源能否长期稳定运行的“关键一环”。　　永铭IDC3 系列电容，凭借其优越的容量密度、纹波电流承载能力和高温稳定性，成为了AI服务器电源设计中的重要助力。
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发布时间：2026-01-12 10:30 阅读量：287 继续阅读>>
永铭丨破解AI<span style='color:red'>服务器</span>CPU/GPU供电困局：纳秒级瞬态如何稳压？MHz噪声怎样滤除？
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永铭丨破解AI服务器CPU/GPU供电困局：纳秒级瞬态如何稳压？MHz噪声怎样滤除？

　　本文摘要：AI芯片的算力狂奔，正将其供电网络推向极限。核心电压降至0.8-1.2V，单相电流冲击达百安级，导致VRM输出端出现纳秒级(10-100ns)的瞬态电流缺口与MHz级开关噪声干扰。传统电容因ESR高、高频阻抗大，已成为系统稳定的短板，而国际高端方案又存在供应链风险。本文解析供电末端三大核心指标，并以永铭MPS系列超低ESR叠层固态电容(导电性聚合物片式铝电解电容器)的实测对标数据为例，为工程师提供一条性能对标国际、供应自主可控的高可靠性取代路径。　　前言：供电末端的“隐形守卫”正在重新定义　　对在AI服务器追求极致算力的道路上，供电完整性(PI)是稳定性的基石。CPU/GPU的纳秒级负载阶跃如同“电流风暴”，若VRM输出电容无法在控制环路响应前(微秒级)的纳秒级空窗期快速补能，将直接导致核心电压下陷，引发计算错误或降频。与此同时，MHz开关噪声若未被吸收，会干扰高速信号。因此，输出电容已从“基础滤波”升级为“精准保障”的最后储能缓冲与噪声泄放通道。　　三大核心指标：为何传统方案力不从心?　　纳秒级瞬态支撑：ESR是决胜关键。响应速度取决于内阻，≤3mΩ的超低ESR是满足纳秒级电荷快速释放的刚性门槛。　　MHz级噪声抑制：高频阻抗特性至关重要。电容必须在开关频率及其谐波段保持极低阻抗，才能为噪声提供有效对地通路，保障PCIe/DDR等信号完整性。　　高温长寿命：匹配数据中心7x24h严酷工况。105℃下2000小时寿命及高纹波电流能力(>10A)，是应对长期高温应力、降低运维成本的基础。　　方案落地：永铭MPS系列·对标国际的国产化高价值选择　　永铭MPS系列直击上述痛点，关键参数与国际一线品牌(如松下GX系列)对标，实测表现卓越。　　简述：全温区容量/ESR曲线平滑，2000h老化测试后参数衰减优于行业平均水平，具体数据可在官网查看完整测试数据。　　Q&A　　Q：如何验证MPS电容在具体项目中的纳秒级支撑能力?　　A：建议在目标板上进行实测：使用电子负载模拟芯片的瞬态电流阶跃(如100A/100ns)，同时用高频探头监测核心电压的跌落幅度。对比更换MPS电容前后的电压波形，其更低的下陷值(Undershoot)和更快的恢复时间即为直接证据。　　结语：算力时代，稳定性同样重要　　在算力竞争与供应链自主化的双重驱动下，供电链路的每一个元件都关乎系统竞争力。永铭MPS系列以对标国际的性能实测数据、本土供应链的快速响应与成本优势，为AI服务器供电末端提供了可靠的国产化选择，助力中国AI基础设施行稳致远。　　文末摘要　　适用场景：AI服务器/高性能计算服务器CPU/GPU的VRM输出端。　　核心优势：纳秒级瞬态支撑(ESR≤3mΩ)、高效MHz噪声抑制、高温长寿命(105℃/2000h)、国产化高价值替代。　　推荐型号：永铭MPS系列超低ESR叠层固态电容(导电性聚合物片式铝电解电容器) (如：MPS471MOED19003R)。　　行动号召：获取规格书、完整测试报告与样品，请联系AMEYA360客服。　　【测试与数据声明】　　1. 数据来源：数据来源与测试声明：　　永铭MPS系列数据来源于其官方发布规格书。　　松下GX系列规格数据援引自其公开规格书，其关键性能指标(如ESR、纹波电流)已由我方实验室通过自有设备，对采购的样品(样品通过公开渠道采购)在同等测试条件下进行了验证性测试。　　本文中的性能对比基于以上来源，旨在进行客观的技术分析。　　2. 测试目的：所有测试均在同等条件下进行，旨在为工程师提供客观、可参考的技术性能比对。　　3. 局限性说明：测试结果仅对送测样品在特定测试条件下负责。不同批次、不同测试方法可能导致数据差异。　　4. 商标与知识产权：文中提及的“Panasonic”、“松下”、“GX系列”等均为其权利人的商标或产品系列名称，仅用于识别对标产品。本文数据对比不构成松下公司对我方产品的任何认可或背书，亦无贬损之意。　　5. 开放性验证：我们欢迎基于同等标准和条件的技术交流与验证
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发布时间：2026-01-09 14:12 阅读量：319 继续阅读>>
太阳诱电：扩充面向AI<span style='color:red'>服务器</span>的产品阵容，实现2012尺寸下100μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化
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太阳诱电：扩充面向AI服务器的产品阵容，实现2012尺寸下100μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化

　　太阳诱电株式会社研发出2012尺寸(2.0×1.25mm)下的100μF电容基板内置型多层陶瓷电容器(以下简称"MLCC")，在商品化，并已开始量产。　　该产品是一种用于IC电源线的去耦MLCC，主要应用于AI服务器等信息技术设备。在9月份商品化的1005尺寸基板内置型MLCC的基础上，进一步扩充的产品阵容。　　内置在基板上的部件，为了与电路连接，要求外部电极具有高精度的平坦性。因此，本公司通过提升外部电极形成技术等多种关键技术，成功实现了2012尺寸下100μF的基板内置型MLCC的商品化。　　该商品已于2025年11月在玉村工厂(群马县佐波郡)开始量产。本公司的样品价格是1个120日元。　　以AI服务器为代表的具备高级信息处理能力的设备，搭载了功耗极高的IC。对于此类电源电路的去耦应用，需要采用小型且大容量的MLCC来满足大电流需求。　　此外，为了将电路上的损耗和噪声降至最低，将电源电路布置在IC附近至关重要。传统的电源电路布置在IC周围，但如今技术发展已实现在基板背面或IC正下方内置等更近距离的配置方式。特别是对于基板内置型MLCC，为实现与导线的连接，具备高精度外部电极的MLCC不可或缺。　　因此，太阳诱电通过提升外部电极形成技术等工艺，成功实现了2012尺寸的基板内置型MLCC的商品化，其容量达到100μF。　　今后我们将继续推进MLCC的产品开发，并致力于实现更大容量等方面的进步。　　用途　　以AI服务器为首的信息设备中用于IC电源线的去耦用途　　规格
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发布时间：2025-12-12 16:16 阅读量：447 继续阅读>>
士兰微电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力AI<span style='color:red'>服务器</span>电源系统创新升级
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士兰微电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力AI服务器电源系统创新升级

　　2025年11月，杭州士兰微电子正式加入开放计算标准工作委员会。开放计算标准工作委员会(Open Compute Technology Committee)，简称OCTC，是中国电子工业标准化技术协会所属分支机构，主要成员来自数据中心上下游产业单位，旨在联合最终用户、系统厂商、核心组件供应商、科研院校，建立适用于新型数据中心的先进技术标准，完善产业链生态，推进产业健康、快速发展，满足国家对于数据中心绿色、集约、高效发展的要求。　　开放共建，协同创新，共筑芯未来　　杭州士兰微电子股份有限公司是国内最具规模、产品门类齐全的半导体IDM企业之一，已构建完整的IDM经营模式，覆盖从芯片设计、制造到封装的全产业链环节。公司拥有5吋、6吋、8吋和12吋的多条硅芯片生产线，以及6吋和8吋SiC功率器件芯片生产线。　　依托在功率半导体领域的深厚积累，士兰微电子为人工智能数据中心电源系统提供了“功率器件 + 电源管理IC”整体解决方案，包含SiC、GaN、DPMOS、LVMOS、Multiphase Controller IC、DrMOS、eFuse、POL等产品系列，全面支持AI服务器电源系统中SST、HVDC、PSU、IBC、Hotswap、BBU、VRM等应用，持续赋能算力基础设施发展。　　士兰微电子人工智能数据中心电源系统产品方案(Powering AIDC)　　展望未来，随着人工智能(AI)技术快速发展，数据中心作为数字经济重要基础设施，对能源消耗需求日益增加。应对AI数据中心的碳排放挑战，士兰微电子通过功率半导体技术和产品创新，助力提升数据中心“从电网到核心”全链路能源转换效率，为实现数据中心绿色、高效、可持续发展贡献“芯”力量。
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发布时间：2025-12-10 17:20 阅读量：449 继续阅读>>
矽力杰AI<span style='color:red'>服务器</span>48V散热风扇解决方案
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矽力杰AI服务器48V散热风扇解决方案

　　随着AI算力需求爆发式增长与智能制造的持续升级，数据中心的热密度不断攀升，散热系统已成为保障关键基础设施稳定运行的“生命线”。无论是散热风扇还是水泵，其精准控制都离不开预驱芯片这一“神经中枢”。　　矽力杰SQ55560作为一款专为无传感器三相BLDC电机设计的驱动IC，集成了正弦电流控制与灵活闭环算法，不仅大幅减少外部元器件数量、简化电路结构，更在散热风扇小型化方面提供了关键技术支持。　　芯片简介　　矽力杰SQ55560是一款最高支持80V电压的三相无刷风扇驱动芯片，专为BLDC应用设计。其内置MTP内存，支持免MCU系统配置，集成单电流采样、无传感器控制算法和四线制功能，集成12V Buck，尽可能简化外围BOM，有力推动散热系统的小型化进程。　　矽力杰SQ55560具备过欠压、过流、短路、开路、堵转、过温等多重保护功能，支持顺逆风启动，显著提升设备运行可靠性。同时，支持多种转速控制方式，灵活适配多样化应用场景。内置的Buck DC-DC转换器具备抖频功能，有效优化芯片的EMC表现。　　◆ 电源电压范围：6-80V　　◆ 睡眠模式　　◆ 集成多种电源模块　　♢ 高效率12V Buck DC-DC带抖频功能　　♢ 电荷泵升压电路　　♢ 5V LDO　　◆ BLDC无传感器正弦电流控制　　♢ 单电阻采样　　♢ 支持正反转控制　　♢ 顺/逆风启动　　♢ 开闭环调速控制　　♢ FG转速反馈　　♢ MTP存储用户配置与速度曲线　　◆ 标准I2C通讯　　◆ 四线制支持SP/FG复用为I2C通讯端口　　◆ 多样的转速控制模式　　♢ PWM频率/占空比　　♢ 模拟VSP电压　　♢ I2C　　◆ 全面的保护功能　　♢ 可调节死区　　♢ 堵转检测　　♢ 短路/开路/过流/过欠压/过温保护　　◆ QFN4*4-32封装四线制解决方案应用框图　　服务器风扇测试板(直径22mm)　　核心优势　　集成BUCK，精简外围BOM　　矽力杰SQ55560内置12V BUCK电路，只需外接一个4.7uF电容及一个47uH电感即可工作，最大程度减少芯片外围BOM。整个应用电路，除三相桥6个MOS及母线电容外，最少只需1个4.7uF/25V电容，2个220nF/25V电容，1个1uF/10V电容，1个47uH电感及一个母线采样电阻，最大程度减少外围BOM，从而实现更小PCB设计并减少物料成本。最少系统应用　　三相无感正弦电流控制，重塑设备静谧体验　　通过精准的正弦电流跟踪，有效降低电机转矩脉动，从源头减少系统噪声与振动，为散热风扇与水泵注入“静音基因”，提升机房硬件稳定性、延长寿命、优化机房环境并降低运维成本，助力高效可靠的数据中心运营。　　极速响应，瞬间启动　　采用高效环路控制，动态响应速度快，可在3秒内完成从0到全速域的极速跃升。高并发任务不“降频”，急速热响应让服务器“满血输出”。　　顺风逆风皆稳启，保障设备极端环境可靠运行　　矽力杰独创算法，面对大型数据中心机柜布局、环境扰动与负载波动形成的极端气流环境亦能稳定启动——让复杂风况尽在掌控，确保服务器散热始终稳定可靠。　　引脚复用，四线制赋能免拆机调试　　矽力杰SQ55560具备四线制功能，通过SP/FG引脚复用为I2C通讯引脚(SCL/SDA)，实现了调试接口与功能接口的一体化整合。这一功能允许用户在设备组装完成后，直接通过原有风扇连接线进行参数配置与状态监控，无需拆卸外壳或额外部署通讯线缆，大幅提升调试与维护效率。　　结语　　矽力杰SQ55560以“高集成度、低振动、易配置”三大核心优势，推动无刷风扇驱动从“功能实现”向“智能化体验”升级，为下一代智能散热系统提供坚实的技术支撑。
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发布时间：2025-11-19 13:44 阅读量：523 继续阅读>>
ROHM推出适用于AI<span style='color:red'>服务器</span>的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET
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ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET

　　2025年11月11日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1 范围的100V 耐压功率MOSFET“RS7P200BM” 。该款产品采用5060 尺寸(5.0mm×6.0mm)封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。　　RS7P200BM采用小型DFN5060-8S(5060尺寸)封装，与ROHM在2025年5月发售的DFN8080-8S(8.0mm×8.0mm尺寸)封装AI服务器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比，可实现更高密度的安装。 　　新产品在VDS=48V工作条件下，可确保脉冲宽度10ms时7.5A、1ms时25A的宽SOA范围，同时，还实现了与之存在权衡关系的低导通电阻(RDS(on))*3 4.0mΩ(条件：VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃)。通过抑制通电时的发热，有助于提高服务器电源的效率并减轻冷却负荷，进而进一步降低电力成本。　　新产品已于2025年9月开始量产(样品价格800日元/个，不含税)。本产品已经开始通过电商进行销售，可咨询AMEYA360客服。　　未来，ROHM将持续扩充适用于AI服务器等所用的48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为进一步节能和构建可持续的ICT基础设施贡献力量。　　开发背景　　随着AI技术的飞速发展和普及，搭载生成式AI和高性能GPU的服务器对稳定运行和能效提升的需求日益增长。尤其在热插拔电路中，能够应对浪涌电流*4和过负载、实现稳定运行的宽SOA范围功率MOSFET至关重要。另外，在数据中心和AI服务器领域，为了节能而正在加速向电源转换效率的48V电源系统转型，如何构建与其适配的高耐压、高效率电源电路成为当前的技术课题。　　ROHM通过推出符合市场需求的5060尺寸封装新产品，进一步强化适用于AI服务器热插拔电路的100V耐压功率MOSFET产品阵容。未来，ROHM将继续致力于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，进而为提升服务器系统的可靠性和节能性能做出贡献。　　应用示例　　48V系统AI服务器和数据中心电源的热插拔电路　　48V系统工业设备电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)　　AGV(自动引导车)等电池驱动的工业设备　　UPS、应急电源系统(电池备份单元)　　关于EcoMOS™品牌　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　术语解说　　*1) SOA(Safe Operating Area)　　元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。　　*2)热插拔电路　　可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。　　*3) 导通电阻(RDS(on))　　MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，工作时的损耗(功率损耗)越少。　　*4)浪涌电流(Inrush Current)　　在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。
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发布时间：2025-11-11 17:42 阅读量：592 继续阅读>>
<span style='color:red'>服务器</span>DRAM暴涨50%！
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服务器DRAM暴涨50%！

　　由于人工智(AI)热潮所带来的服务器DRAM需求持续增长，DRAM市场的供应已经失衡，这也导致DRAM价格持续上涨。　　据台媒《电子时报》(DigiTimes)报道，美国和中国的主要超大规模云端企业目前只收到了他们订购的70%的服务器DRAM。与此同时，他们采购的DRAM价格也上涨了50%，远高于今年早些时候预计的30%的涨幅。　　目前AI数据中心所需的AI加速器对于HBM需求量很大、利润也更高，这也使得SK海力士、三星等头部DRAM大厂纷纷将更多的产能转向了生产HBM，而每产出一份HBM更是需要消耗三份的DDR产能，这也导致了对于包括消费类DDR内存在内其他类型DDR需求的排挤。即便是数据中心对于传统的DDR5 RDIMM 的需求也超过了供应。　　相关报道显示，三星最近已将服务器SSD价格提高了35%，RDIMM 合同费率提高了50%，理由是企业和云客户的持续需求超过了供应。　　自9月下旬以来，DRAM现货价格也在持续飙升。报道称，几家顶级供应商拒绝为10月份的分配报价。上个月交易价格为7至8美元的DDR5 16GB模块现在价格已经徘徊在13美元左右，供应将进一步收紧到11月。DRAM模组制造商正在为本季度末的缺货情况做好准备。　　其他市场表现更糟。DRAM渠道参与者和小型原始设备制造商的订单履行率只有接近35%至40%。随着超大规模企业锁定固定DRAM分配，优先级较低的客户被推到价格更高的现货市场，或被告知等到2026年才能获得一定的供应。　　美光在最近的财报电话会议上对此发出警告，DRAM 是一个“紧张的行业”，DRAM容量供应增长将滞后于2026年年底的需求。市场研究机构TrendForce指出，随着供应商转向中国的日常定价，并避免将自己锁定在糟糕的交易中，某些DRAM模块的报价可能会被冻结。这导致零售 DDR5 价格攀升，在年底前没有稳定的迹象。　　与此同时，DDR4价格正在缓慢下降。中国南亚科技最近表示，标准DDR4仅占DRAM市场总量的20%，不再优先量产。除非需求意外降温或收益率大幅提高，否则到2026 年，除顶级买家外的所客户的 DRAM 分配将受到限制。这也推动了客户加速转向DDR5。　　《电子时报》预测，明年服务器内存半导体需求将保持强劲，这可能导致DRAM短缺持续到年底。该报告还预测，即使供需缺口逐渐缩小，未来一到两年内，内存半导体制造商的供应能力也可能低于需求10%以上。
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发布时间：2025-10-29 14:20 阅读量：649 继续阅读>>
传美光科技将退出中国数据中心<span style='color:red'>服务器</span>芯片业务！
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传美光科技将退出中国数据中心服务器芯片业务！

　　当地时间10月17日，路透社援引两名知情人士消息报道称，美国存储芯片巨头美光科技计划退出其在中国的数据中心服务器芯片业务。　　知情人士称，美光计划停止向中国数据中心供应服务器芯片，但将继续向两家在中国境外拥有重要数据中心业务的中国客户供货。知情人士还称，美光在上一财年来自中国大陆的收入约为34亿美元，占其全球总收入的12%。未来，美光仍将继续向中国市场的汽车和智能手机领域客户销售芯片。　　据了解，2023年用于计算的数据中心在中国的投资额激增九倍，达到247亿元人民币。而这一空白为中国本土存储行业企业带来了利好，在这期间，以长江存储、长鑫存储为代表的企业抓住机会积极扩张。　　据美光科技此前公布的财务数据，在截至8月28日的2025财年第四季度，美光科技营收113.2亿美元，同比增长46%，上年同期为1.18美元。2025财年全年，美光科技营收达到373.78亿美元。其中，用于AI数据处理的HBM是美光利润最高的产品之一。包括为数据中心客户提供HBM在内，美光专注为超大规模云计算客户服务的云存储业务(CMBU)营收45.43亿美元，同比增长213.5%。　　另一方面，知情人士还提到，美光在中国的数据中心团队雇员超过300人。但目前尚不清楚此次业务调整将影响到多少岗位。　　值得注意的是，《南华早报》在不久之前的8月份曾爆料称，美光科技启动了在华新一轮裁员，主要涉及移动NAND产品有关部门。此前，因移动NAND产品长期处于市场疲软状态，财务表现持续不佳，美光已宣布在全球范围内停止移动 NAND产品的开发。随后，该公司针对其中国大陆业务部门进行了裁员，涉及研发、测试及支持等岗位。一名不愿具名的员工当时透露称，该次裁员涉及了超过300个职位。　　此外，美光并非首家调整在华业务的跨国科技公司。今年以来，已有IBM、微软、亚马逊等多家知名科技公司对其在华业务进行了调整。
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发布时间：2025-10-21 15:08 阅读量：615 继续阅读>>

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