江西萨瑞微电子SiC 和 GaN赋能AI<span style='color:red'>服务器</span>电源系统
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江西萨瑞微电子SiC 和 GaN赋能AI服务器电源系统

　　01AI服务器电源的核心挑战与技术需求　　超高功率密度：单机架功率已从传统服务器的数千瓦提升至数十千瓦(如英伟达DGX-2需10kW，未来GB300芯片预计达1.4kW单芯片功耗)，要求电源方案在有限空间内实现高效能量转换。　　高频化与高效率：单个 GPU 的功耗将呈指数级增长，到 2030 年将达到约 2000 W，而 AI 服务器机架的峰值将达到惊人的 >300 kW。这些要求对数据中心机架的 AC 和 DC 配电系统进行新的架构更改，重点是减少从电网到核心的转换和配电功率损耗。为降低损耗并适配GPU/TPU的高频运算，电源转换频率逐步提升至MHz级，同时需将转换效率从传统的96%提升至98%以上，以减少散热成本与碳排放。　　高压化与稳定性：输入电压向800V DC-HVDC(高压直流)演进，输出电压则需精准降至芯片级所需的0.8V-12V，要求器件具备宽电压范围适应性与低噪声特性。　　02PSU的拓扑图及演变　　图 2(a)显示了开放计算项目 (OCP) 机架电源架构的示例图。每个电源架由三相输入供电并容纳多个 PSU;每个 PSU 由单相输入供电。机架向母线输出直流电压(例如 50 V)，母线还连接到 IT 和电池架。　　AI 趋势要求 PSU 进行功率演进，如图 2(b)所示。让我们通过实施拓扑和设备技术建议的示例来介绍这些 PSU 的每一个代。　　AI 服务器机架 PSU 的趋势和功率演进　　第一代 AI PSU 高效电能转换基石　　在第一代 AI PSU(2010-2018 年)的硅基架构框架下，实现5.5-8kW 功率、50V 输出、277V 单相输入　　当前的AI服务器PSU大多遵循ORv3-HPR标准[9]。相较于先前的ORv3 3 kW标准[9]，该标准的大部分要求(包括输入和输出电压以及效率)保持不变，但增加了与AI服务器需求相关的更新，例如，更高的功率和峰值功率要求(稍后详述)。此外，由于与BBU架的通信方式有所调整，输出电压的调节范围变得更窄。　　尽管每个电源架都通过三相输入(400-480 Vac L-L)供电(见图2)，但每台PSU的输入仍为单相(230-277 Vac)。图3展示了符合ORv3-HPR标准的第一代PSU的部署示例：PFC级可以采用两个交错的图腾柱拓扑结构，其中，650V CoolSiC™ MOSFET用于快臂开关，600V CoolMOS™ SJ MOSFET用于慢臂开关。DC-DC级可以选用650V CoolGaN™晶体管的全桥LLC，次级全桥整流器和ORing则使用80V OptiMOS™ Power MOSFET。　　推荐使用萨瑞微电子800V-1000V整流桥　　第二代AI PSU：增加线路电压　　如上所述，随着机架功率增加到300kW以上，电源架的功率密度变得至关重要。因此，下一代PSU的设计方向是，在单相架构中实现8kW至12kW的输出功率。随着每个机架的功率增加，数据中心中的机架数量在某些情况下，可能会受配电电流额定值和损耗的约束。因此，为了降低交流配电的电流和损耗，部分数据中心可能会将机架的交流配电电压从400/480V提高到600Vac L–L(三相)，同时将PSU的输入电压从230/277Vac 提高到347Vac(单相)。　　对于DC-DC级来说，三相LLC拓扑结构是一种理想选择，其中，750V CoolSiC™ MOSFET用于初级侧开关，80V OptiMOS™ 5 Power MOSFET用于次级全桥整流器和ORing。由于增加了第三个半桥开关臂，该解决方案能够提供更高的功率，有效降低输出电流的纹波，并通过三个开关半桥之间的固有耦合实现自动电流分配。　　推荐使用萨瑞微高频开关　　高频开关(500V硅基MOS推荐)　　高频开关(650V硅基MOS推荐)　　硅基MOSFET： 500V/650V硅基MOS：采用沟槽式结构，适用于中低频(<500kHz)、中等功率场景，如辅助电源或低压侧开关，导通电阻低至30mΩ以下，支持快速开关响应。　　高频开关(600V超结MOS推荐)　　高频开关(650V超结MOS推荐)　　超结MOSFET(600V/650V/800V)：通过电荷平衡技术突破硅基材料限制，实现高耐压与低导通电阻的平衡(如650V型号Rds(on)≤15mΩ)，适用于1MHz以上高频场合，可显著减小磁性元件体积，提升功率密度。　　碳化硅MOSFET(650V/1200V/1700V)： 针对800V高压输入与超高频率(>2MHz)场景，碳化硅器件展现出无可替代的优势：　　材料特性：禁带宽度是硅的3倍，支持更高结温(175℃)与耐压，开关损耗降低70%以上，适用于全碳化硅LLC拓扑，转换效率可达98.5%。　　第三代AI PSU：三相架构与400V配电　　为了进一步提高机架功率，第三代 AI PSU 将采用更具颠覆性的机架架构，如下所示：　　1PSU输入：从单相转为三相，以提高功率密度，并降低成本　　2电源架PSU输出电压：从50V提升到400V，以降低母线电流、损耗和成本　　三相输入和 400 V 输出 PSU 的示例实现，其中包含推荐的设备和技术。PFC 级是 Vienna 转换器，这是三相 PFC 应用的流行拓扑。它的主要优势在于，由于其分离总线电压，它允许使用 650 V 设备，使用两倍数量的背对背 CoolSiC MOSFET 650 V 和 CoolSiC 1200 V 二极管。由于 PFC 输出是分离电容器，因此每个电容器电压为 430 V，并向全桥 LLC 转换器供电，初级和次级侧均配备 CoolGaN 晶体管 650 V。两个 LLC 级在初级侧串联，在次级侧并联，以向 400 V 母线供电。　　或者，两个背靠背的 CoolSiC MOSFET 650 V 可以用 CoolGaN 双向开关 (BDS) 650 V 代替，后者是真正的常闭单片双向开关。这意味着单个 CoolGaN BDS 可以取代四个分立电源开关，以获得相同的 RDS(on)，因为它在 RDS(on)/mm2 方面具有高效的芯片尺寸利用率。　　在DC-DC变换器的次级整流中，同步整流MOS管替代传统二极管，消除肖特基势垒电压，大幅降低导通损耗：　　产品特性：低栅极电荷(Qg<10nC)与极低导通电阻(如40V耐压型号Rds(on)≤5mΩ)，支持全负载范围高效运行。内置体二极管反向恢复电荷(Qrr)极低，减少振荡与EMI干扰，适配高频同步整流控制方案。　　技术优势：配合驱动电路实现ZVS(零电压开关)或ZCS(零电流开关)，在10kW以上功率模块中，可将整流效率从95%提升至99%以上。　　WBG 对 AI PSU 的好处　　宽带隙 (WBG) 半导体(例如 CoolGaN)成为 AI PSU 的最佳选择，因为它们在更高的开关频率下提供最佳效率，从而实现更高功率密度的转换器，而不会影响转换效率。　　除了 AI PSU 的标称功率显著上升外，GPU 还会吸收更高的峰值功率并产生高负载瞬变。因此，DC-DC 级输出必须足够动态，而电压过冲和下冲必须保持在规定的限值内。可以通过提高开关频率来增加 DC-DC 级输出动态，从而增加控制环路带宽。　　CoolGaN 器件因其卓越的 FoM 和 Si、SiC 和 GaN 器件中最低的开关损耗而轻松满足了更高开关频率的要求。尤其是在软开关 LLC 转换器中，CoolGaN 具有最低的输出电容电荷 (Qoss)，这对于更轻松地实现 ZVS(零电压开关)起着至关重要的作用。随后，这有助于更精确地设置死区时间，从而消除不必要的死区时间传导损耗。　　辅助电源LDO推荐　　辅助电源LDO：为服务器监控芯片、传感器等提供稳定低压供电(如3.3V/5V)，萨瑞微电子的LDO系列具备低静态电流(<1μA)、高PSRR(电源抑制比)与快速瞬态响应，确保核心器件在复杂电源环境下稳定运行。　　负载开关MOS管推荐　　负载开关MOS管：用于电源系统的通断控制与负载隔离，支持大电流(10A-50A)快速切换，内置过流/过热保护，避免浪涌电流对后级电路的冲击，提升系统安全性。　　结论　　与AI算力共成长，定义电源新高度 在AI服务器向更高功率、更高效率演进的征程中，电源系统的每一次优化都依赖于器件级的技术突破。萨瑞微电子以“全电压覆盖、全技术兼容、全流程可控”的产品矩阵，为AI服务器电源提供了从输入整流到精准供电的完整解决方案，助力客户在算力竞赛中抢占先机。
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发布时间：2025-04-03 14:50 阅读量：252 继续阅读>>
帝奥微推出国内首款I3C集线器，助力AI<span style='color:red'>服务器</span>升级
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帝奥微推出国内首款I3C集线器，助力AI服务器升级

　　近日，江苏帝奥微电子股份有限公司(股票代码：688381)发布了国内首款应用于I3C总线的集线器产品DIO74812系列。在现有PCIE开关(DI3PCIE350)，I2C开关(DIO74544、DIO74546、DIO74548)基础上，填补了帝奥微在信号链产品空白，再下一城。I3C(Improved Inter-Integrated Circuit)是I2C(Inter-Integrated Circuit)的升级版本，旨在提升速度、效率和灵活性，同时降低功耗。I3C针对DIMM模块管理、多节点存储系统、智能传感器网络等场景提供一站式解决方案，将推动在云计算、5G基站、嵌入式系统、工业自动化、物联网等领域的规模化应用，并在大数据交互，例如AI计算，嵌入式机器人系统中有着广阔前景。　　DIO74812系列共有4款，对应型号是DIO74812、DIO74712、DIO78812和DIO78712。具体配置如下，可以适配客户不同应用场景。　　表1 配置单　　图1 DIO787/8812框图　　AI服务器应用　　随着AI服务器算力的不断提升，PCIE接口数量和内存访问速率急剧增长。由此PCIE和内存的控制接口升级为I3C，具体应用可以参考下面图例：　　图2 CPU/BMC访问　　图3 CPU访问PCIE　　产品特性　　1. 协议兼容性　　支持I2C、I3C Basic 1.0、I3C JEDEC SPD及SMBus协议和不同协议的网络混用，实现传统设备与高速I3C设备的无缝兼容。　　2. 智能拓扑管理　　通过动态主端口切换(MUX)和网络分区功能，支持多芯片级联(延长 I3C 总线的物理距离，解决信号衰减问题)和冲突检测与恢复。　　3. 高可靠性与灵活性　　支持热加入(Hot Join)、电平转换(1.0V-3.3V)、GPIO扩展及多电压域操作。每组slave port可以独立配置成Hub、Agent或者GPIO功能。　　4. SMBus Agent　　SMBus Agent可以隔离高速I3C网络与低速的SMBus网络，结合公司创新的I3C带内中断(IBI)方案降低主控负载，提升系统效率。　　总结　　DIO74812系列填补了国内高端I3C集线器芯片空白：助力帝奥微在服务器、数据中心、智能机器人等高增长领域建立技术壁垒。其高集成度、智能化与可靠性设计将重新定义行业标准，为全球客户提供面向未来的互联解决方案，并加速生态合作伙伴的全球化布局。
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发布时间：2025-04-02 11:24 阅读量：235 继续阅读>>
昆仑芯<span style='color:red'>服务器</span>中标招商银行算力重大项目
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昆仑芯服务器中标招商银行算力重大项目

　　近日，昆仑芯服务器中标招商银行AI芯片资源项目。基于该项目，昆仑芯P800将围绕多个核心业务场景，全面支持招商银行落地大模型应用。　　昆仑芯P800基于新一代自研架构XPU-P，显存规格优于同类主流GPU20%-50%，对MoE架构更加友好，且率先支持8bit推理，全面支持MLA、多专家并行等特性。根据项目实测，昆仑芯P800对Qwen系列性能支持远超同类型国产芯片，部分多模态模型推理性能达到全行业领先水平，可快速提升多模态数据分析、客服、代码助手等场景的应用效能。P800单机8卡即可运行DeepSeek-V3/R1满血版，极致成本效率;仅需32台即可支持模型全参训练，高效完成模型持续训练和微调。　　目前，昆仑芯P800已与主流通用处理器、操作系统、AI框架完成端到端适配，生态完备、灵活易用。相较行业同类产品，昆仑芯P800不仅性能卓越，且更加易于部署，显著降低大模型运行成本。　　深耕AI加速领域十余年，昆仑芯团队积累了行业领先的互联网数据中心系统工程化能力。日前，昆仑芯P800万卡集群在国内率先点亮，并将于近期进一步点亮3万卡集群，为千行百业提供源源不断的稳定、高效算力动能。大模型时代，昆仑芯科技已与智能产业的上下游建立良好的合作生态，通过提供以AI芯片为基础的澎湃算力，在互联网、金融、能源、科研、交通、工业、教育等关系国计民生的众多领域广泛部署应用，加速智能化转型，创造了巨大的产业和社会价值。　　招商银行是行业内领先的股份制商业银行，持续大力推动“科技引领创新”。昆仑芯服务器中标招商银行算力重大项目，将进一步加速各方在科技金融方面汇聚优势力量，结合招行的具体场景需求，推动大模型在内的相关合作，充分发挥大模型在业务中的实际效用，为打造金融行业“新质生产力”添砖加瓦。
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发布时间：2025-03-28 10:49 阅读量：326 继续阅读>>
江西萨瑞微：AI<span style='color:red'>服务器</span>产品静电浪涌防护方案，筑牢AI<span style='color:red'>服务器</span>安全防线
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江西萨瑞微：AI服务器产品静电浪涌防护方案，筑牢AI服务器安全防线

　　随着人工智能(AI)技术的快速发展，AI服务器作为支撑AI计算的核心设备，其稳定性和可靠性至关重要。然而，静电放电(ESD)和浪涌问题一直是电子设备面临的重大挑战之一。静电和浪涌不仅可能损坏服务器内部的精密元器件，还可能导致数据丢失或系统崩溃，严重影响AI应用的正常运行。　　江西萨瑞微电子凭借多年在静电防护领域的技术积累，推出了一套针对AI服务器产品的全面静电防护方案，涵盖Type-C、USB、SATA、HDMI、VGA、DP、RJ45、键盘接口、RS232、ANT、KY按键、MIC、音频电路以及CPU/GPU电源MOS等多个关键接口和模块的防护需求。　　一、高速接口防护方案　　Type-C端口静电浪涌防护方案　　AI 服务器的 Type-C 端口常用于高速数据传输，如连接外部存储设备、GPU 加速卡等。静电浪涌可能会干扰信号传输，导致数据丢包、错误等问题。因此，防护方案不能对高速信号产生额外的衰减或干扰，要保证数据传输的准确性和稳定性。　　Type-C 端口静电浪涌防护方案采用了如 SES2411P4 这款 TVS 二极管，保护VBUS电源，配合多种 ESD 保护二极管，保护信号线能承受 IEC 61000 - 4 - 2 标准下 ±10KV(Air)、±6KV(Contact)的静电冲击，以及 IEC 61000 - 4 - 5 标准下 VBUS IN ±300V(1.2/50μs & 8/20μs)的浪涌电压，确保数据传输稳定，设备接口安全。　　Type-C雷电口静电浪涌防护方案　　Thunderbolt™(雷电)接口作为高性能Type-C协议的扩展，支持40Gbps超高速数据传输、8K视频输出及100W PD快充，但其高集成度与高带宽特性对静电放电(ESD)和浪涌极为敏感。　　江西萨瑞微电子针对雷电口特性，推出SES2411P4、SEU0501PSS、SEU0101PSS、SEU3364PCS 等核心器件，实现从电源到信号的全链路保护，满足IEC 61000-4-2/4-5最高防护等级。　　USB 3.0/3.1接口静电浪涌防护方案　　USB 接口作为使用最频繁的接口之一，插拔与静电问题频发。萨瑞微USB2.0、USB3.0 接口分别提供了适配的 ESD 防护方案。　　在 USB3.0 接口防护中，SEU0544PCS 等器件大展身手，以低电容特性保障高速数据传输不受影响，同时有效抵御 ±15KV(Air)、±8KV(Contact)的静电干扰。　　二、数据存储与显示接口防护方案　　SATA接口静电浪涌防护方案　　SATA 接口广泛应用于各类存储设备连接，如硬盘、光驱等。在设备使用过程中，静电浪涌可能通过接口进入设备内部，造成芯片损坏、数据丢失等严重问题。因此，对 SATA 接口进行有效的静电浪涌防护至关重要。　　从方案图中可知，萨瑞微电子选用四通道小封装、导通电压精度高、响应速度快、钳位电压低、超低结电容TVS二极管阵列/ESD二极管做防护，保障SATA接口免受浪涌电流影响的同时，防止SATA接口遭到ESD静电破坏，确保传输数据的稳定性和完整性。同时，在不影响数据传输的前提条件下，能够满足静电放电防护需求，让后端电路得到全面有效的保护。　　HDMI静电防护方案　　HDMI(高清多媒体接口)作为热插拔端口，在连接设备时易受静电放电(ESD)的瞬时冲击，导致内部芯片损坏。其高速数据传输特性(如HDMI 2.1支持48Gbps速率)对信号完整性要求极高。　　我们为HDMI 接口提供了三种ESD静电防护器件，专为保护该接口的高速差分线路而设计，型号分别为SEU0544PCS、SEU0544PCS、SEU3344PCS。　　其中SEU0544PCS、SEU0544PCS结电容仅有0.25pF，可对单路高速数据线进行静电防护，可以使用2颗ULC0514P10来保护四个Lane通道。它的工作电压为 5 V，最小击穿电压为 5V，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，在 ±15kV(空气)和 ±8kV(接触)下提供瞬变保护。　　时钟和数据通道的防护采用了集成多路ESD静电二极管SEU0544PCS，可同时保护HDMI的全通道引脚免受静电放电(ESD)和低等级浪涌事件的冲击与干扰。它的工作电压为 5 V，结电容仅有0.25pF，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，在 ±15kV(空气)和 ±8kV(接触)下提供瞬变保护。　　VGA静电防护方案　　VGA接口共有15针孔，分成3排，每排5个孔，除了2根NC(Not Connect)信号、3根显示数据总线和5个GND信号，其他较为重要的是3根RGB(红绿蓝)彩色分量信号及2根扫描同步信号HSYNC和VSYNC针。　　从方案图中可知，萨瑞微电子选用集成多路、SOT23-6L小封装、导通电压精度高、响应速度快、钳位电压低、低结电容ESD二极管SEH0504S2做防护，保护VGA接口免遭ESD静电放电破坏的同时，确保传输数据的稳定性和完整性。同时，在不影响数据传输的前提条件下，能够满足IEC 61000-4-2 Level 4的ESD静电防护需求，让后端电路得到全面有效的保护。　　DP接口静电浪涌防护方案　　DP(DisplayPort)接口广泛应用于电脑、显示器、显卡等设备间的高清视频与音频传输。在实际使用场景中，如插拔 DP 线缆、设备处于复杂电磁环境，或者受到周边大功率设备的电气干扰时，都极易产生静电浪涌。　　静电浪涌瞬间释放的高电压和大电流，可能击穿 DP 接口芯片内部的精密半导体结构，造成芯片永久性损坏;也可能干扰高速差分信号传输，导致图像出现花屏、黑屏、闪烁，音频出现杂音、中断等问题，严重影响设备的正常运行和用户体验。因此，对 DP 接口实施有效的静电浪涌防护至关重要，这不仅能保障设备稳定运行，还能延长设备的使用寿命，提升产品的市场竞争力。　　三、高速接口防护方案　　RJ45网口静电浪涌防护方案　　IEEE组织的IEEE 802.3标准制定了以太网的技术标准，它规定了包括物理层的连线、电子信号和介质访问控制的内容。以太网是目前应用最普遍的局域网技术。以太网口，即我们平时所见的RJ45水晶头接口，根据网速分类，可分为：百兆(100M)、千兆(1000M)、2.5G、5G、万兆(10G)等。　　从方案图可知，以太网口第一级防护萨瑞微电子技术推荐选用TSS：P0640SB、P3100SB，将浪涌电流泄放到大地，或在放电管电极之内的惰性气体电光弧以热量形式消除。中间充分利用网络变压器的电感特性，起到去藕和隔离作用。第二级防护选用ESD静电保护二极管SEU0521PSS，能够将残留的频率成分浪涌吸收，并且在IPP下钳位电压降到7V左右(@IP=1A)，确保以太网芯片处于安全保护状态。　　键盘接口静电防护方案　　PS/2接口包含CLK(时钟)和DATA(数据)两条信号线，每条线需单独配置ESD保护二极管，形成对地保护路径。　　推荐采用分立式ESD器件(如每信号线1颗SEL0501P1)，或选用集成多通道的TVS阵列以简化设计。　　PS/2接口为双向通信协议(时钟线与数据线)，需选择双向ESD器件以覆盖正负电压冲击。萨瑞微的SEL0501系列支持双向保护，且低漏电流(0.1μA)可避免信号干扰。　　RS232接口静电浪涌防护方案　　RS-232标准被定义为一种在低速率、近距离串行通讯的单端标准。RS-232 采取不平衡传输方式，即所谓单端通讯。RS-232 通讯的最大传输距离在不增加缓冲器的情况下只可以达到15米。　　RS-232 的电气标准：电平为逻辑“0”时：+3V～+15V;电平为逻辑“1”时：-3V～-15V。　　萨瑞微SEH1501D3有低电容、快速响应、高浪涌耐受能力，小封装等优点：SEH1501D3 的低电容特性对 RS232 接口的高速信号传输影响极小，确保数据的准确和稳定传输。能在纳秒级时间内响应静电和浪涌冲击，迅速将过电压箝位到安全水平，有效保护接口芯片。可承受高达数千伏的静电放电和高能量浪涌，满足 AI 服务器在复杂电磁环境下的防护需求。小尺寸封装：适合在 AI 服务器紧凑的 PCB 布局中使用，不占用过多空间。　　ANT静电防护方案　　ANT 接口常用于低功耗、短距离无线通信领域，ANT 接口极易受到静电放电(ESD)影响，可能导致通信中断、数据错误或硬件损坏。　　江西萨瑞微的 SEU0501PSS、SEU0501P1、SEU0521P1S 具备卓越的静电防护能力，可有效保护 ANT 接口。　　KY按键接口静电浪涌防护方案　　KY 按键接口用于用户输入指令。在使用中，按键频繁被操作，人体接触按键时极易产生静电放电(ESD)现象，这些静电能量若直接进入设备内部电路，可能干扰微控制器的正常工作，甚至损坏芯片。江西萨瑞微的 SEL0501P1 凭借其独特的性能优势，能够有效解决 KY 按键接口的静电防护难题。　　将 SEL0501P1 的一端连接到 KY 按键的信号输出引脚， 尽可能靠近 KY 按键的信号输出引脚放置，缩短信号传输路径，减少寄生电感和电容的影响。另一端接地，当有静电电荷通过按键引入时，SEL0501P1 会迅速响应，将静电能量引导至地，避免静电对按键接口芯片或微控制器造成损害。　　四、电源与核心模块防护方案　　CPU/GPU电源MOS防护方案　　功率器件：服务器的 “动力心脏” 保障，在服务器的 “动力心脏”——CPU/GPU 电源部分，萨瑞微电子的 MOS 管发挥着关键作用。　　以 SG50N03PSK、SG33N03PSK 等为代表的 MOS 管，拥有低导通电阻和高电流承载能力。比如 SG50N03PSK，在 PDFN5*6 - 8L 封装下，能承受 30V 的 VDS 电压，导通电阻低至 5.00mΩ ，可通过 60A 的电流，确保 CPU/GPU 在高负载运行时，电源供应稳定、高效，降低功耗，提升服务器整体性能。　　五、音频/MIC接口防护方案　　MIC静电防护方案　　将 SEL0501P1 的一端连接到 MIC 的信号输出引脚，另一端接地。当有静电电荷通过 MIC 引入时，SEL0501P1 会迅速响应，将静电能量引导至地，防止静电对 MIC 后端的音频处理电路造成损害。例如，在一个简单的录音设备中，MIC 的输出引脚直接连接 SEL0501P1 的信号引脚，SEL0501P1 的接地引脚可靠接地，这样就为 MIC 提供了基本的静电防护。　　考虑到 MIC 输出的音频信号通常为差分信号(如在一些高端音频设备中)，可以在 MIC 的正、负差分信号输出引脚与地之间分别连接一个 SEL0501P1，对差分信号进行全面的静电防护，确保音频信号的完整性和稳定性。　　音频电路方案　　在AI服务器切换不同音频输入源的情况下，可利用 SR2N7002K 构建多路音频信号切换电路。将多个音频输入信号分别通过各自的限流电阻连接到多个 SR2N7002K 的源极，所有 SR2N7002K 的源极连接在一起并通过一个耦合电容连接到音频输出端。通过控制 SR2N7002K 栅极的电平信号，实现对不同音频输入源的切换。当某个 SR2N7002K 的栅极为高电平时，该管导通，对应的音频输入信号被切换到输出端，而其他 SR2N7002K 处于截止状态，其对应的音频信号被阻断。　　由于 SR2N7002K 具有高开关速度的特性，能够实现音频信号的快速切换，避免在切换过程中出现音频卡顿或噪声。同时，为了防止切换过程中产生的电磁干扰对音频信号造成影响，在每个音频输入信号的限流电阻与 SR2N7002K 源极之间，以及输出耦合电容之前，分别加入一个小容量的滤波电容(如 0.1μF)，用于滤除高频干扰信号，保证音频信号的纯净度。　　结论　　江西萨瑞微电子深耕静电防护领域十余年，为AI服务器量身定制的全场景防护方案，已成功应用于超算中心、智算集群等高端场景。
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发布时间：2025-03-20 14:19 阅读量：286 继续阅读>>
永铭与纳微半导体深度配合，IDC3牛角电容推动AI<span style='color:red'>服务器</span>电源迈向更高功率
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永铭与纳微半导体深度配合，IDC3牛角电容推动AI服务器电源迈向更高功率

　　在AI服务器迈向更高算力的进程中，电源的高功率与小型化成为关键挑战。2024年，纳微推出GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代碳化硅MOSFETs，意法半导体推出新型硅光技术PIC100、英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V，皆为提升AI服务器的电源功率密度。　　随着电源功率密度的持续攀升，被动元器件需同时满足小型化、大容量、高可靠性的严苛要求。永铭与各合作伙伴深度配合，致力于为更高功率的AI服务器电源打造高性能电容器解决方案。　　永铭与纳微深度配合 协同创新　　面对电源系统对核心元器件的小型化设计与超高能量密度提出的双重挑战，永铭持续投入研发与创新，经过不断的技术探索与突破，最终成功开发出高压牛角型铝电解电容IDC3系列，成功应用于氮化镓功率芯片领导者纳微发布的4.5kW、8.5kW高密度AI服务器电源方案中。　　IDC3牛角电容核心优势　　IDC3系列作为永铭专为AI服务器电源推出的高压牛角型铝电解电容，通过12项技术革新，不仅拥有耐大纹波电流特点，更是在同体积下做到了更大容量，满足了AI服务器电源对空间与性能的严苛需求，为高功率密度电源方案提供了可靠的核心支持。　　高容量密度　　针对AI服务器电源功率密度提高，伴随空间不足的问题，IDC3系列大容量的特性确保稳定的直流输出，提升电源效率，支持AI服务器电源进一步提升功率密度。相较常规产品，更小的尺寸特点保证其能够在有限的PCB空间中提供更高的能量存储和输出能力。目前，相较于国际头部同行，永铭IDC3系列牛角电容在同规格的产品中体积缩减25%-36%。　　耐大纹波电流　　针对AI服务器电源高负载下散热和可靠性不足的情况，IDC3系列具备更强的纹波电流承受能力和低ESR的表现，纹波电流承载值相较于常规产品提升20%，ESR值相较于常规产品降低30%，使得在相同条件下温升更低，从而提高了可靠性和寿命。　　长寿命　　在105℃高温环境下寿命达3000小时以上，特别适合不间断运行的AI服务器应用场景。　　IDC3电容规格与应用场景       适用场景：适用于高功率密度、小型化的AI服务器电源方案　　产品认证：获得AEC-Q200的产品认证、第三方国际机构的可靠性认证。　　END　　IDC3系列牛角电容成为解决AI服务器电源痛点的关键秘钥。其在纳微4.5kw、8.5kw AI服务器电源方案中的成功应用，不仅验证了永铭在高能量密度与小型化设计领域的领先技术实力，更为AI服务器电源的功率密度提升提供了关键支撑。
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发布时间：2025-03-12 09:05 阅读量：276 继续阅读>>
ROHM开发出适用于AI<span style='color:red'>服务器</span>等高性能<span style='color:red'>服务器</span>电源的MOSFET
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ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET

　　~实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围~　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*¹和超宽SOA范围*²的Nch功率MOSFET*³。　　新产品共3款机型，包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器(HSC)*⁴电路的“RS7E200BG”(30V)，以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH(80V)”和“RS7N160BH(80V)”。　　随着高级数据处理技术的进步和数字化转型的加速，对支撑数据中心的服务器的需求不断增加。此外，对具有高级计算能力的AI处理服务器的需求也呈增长趋势，预计未来将会持续增长。由于这些服务器需要 24小时不间断运转(始终通电)，因此电源单元中使用的多个MOSFET的导通电阻造成的导通损耗，会对系统整体性能和能效产生很大影响。特别是在AC-DC转换电路中，其导通损耗占比较高，因此需要使用导通电阻低的MOSFET。另外，服务器配备了热插拔功能，可以在通电状态下更换和维护内部的板卡和存储设备，在更换等情况下，服务器内部会产生较大的浪涌电流*⁵。因此，更大的安全工作区范围(宽SOA范围)对于保护服务器内部和MOSFET而言至关重要。对此，ROHM新开发出一种DFN5060-8S封装，与以往封装形式相比，封装内部的芯片可用面积增加，从而开发出实现业界超低导通电阻和宽SOA范围的功率 MOSFET。新产品非常有助于提高服务器电源电路的效率和可靠性。　　新产品均采用新开发的DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm)封装，与以往的HSOP8(5.0mm×6.0mm)封装相比，封装内的芯片可用面积增加了约65%。这使得新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界超低导通电阻，30V产品“RS7E200BG”的导通电阻仅为0.53mΩ(Typ.)，80V产品“RS7N200BH”仅为1.7mΩ(Typ.)，非常有助于提高服务器电源电路的效率。　　另外，通过优化封装内部的夹片形状设计，提高了散热性能，同时提高了有助于确保应用产品可靠性的SOA范围。尤其是30V产品“RS7E200BG”，其SOA范围达70A以上(条件：脉冲宽度=1ms、VDS=12V时)，与以往的HSOP8封装产品相比，在相同条件下SOA范围提高了一倍，从而以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界超高的SOA范围。　　新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格：710日元/个，不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂)，后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外，新产品已经开始通过电商进行销售。　　ROHM计划在2025年内逐步实现也支持AI服务器热插拔控制器电路应用的功率MOSFET的量产。未来， ROHM将继续扩大相关产品阵容，为应用产品的高效运行和可靠性提升贡献力量。　　<产品阵容>　　<关于EcoMOS™品牌>　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<应用示例>　　企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路和HSC电路　　AI(人工智能)服务器48V系统电源的AC-DC转换电路　　工业设备48V系统电源(风扇电机等)　　<电商销售信息>　　开始销售时间：2025年2月起　　产品型号：RS7E200BG、RS7N200BH、RS7N160BH　　<术语解说>　　*1)导通电阻(RDS(on))　　MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗(电力损耗)越少。　　*2)SOA(Safe Operating Area)范围　　元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。　　*3)功率MOSFET　　适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前，通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品，相比Pch MOSFET，具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。　　*4)热插拔控制器(HSC：Hot Swap Controller)　　可在设备的供电系统运转状态下插入或拆卸元器件的、具有热插拔功能的专用IC(集成电路)，发挥着控制插入元器件时产生的浪涌电流，并保护系统和所连接元器件的重要作用。　　*5)浪涌电流(Inrush Current)　　在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。
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发布时间：2025-03-06 14:24 阅读量：362 继续阅读>>
罗姆的EcoGaN™被村田制作所Murata Power Solutions的AI<span style='color:red'>服务器</span>电源采用
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罗姆的EcoGaN™被村田制作所Murata Power Solutions的AI服务器电源采用

　　～650V耐压、TOLL封装的GaN HEMT有助于进一步提高电源效率～       全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN™产 品GaN HEMT，被先进的日本电子元器件、电池和电源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI(人工智能)服务器电源采用。罗姆的GaN HEMT具有低损耗工作和高速开关性能，助力Murata Power Solutions的AI服务器5.5kW输出电源单元实现小型化和高效率工作。预计该电源单元将于2025年开始量产。　　近年来，随着AI(人工智能)和AR(增强现实)等在IoT领域的发展，数据通信量在全球范围内呈现持续增加趋势。其中，据说使用AI进行一次查询所消耗的电量比普通的网页搜索要高数倍，这就迫切需要为处理这些查询的高速运算设备等供电的AI服务器电源进一步提高效率。另一方面，具有低导通电阻和高速开关特性的GaN器件因其有助于电源的高效率工作和外围元器件(如电源电路中使用的电感器等)的小型化而备受瞩目。　　Murata Power Solutions Technical Fellow Dr. Joe Liu表示：“很高兴通过使用罗姆的GaN HEMT，使我们能够设计出具有更高效率和更高功率密度的AI服务器电源单元。利用GaN HEMT的高速开关工作、 低寄生电容以及零反向恢复特性，可将对开关损耗的影响控制到最小，还可提高开关转换器的工作频率并削减磁性元器件的尺寸。罗姆的GaN HEMT在性能方面非常具有竞争力，且可靠性也很高，用在我们的AI服务器5.5kW输出电源单元中，取得了非常好的效果。未来，我们将通过继续与在功率半导体领域优势显著的罗姆合作，努力提高各种电源的效率，为解决电力供需紧张的社会课题贡献力量。”　　罗姆 LSI事业本部 Power Stage产品开发部 部长 山口雄平表示：“罗姆的EcoGaN™能够被电源领域的全球领导者Murata Power Solutions的AI服务器电源单元采用，深感荣幸。这次采用的GaN HEMT具有行业先进的开关性能，而且使用的是散热性优异的TOLL封装，有助于Murata Power Solutions的电源单元实现更高功率密度和更高效率。另外，在“通过电子产品为社会做贡献”方面，Murata Power Solutions与罗姆的经营愿景一致，我们希望未来也继续与村田制作所合作，双方共同促进电源的小型化和效率提升，并为人们丰富多彩的生活贡献力量。　　关于Murata Power Solutions的AI服务器电源单元　　Murata Power Solutions的AC-DC电源“1U前端”系列包括高功率密度Short Version的M-CRPS封装3.2kW电源“D1U T-W-3200-12-HB4C”(输出12V版)和“D1U T-W-3200-54-HB4C”(输出54V版) ，另外还新增了AI服务器用的5.5kW“D1U67T-W-5500-50-HB4C”等产品。Murata Power Solutions的前端电源的转换效率很高，可以满足80 Plus Titanium和开放计算产品的最严格要求;还支持N+M冗余工作，可提高系统的可靠性，因此也适合为最新的GPU服务器供电。不仅能够为服务器、工作站、存储系统和通信系统提供可靠性高且效率高的电力，而且其低矮的1U尺寸还有助于削减系统面积。　　关于罗姆的EcoGaN™　　EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。　　・EcoGaN™是 ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　与本文有关的罗姆官网页面　　・关于650V耐压的TOLL封装GaN HEMT(2025年2月发布时的新闻稿)　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2025-02-13_news_gan&defaultGroupId=false　　・关于罗姆的GaN功率器件(EcoGaN™产品介绍)　　https://www.rohm.com.cn/products/gan-power-devices　　关于村田制作所　　村田制作所是一家全球综合电子元器件制造商，主要从事以陶瓷为基础的电子元器件的开发、生产和销售。致力于通过自主开发并积累的材料开发、流程开发、产品设计、生产技术、以及支持它们的软件和分析、 评估等技术基础，村田制作所创造出独具创新的产品，为电子社会的发展做出贡献。　　了解更多信息，请访问村田制作所官网(https://corporate.murata.com/zh-cn/)。　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。　　在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。　　了解更多信息，请访问罗姆官网(https://www.rohm.com.cn/)。
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发布时间：2025-02-26 09:24 阅读量：411 继续阅读>>
思瑞浦推出高速电流检测放大器TPA158，赋能<span style='color:red'>服务器</span>电源、智能机器人等应用
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思瑞浦推出高速电流检测放大器TPA158，赋能服务器电源、智能机器人等应用

　　聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK(股票代码：688536)推出150V超宽输入共模范围、1MHz高速电流检测放大器TPA158。产品在超高共模电压范围内，提供了出色的电流检测精度和快速响应，可广泛应用于服务器电源、智能机器人、电机电调、基站功放等领域。　　TPA158产品优势　　超宽共模电压范围　　在高性能机器人关节模组等应用中，为在有限的体积内提供更大的扭矩，电源供电从48V进一步提升至72V，需要电流检测芯片在100V甚至更高共模电压下工作，TPA158的超宽共模电压范围(Vin输入支持3V至150V),最高支持150V共模电压，能够在高电压环境下稳定运行。　　此外，服务器电源的电流通常高达几百甚至上千安培，因此在选择用于降低功率损耗的分流电阻时，需要避免使用阻值过大的电阻。在这种情况下，输入失调电压(Vos)的微小变化会对测量精度产生显著影响。TPA158在整个共模输入范围内提供稳定的低失调电压，同时全温范围-40℃至125℃内具备出色的共模抑制比(CMRR)，典型值为140dB，在不同的共模条件下均能提供高精度的检测结果。　　高精度、低漂移　　在服务器电源应用中，精准的电流检测是关键。TPA158出色的产品性能：极低增益误差(±0.55%-Max值)、极低增益温漂(20ppm/°C-Max值)、失调电压(典型值±15μV)和失调温漂(典型值0.1μV/°C)，保证了电流检测的高精度和长期稳定性。　　高带宽　　在电流检测电路中，对短路电流的快速反应能力是实现过流保护控制的关键环节。TPA158的1MHz带宽，能够对电流的突变做出快速动态响应，并将检测信号及时传递给处理器。此外，TPA158出色的电压压摆率(4V/μs)，可确保输出信号对快速变化的输入信号做出及时响应。　　02TPA158产品特性　　供电电压：3V~20V　　共模电压：3V~150V　　低失调电压：±15μV(典型值)　　低静态电流：0.7mA(典型值)　　高带宽：1MHz　　增益版本选项：20V/V(未来产品，请联系销售)、50 V/V、100 V/V、200 V/V、500 V/V　　高共模抑制比CMRR：140dB DC(典型值)　　封装：SOT23-5　　03TPA158典型应用　　在服务器电源和智能机器人等应用中存在多级电压系统，多数系统在48V甚至更高的电压范围内运行;服务器电源工作电流通常为几百甚至上千安培，高边电流检测电路是不可或缺重要的部分。　　TPA158凭借高供电(2.7V~20V)、超宽共模电压范围(3V~150V)、高带宽(1MHz)和高精度低漂移等产品特性，可满足此类场景中电流检测应用的需求。同时，TPA158可提供多种固定增益版本选项：20V/V(未来产品，请联系销售)、50 V/V、100 V/V、200 V/V、500 V/V，以满足不同应用的需求。
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发布时间：2025-02-18 11:21 阅读量：426 继续阅读>>
纳微8.5kw<span style='color:red'>服务器</span>电源的信赖之选——高能量密度电容器
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纳微8.5kw服务器电源的信赖之选——高能量密度电容器

　　纳微半导体近期推出全球首款专为AI数据中心设计的8.5kW服务器电源，该电源融合了氮化镓与碳化硅技术，实现了超越97.5%的卓越能效，完美匹配AI运算及超大规模数据中心的需求。　　为满足纳微8.5kW服务器电源方案的特定需求，永铭研发服务器专用高压高压液态牛角电容器IDC3系列，并已成功应用于纳微8.5kw服务器电源方案。　　AI数据中心服务器电源 · 永铭电容解决方案　　AI数据中心服务器电源正朝向更高功率、更小体积迭代升级，要求无源器件提升性能，紧跟电源迭代的步伐。永铭各类电容均具备高容量密度、超低ESR以及耐大纹波电流能力强的特性，满足服务器电源方案的需求。　　· 小体积、大容量：服务器电源内部空间受限，元器件需做到更小体积。永铭液态牛角电容器在同电压同容量的情况下，相较于常规品，体积减小25%-36%左右。高容量密度特性电容为服务器电源提供了更为紧凑高效的解决方案。　　· 超低ESR值：永铭电容器的ESR可以达到较低水平(ESR<6mΩ)。低ESR有助于减少电源工作时的发热问题，提高能效，同时降低整机散热需求。此外，低ESR还能增强滤波效果，减少电源输出中的纹波和噪声，提高电源输出电压的稳定性和纯净度。　　· 卓越的耐大纹波电流能力：永铭单体电容可耐受20A以上的超大冲击电流。尤其在大功率电源频繁的充放电过程中，可以有效抵御因电流突变导致的应力损伤，保证电容器在严苛环境下稳定可靠地工作，延长服务器的使用寿命。　　永铭电容器高容量密度、低ESR以及耐大纹波电流能力强等优势助力服务器电源小型化，提供更高的功率，是服务器电源领域的最佳选择。　　未来，永铭将继续积极提供高性能电容器，全面支持国际半导体厂商数据中心服务器电源方案，助力其在超大规模数据中心的应用创新，进一步满足AI数据中心增长的功率需求。
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发布时间：2024-12-10 11:09 阅读量：508 继续阅读>>
全新高压牛角型铝电解电容IDC3系列，助力AI<span style='color:red'>服务器</span>电源高效运转
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全新高压牛角型铝电解电容IDC3系列，助力AI服务器电源高效运转

　　随着数据中心和云计算的高速发展，AI服务器的能效要求日益提高。如何在有限空间内实现更高的功率密度和稳定的电源管理，成为AI服务器电源设计的一大挑战。永铭推出全新高压牛角型铝电解电容IDC3系列，以大容量、小尺寸的创新特性，为AI服务器行业提供优质电容器解决方案。　　IDC3系列·满足服务器电源更高要求　　IDC3系列作为永铭专为AI服务器电源推出的高压牛角型铝电解电容，通过12项的技术革新，实现了高电容密度和长寿命，能够应对AI服务器电源对电容器提出的高要求。　　IDC3系列的三大优势　　大容量、小尺寸：针对AI服务器电源功率密度提高空间不足的问题，IDC3系列大容量的特性确保稳定的直流输出，提升电源效率，支持AI服务器电源进一步提升功率密度。相较常规产品，更小的尺寸特点保证其能够在有限的PCB空间中提供更高的能量存储和输出能力。　　耐大纹波电流：针对AI服务器电源高负载下散热和可靠性不足的情况，IDC3系列具备更强的纹波电流承受能力和低ESR的表现，有效降低发热，延长电源寿命，提升可靠性。　　长寿命：在105℃高温环境下寿命达3000小时以上，特别适合不间断运行的AI服务器应用场景。　　总 结　　IDC3系列的发布，标志着永铭在小尺寸、大容量电容器领域的又一次突破。作为全球铝电解电容解决方案的供应商，永铭将继续秉承技术创新理念，深耕AI服务器电源市场，与客户共同打造更加高效、可靠的下一代服务器系统。
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发布时间：2024-12-03 14:40 阅读量：428 继续阅读>>

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