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<span style='color:red'>技术</span>解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升

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技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升

　　数字化转型(DX)和AI的迅猛发展，为社会带来了巨大的便利，而支撑其运行的数据中心耗电量却持续攀升。　　为了助力解决这一社会课题，罗姆已将融合多年来积累的“功率电子”和“模拟”技术优势，更大程度地提高服务器能效当作使命。其中，服务器总功耗中占比较大的“电源”的效率提升，以及通过“电机”驱动的冷却系统的进一步节能，是实现无碳社会的重要课题。　　从业界先进的SiC(碳化硅)功率元器件，到可实现高精度控制的模拟IC以及各种分立器件，罗姆集这些产品的开发、生产制造、销售于一体，为客户提供前瞻性的解决方案。　　罗姆的半导体技术可高水平兼顾客户服务器系统的“节能”和“小型化”需求，同时还有助于提高其可靠性。罗姆将与客户携手共创可持续发展的数字社会。　　AI服务器主板(Server Board)　　随着生成式AI的普及和数字化转型的加速，现代服务器面临着前所未有的算力需求，以及随之而来的功耗激增问题。要改善数据中心电源使用效率指标(PUE)，从传统12V分散式供电向48V集中式供电架构的转型，以及电源单元的小型化和效率提升已成为当务之急。　　罗姆利用多年积累的高效电源IC技术，结合包括GaN(氮化镓)器件在内的高性能MOSFET，为客户提供综合解决方案。通过可充分激发产品特性的驱动技术，大幅降低功率转换损耗。通过同时实现更低发热量和更高功率密度，助力服务器主板的处理能力提升及节能降耗。　　电源供应单元(PSU)　　罗姆可一站式提供下一代服务器PSU所需的全部电源解决方案。针对高电压大电流化的一次侧电路，可提供业界先进的SiC元器件和高速GaN元器件产品群，助力应用产品大幅提升效率。另外，针对AI服务器等主流的50V输出二次侧整流用途，可提供80V耐压等高性能LV MOS产品群，可将导通损耗降至超低水平。当然，罗姆还拥有性价比超高、也非常适用于图腾柱PFC低速侧开关应用的丰富的Super Junction MOSFET(SJ-MOSFET)产品群。　　在这些种类繁多的产品群基础上，罗姆还可提供系统层面的综合解决方案，其中包括可更大程度激发产品性能的栅极驱动器和控制IC。这正是罗姆的优势所在。本页面将介绍罗姆支撑未来AI数据中心的最新科技和解决方案。　　备用电池单元(BBU)　　在BBU(备用电池单元，用来在电源异常时保护数据)设计中，能够充分发挥锂离子电池性能的先进电池管理系统至关重要。罗姆提供可高精度监测电池健康状态(SoH)的电池电量监控IC(电量计IC)等产品，助力BBU的小型化和可靠性提升。　　此外，在保障服务器稳定运行和可维护性的热插拔电路中，能够承受大电流负载的宽SOA(安全工作区)范围至关重要。尤其是大量使用GPU的AI服务器，对其稳定性的要求非常严苛。罗姆兼具宽SOA范围和低导通电阻的100V耐压功率MOSFET，可满足其严苛要求，并可提高系统的可靠性和稳健性。　　罗姆不仅提供这类元器件级解决方案，还针对多样化的电源架构，提供满足从传统的12V/50V级电源，到可显著改善数据中心整体节能性能的400V级HVDC(高压直流供电)机架应用需求的丰富产品群。

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罗姆

发布时间：2026-04-15 13:05 阅读量：330 继续阅读>>

瑞萨丨大咖谈<span style='color:red'>技术</span> 为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点

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瑞萨丨大咖谈技术为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点

　　在数据中心设计的新纪元，人工智能(AI)正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式，以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CPU工作负载进行优化，而现代AI数据中心则以加速器密集型系统为核心，其运行特性截然不同。这些需求正促使业界对数据中心电源架构进行根本性重构，进而加速氮化镓(GaN)半导体的普及应用。　　剖析AI数据中心的电力挑战　　相较于早期的云基础设施，AI数据中心呈现出两大显著特征：更高的电力消耗，以及功耗动态变化的急剧增加。传统数据中心的服务器电源柜的功率上限可能最高为30千瓦。而如今，AI系统的单个电源柜运行功率已跃升至50千至300千瓦之间(具体数值因供应商而异)，按照这一趋势，预计到明年，单个机柜的功率甚至有望突破1兆瓦大关。在电源功率如此飙升的背景下，功率分配和电力转换已无法再作为后台的辅助环节被忽视。　　为了实现AI应用的可持续规模化扩展，电源架构必须迈向更高效、更紧凑，且更具适应性的新阶段。简而言之，电力已从昔日的运营支出项，演变为复杂且资本密集型的核心考量因素。并且，只要对算力的渴求继续由日益庞大的AI模型所驱动，这一趋势就将长期持续。　　AI推动新型电源架构　　这场变革最明显的标志之一，便是从传统的415V交流(AC)配电向800V直流(DC)(或±400V直流)架构演进。更高电压可降低传输电流、减少传导损耗，并全面提升系统效率。与此同时，这也对电力转换环节及其核心器件的性能提出了全新要求。　　深入服务器机架内部观察，可看到AI加速器已成为重塑数据中心供电方式的关键驱动力。这些计算引擎早已超越单一芯片范畴，演变为庞大而复杂的分布式系统。单个AI计算单元(或称“超级集群”)最多可容纳9,000个加速器、4,500个CPU、庞大的光纤互连网络，以及配套的电源管理模块、水泵和液冷基础设施。这还仅仅是一个单元，超大规模数据中心每年部署的此类单元可达数百个之多。　　更少的转换环节，更高的电压　　面对日益加剧的压力，数据中心运营商正在重新审视电力到芯片的整个传输链路。一大核心转变是采用更高电压的直流配电方案，包括800V(或±400V)直流架构，业内甚至已开始探讨未来实现1,200V或1,600V直流方案的可行性。　　其背后的逻辑直指效率：每一个中间电力转换环节都意味着能量的损耗。在传统拓扑结构中，电力以交流电(480V三相交流)形式输入，需经历数次形态转换：先转换为直流电用于电池充电，再逆变为交流电进行配电(415V交流)，最终再次转换为直流电(48V)供机架及板级使用。减少转换步骤能显著提升端到端效率，让更多来自电网的电能真正用于计算任务。　　这些变化正在重塑功率半导体的角色。例如，在高压应用场景下，固态变压器正逐步取代传统的油浸式线路变压器。通过一系列新物料应用使得新一代电源设计能在更高频、高压下提高效率。　　与此同时，机架功率的激增正推动交流/直流转换从服务器机箱内部转移至独立机柜。目前，相当一部分宝贵的机架空间被用于部署将415V交流电转换为48V直流电的设备。由于机架空间寸土寸金，电力转换硬件如今占据了高昂的空间成本。将这些转换环节集中至一个专用机柜，不仅能为AI计算单元腾出更多空间，还能更有效地集中管理散热。　　为何是GaN，又为何是现在?　　GaN的普及步伐加快，根源在于AI数据中心将其两大核心优势放大了：在紧凑尺寸下实现高压能力，以及快速高效的开关性能。　　与硅器件相比，GaN器件能在更小的芯片内承受更高反压。GaN的高电子迁移率和饱和速度使其开关频率可达到兆赫兹(MHz)级别，而硅器件通常运行的开关频率远低于此。此外，GaN的固有寄生电容低于硅，能够实现更快的开关速度且损耗更低。　　从系统层面看，开关频率与磁性元件及无源器件的尺寸成反比。如果设计人员能提高开关频率，便可缩小磁性元件体积，并减少电力转换环节的占板面积。消费电子领域已经通过微型快充产品成功展示了这一趋势。如今，AI基础设施正采用同样的策略，只是其规模已跃升至千瓦乃至兆瓦级别。　　GaN的“黄金应用区间”：　　800V至48V转换与双向供电　　在AI数据中心的电源链路中，不同的电压区间恰如其分的适配着不同材料。在数千伏的超高电压等级中，碳化硅(SiC)于固态变压器应用中大放异彩，而GaN在数据中心中最合宜且近期最具潜力的应用场景，当属从约800V高压到中间电压(如48V，特定情况下为12V)的转换环节。800V至48V的转换阶段正是GaN的“黄金应用区间”，在此区间内，GaN展现出比硅具有更高的效率、更稳定的运行性能和更快的开关速度。　　此外，AI数据中心还在交流/直流转换环节催生了双向供电的需求。这主要源于大型AI加速器极端瞬态变化的负载特性。当负载快速波动时，存储在电容元件中的能量要么以热能形式耗散，要么被智能地回收利用。双向架构使得能量在负载激增时能迅速流入系统，在能量过剩时又能回输至系统储能装置——这一概念与汽车的再生制动系统异曲同工。　　双向GaN器件极大的简化了此类设计。例如，以往需要四个分立式MOSFET构建的全桥电路，如今两个双向GaN器件即可胜任。瑞萨电子近期推出的首款双向GaN开关便是一例：该产品采用单级电力转换替代了传统的两级架构，进一步提高了效率。　　瑞萨电子：　　将GaN定位为系统级解决方案　　AI数据中心的创新节奏之快，已使设计人员无法再通过逐个优化元器件来构建系统。产品开发周期曾以三到四年为衡量，如今已缩短至12到15个月。这意味着AI数据中心架构师需要的是端到端的电源解决方案，以及全面、长远的规划蓝图，而非将整合风险转嫁给系统设计人员的零散产品组合。　　依托数十年的电源技术积累，瑞萨深知：要降低GaN的采用门槛并缩短设计周期，离不开控制器、栅极驱动器与保护器件的协同设计，再辅以完善的参考设计和专业的技术支持。我们在应用电力电子会议(APEC)上最新发布的GaN解决方案，正是这一系统级理念如何转化为更快速、更低风险设计的生动例证。　　通过收购Transphorm公司及其高压SuperGaN® D-mode GaN FET技术，瑞萨电子的市场地位得到了进一步的巩固。我们致力于为数据中心OEM厂商提供从器件级创新到系统级支持的全方位赋能，从而加速其评估进程，缩短产品设计周期。　　普及之路的挑战与未来展望　　尽管GaN优势显著，但其全面普及仍面临挑战。成本、严苛的认证要求，以及设计人员的熟悉程度，都将影响其普及速度。展望未来三至五年，GaN在AI数据中心内的集成深度，将取决于供应商能否通过有效的技术培训、便捷的设计工具和经充分验证的可靠性，切实化解这些顾虑。　　可以预见的是，AI工作负载将持续推动电源架构向更高密度和更高效率的方向演进。对于数据中心架构师而言，GaN是在避免能源消耗失控增长的前提下，推动AI算力持续突破的关键路径。对于习惯在效率上渐进式提升的功率半导体供应商来说，这更标志着电力传输方式的一次根本性转变。随着这一趋势的深化，那些曾让硅材料占据优势的权衡取舍，如今正使GaN的优势日益凸显。当下的问题已不再是GaN能否在AI数据中心占据一席之地，而是它将以多快的速度、多广的范围内被部署应用。

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瑞萨

发布时间：2026-04-15 10:15 阅读量：317 继续阅读>>

4月14日-16日，海凌科诚邀您参加深圳国际传感器与应用<span style='color:red'>技术</span>展览会

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4月14日-16日，海凌科诚邀您参加深圳国际传感器与应用技术展览会

　　第四深圳国际传感器与应用技术展览会Sensor Shenzhen，将于2026年4月14日-16日在深圳会展中心(福田)举办。本次展会上，海凌科除了展出现有的通信、电源、传感等全系列产品方案，还将带来LD2453、LD2417等近一年来新研发的毫米波雷达模组，展示在智能家居、智慧交通、商业感应等AIoT场景中的最新应用，诚邀各位客户前往参展。　　展会详情　　深圳国际传感器与应用技术展览会(Sensor Shenzhen)汇集时下发展热点、探索未来创新点，为新产品、新技术提供“全球首发、中国首展”的平台。本届展会聚焦智能传感器全产业链，串联产品端、应用端、科研端、资金端、人才端，涵盖人工智能、数字能源、汽车电子、智慧医疗、工业互联网等行业热点，与业界同仁共绘感知行业美好蓝图。　　展馆：深圳会展中心(福田)　　地址：广东省深圳市福田区福田街道福安社区福华三路111号　　地铁路线：　　地铁1号线‌：在会展中心站下车，从D出口出站即可到达会展中心‌。　　‌地铁4号线‌：在会展中心站下车，可以从A出口或D出口出站，步行至会展中心。　　展会时间：2026年4月14日-16日　　展位号：7C106　　Hi-Link/海凌科拥有十多年的物联网行业研发经验，专注于物联网智能家居、消费电子、智能穿戴及工、农业控制等多个领域，是一家专业的物联网模组提供商。　　海凌科产品主要包括四个部分，通信模组：串口 WiFi、路由网关、BLE 蓝牙、4G/5G 移动通信、NB-IoT、Cat1、LoRa;电源模组：AC/DC 电源、DC/DC 电源、机壳电源;传感模组：语音识别、人脸识别、雷达模组等;智能设备配件：成品系列、天线、测试套组以及继电器等，同时提供软硬件一体化物联网解决方案。　　海凌科技术研发团队在雷达、通信、传感、电源、软件等技术研发领域具有16年以上的丰富经验，除了提供各种专业的模组产品外，还提供从PCBA设计到后台SaaS包括APP小程序等快速落地的一站式解决方案。　　Hi-Link/ 海凌科已经成功地将产品远销至八十多个国家，包括俄罗斯、土耳其、印度、泰国等。我司已建立了广泛的全球销售网络，以其高品质的产品和服务获得了全球客户的认可。

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海凌科

发布时间：2026-04-14 11:07 阅读量：379 继续阅读>>

美光的智能制造：AI<span style='color:red'>技术</span>在企业中的应用

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美光的智能制造：AI技术在企业中的应用

　　制造芯片的复杂程度超过制造火箭。阅读本案例研究，了解美光如何率先在制造、物流和业务流程中应用 AI，并将其大规模部署，从而实现技术优势地位。　　美光在利用人工智能 (AI) 技术方面绝不仅限于空谈。公司将数据分析和 AI 应用于自身制造流程，真正做到了言行一致。美光将 AI 融入业务运营的核心，通过业界前沿内存和存储解决方案，彰显其赋能技术的卓越价值。　　智能制造是自动化的更高阶段。其关键在于大规模智能感知、决策与优化。智能制造涵盖内容广泛，从仿真和预测分析，到机器学习和生成式 AI 等。这是一项更广泛的企业战略，其中感知 AI 和智能体 AI 发挥着关键作用：感知 AI 通过计算机视觉、声学监听和热成像等技术，使机器能够“看到、听到、感觉到”周围的环境。智能体 AI 系统能够解读这些输入信息并自主行动，持续学习、在复杂的工作流程中进行协调。　　这些能力相结合，为美光的制造战略转型提供了支撑，使智能系统能够实时检测异常、优化流程并灵活适应新变化。智能制造带来了诸多优势：更高的良率、更安全的工作环境、大幅提升的效率、更短的产品上市时间，以及更可持续的业务。本案例研究探讨美光如何利用 AI 技术来应对全球最复杂的工程挑战之一：在硅晶圆上制造内存。　　复杂的制造工艺　　美光的制造工厂在基于硅晶圆开发内存技术时需要使用高度复杂和精密的工艺，耗时数月，涉及约 1,500 个步骤。出错和浪费的可能性很高。利用数据分析和 AI，有助于降低这种可能性。如果仅依靠人类警觉性来发现和跟踪缺陷、机械问题和其他潜在问题领域，公司将会损失时间和金钱。而通过利用当今的前沿 AI 技术来提高准确性和检出率，就可以避免这些损失。　　美光智能制造和人工智能企业副总裁 Koen de Backer 表示：“我们在这里打造的东西完全与众不同，能够实现更高水平的准确性。现在，我们可以将产品上市速度加快一倍，同时每年节省 100 万工时。这确实是革命性的成就。”　　美光如何将晶圆转化为先进内存　　制造先进内存的起点是二氧化硅——一种经提纯后纯度高达 99.999% 的沙子。这种电子级硅原料先被熔铸成硅锭，再切成厚度仅为 0.67 [BG1] 毫米 [E]2] 的超薄晶圆。美光从专业供应商处采购电子级晶圆，然后通过先进的制造系统进行加工，最终生产出高性能内存芯片。　　通过扩散工艺，晶圆上的涂层能够均匀分布。添加涂层材料时，每个晶圆都在高速旋转(有时在超热环境中)，材料在离心力的作用下沿着表面扩散。　　在美光的尖端制造工厂中，这些采购而来的晶圆将经历一系列精密设计的加工步骤——每个环节都旨在将电子级硅原料转化为智能内存，加工精度可达微米级别。　　抛光：去除从硅锭切割下来的初始晶圆表面的微小瑕疵，确保形成后续加工所需的光洁表面。　　光刻胶涂覆：涂覆光敏材料，以便能够通过光刻技术刻印精密电路图案。　　光刻：利用紫外线将设计好的精密电路逐层转印到晶圆上，类似于相片曝光的过程。　　掺杂与金属化：加入离子化等离子体(掺杂)来改变晶圆的电学特性，并添加导电金属层以形成互连结构。　　添加防护层：用薄膜密封晶圆，以便在测试和搬运过程中保护其中的电路。　　检验与检测：通过 AI 增强成像和分类系统验证功能性和结构完整性，并检测人眼无法察觉的缺陷。　　整个制造过程在无菌制造室(称为洁净室)中进行，以防止微小的灰尘污染原始晶圆。然而，尽管采取了这些预防措施，晶圆仍然可能存在瑕疵。微小的划痕、保护膜下的气泡、细微的结构缺陷等——若未及时检出，这些小缺陷可能导致整批产品报废。　　这些瑕疵通常很微小，肉眼完全看不见。即使可见，检测人员在扫视每片晶圆的 30 到 40 张照片时，也可能会因为眼睛疲劳或暂时走神而未注意到缺陷。眨眼之间，瑕疵品便流向了下一个环节。　　如果到测试阶段才发现问题，就会浪费大量时间和金钱。这些瑕疵的根源问题不仅仅只影响一片晶圆，而可能影响成千上万片晶圆。　　在生产中还有其他方面也可能会出现问题。设备零部件磨损;管道危险化学品泄漏或滴落到产品或员工身上。我们必须及早发现这些问题并予以纠正。一旦停工，往往就要付出很高的代价，导致收入损失并错失生产良机。由于半导体制造的复杂性，恢复生产需要耗费大量的时间，这可能会使真实成本达到数百万美元。并且，还存在很多与员工受伤相关的风险。最后，为践行美光对可持续发展和卓越运营的承诺，我们应当尽力实现每个流程的高效节能、稳定可靠。　　及时检测出产品和机械问题，对于生产效率、效能和安全至关重要。遗憾的是，人难免会犯错。即使是最专业的员工也未必总能察觉出细微的问题迹象。　　这正是 AI 大显身手的领域。AI 系统能以激光般的精度和速度检测出人类不易觉察的异常，比如划痕、气泡、设备磨损等，其能力远远超过人类。AI 系统会从超过 590,000 个源收集 PB 级的制造数据 [JB1]——这些数据持续流入美光的云分析环境，以供优化生产流程以及实时发现问题。这些系统包括计算机视觉、声学监听和热成像，当机器具备了这些感知 AI 能力，便能够感知周围环境。　　计算机视觉让制造过程“被看见”　　美光的 AI 制造基于图像分析技术。Koen 解释道：“图像在半导体制造工艺中具有强大的作用，我们可以分析每个工艺步骤的详细图像。”　　他还表示：“通过利用 AI 计算机视觉并分析每个阶段的图像，我们可以快速识别发生的任何偏差。所有过程都完全采用自动化方式。这种分析涵盖各个方面，包括前道、封装与测试。”　　在整个晶圆厂和制造工艺中，美光通过 AI 计算机视觉寻找微观层面的潜在瑕疵。　　除了图像，美光还采用视频分析来消除封装和测试中的质量问题。您也许会认为视频的数据量太大，因而不太可行。但是，美光同样使用了 AI，来确定需要分析的关键时间点。AI 会适时启动和停止视频流，仅捕获关键过程，从而控制数据量的大小。美光的一大优势是，同时生产内存和存储设备，确保这些宝贵数据能够被采集、保存并随时可用。　　图像和视频非常有用，因为晶圆瑕疵有很多种形式。大多数瑕疵属于以下这些常见类型：晶圆边缘附近有小孔，或外层薄膜上有划痕和气泡。在晶圆制造过程中，光刻机在晶圆上蚀刻电路时，其摄像头会捕获一些图像，美光的 AI 系统使用计算机视觉技术在这些图像上识别上述缺陷。　　根据工程师的指示，系统会自主扫描晶圆边缘的小点(孔)，或者连续或轻微断开的线条(划痕)，也可以根据深浅不同的斑点来发现颜色变化。某些缺陷能以近乎实时的速度检出，在拍摄图像后数秒内触发警报。在照片存储几分钟后的二次扫描中可能会发现其他缺陷。所有这些过程都依赖于 AI 系统对数据库环境中存储的数百万张图像进行比较和对照。　　事实证明，这些结果比工程师的评估要准确得多，因为 AI 计算机视觉具有更高的准确性和效率。最重要的是，工程师们现在可以专注于数据采集以及根本原因的解决。　　美光的 AI 自动缺陷分类 (ADC) 系统进一步简化了这项工作。技术人员和工程师不再需要手动对晶圆缺陷进行分类。借助深度学习技术，AI-ADC 每年可对数百万个缺陷进行分类和归类，并能够自主学习，在迭代中不断提升准确率。这种机器学习方式按类型对缺陷进行聚类处理，可帮助工程师追溯缺陷产生的根本原因，并使 AI 系统能够自主发现缺陷及优化结果。　　监听声音　　美光除了将 AI 成像作为制造工艺的核心外，还利用声学监听来预防问题。异常声音往往表示部件存在磨损或即将发生故障。　　美光的 AI 系统可以通过声学传感器监听工厂机械的异常情况。这些传感器通常有计划地安装在机器人执行装置或泵设备附近。这些麦克风可以连续数周对正常工作状况录音，软件将检测到的频率转换为图形或图表，以视觉数据来描述声音。当出现新的音高或频率时，系统会发出警报。很多情况下，系统甚至可以辨别出发生异常的原因。　　搜索这些庞大的数据库可能非常耗时。但当机器有可能发生故障时，工厂经理又需要立即知晓情况。相比基于 CPU 的系统，将数据发送到由 GPU、加速器以及美光的内存和存储设备组成的 AI 系统可以更快获得智能结果。这些 AI 系统具有数十万个 GPU 核心和高带宽内存，可以同时协同工作，瞬间优化结果，几乎无需人工干预。此外，它们还可以在每次迭代中改进诊断机制。　　热成像感知　　并不是每种故障都会发出声响。在制造环境中，寂静无声也可能隐藏着致命危险。有时候，唯一的预警信号是温度的变化。直到最近，检测温度骤升的方法仍然只有观察红光、火花或烟雾。当这些状况出现时，意味着事态已进入危险阶段，工厂需要尽快疏散员工。　　因此，除了图像分析和声学监听外，美光还使用热成像技术测量关键器件的温度。　　Koen 解释道：“测量变压器的温度是防止过热的关键。及早发现问题也许只需要进行简单的修理，而如果错过了时机，可能就只能更换整套昂贵的设备。”　　最终，这些用于采集图像、声音和温度的 AI 传感器将直接影响公司的利润。Koen 补充道：“这些传感器在提高质量和效率方面表现出色，在成本节约方面同样作用巨大。它们能够实现细粒度的能源计量，从而显著节约原材料和能源。”　　数据　　美光通过 590,000 个传感器生成 1 亿张晶圆图像，涉及到 4.36 亿个控制点。所有这些数据每周都会通过 AI 模型进行处理。此外，已存储 77 PB 数据，并且每天捕获 58 TB 的新数据。　　AI 的大规模采用可支持多种应用，包括良率分析、数字孪生规划、物联网 (IoT) 和图像分析、优化和高级算法、过程自动化以及移动应用。　　结果1毋庸置疑：　　制造工具可用性提高 4%　　每年劳动生产率增加 100 万工时　　新品上市时间缩短 50%　　产品报废率降低 50%　　其效益不仅限于晶圆厂。从销售和市场营销，到人力资源、业务运营、研发及业务系统——AI 现已融入美光运营的方方面面。　　Koen 表示：“这是整个企业层面的转型，而不仅仅是车间改造。我们已将 AI 应用于公司内部所有业务流程。”　　生态系统合作伙伴关系　　美光不仅在内部优化制造工艺，在与供应商直接合作时也使用 AI，向他们提供与产品相关的详细反馈，以确保尽可能提高能效。美光同这些供应商一起协调 DIMS(数据摄入美光系统)，尽可能提高数据摄取的频率。美光工程师会实时监控这些摄取状态，同时持续进行精益求精的校正和优化。　　此外，美光还使用遥测数据来衡量旗下产品在供应商数据中心内的效果。这些数据与美光内部数据相结合，可支持实时协作，以便改进产品，使其满足特定工作负载的需求。　　美光也会密切监控这些模型的表现。使用 AI 处理传入的数据并进行反复训练，工程师能够专注于自动化机器学习的流程。如果不使用 AI，可能数据科学家永远无法腾出手来推动技术发展，他们将忙于研究那些已经发生的各种事件。　　这些计划得到了内部数据科学学院的支持，同时公司也在内部数据科学家、工程师和解决方案架构师方面进行了持续投资。通过这些资源以及美光的公民数据科学模型，职能专家能够有效利用 AI 支持的工具和见解。　　行业领导力　　如今，美光正在将丰富的核心工艺知识与 AI 出类拔萃的效率相结合。数据专家们创建了大型良率管理平台，公司内有 14,000 名员工正在使用这些平台。与此同时，以前专注于日常良率优化的专业团队正在快速集成周期中构建新的原型。团队成员经常会应用这些原型来优化主要平台。　　得益于美光团队成员的敬业精神及其开发的 AI 增强型先进制造工艺，公司在多代内存技术的采用过程中均实现了创纪录的良率。凭借最新创新成果，美光的近几代技术能够比前几代更快达到成熟良率，彰显出公司的工程研发与卓越运营能力，并进一步巩固了美光的技术优势地位。　　美光针对产品制造不断优化 AI。AI 已不仅是一种工具，更是一种智能系统，彻底改变了生产流程。而真正让美光在 AI 应用领域脱颖而出的，则是通过大规模应用 AI 来重塑整个企业。从仿真与预测分析，到机器学习、生成式 AI 以及实时工艺优化，美光的 AI 战略已渗透至业务的每个角落。新技术不仅不会取代团队成员的工作，反而会为团队助力和赋能，让他们无需再忙于获取数据并进行大量基础分析。现在，他们可以专注于自己擅长的事情——通过创新来开发行业前沿产品及良好业务实践。

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美光

发布时间：2026-04-08 09:48 阅读量：402 继续阅读>>

<span style='color:red'>技术</span>干货丨依托瑞萨AFCI<span style='color:red'>技术</span>，驱动实时安全与创新

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技术干货丨依托瑞萨AFCI技术，驱动实时安全与创新

　　电弧是现代电力系统中一种最危险、带来损失最大的故障情况。从光伏逆变器、储能系统，到AI数据中心配电单元(PDU)以及直流(DC)快充设备，市场正迫切转向在边缘实现高可靠性、低功耗的实时电弧故障检测。　　电弧故障可引发火灾、损坏设备并造成严重停机，因此电弧故障断路器(AFCI)的重要性前所未有。传统保护方案在以下场景面临挑战：　　高频噪声　　宽范围工作电流　　复杂负载　　多变的环境条件　　瑞萨电子通过两种硬件方案支持AFCI实现，提供设计灵活性、可配置性与可靠的检测精度。瑞萨电子结合混合信号可配置性 + MCU智能 + 边缘AI推理，可升级传统方案，最大化设计选择并确保可靠性。　　基于MCU智能的实时AI电弧检测用于电弧检测的实时分析技术可提升电气系统安全性、减少误报，并支持预测性维护。这一能力基于搭载Arm® Cortex®-M33处理器的RA6M3/RA6M4 MCU实现，其最高主频可达200MHz，并具备丰富的DSP架构。通过对接由Reality AI Tools®生成的实时分析(RTA)模型，即可实现AI推理。由于推理时间低至10ms至250ms，因此可以实现实时保护。该方法能够可靠地检测串联电弧与并联电弧、阻性负载下的微电弧以及异常电流波形，而这些功能是传统模拟方法难以实现的。数据收集/数据存储(DC/DS)功能由Reality AI Utilities支持，能够捕获数据并进行模型迭代，从而快速检测异常电流分布、篡改和不安全布线。　　模拟滤波的硬件方法GreenPAK™和AnalogPAK™可编程混合信号器件提供超低功耗、小型化、可配置的模拟前端，非常适用于高速电弧故障检测。凭借以下特性，用户可为其产品实现精准的AI分类：　　- 集成模数转换器(ADC)、可编程增益放大器(PGA)、比较器和串行外设接口(SPI)　　- 低延迟混合信号处理　　- 硬件级可靠性(支持AEC‑Q100)　　- 可灵活适配基于电流互感器(CT)、分流电阻或传感器线圈的检测方案　　- 面向大众市场设备的成本优化、精简物料清单(BOM)　　在信号到达MCU之前，GreenPAK会对快速变化的电弧特征进行滤波、整形和数字化处理，确保为人工智能(AI)和机器学习(ML)分类提供清晰的数据。　　由Future Electronics提供的AFCI交钥匙硬件平台可实现快速评估并加快产品上市速度。该平台不依赖云端。所有推理均在边缘侧完成，可大幅缩短处理时间。平台支持一键学习校准，一键即可快速完成环境适配。该平台可扩展，适用于所有大众市场OEM厂商，满足其不同的需求。该方案具备多项优势：　　- 传感器线圈输入和信号调节板　　- 高速采样(12位ADC，250kHz采样率)　　- 基于RA6M4的处理，集成AI模型　　- 一键学习校准，快速适配环境　　- 不云端依赖;所有推理均在边缘完成　　- 可扩展设计，适用于大众市场OEM　　AFCI端到端流程系统工作原理　　电流互感器(CT)或传感器线圈捕获高频线路扰动信号　　GreenPAK/AnalogPAK或采用分立器件设计的滤波器执行信号滤波、ADC转换和SPI数据流传输　　RA MCU接收数据帧并执行以下操作：　　- 数字信号处理(DSP)预处理　　- 特征提取　　- 使用Reality AI训练模型进行实时AI分类　　决策引擎触发警报、关断或保护机制　　这种混合架构针对工业、消费和可再生能源领域的AFCI市场进行了优化。　　我们的AFCI平台大幅降低了开发门槛，常适用于光伏OEM、电动出行设备、电池工具、电动汽车(EV)充电桩及数据中心配电单元(PDU)等场景，其优势包括：　　- 更快上市速度 -- 预验证硬件 + 可移植AI模型 = 帮助客户在数周内推出AFCI产品，而非数月。　　- 顶尖检测精度 -- 使用瑞萨Reality AI工具训练的模型能够利用传统模拟电路无法单独捕捉的高维信号特征。　　- 成本优化 -- GreenPAK将众多分立器件集成到单个IC中，从而减少了PCB面积、降低了成本与功耗，并简化了供应链复杂度。　　电弧故障已成为全球日益严峻的安全挑战。借助我们实用、高精度且可扩展的AFCI平台，用户可以在其应用中防范危险电弧故障的发生。瑞萨电子提供从芯片、软件到完整参考设计的全套方案，助力在光伏逆变器、光伏发电(PV)、电池储能系统、电动汽车充电桩及基础设施、AI数据中心、电动出行、工业设备、智能家居及电气保护等领域，打造下一代安全、智能的电力系统。

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瑞萨

发布时间：2026-04-08 09:40 阅读量：394 继续阅读>>

思瑞浦车规级高边开关TPW4020DQ，以硬核<span style='color:red'>技术</span>，重塑高端智能功率控制

行业新闻

思瑞浦车规级高边开关TPW4020DQ，以硬核技术，重塑高端智能功率控制

　　在电气化与智能化浪潮中，高边开关作为连接数字控制与物理执行器的关键，其性能至关重要。为满足高端市场对性能、可靠性与智能化的极致需求，思瑞浦正式发布了新一代应用在车身电控的高端双通道智能高边开关TPW4020DQ。　　国产首发的大功率单die高边开关方案　　TPW4020DQ的问世，标志着思瑞浦在智能功率器件领域实现了多项关键突破。它并非一个简单的功率开关，而是一个集“驱动、感知、保护”于一体的智能功率管理与安全控制单元。产品的核心优势源于创新的VDMOS + BCD集成工艺平台与更全面的保护功能。国产高边芯片的传统方案中控制芯片和功率MOS芯片分开制造，在框架上通过打线互联。该方案的不足在于打线引入额外的寄生参数，在高频和大电流下对性能产生影响，可靠性不如单芯片集成方案。　　TPW4020DQ是国产第一颗大功率单die高边开关，将单通道导通阻抗降至20mΩ(常温25°C)的行业领先水平，极大降低了导通损耗和发热;同时优化了芯片布局和散热，为集成高精度监控电路释放了空间。TPW4020DQ保护功能的全面性与可靠性上对标国际厂商, 保护功能包括：过流/短路限流，以支持更严苛的大电容上电场景;绝对过热自保护及热梯度自保护;智能功率锁止;电源/地反接功率管自保护;电源/输出反接功率管自保护;丢地/丢电源自保护，过压/欠压保护等。　　TPW4020DQ产品特性：　　支持车载12V供电应用　　Typical导通阻抗20mΩ　　每通道5A持续过流能力　　输出2A时，电流检测精度达到±4%　　具有Reverse On和Inverse On保护功能　　Lose of GND保护功能　　工作温度：-40 ℃ 至 125 ℃　　封装：EQSOP14，与行业主流方案可直接Pin-to-Pin替换　　超宽电源工作范围，适配全场景车载电源　　图1为TPW4020DQ系统内部框图，思瑞浦凭借高边开关核心技术专利全覆盖，TPW4020DQ实现了行业领先的性能参数：　　工作电压范围宽达4-28V，集成了高精度的实时负载电流监控功能(在2A以上负载电流时，精度达到±4%)和多种电压钳位保护机制;　　TPW4020DQ单通道可持续输出10A负载电流(常温25°C)，瞬态输出电流能力高达50A，足以应对数倍于典型应用场景的浪涌电流如电机启动场景。　　独特的保护机制实现大容性负载上电　　将智能的Latch(锁存)保护机制和独特的Fault Retry机制有效结合，TPW4020DQ既能在检测到持续的过流或过温严重故障时，彻底关断通道并锁定，并需外部复位才能恢复开启，有效防止故障扩大;又能支持大电容负载的上电，避免上电过程被Latch保护机制终止。　　高标准可靠性测试，从容应对车载极端电压冲击　　在测试验证方面，TPW4020DQ还通过了ISO 7637-2、ISO16750-2标准车规波形测试、AEC-Q100-012重复短路可靠性测试和感性负载退磁Emax极限测试，其中AEC-Q100-012对高边开关短路可靠性有着极高的要求，TPW4020DQ在输出负载0uH/5uH电感的循环短路测试(>1000000次)后，仍能保证芯片的正常功能。此外，TPW4020DQ实现了Reverse On和Inverse On保护功能，前者可以在电源反接的情况下自动打开功率开关，后者可以在正常工作OUT反灌电流时仍保证功率开关不会被误关断，从而实现对功率开关的保护。　　赋能客户设计　　在中高端市场上，高边开关的需求繁杂多样，但如何找准需求，精准提供符合客户需求的产品，赢得市场认可，是芯片厂商在产品开发过程中的最大难题之一。　　思瑞浦采用“性能对标为基础，服务与成本为突破口”的策略，深入各行业挖掘核心痛点，开发贴合客户需求的高边开关产品。在性能上，思瑞浦在导通阻抗、单die设计能力、稳定性等关键指标上都已经实现国内领先水平，导通阻抗低至20mΩ，同时单die设计方案相较于合封方案寄生参数更小、集成度更高，可满足众多类型场景需求，这是构建竞争优势的基础。　　TPW4020DQ立足于工程师的实际设计需求，从四个方面构建了全方位的客户价值。　　成本优化与效率提升　　20mΩ的超低导通阻抗直接降低了功耗与散热成本，并采用EQSOP-14封装，与国际主流竞品引脚兼容，便于客户快速替换与升级。内部集成地网络节省了外部元件，降低了BOM成本与PCB占用，并进一步实现了电源反接耐受——即使在现场接线接反的意外情况下，芯片也能避免立即损坏，为系统提供了宝贵的容错能力。　　全场景的负载监控与线束可靠保护　　实时高精度的电流监控、丰富的诊断与保护机制。以车载系统为例，其电动助力转向电机、制动电磁阀、座椅调节电机、LED灯光系统等中依赖高精度电流反馈实现精准控制。高精度电流监测可以实时向域控MCU反馈负载的工作电流，MCU通过调整PWM占空比，精准控制电机扭矩、电磁阀开度、LED亮度等，实现更细腻的负载控制。同时，也能通过电流数据判断负载是否正常工作(比如电磁阀是否正常吸合、电机是否堵转)，及时调整控制策略。　　极端工作环境下的高系统鲁棒性　　车载环境存在强电磁干扰、电池电压大幅波动(比如启动时电压骤降、抛负载时电压骤升)、宽温域变化等恶劣条件。VS-GND和VS-IS电压钳位能够使芯片适应电压骤变，避免引起系统故障。VDS电压钳位和限流机制、绝对温度和温度梯度保护机制能够有效避免长距离布线在断电/短路时因走线电感续流或过流而引起系统故障。　　支持全生命周期的故障诊断与溯源　　满足ISO-26262功能安全的强制合规要求，在内部故障诊断的基础上(过流诊断、绝对温度与温度梯度诊断)，凭借高精度的电流监测有效区分正常波动与真实故障，避免误触发、漏触发，提升系统在复杂环境下的稳定性。　　关键应用场景，攻坚高端严苛应用　　TPW4020DQ将过流/短路限流、绝对与梯度过热保护、输出开路检测、丢地/丢电源保护、过压/欠压保护等完备的诊断与保护功能集成于一体。在实际应用中，扮演着三重角色——大功率负载驱动器、系统状态监测器的和故障风险熔断器。　　TPW4020DQ是对可靠性、安全性有极致要求场景的理想选择，其应用上可以覆盖以下几个方面：　　新能源汽车热管理与底盘控制　　用于直接驱动电子水泵、电子油泵、主动悬架电磁阀等。TPW4020DQ峰值70A限流能力应对启动冲击，Latch保护在故障时快速隔离，高精度电流监控用于状态监测与预测性维护，保障热管理与行驶安全。　　新能源汽车PDU与智能配电　　在区域控制器中驱动PTC加热器、鼓风机等TPW4020DQ电源反接保护特性，可避免装配错误导致的模块损坏，提升系统容错性。　　工业伺服驱动与机器人关节控制　　用于驱动制动器、抱闸线圈等。TPW4020DQ出色的抗反电动势能力和反复短路承受力，能确保急停、保持等动作的绝对可靠，保护设备与人员安全。　　高端电源与能源基础设施　　在UPS、服务器电源中作为智能固态开关。超低损耗提升效率，精准电流监控用于负载管理与故障定位，强大保护实现故障快速隔离。　　在复杂的工作环境中，一些故障更是对高边开关本身提出更加严苛的要求。图3以带4.7uH电感hard short短路(AEC-Q100-012)故障为例，触发限流保护过程开关电流峰值高达73A，随后触发温度梯度保护机制(关闭功率开关)，电感续流使功率开关VDS电压达到钳位电压(接近40V)，钳位过程最大电流高打50A，极高的瞬间功率给高边开关的可靠性带来严峻的挑战。　　图3中TPW4020DQ在短路故障发生后开始计时，并通过温度梯度保护机制不断Retry，计时达到TRetry后将开关彻底关闭从而保护相关应用。　　图3、输出带4.7uH hard short短路测试　　TPW4020DQ特别的故障Retry和Latch保护机制，实现智能功率锁止，使其能够支持更大电容负载的应用，图4所示为TPW4020DQ通过内部限流与温度保护控制的多次Retry过程，实现了输出带4.7mF电容的正常上电。而同样条件下，国外竞品带4.7mF电容的上电波形如图5所示。　　图4、TPW4020DQ输出带4.7mF电容上电　　图5、友商A输出带4.7mF电容上电　　TPW4020DQ的推出，是思瑞浦在高端智能高边开关领域的关键落子，精准响应了市场对高可靠性、高集成度国产功率器件的迫切需求，展现了思瑞浦以技术创新驱动，深耕汽车与工业核心市场的决心。　　未来，思瑞浦将继续围绕系统级解决方案拓展产品组合，并与生态伙伴深化合作，致力于成为全球智能功率管理与驱动领域的领导品牌。同时，思瑞浦也持续为客户提供从定制化方案设计、快速响应的技术咨询到全生命周期供应链保障的端到端支持，加速客户产品上市，共赢智能化未来!　　目前思瑞浦已推出多款车规级高边驱动芯片：　　TPS42Q20xQ：40V、4通道、2A/CH集成故障检测报错功能的高边开关;　　TPS42S40xQ：40V、单通道、4A高精度电流检测的高边开关;　　TPW20400xQ：15V、4/2通道、0.6A/CH、支持I²C通信、符合功能安全标准的高边开关。

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思瑞浦

发布时间：2026-03-27 10:47 阅读量：520 继续阅读>>

以电感式<span style='color:red'>技术</span>兼顾精度与可靠性, 纳芯微推出MT6901双码道游标算法电感编码器芯片

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以电感式技术兼顾精度与可靠性, 纳芯微推出MT6901双码道游标算法电感编码器芯片

　　近日，纳芯微宣布推出双码道游标算法电感编码器芯片MT6901，进一步完善其在高精度电机位置检测领域的产品组合。此前，公司已构建覆盖霍尔式与AMR磁阻式的磁编码器产品体系;随着 MT6901 的发布，形成了由磁编码器与电感编码器并行的技术布局，可覆盖从通用控制到高精度运动控制的不同需求，为伺服电机、步进电机及机器人关节等应用场景提供位置反馈方案。　　编码器是工业电机位置反馈的核心部件，其精度与稳定性直接影响了设备的控制性能。MT6901基于电涡流感应原理，结合双码道游标算法优势，在保证角度测量精度的同时提升环境适应能力。　　芯片通过激励线圈生成高频电磁场，并由接收线圈获取经转子调制后的信号，实现位置解算。该检测模式对强磁场干扰、电磁噪声及污染物不敏感，可确保在粉尘、油污或振动较强等较为恶劣的工业环境中确保信号输出稳定可靠。　　左图：编码器正面组件，集成MT6901芯片与外围器件;　　右图：编码器背面感应线圈层，与正面共用同一PCB基板。　　同时，MT6901拥有优秀的温漂特性，在温度变化场景中仍能保持高精度输出，整体可靠性显著优于传统方案。此外，该芯片同时支持电机旋转检测和直线运动控制，为各类工业设备与机器人系统的设计提供了更高的灵活度。　　MT6901凭借双码道信号处理架构，集成了自校准机制，在完成系统标定后芯片的积分非线性(INL)典型值可达到±0.02°;该精度表现可覆盖部分高端运动控制应用需求，在保证角度检测精度的同时，避免了光学编码器在复杂工业环境下易受干扰的可靠性问题，满足机器人关节等对动态响应和轨迹精度要求较高的场景。　　MT6901支持离轴安装方式，相较于传统轴向安装方式，可简化机械结构，为一些特殊结构设计提供了可能。　　在机器人关节应用中通常采用中空走线结构，以便在关节内部布置走线和电缆，电感式检测方案对导线电流干扰敏感度更低，抗干扰能力更强，结合离轴感应方式，可更好适配此类结构设计，简化装配并提升系统可靠性。　　为满足不同电机控制系统需求，MT6901配备了丰富的接口输出方式，包括 ABZ、UVW、PWM 及数字通信接口：　　ABZ：1–16384 PPR 可编程　　UVW：支持 1–16 极对配置　　PWM：12-bit 分辨率　　SPI：21-bit 输出　　UART：23-bit，最高 4.0 Mbps

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纳芯微

发布时间：2026-03-19 10:48 阅读量：571 继续阅读>>

<span style='color:red'>技术</span>干货丨瑞萨最具成本效益的Arm Core MCU：轻松为现有系统添加新功能

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技术干货丨瑞萨最具成本效益的Arm Core MCU：轻松为现有系统添加新功能

　　在消费、工业和建筑自动化市场，制造商面临持续压力，需要增加新功能、加强安全功能或提升用户体验，同时不增加系统成本或重新设计核心电子设备。但升级现有系统往往会引发元件更换、更紧张的电路板空间限制或新的电源管理挑战。对许多工程师来说，即使是像安全联锁、电机控制辅助功能或基本感测任务这样的小幅功能添加，也可能需要更昂贵的MCU或额外的外部组件。这些权衡减缓了开发速度，提高了物料清单成本，并使在成本敏感市场中维持竞争性定价变得更加困难。　　这正是RA0E3设计要填补的空白。作为瑞萨RA系列中最具成本效益的32位Arm® Cortex-M23® MCU，它为工程师提供了一种无需重新修改主设计即可扩展系统功能的简单方式。凭借宽广的1.6V至5.5V工作区间、±1%高精度片上振荡器、低功耗架构以及最高可达125°C工作温度的稳健运行，RA0E3无需外部振荡器、电压移位器或额外的散热考虑。无论是作为子MCU来分担安全关键任务，还是添加新的辅助功能，它都帮助团队提升产品性能，同时保持设计紧凑、高效和成本优化。　　随着终端产品的更新和用户期望的提升，这些挑战变得越来越普遍。工程师们越来越需要一种直接且可靠的方式来引入新功能，而无需增加物料成本或重新设计架构。考虑到这些背景，我们来看看RA0E3如何帮助制造商在不增加成本的情况下扩展系统性能。　　RA0E3有什么独特之处?　　基于这种简单且经济的扩展需求，RA0E3以能力、效率和设计灵活性的结合脱颖而出。它专为成本敏感设计而开发，这些设计仍要求在宽电压和宽温度范围内保持可靠运行，采用流线型架构、适度内存和精心挑选的外设实现这一目标。　　通过在极小空间内结合精确的片上时序、5V系统兼容性和低功耗模式，RA0E3使工程师能够灵活添加此前需要更大、更昂贵MCU才能实现的子功能或辅助控制逻辑。这种在简洁性与性能之间的平衡使其在大批量家电、紧凑型工业设备和小型消费电子产品中展现出独特的实用性。　　尽管是RA系列中最实惠的MCU，RA0E3依然提供了强大且可靠的性能，适合广泛应用。　　作为子微控制器的完美契合　　RA0E3最大的优势之一是其在支持主处理器时的可靠性。　　考虑家庭电器，比如食品处理器或厨房搅拌机。这些装置通常配备安全锁机制，除非所有部件都牢固组装，否则无法正常工作。许多设计不再让主处理器承担这一安全功能管理，而是将其分包给专用的子微控制器。　　这正是RA0E3的出色之处：　　在5V系统中无缝运行，无需额外元件　　即使在意外高温条件下也能保持稳定工作　　增加安全或辅助功能，同时不增加系统复杂度　　扩展功能而不重新设计系统　　上面的例子只是其中一个情景。在消费电子、工业设备等多种应用中，RA0E3实现了：　　低成本功能扩展　　恶劣环境中的可靠控制　　易于与现有架构整合　　对于希望提升产品而无需重新审视整个系统设计的工程师来说，RA0E3提供了高效且可靠的前进路径。

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瑞萨

发布时间：2026-03-17 10:01 阅读量：438 继续阅读>>

国民<span style='color:red'>技术</span>发布N32H49x系列MCU：以澎湃性能与全链路可靠赋能工业控制、储能与光通信

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国民技术发布N32H49x系列MCU：以澎湃性能与全链路可靠赋能工业控制、储能与光通信

　　国民技术(NSING)宣布正式推出N32H49x系列高性能MCU。该系列搭载ARM Cortex-M4F内核，最高主频240MHz，支持FPU浮点运算单元与MPU存储器保护单元，并配备8KB指令缓存与1KB数据缓存，集成丰富外设与高可靠性设计，面向工业控制、储能管理、光通信、消防电力及消费电子等多个领域，提供兼具强劲算力、高可靠与高安全性的芯片解决方案。　　N32H49x系列包含N32H492、N32H493及N32H497三个子系列，全面满足不同应用场景对性能、存储与接口的差异化需求。　　01 强劲性能，轻松驾驭复杂应用　　极速内核，稳定可靠：最高主频 240MHz，运行于 1.1V 标准内核电压，无需加压即可实现高性能，对比依赖升压达到同等频率的方案，具备更高可靠性与更长使用寿命。　　运算加速，精准高效：内置三角函数加速器(Cordic)，支持浮点运算，搭配Delta Sigma数字解调和滤波(DSMU)，为伺服电机控制等高精度场景提供高性价比解决方案。　　大容量存储，安全升级：集成 1024KB 支持双 Bank 的加密Flash，支持 ECC 校验与自动纠错，支持不停机 OTA 升级，保障程序稳定与安全;提供最大576KB的SRAM(N32H497)，提供最大256KB的ECC SRAM，在恶劣环境下支持自动纠错功能，抗干扰能力显著增强。　　02 连接丰富，响应迅捷，控制精准　　多接口，高互联：集成3路CAN-FD接口、10路U(S)ART、6路SPI、4路I2C以及高速USB Host/Device(内置PHY)以及以太网接口，满足多节点通信与复杂网络需求; 支持独立低压I/O电源域(N32H493)，3.3V供电时支持1.8V I2C/SPI通信;常用通信接口(CAN-FD、UART 等)支持引脚自由映射，电路设计更灵活。　　高精度模拟，实时控制：配备3个12位高速ADC(4.7Msps)、2个12位DAC及多个高级定时器，适用于实时控制与高精度信号采集场景。　　03 硬件级安全，本质可靠　　加密引擎，全面防护：全系列内置硬件加密引擎，支持AES、DES/3DES、SM3、SM4等算法，集成真随机数发生器(TRNG)与存储器保护单元(SMPU)，有效保障代码安全与数据完整性。　　高安全，无缝扩展：支持通过FEMC接口或XSPI接口外部扩展的存储进行自动解密访问，实现存储安全性与系统性能的统一，扩展应用容量更简单、更安全。　　强抗干扰，稳定运行：1.8V~3.6V/-40℃~105℃工作环境，通过FESD 4A、EFT 4A严苛测试，确保在恶劣电气环境中稳定运行。　　04 N32H49x系列应用指南　　根据应用场景对性能、存储与接口的差异化需求，N32H49x系列为不同行业提供了极具针对性的芯片选择。　　注：N32H493: 支持独立低压I/O电源域，3.3V供电时支持1.8V I2C/SPI通信

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国民技术

发布时间：2026-03-16 11:42 阅读量：444 继续阅读>>

兆易创新GD32M531 MCU全新登场硬核驱动电机控制<span style='color:red'>技术</span>创新

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兆易创新GD32M531 MCU全新登场硬核驱动电机控制技术创新

　　3月11日，兆易创新(GigaDevice)宣布正式推出专为电机控制场景量身打造的GD32M531系列32位微控制器，以Arm® Cortex®-M33为核心，集成电机控制专属硬件加速器与高集成度外设资源，凭借优异的运算性能、精准的控制能力与工业级高可靠性，实现双电机+PFC精准调控，为空调外机、空气源热泵、洗衣机/干衣机、洗碗机、多头电磁灶等多种电机控制应用场景提供高能效、高性价比的解决方案。GD32M531系列MCU现已开放样品及开发板申请，将于4月起正式量产供货。　　核心技术突破：电机控制专属硬件加速，精度与效率双飞跃　　GD32M531系列的核心优势在于专为电机控制优化的硬件架构，从算力、控制精度到保护机制实现全维度升级：　　内置三角函数及矢量空间SVPWM硬件加速器，专为FOC算法设计，大幅降低CPU运算负荷，使无感FOC算法执行效率大幅提升，实现出色的电机转速控制精度，显著降低运行噪音并提升能效;　　搭载2路增强型AD-Timers，支持两组FOC独立驱动，配合硬件相移ADC联动触发功能，实现电流、电压信号的同步精准采集，解决传统软件触发带来的延迟问题;　　创新集成POC>OC端口输出控制器，无需CPU干预即可实现滤波过流保护，响应时间低至微秒级，为电机运行提供全天候安全防护。　　关键特性解析：兼具高性能与高可靠性　　超强算力支撑复杂控制算法　　采用Arm® Cortex®-M33内核，主频高达180MHz，集成DSP扩展指令集与浮点运算单元Coremark®跑分可达705，DMIPS达267，轻松应对复杂FOC控制算法及多任务处理需求。存储配置方面，配备256KB Flash、64KB Data-Flash及32KB SRAM，满足电机控制程序存储与实时数据处理需求，全区支持ECC纠错功能，保障数据传输完整性。　　宽压宽温适应严苛环境　　支持2.7V~5.5V宽电压供电范围，适配家电产品多样化电源设计;工作温度覆盖-40℃~105℃，结温可达-40℃~125℃;具备优异的静电放电(ESD)防护性能，通过严苛的可靠性测试认证，其中人体模型(HBM)防护等级达±4KV，充电器件模型(CDM)防护等级达±1KV，并可在125℃高温环境下抵御±200mA的闩锁电流(Latch-up)，为系统在复杂电磁环境下的稳定运行提供了坚实保障，能够稳定运行于厨房、户外等极端复杂环境，满足家电产品全生命周期可靠性要求。　　高集成外设简化系统设计　　数字接口资源丰富，包含4路UART、1路I2C、1路SPI及1路CAN2.0B接口;3路专用CP-Timers与4路GP-Timers可满足交错式PFC控制需求，One-line单线调试功能简化开发与量产测试流程。　　模拟外设性能出色，2个ADC模块支持同步/异步双模采样，三通道独立采样保持电路可同时采集5个ADC通道数据，每个ADC模块可分配4个嵌套转换序列，为多参数协同控制提供灵活支持;DAC模块可作为比较器反相输入，进一步提升模拟信号处理精度。　　工业级安全认证保障合规　　GD32M531系列STL获得UL/IEC 60730 Class B功能安全认证，全面支持家电行业安全标准，为用户提供包含测试报告、证书、STL软件库在内的全量资源，协助客户加速终端设备的认证及上市进程。该系列还集成32位CRC循环冗余校验模块、UID唯一标识符及代码保护功能，Flash与SRAM全区支持ECC纠错，有效防止数据错误与非法访问，全面满足家电产品安全合规要求。　　赋能多元电机场景，加速产品创新落地　　GD32M531系列提供LQFP64/48两种封装选项，凭借其精准的电机控制能力与高集成度设计，可广泛应用于各类电机控制场景。同时，其高集成度设计可减少外部元器件数量，帮助客户优化BOM成本，缩短产品研发周期。　　双电机+PFC控制：空调外机、空气源热泵、洗衣机/干衣机、洗碗机、多头电磁灶等;　　变频控制：工业逆变器、工业水泵、工业风机、工业机器人关节等;　　多路PWM控制：光伏逆变器MPPT、户储双向DCDC、充电桩快充等。　　为加速客户产品落地，GD32M531系列提供完善的开发资源支持。官网已上线全套技术文档，包括数据手册、用户手册、软硬件设计指南及电机控制应用笔记;配套完整的SDK固件库;支持GD32 Embedded Builder IDE、Keil、IAR等主流开发工具;兼容FreeRTOS、RT-Thread、Zephyr等主流操作系统平台;同时提供开发板与丰富的方案参考设计，覆盖从底层驱动到上层应用的全流程解决方案，助力客户快速实现“从原型到量产”的开发目标。

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发布时间：2026-03-13 10:05 阅读量：518 继续阅读>>

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MC33074DR2G	onsemi
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CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
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STM32F429IGT6	STMicroelectronics
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