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<span style='color:red'>半导体器件</span>长期贮存的核心要求有哪

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半导体器件长期贮存的核心要求有哪

　　在生产、运输及使用过程中，半导体器件常常需要经过较长时间的贮存。因此，合理的长期贮存措施对于保持半导体器件的功能完整非常关键。　　一、防潮防湿　　半导体器件对湿度非常敏感，吸湿后可能导致元件内部材料的老化、焊接性能下降以及表面电性能的变差，甚至引起腐蚀、漏电等故障。　　湿度控制：贮存环境相对湿度应控制在40%以下，最佳保持在30%—50%。　　密封包装：使用防潮袋、干燥剂和真空包装袋，防止空气中水分浸入。　　干燥处理：对于已吸潮的器件，应根据厂家建议进行烘干处理，恢复器件性能。　　二、防尘防污染　　灰尘和污染物可能附着在半导体器件表面，造成导电路径短路或性能退化。　　清洁环境：储存场所应保持清洁，避免扬尘。　　密封保存：器件应密封保存，避免与杂质接触。　　避免化学污染：远离腐蚀性气体，如硫化氢、氯气等。　　三、防静电保护　　半导体器件中的敏感元件极易受到静电放电(ESD)损伤。　　静电防护包装：采用静电屏蔽袋或抗静电材料包装器件。　　操作规范：工作人员佩戴防静电手环、防静电鞋并在防静电工作台操作。　　环境控制：保持贮存区湿度适中避免静电积聚，避免摩擦产生静电。　　四、防机械损伤　　器件的物理结构较为脆弱，易受到挤压、冲击、振动等机械损伤。　　缓冲包装：采用泡沫、塑料托盘等包装材料，缓冲震动。　　合理堆放：避免重压及不当叠放，防止变形或破损。　　搬运轻柔：运输和搬运时注意轻拿轻放，防止跌落和碰撞。　　五、温度控制　　温度过高或过低均可能影响器件性能或引起材料老化。　　温度范围：贮存温度一般控制在5℃~35℃的范围内，避免高温导致器件提前老化。　　避免温度波动剧烈：防止温度急剧变化引起内部应力或结露现象。　　避光储存：避免阳光直射或强光照射引发温度升高及紫外线损伤。　　六、定期检查与记录　　长期保存的器件应定期检查外观、包装完整性和储存环境条件。　　外观检查：观察有无锈蚀、裂纹、变色等异常。　　环境监测：记录温湿度、静电防护措施的执行情况。　　库存管理：实行先进先出原则，避免器件超期存放。　　半导体器件长期贮存涉及多方面的保护措施，其中防潮防湿、防静电和温度控制尤为关键。只有在合理的环境条件和规范的操作管理下，才能确保半导体器件在长期存放后仍保持良好的性能和可靠性。

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半导体器件

发布时间：2025-10-09 15:52 阅读量：193 继续阅读>>

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上海雷卯：二极管半导体器件的应用和参数对比

　　二极管种类区别　　按操作特性进行比较：　　器件结构说明对比：　　肖特基二极管由金属与半导体结结形成。在电气方面，它由多数载波进行，具有较低的电流泄漏和正向偏置电压(VF)的快速响应。肖特基二极管广泛应用于高频电路中。　　齐纳二极管由掺杂的P-N半导体结组成。有两种物理效应可以称为泽纳状态(泽纳效应和阿瓦兰奇效应)。当对P-N结施加低反向电压时，由于量子效应而传导，将发生泽纳效应。当大于 5.5 伏特电压反向施加到 PN 结时，产生电子孔对与晶格碰撞时，就会产生 Avalanche 效应。基于齐纳效应的齐纳二极管在电子电路中被广泛用作电压参考源。　　TVS二极管由专门设计的 P-N 半导体结组成，用于浪涌保护。PN 结通常涂覆，以防止在非传导状态期间过早发生电压电弧。当发生瞬态电压事件时，TVS 二极管会使用 Avalanche 效应进行夹紧瞬态电压。TVS二极管广泛应用于电信、通用电子和数字消费市场，用于闪电、ESD和其他电压瞬态保护。　　ESD代表TVS硅保护阵列。它是一系列集成的 PN 结、SSC 或其他硅保护结构，封装在多引脚结构中。ESD可用作电信、通用电子产品和数字消费市场的 ESD、闪电和 EFT 保护的集成解决方案，这些市场存在多个保护机会。例如，它可用于 HDMI、USB 和以太网端口 ESD 保护。

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上海雷卯

发布时间：2025-08-19 16:44 阅读量：507 继续阅读>>

引线框架对<span style='color:red'>半导体器件</span>性能与可靠性的影响

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引线框架对半导体器件性能与可靠性的影响

　　一、什么是引线框架?　　引线框架(Lead Frame)是一种金属结构，主要用于半导体芯片的封装中，作用就像桥梁——它连接芯片内部的电信号到外部电路，实现电气连接，同时还承担机械支撑和散热任务。它广泛应用于中低引脚数的封装形式中，比如DIP、QFP、SOP、DFN等，是半导体封装的基础材料之一。　　二、引线框架对半导体的三大关键影响　　1. 影响电气性能　　导电路径：引线框架上的引脚负责把芯片信号传输到外部PCB。其尺寸(厚度、宽度)会影响电阻，进而影响电源电压降和信号完整性。　　寄生参数：不合理的引脚布局会引入寄生电感、电容，影响高速信号传输，尤其在射频、电源管理、接口电路中更为显著。　　设计一致性：引脚长度/间距的不均可能导致信号延迟差异，影响时序匹配。　　电源完整性(Power Integrity)：地线和电源引脚布局设计不合理，会带来噪声、压降和干扰问题。　　2. 影响热管理能力　　散热效率：高导热金属(如Cu、Cu合金)制成的引线框架可迅速把芯片产生的热量传导出去，降低芯片核心温度。　　结构设计：通过设计暴露焊盘(Expose Pad)或厚铜结构可提升散热路径，适用于高功率器件如MOSFET、功放、LED驱动等。　　封装集成度越高，芯片越容易发热，对引线框架的散热能力提出更高要求。　　3. 影响器件可靠性　　机械可靠性：引线框架与封装材料(如EMC)之间必须有良好的附着力，防止长期使用后出现分层、开裂。　　防潮抗氧化能力：若表面处理不当，水汽可能沿引线框架渗透，引起芯片失效。优质框架通常采用镀NiPdAu或SnAgCu等防氧层。　　应力控制：在冷热循环或高应力条件下，不同材料间热膨胀系数差异会产生应力，若结构设计或选材不当，可能导致封装开裂或焊点失效。　　三、随着半导体发展，引线框架面临的挑战也更大　　小型化：芯片功能变多、体积更小，引线数越来越多，引脚间距越来越密(如130μm以内)，制造精度要求高。　　多样化：封装形式日益丰富(如QFN、DFN、DROFN等)，引线框架设计也需高度定制化。　　高可靠性要求：应用从消费电子转向汽车、工业、新能源等领域，对产品寿命、抗湿、抗高温等提出更严格要求。　　先进工艺需求：包括选择性电镀、表面粗化、微结构蚀刻、湿度敏感等级MSL1要求等。　　四、结语：引线框架的不可替代性　　作为芯片与电路板之间的桥梁，引线框架不只是一个“金属支架”，它在电性能、热性能和可靠性三方面都发挥着关键作用。尤其是在汽车、工业、新能源等领域，它的作用越来越重要。未来引线框架的发展也将继续跟随芯片制程演进向更高密度、更高可靠、更低成本的方向推进。　　换句话说：一个优秀的封装，必须有一个强大而精密的引线框架作为基础。

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封装

发布时间：2025-06-09 15:00 阅读量：603 继续阅读>>

“AI+”推动，我国<span style='color:red'>半导体器件</span>专用设备制造利润大增105.1%！

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“AI+”推动，我国半导体器件专用设备制造利润大增105.1%！

　　5月27日，国家统计局发布2025年1—4月份全国规模以上工业企业利润数据。数据显示，1—4月份，全国规上工业企业实现利润总额21170.2亿元，同比增长1.4%。制造业实现利润总额15549.3亿元，增长8.6%。　　国家统计局工业司统计师于卫宁分析指出，4月份，各地区、各部门加快落实更加积极有为的宏观政策，有力有效应对外部挑战，工业生产实现较快增长，带动规模以上工业企业利润增长加快。特别是以装备制造业、高技术制造业为代表的新动能行业利润增长较快，彰显工业经济发展韧性。　　工业企业利润增长加快。1—4月份，规上工业企业利润增长1.4%，较1—3月份加快0.6个百分点，延续恢复向好态势。从行业看，在41个工业大类行业中，有23个行业利润同比增长，增长面近六成。4月份，全国规模以上工业企业利润同比增长3.0%，较3月份加快0.4个百分点。　　装备制造业引领作用突出。随着工业产业优化升级深入推进，装备制造业效益持续提升。1—4月份，装备制造业利润同比增长11.2%，较1—3月份加快4.8个百分点;拉动全部规模以上工业利润增长3.6个百分点，拉动作用较1—3月份增强1.6个百分点，对规模以上工业利润增长的引领作用突出。从行业看，装备制造业的8个行业中，有7个行业利润实现两位数增长，6个行业较1—3月份增速加快，其中，仪器仪表、电气机械、通用设备、电子等行业利润分别增长22.0%、15.4%、11.7%、11.6%，较1—3月份加快6.7个、7.9个、2.2个、8.4个百分点。　　高技术制造业利润增长加快。1—4月份，高技术制造业利润同比增长9.0%，较1—3月份加快5.5个百分点，增速高于全部规模以上工业平均水平7.6个百分点。从行业看，随着制造业高端化持续推进，生物药品制品制造、飞机制造等行业利润同比增长24.3%、27.0%;“人工智能+”行动深入推进，半导体器件专用设备制造、电子电路制造、集成电路制造等行业利润分别增长105.1%、43.1%、42.2%;智能化产品助力数智化转型，相关的智能车载设备制造、智能无人飞行器制造、可穿戴智能设备制造等行业利润分别增长177.4%、167.9%、80.9%。　　“两新”政策效应持续显现。1—4月份，各地区各有关部门用足用好超长期特别国债资金，推动“两新”加力扩围政策继续显效。在大规模设备更新相关政策带动下，专用设备、通用设备行业利润同比分别增长13.2%、11.7%，合计拉动规模以上工业利润增长0.9个百分点。其中，电子和电工机械专用设备制造、通用零部件制造、采矿冶金建筑专用设备制造等行业利润快速增长，增速分别为69.8%、24.7%、18.3%。消费品以旧换新政策加力扩围效果明显，家用电力器具专用配件制造、家用厨房电器具制造、非电力家用器具制造等行业利润分别增长17.2%、17.1%和15.1%。　　“总体看，1—4月份规模以上工业企业利润稳定恢复，展现出我国工业强大韧性和抗冲击能力。但也要看到，国际环境变数仍多，需求不足、价格下降等制约因素仍然存在，工业企业效益稳步恢复的基础还需继续巩固。”于卫宁表示，下阶段，要深入贯彻落实党中央、国务院决策部署，推动科技创新和产业创新融合发展，优化调整产业结构，加快传统产业转型升级，培育壮大新兴产业，促进工业企业效益持续恢复向好。

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半导体

发布时间：2025-05-29 11:40 阅读量：470 继续阅读>>

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什么是氮化镓半导体器件氮化镓半导体器件特点是什么

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氮化镓半导体器件

发布时间：2024-04-09 11:42 阅读量：1084 继续阅读>>

雷卯二极管<span style='color:red'>半导体器件</span>的应用和参数对比

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雷卯二极管半导体器件的应用和参数对比

　　二极管种类区别　　按操作特性进行比较：　　　　器件结构说明对比：　　肖特基二极管由金属与半导体结结形成。在电气方面，它由多数载波进行，具有较低的电流泄漏和正向偏置电压(VF)的快速响应。肖特基二极管广泛应用于高频电路中。　　齐纳二极管由掺杂的P-N半导体结组成。有两种物理效应可以称为泽纳状态(泽纳效应和阿瓦兰奇效应)。当对P-N结施加低反向电压时，由于量子效应而传导，将发生泽纳效应。当大于 5.5 伏特电压反向施加到 PN 结时，产生电子孔对与晶格碰撞时，就会产生 Avalanche 效应。基于齐纳效应的齐纳二极管在电子电路中被广泛用作电压参考源。　　TVS二极管由专门设计的 P-N 半导体结组成，用于浪涌保护。PN 结通常涂覆，以防止在非传导状态期间过早发生电压电弧。当发生瞬态电压事件时，TVS 二极管会使用 Avalanche 效应进行夹紧瞬态电压。TVS二极管广泛应用于电信、通用电子和数字消费市场，用于闪电、ESD和其他电压瞬态保护。　　ESD代表TVS硅保护阵列。它是一系列集成的 PN 结、SSC 或其他硅保护结构，封装在多引脚结构中。ESD可用作电信、通用电子产品和数字消费市场的 ESD、闪电和 EFT 保护的集成解决方案，这些市场存在多个保护机会。例如，它可用于 HDMI、USB 和以太网端口 ESD 保护。

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雷卯

发布时间：2023-05-12 09:19 阅读量：2716 继续阅读>>

氮化镓<span style='color:red'>半导体器件</span>特性氮化镓<span style='color:red'>半导体器件</span>有哪些

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氮化镓半导体器件特性氮化镓半导体器件有哪些

　　氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。　　“GaN”中文名“氮化镓”，是一种新型半导体材料，它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，在早期广泛运用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信等。　　相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导率高、热导率高，其具有临界击穿电场高、电子迁移率高、频率特性好等特点。　　氮化镓（GaN）是最具代表性的第三代半导体材料，成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一，是迄今为止理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。　　氮化镓器件主要包括射频器件和电力电子器件，射频器件产品包括功率放大器和开关器等，主要面向基站卫星、军用雷达等市场；电力电子器件产品包括场效应晶体管等产品，主要应用于无线充电、电源开关和逆变器等市场。　　GaN功率器件包括SBD、常关型FET、级联FET等产品，主要应用于无线充电件、电源开关、逆变器、交流器等领域。随着技术水平的进步与成本控制，GaN材料将在中低功率取代硅基功率器件，在300V~600V电压间发挥优势作用。GaN器件的体积将显著降低：由于导通电阻小、可在高温环境下共奏以及效应速度快，器件体积将显著降低。　　得益于氮化镓材料本身优异的性能，使得做出来的氮化镓比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化镓芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基，此外由于使用氮化镓芯片后还减少了周边的其他元件的使用，电容，电感，线圈等被动件比硅基方案少的多，进一步缩小的体积。

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氮化镓,半导体

发布时间：2023-02-13 10:36 阅读量：2481 继续阅读>>

我国科研人员首次实现“拓扑外尔半导体”，为<span style='color:red'>半导体器件</span>带来新脉络

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我国科研人员首次实现“拓扑外尔半导体”，为半导体器件带来新脉络

　　近日，中国科大合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心和物理系中科院强耦合量子材料物理重点实验室曾长淦教授研究组与王征飞教授研究组实验与理论合作，首次在单元素半导体碲中发现了由外尔费米子主导的手性反常现象以及以磁场对数为周期的量子振荡，成功将外尔物理拓展到半导体体系。　　据悉，该工作首次实现了将新奇拓扑属性和半导体属性有机结合的“拓扑外尔半导体”。如果把费米能级从价带调到能隙，会发生金属 - 绝缘体转变，并伴随拓扑非平庸态到平庸态的转变，这一外尔半导体独有的特性不存在于外尔半金属。外尔半导体的发现为设计新型拓扑半导体器件提供了新思路。　　图源：中科大　　目前，该研究成果已发表在《Proceedings of the National Academy of Sciences》(PNAS)上。同时，该工作还得到了国家自然科学基金、科技部、中科院以及安徽省的资助。　　在新型量子材料中，具有特殊能带结构的拓扑材料也兼具新奇电子输运特性。相关研究不仅可以加深对于拓扑物态的理解，更有望推动新型高性能电子学器件的发展。一个典型的代表是目前引起广泛关注的外尔半金属体系，其输运研究往往表现出超大非饱和磁阻、平行磁场下的负磁阻效应、平面霍尔效应等诸多特性，而表面外尔弧更是提供了高迁移率和低功耗的电子学通道。这些特性都源自费米面附近外尔费米子的存在。　　迄今为止，对于外尔费米子以及外尔物理的研究都局限于半金属体系。然而从器件应用角度，半导体相对于半金属有其独特的价值。　　该研究团队通过物理气相沉积法制备出高质量碲单晶，其空穴自掺杂特性使费米能级处于价带顶，进而显著增强了外尔费米子对输运性质的影响。　　低温输运研究进一步揭示了碲单晶表现出由于手性反常导致的典型磁输运特征。借助于合肥中科院强磁场科学中心以及武汉国家脉冲强磁场科学中心的强磁场装置，该团队更进一步发现了罕见的以磁场对数为周期的磁阻和霍尔电阻量子振荡。

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拓扑外半导体

发布时间：2020-05-19 00:00 阅读量：1571 继续阅读>>

600亿美元,最高25%关税,美国进口产品涉及多个<span style='color:red'>半导体器件</span>

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600亿美元,最高25%关税,美国进口产品涉及多个半导体器件

近期，美国或将对160亿美元进口自中国的商品征收25%的关税。8月2日，美方又宣布要把对中国2000亿美元输美产品的征税税率由10%提高到25%。 8月3日，国务院关税税则委员会办公室发布公告称，针对美方单方面再次升级贸易摩擦，中方被迫采取反制措施。经国务院批准，国务院关税税则委员会决定对原产于美国的5207个税目约600亿美元商品，加征25%、20%、10%、5%不等的关税。涉及哪些半导体产品在清单中，涉及到包括拟对原产于美国的片式钽电容器，片式铝电解电容器，其他铝电解电容器，单层瓷介电容器，片式多层瓷介电容器，其他纸介质或塑料介质电容器，其他固定电容器，其他可变或可调(微调)电容器，合成或薄膜式固定碳质电阻器，额定功率≤20W 片式固定电阻器，额定功率＞20W 电位器，各种电阻器零件，未录制信息的闪速存储器、发光二极管LED、发光二极管显示屏、电压≤1000V的电路保护装置，电压＞60V的继电器、耗散功率<1W的晶体管、半导体及可控硅等开关元件、＞四层和≤四层的印刷电路等加征25%的关税。截选出对美加征25%关税涉及到半导体产品页面：具体见下图另外还拟对其他钽电容器，其他多层瓷介电容器，片式纸介质或塑料介质电容器，额定功率≤20W其他固定电阻器，其他额定功率＞20W 固定电阻器，额定功率≤20W 线绕可变电阻器等加征20%的关税。清单涉及的铝电解电容、钽电容市场格局这个清单中涉及到钽电容、铝电解电容、片式多层瓷介电容MLCC等。从铝电解电容市场格局看，日本、中国台湾地区、韩国和中国大陆是全球铝电解电容器的主要生产国家和地区，全球前五大铝电解电容器厂商有四家是日本企业，包括Chemi-con、Nichicon、Rubycon 和 Panasonic。日系的还有TDK-EPCOS等。韩国有三莹、三和等。台湾地区立隆电子，中国大陆艾华集团、江海股份等。美国厂商有CDE，主要生产铝电解电容、薄膜电容等。从市场份额来看，美国厂商的占比不高。MLCC全球大厂主要有村田、三星电机，国巨，太阳诱电，TDK，AVX，基美等，该市场主要由日系、韩系、台系厂商为主力，其中村田、三星、国巨、太阳诱电市占合计78%。钽电容市场：随着电子产品趋向便捷式，以及电子整机更新换代周期的缩短，轻、薄、短、小及数字化要求的提高，片式电容器发展将会越来越强劲，替代传统的引线式电容器已是大势所趋。近几年来，在全球引线式钽电容市场以年均3%～5%的速度下降同时，片式钽电解电容器的市场正以年均25%～30%的速度迅猛增长。同时催生出手机、电脑、汽车电子、家用和办公电器整机体积的不断缩小，更要求片式钽电解电容器向高性能、高可靠性、超小型方向发展。目前世界发达国家电子元件片式化率达90%以上，我国亦超过80%。我国是一个片钽需求大国，目前大部份产品依赖于国外进口。全球钽电解电容器的产量从1995年的110亿只到2011年增至475亿只，2012年至2017年继续保持15%以上的增速，2017年达到1000亿只。目前以美国Vishay、KEMET、AVX 公司为代表的国际钽电容器制造商，掌握和积累了钽电容器的核心技术和关键材料，且其钽电容器生产设备仪器先进、精度高、可控性强、效率高，无论是企业的规模，产品的可靠性、一致性，大容量、低 ESR 新产品开发等方面均领先于国内钽电容器企业。市场份额看，AVX和KEMET约占60%的钽电容份额，此外还有NEC，VISHAY，NICHICON，罗姆,松下三洋，三星电机，松尾电机，Abracon等品牌厂商。在这个市场，基美公司（KEMET）是全球最知名的电容器生产商之一，在无源电子技术领域占有全球领先地位。公司总部座落于美国南卡罗莱纳州格林维尔市（Greenville， SC），在美国、中国、墨西哥、德国等10多个国家拥有二十多个生产基地，并拥有遍布全球的销售和分销网络，业务范围涉及大型工业应用，新能源，消费类电子，通讯，基础设施等多个领域。2007年，基美公司正式收购了阿可电子（意大利）和伊沃福斯瑞法（芬兰）铝电解电容、纸质电容和薄膜电容公司。基美在薄膜电容器行业以优质的产品和先进的技术而闻名，其钽电容销量位居全球第一。美国威世（Vishay）是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。Vishay 的全球足迹包括在中国, 亚洲其他五个国家/地区, 欧洲及美洲设立的制造机构, 以及在全球开设的销售办事处。AVX公司产品范围涵盖众多的无源元器件，优质互连接产品，包括陶瓷和钽电容器，薄膜电容器，定时器件，铁氧体器件，集成的无源元器件。AVX在遍布全世界16个国家设立了29个研发、设计、制造和客户服务机构。从他们的全球据点来看，这些厂商对生产制造的布局相对分散。目前，从国际电子商情对电容市场的追踪报道中不难看到，铝电解电容厂商已陆续发布涨价通知，供需受原材料的影响，价格呈上升态势；富昌电子2018年第二季度元器件市场报告显示，AVX、vishay钽电容交期延长，分别为20-28周和15-20周。其中AVX所有尺寸的货期均延长，VISHAY的小尺寸A&B货期延长。AVX、Panasonic聚合物钽电容的交期也延长，分别为14-20周和12-16周，VISHAY的交期相对稳定，为12-14周。根据供应链公司人士解读，按照现阶段措施，只要原产地显示是美国的，列于清单中的进口半导体都将开征关税。届时将对半导体市场尤其是一些正处于缺货以及价格上涨的半导体器件带来必然的影响。目前最终措施和生效时间还未确定，不过对涉及相关美国进口产品的企业提出了警示与提前应对。

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中美贸易

发布时间：2018-08-08 00:00 阅读量：1802 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
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