广和通率先发布基于MediaTek T930 平台的5G模组FG390
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广和通率先发布基于MediaTek T930 平台的5G模组FG390

　　5月19日，全球领先的无线通信模组和AI解决方案提供商广和通率先发布基于MediaTek T930平台的5G模组FG390系列。FG390系列模组为以5G固定无线接入(Fixed Wireless Access，FWA)为代表的MBB终端产品而设计，将在CPE，ODU，MiFi，企业网关，工业网关等相关应用场景以先进的无线通信技术加速FWA产业发展。　　广和通FG390是一款高集成、高性能的5G模组。其搭载先进的MediaTek T930芯片平台，采用4nm制程工艺，集成MediaTek M90 5G调制解调器、四核ARM Cortex-A55 CPU同时提供完备的功能和配置，支持 3GPP Release-18 标准，可支持5G NR Sub-6GHz下的下行链路6载波聚合(6CC CA)以及上行链路5-layer 3Tx传输，最大SA下行峰值可达10Gbps，上行峰值可达2.8Gbps，提供卓越的5G高速体验。此外，FG390还支持200MHz 带宽的8Rx技术，能够在小区(Cell)边缘有效提升40%的频谱效率，从而使得信号覆盖范围得到大幅延伸。FG390还可以搭配专用 NPU 芯片组成AI网关设备，在AI的加持下提供先进的网络设备交互功能。　　在5G-A 与AI技术双轮驱动、高速融合的时代，FG390系列将以领先的技术规格和性能，创新的新特性和丰富的外围配套组件在家庭和企业场景中赋能数字化转型和迭代，助力运营商和公开市场在通信终端领域的投资和回报进一步加速。
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发布时间：2025-05-20 10:33 阅读量：180 继续阅读>>
Littelfuse：首款采用DO-214AB紧凑型封装的2kA保护晶闸管
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Littelfuse：首款采用DO-214AB紧凑型封装的2kA保护晶闸管

　　Littelfuse宣布推出Pxxx0S3G-A SIDACtor®保护晶闸管系列，该产品是业内首款采用DO-214AB (SMC) 紧凑型封装的2kA晶闸管。Pxxx0S3G-A系列旨在保护恶劣环境中的设备免受严重过压瞬变的影响，使工程师能够实现更高的产品小型化，同时保持出色的保护性能并符合监管标准。　　Littelfuse汽车TVS产品营销总监Charlie Cai表示：“Pxxx0S3G-A系列以紧凑的封装提供强大的高浪涌电流保护，使设计人员能够在不牺牲可靠性或合规性的情况下实现产品小型化。这对于车载充电器、电动汽车充电站、工业自动化电源和太阳能逆变器等暴露于高能浪涌事件的应用尤为重要”。　　主要功能和特点　　紧凑尺寸下的高浪涌保护：Pxxx0S3G-A系列采用DO-214AB(SMC)封装，可提供2kA(8/20µs)浪涌保护，是能够实现如此高功率密度的最小封装;　　增强设计灵活性：与需要较大TO-262封装的传统解决方案相比，DO-214AB外形小巧，更容易集成到空间受限的设计中，包括物联网设备、高功率密度工业设备和医疗电源;　　可靠性和长寿命：Pxxx0S3G-A系列与随着时间推移而降级的传统解决方案不同，它能承受瞬变而不降级，从而确保对设备的长期保护并降低维护成本;　　符合车规级标准：该系列完全符合AEC-Q101车规标准，是车载充电机(OBC)保护、BEV/PHEV保护和汽车电池充电系统等汽车应用的理想之选。　　市场和应用　　Pxxx0S3G-A系列专为在各种苛刻环境中提供稳健保护而设计，包括：　　汽车和电动汽车(EV)系统：保护车载充电机(OBC)、BEV和PHEV电池充电系统以及电动汽车壁式充电器免受高能浪涌事件的影响;　　工业和工厂自动化：在恶劣的运行条件下保护电源和大功率配电网;　　可再生能源系统：确保太阳能系统直流/交流逆变器和储能系统在电涌波动情况下的可靠性;　　信息和通信技术(ICT)：确保不间断电源(UPS)和交流大功率配电网中敏感设备的安全。　　与传统解决方案比较　　传统解决方案往往因其笨重的设计而面临挑战，随着时间的推移，这种设计可能会失效，从而降低其保护功效。Pxxx0S3G-A结构更为紧凑，浪涌额定值非常适合高度暴露的应用。与采用TO-262M封装的Pxxx0FNL 3kA SIDACtor系列相比，它具有明显的优势，所需的电路板空间减少了约50%。　　这款新产品是一次飞跃，是首款能够处理2kA(8/20)浪涌的DO-214AB尺寸产品。在此之前，要达到这样的保护水平，必须使用大得多的TO-262封装。　　供货情况
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发布时间：2025-05-19 10:40 阅读量：209 继续阅读>>
Littelfuse：适用于高频功率应用的IXD2012NTR高压侧和低压侧栅极驱动器
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Littelfuse：适用于高频功率应用的IXD2012NTR高压侧和低压侧栅极驱动器

　　Littelfuse宣布推出高压侧和低压侧栅极驱动器IXD2012NTR，设计用于驱动两个采用半桥配置的N沟道MOSFET或IGBT。该IXD2012NTR针对高频电源应用进行了优化，具有卓越的开关性能和更高的设计灵活性。　　IXD2012NTR可在10V~20V的宽电压范围内工作，并在自举操作中支持高达200 V的高压侧开关，其逻辑输入与低至3.3 V的标准TTL和CMOS电平兼容，可确保与各种控制设备无缝集成。IXD2012NTR具有1.9A拉电流和2.3A灌电流输出能力，可提供强大的栅极驱动电流，是高速开关应用的理想选择。　　该器件集成的交叉传导保护逻辑可防止高压侧和低压侧输出同时开启，同时通过高集成简化了电路设计。IXD2012NTR采用紧凑型SOIC(N)-8封装，工作温度范围在-40℃~+125℃，即使在恶劣工况条件下也能提供可靠的性能。　　主要功能和特点　　高速开关性能：驱动两个采用半桥配置的N沟道MOSFET或IGBT;　　宽工作电压范围：10V~20V，适合各种电源管理应用;　　高压侧开关能力：在自举配置下，最高工作电压可达200V;　　兼容性和灵活性：逻辑输入兼容低至3.3V的TTL和CMOS电平，便于与控制器连接;　　输出电流驱动能力：1.9A拉电流输出和2.3A灌电流输出，可提供稳定的栅极驱动电流;　　提高效率和集成度：集成的交叉传导保护可降低功率损耗并简化设计;　　行业标准引脚排列：确保现有设计的直接替换能力。　　Littelfuse半导体业务部集成电路事业部产品经理June Zhang表示：“IXD2012NTR可直接替代常用的行业标准栅极驱动设备，我们产品组合中的这一新增成员为客户提供了可靠的替代电源，以满足苛刻的生产计划，同时提供卓越的高速性能。”　　适用于多样化的市场和应用　　IXD2012NTR通过提供新的200V器件，增强了Littelfuse高压侧和低压侧栅极驱动器产品组合，支持各种高频应用，包括：　　直流-直流转换器;　　交流-直流逆变器;　　电机控制器;　　D类功率放大器。　　IXD2012NTR适用于以下多个市场：　　一般工业和电气设备;　　家用电器;　　楼宇解决方案;　　储能;　　太阳能;　　电动工具。
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发布时间：2025-05-13 10:40 阅读量：230 继续阅读>>
Littelfuse：用于800V BEV系统应用的1300V A级沟槽式IGBT
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Littelfuse：用于800V BEV系统应用的1300V A级沟槽式IGBT

　　Littelfuse推出新型1300V A5A沟槽分立式IGBT，专为800V电动汽车(BEV)应用而设计。这些IGBT具有优化的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))、强大的短路能力和更大的电流范围。特别适用于PTC加热器、放电电路和预充电系统等应用，这些应用的重点是更高的浪涌电流和低导通压降，而不是高开关频率。　　背景　　汽车行业正积极拥抱可持续发展，其中电动汽车(BEV)因其高效率和零尾气排放而走在前列。2023年，BEV和插电式混合动力电动汽车(PHEV)的全球销量达到1360万辆，比2022年增长了31%。据预测，这一数字在未来几年还将加速增长。　　尽管有所增长，但挑战依然存在。过高的成本、过长的充电时间和有限的行驶里程继续阻碍着它的广泛应用。为了解决这些问题，制造商正在推出800V BEV系统。这种更高的电压架构可加快充电速度，大大减少充电时间和成本。　　硅技术并未消亡　　自电动汽车(EV)大规模应用的最初几年起，碳化硅(SiC)和其他宽带隙(WBG)技术就被认为是各种BEV子系统的理想候选材料。与硅相比，WBG材料具有更高的带隙和更大的击穿电压，因此可以实现更高的电流密度、更高的开关频率并降低总体损耗。这些优点使系统设计人员能够提高效率、缩小体积和减轻重量，特别是在允许高开关频率的应用中。因此，正如大量研究表明的那样，碳化硅已成为牵引逆变器的主流技术，但也有一些例外。　　硅制造工艺的成熟性、丰富的可选项、较低的成本、较简单的栅极驱动方法以及器件的可靠性，使得硅功率MOSFET和IGBT仍然是WBG技术的可行替代品。选择合适的器件取决于技术娴熟的设计人员，而作为供应商，我们有责任提供全面的选择，以满足不同的需求和偏好。　　在需要低开关频率的应用中，传导损耗和热设计的简易性都是至关重要的因素。WBG器件固有的高功率密度会给热管理带来挑战，而硅IGBT和MOSFET较大的芯片面积则有利于在这些情况下更轻松地进行热管理。　　电动汽车有复杂的电路，包括一些对半导体开关频率要求不高的子系统。　　应用　　热管理PTC子系统、预充电电路和放电电路中的并不一定需要更高的开关频率。相反，它们需要低传导损耗、高浪涌电流能力半导体器件，以实现高可靠性。　　BEV的热管理　　传统内燃机(ICE)汽车本身会产生大量的热能浪费，而电动汽车则不同，它的效率要高得多。但这种效率的后果是，它们不会产生足够的废热来加热。　　电动汽车(EV)有两个与热管理相关的重要要求：　　电动汽车电池调节　　在寒冷环境条件下的车内空间加热　　在寒冷的环境温度下，PTC加热器和热泵可用于调节电池以达到最佳性能，产生的热量还可用于车内空间加热。PTC加热器的典型电路配置如下所示。　　在这种应用中，IGBT的开关频率从几十赫兹到几百赫兹不等。低导通压降、可靠耐用(短路能力)和良好的半导体热性能是这一应用的关键因素。　　放电电路　　800V BEV系统中直流母线电容器的放电要求，高压电池电动汽车的关键安全协议要求在两种不同的运行情况下对直流母线电容器进行放电：　　正常运行关闭　　紧急情况，如碰撞后或严重故障检测　　这些放电机制是基本的安全功能，旨在降低车内人员和维修人员触电的风险，同时防止潜在的火灾危险。根据制造商的风险评估协议，这种应用通常被划分为汽车安全完整性B级(ASIL-B)。　　在800V BEV架构中，标称电池电压属于B类电压(60V 1500V)。根据ISO 6469-4安全规定，系统必须确保在紧急情况下快速降低电压。具体来说，在碰撞后车辆停止后的5秒内，总线电压必须降至并保持在直流60V以下。　　直流母线电容器可通过IGBT放电。需要时，打开IGBT，通过与IGBT串联的Rdis电阻器对电容器中的所有能量进行放电。具有高浪涌电流能力的可靠IGBT对于这种应用非常重要。　　预充电电路　　预充电电路通常用于电动汽车(EV)，包括电池管理系统和车载充电器，以及电源和配电装置等工业应用。在电动汽车中，控制器不仅要处理高电容电气元件，还要通过控制电机的功率流来确保电机平稳高效地运行。预充电电路中的高压正负接触器可安全地连接和断开电容器的电源，防止启动时产生过大的浪涌电流。它们可确保充电受控，并在必要时通过隔离组件来维护系统安全。如果没有预充电电路，接触器在闭合过程中可能会发生熔化，导致短暂电弧和潜在损坏。　　在上述电路中，有两个大电流、高电压接触器S1和S2，以及一个单独的预充电开关T1和一个直流链路电容器C1，它们与负载(如牵引逆变器)并联。起初，两个大电流接触器S1和S2都处于断开状态，将高压蓄电池与负载的两个端子隔离。预充电开始时，开关T1(1300V A5A IGBT)与高压负极接触器S1一起闭合，使直流链路电容器充电至与蓄电池相同的电压。预充电过程结束后，开关T1打开，高压正极接触器S2关闭。由于直流链路电容器在高压正极和负极接触器闭合之前已经充电，因此不会产生明显的浪涌电流。1300V A5A IGBT具有很高的浪涌电流能力，因此非常适合这种应用。　　Littelfuse提供1300V A5A沟槽式IGBT　　为了满足800V BEV不断发展的需求，Littelfuse推出了全新系列的1300V沟槽分立式IGBT，如下图6所示。这些器件专为需要降低传导损耗(Pcond)、良好热性能和可靠性的应用而设计。该系列的A级IGBT具有优化的低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))，从而提高了低频开关性能。这些IGBT具有高达10µsec的短路可靠性。这一特性尤其适用于关键的BEV系统，如对车内空间加热和电池调节至关重要的PTC加热器。此外，这些IGBT还可用于预充电和放电电路。　　该系列包括集电极电流为15A、30A、55A和85A(外壳温度为110°C)的单通道IGBT。封装选项有SMD TO-263HV、TO-268HV和插件TO-247。与传统的三引脚TO-263和TO-268封装相比，SMD封装的HV版本具有更强的爬电和电气距离。　　性能和优势　　更高的击穿电压BVCES：1300V击穿电压专为800V BEV架构定制，适用于乘用车和重型卡车。1300V额定电压可为直流母线电压提供缓冲，直流母线电压会根据电池的充电状态而波动，然而1200V额定电压的器件可能会带来应用风险。　　1300V的器件电流范围更广：集电极电流范围为15A至85A(110°C时)，可满足乘用车和重型车辆的各种应用要求。　　传导能量损耗最小化Econd：该系列是1300V IGBT中VCE(饱和)值最低的产品之一，有效地将传导损耗降至最低。这一特性不仅提高了效率，还缓解了热设计难题。　　短路能力tSC：1300V IGBT可处理长达10微秒的短路能力，因此适用于需要更高可靠性的汽车应用。　　封装：表面贴装分立封装包括TO-263HV、TO-268HV和插件TO-247。这些SMD封装的高压(HV)版本与标准3引脚版本相比，改善了爬电距离和电气距离。　　结束语　　随着汽车行业向更高电压架构的电动汽车转变，硅IGBT对于要求较低开关频率和最小传导损耗的应用仍然至关重要。Littelfuse的1300V A级沟槽式IGBT系列可满足800V BEV子系统的特殊需求，特别是在PTC加热器、放电电路和预充电应用中。这些IGBT具有低VCE(饱和)、短路能力和宽电流范围。同时提供SMD和插件封装，具有更强的爬电和电气距离，为设计提供了灵活性。
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发布时间：2025-04-22 15:46 阅读量：351 继续阅读>>
Littelfuse：KSC XA轻触开关提供声音柔和轻触反馈，增强用户体验
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Littelfuse：KSC XA轻触开关提供声音柔和轻触反馈，增强用户体验

　　Littelfuse宣布推出 KSC XA系列柔和声音轻触开关 ，为需要安静、可靠触觉反馈的应用提供了一项关键解决方案。KSC XA开关专为表面贴装技术(SMT)应用而设计，提供创新的柔和声音，带来更安静的用户体验，扩展笼可实现灌封兼容性，高驱动力选项确保了精确、周密的操作。这些特性使KSC XA开关非常适合对降噪、耐用性和可靠性有着更高要求的行业，例如汽车、医疗、工业和高档消费电子产品。　　KSC XA系列为工程师提供了一项创新组合，兼具柔和的轻触反馈、紧凑的尺寸和高度的环境耐受性。KSC XA开关具有IP67防尘和防潮等级，并采用坚固的硬驱动器设计，可确保在恶劣环境中保持持久的性能。其扩展笼设计支持以灌封材料封装，提供额外的防腐蚀和环境压力保护。　　主要功能与特色：　　柔和声音：增强用户体验，尤其是在对噪音敏感的环境中;　　扩展笼：实现灌封兼容性，增强对恶劣环境的保护;　　高驱动力(高达9.6N)：提供精确的有意按钮触发，减少意外激活;　　IP67级密封：确保耐久性，防潮、防尘、防碎屑;　　使用寿命长：多达100万次循环，具有卓越的可靠性;　　J形弯曲端子：支持高效的SMT组装，简化大批量生产;　　紧凑尺寸(6.2x6.2x4.9mm)：非常适合空间有限的应用;　　环保：低卤素，符合RoHS和REACH标准，与无铅回流焊接工艺兼容。　　“KSC XA系列以多功能KSC轻触开关系列的成功为基础，为柔和声音和灌封兼容性引入了新的标准。”Littelfuse公司EBU开关和传感器研发欧洲研发总监Laurent Kubat表示，“这些轻触开关以紧凑的外形提供可靠、低噪音的操作，非常适合汽车方向盘、智能家居设备和外科手术器械等要求苛刻的应用。KSC XA提供耐用且多功能的解决方案，减少了频繁更换的需求，并为客户确保了长期性能。”　　目标市场和应用　　KSC XA轻触开关旨在满足各类应用需求，包括：　　汽车：方向盘按钮、仪表板控制、车窗开关和座椅控制;　　医疗：诊断设备、患者控制设备和监护仪;　　工业：工厂自动化、测试和测量设备以及智能电表;　　高端消费电子产品：耳机、高级遥控器、智能家居设备和人体工学产品。　　KSC XA系列将用户偏爱的安静操作与强大的环保性能相结合，为轻触开关树立了新的标杆。它能够在满足恶劣应用需求的同时增强用户体验，这一特性使其成为Littelfuse/C&K产品组合的重要组成部分。
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发布时间：2025-04-22 15:43 阅读量：323 继续阅读>>
双核智控，破界芯生|国内首款Arm® Cortex®M7+M4双核异构MCU发布
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双核智控，破界芯生|国内首款Arm® Cortex®M7+M4双核异构MCU发布

　　国民技术宣布发布国内首款基于Arm® Cortex®M7+M4双核异构实现的N32H78x系列高性能MCU，以及基于Arm® Cortex®M7内核实现的N32H76x系列高性能MCU。N32H78x系列包含N32H785、N32GH785EC、N32H787、N32H788四大系列，N32H76x系列包含N32H760、N32H762、N32H765、N32H765EC四大系列。　　N32H78x/N32H785EC/N32H76x/N32H765EC系列MCU是国民技术面向具身机器人、工业控制等智控领域推出的标杆产品，系列产品具有超强算力、超快响应、超高精度、高可靠性与高安全性等优势特点，在变频器、伺服、PLC等通用工业控制领域，工业/人形机器人、电梯等高性能电机控制领域，光伏逆变器、拉弧检测、储能BMS、汽车OBC、充电桩等新能源领域，以及工业显示屏、仪表、人脸识别等HMI方面具有应用优势。　　高性能MCU产品优势特点　　● 强劲内核　　─ N32H78x(M7+M4)，N32H76x(M7)　　✔ Cortex-M7：coremark 3200，1284DMIPS (Cortex-M7 @600MHz)　　✔ Cortex-M4F：375 DMIPS (Cortex-M4F @300MHz)　　✔ 支持DSP指令和MPU，双精度浮点运算　　─ Up to 4MB 片内Flash(存储加密)　　─ Up to 1504 KB片内SRAM　　─ 支持扩展存储(1xFEMC，1xxSPI，1xSDRAM，Up to2xSDMMC)　　● 高性能协处理器　　─ 支持浮点数据处理的Cordic算法加速器　　─ 滤波算法加速器(FMAC)　　─ Delta Sigma模块单元(DSMU)　　─ 加解密算法加速器，支持AES/TDES/SHA、商密算法　　● 丰富的通讯接口，更快更灵活　　─ 2xUSB HS OTG with HS USB PHY　　─ 1x100Mbit & 1xGigabit Ethernet　　─ 1x100Mbit/s EtherCAT从站接口( ESC )(H7x5EC only)　　─ Up to 8 x CAN FD (with 4 x TT-CAN )　　─ Up to 15xU(S)ART(其中3个UART支持任意I/O映射)，TX/RX buffer, TX/RX pin swap　　─ Up to 2xLPUART　　─ Up to 7xSPI/4xI2S　　─ Up to 10xI2C　　● 高性能模拟外设　　─ 3x12bit 5Msps ADC, 单端/差分模式，52通道　　─ 4x12bit 15Msps DAC,2x12bit 1Msps DAC　　─ 4xComparator(22ns传输延迟)　　● 超高精度定时器　　─ 2x16bit SHRTIM支持,12通道100ps超高分辨率PWM输出　　─ 灵活的PWM配置,可适应各种电源拓扑结构灵活的内外部事件联动响应机制,快速响应各类故障并进行保护　　─ 4x16bit ATIM　　─ 10x16bit GTIM　　─ 4x32bit BTIM　　─ 5x16bit LPTIM　　● 增强图像功能　　─ 2xDVP　　─ 1xMIPI(内置D-PHY，N32H787/8 only)　　─ 1xTFT-LCD(分辨率 up to 1920x1080)　　─ 内置2.5D GPU　　─ 硬件JPEG编解码器　　● 工业级安全及高可靠性　　─ -40~105℃环境工作温度　　─ Flash支持ECC，SRAM支持ECC和奇偶校验　　─ 外部时钟失效检测　　─ ESD(HBM)：+/-4KV　　─ EFT：IEC 61000-4-4 PASS 4A　　─ 符合IEC61508/IEC60335/IEC60730 Class B安全标准　　产品主要资源
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发布时间：2025-04-21 13:38 阅读量：331 继续阅读>>
Littelfuse：PTS845轻触开关系列使用寿命延长至百万次满足高使用率应用
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Littelfuse：PTS845轻触开关系列使用寿命延长至百万次满足高使用率应用

　　Littelfuse宣布C&K Switches PTS845系列侧面操作轻触开关的耐用性现已得到提升。PTS845系列专为满足电子工程师的需求而设计，提供紧凑的封装和多功能的设计选择，使工程师能够释放PCB空间、增加功能或缩小设计的整体尺寸。　　PTS845系列的尺寸仅为4.5×3.4×3.3mm，可提供80、160和260gf的操作力，适用于各种高使用率应用。其创新的支架钉设计能确保卓越的安装强度，高达1,000,000次循环的额定使用寿命，为在苛刻环境中使用提供了无与伦比的可靠性。　　功能和优势　　紧凑型设计：空间有限的PCB布局的理想选择;　　延长使用寿命：额定循环次数高达1,000,000次，提供持久性能;　　灵活的选项：提供多种操作力级别(80、160、260gf)和驱动器颜色，以实现差异化;　　增强的安装强度：支架钉设计确保在PCB上牢固放置。　　市场和应用　　PTS845系列专为对耐用性、可靠性和紧凑尺寸要求极高的应用而设计：　　电信：移动无线电;　　消费类电子产品：行车记录仪、游戏外设;　　智能家居：智能设备和控制系统。　　适用于高端应用的紧凑型解决方案　　“PTS845系列为工程师提供了一个紧凑而强大的解决方案，力求在优化PCB空间的同时确保高使用率应用的高性能。”Littelfuse电子业务部设计中心经理Junbao Chen表示， “它结合了紧凑的尺寸、耐用的结构和多种操作力选项，满足了最终用户应用的最常见需求，是Littelfuse轻触开关产品组合的重要补充。支架钉设计进一步提高了产品的质量和可靠性，确保其满足高端消费市场的需求。”　　PTS845系列为何脱颖而出　　PTS845系列允许设计工程师在不牺牲耐用性或性能的前提下，创造出时尚、高效的设计。PTS845系列能够承受高达1,000,000次的工作循环，且具有多样化功能，是消费类电子产品、电信设备和智能家居产品的高性价比解决方案。
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发布时间：2025-04-07 13:57 阅读量：381 继续阅读>>
Littelfuse推出用于800V BEV系统应用的1300V A级沟槽式IGBT
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Littelfuse推出用于800V BEV系统应用的1300V A级沟槽式IGBT

　　Littelfuse推出新型1300V A5A沟槽分立式IGBT，专为800V电动汽车(BEV)应用而设计。这些IGBT具有优化的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))、强大的短路能力和更大的电流范围。特别适用于PTC加热器、放电电路和预充电系统等应用，这些应用的重点是更高的浪涌电流和低导通压降，而不是高开关频率。　　背景　　汽车行业正积极拥抱可持续发展，其中电动汽车(BEV)因其高效率和零尾气排放而走在前列。2023年，BEV和插电式混合动力电动汽车(PHEV)的全球销量达到1360万辆，比2022年增长了31%。据预测，这一数字在未来几年还将加速增长。　　尽管有所增长，但挑战依然存在。过高的成本、过长的充电时间和有限的行驶里程继续阻碍着它的广泛应用。为了解决这些问题，制造商正在推出800V BEV系统。这种更高的电压架构可加快充电速度，大大减少充电时间和成本。　　硅技术并未消亡　　自电动汽车(EV)大规模应用的最初几年起，碳化硅(SiC)和其他宽带隙(WBG)技术就被认为是各种BEV子系统的理想候选材料。与硅相比，WBG材料具有更高的带隙和更大的击穿电压，因此可以实现更高的电流密度、更高的开关频率并降低总体损耗。这些优点使系统设计人员能够提高效率、缩小体积和减轻重量，特别是在允许高开关频率的应用中。因此，正如大量研究表明的那样，碳化硅已成为牵引逆变器的主流技术，但也有一些例外。　　硅制造工艺的成熟性、丰富的可选项、较低的成本、较简单的栅极驱动方法以及器件的可靠性，使得硅功率MOSFET和IGBT仍然是WBG技术的可行替代品。选择合适的器件取决于技术娴熟的设计人员，而作为供应商，我们有责任提供全面的选择，以满足不同的需求和偏好。　　在需要低开关频率的应用中，传导损耗和热设计的简易性都是至关重要的因素。WBG器件固有的高功率密度会给热管理带来挑战，而硅IGBT和MOSFET较大的芯片面积则有利于在这些情况下更轻松地进行热管理。　　电动汽车有复杂的电路，包括一些对半导体开关频率要求不高的子系统。　　应用　　下图展示了电动汽车中的通用电池分配单元(BDU)。　　热管理PTC子系统、预充电电路和放电电路中的并不一定需要更高的开关频率。相反，它们需要低传导损耗、高浪涌电流能力半导体器件，以实现高可靠性。　　BEV的热管理　　传统内燃机(ICE)汽车本身会产生大量的热能浪费，而电动汽车则不同，它的效率要高得多。但这种效率的后果是，它们不会产生足够的废热来加热。　　电动汽车(EV)有两个与热管理相关的重要要求：　　电动汽车电池调节　　在寒冷环境条件下的车内空间加热　　在寒冷的环境温度下，PTC加热器和热泵可用于调节电池以达到最佳性能，产生的热量还可用于车内空间加热。PTC加热器的典型电路配置如下所示。　　在这种应用中，IGBT的开关频率从几十赫兹到几百赫兹不等。低导通压降、可靠耐用(短路能力)和良好的半导体热性能是这一应用的关键因素。　　放电电路　　800V BEV系统中直流母线电容器的放电要求，高压电池电动汽车的关键安全协议要求在两种不同的运行情况下对直流母线电容器进行放电：　　正常运行关闭　　紧急情况，如碰撞后或严重故障检测　　这些放电机制是基本的安全功能，旨在降低车内人员和维修人员触电的风险，同时防止潜在的火灾危险。根据制造商的风险评估协议，这种应用通常被划分为汽车安全完整性B级(ASIL-B)。　　在800V BEV架构中，标称电池电压属于B类电压(60V 1500V)。根据ISO 6469-4安全规定，系统必须确保在紧急情况下快速降低电压。具体来说，在碰撞后车辆停止后的5秒内，总线电压必须降至并保持在直流60V以下。　　典型的放电电路如下图所示。　　直流母线电容器可通过IGBT放电。需要时，打开IGBT，通过与IGBT串联的Rdis电阻器对电容器中的所有能量进行放电。具有高浪涌电流能力的可靠IGBT对于这种应用非常重要。　　预充电电路　　预充电电路通常用于电动汽车(EV)，包括电池管理系统和车载充电器，以及电源和配电装置等工业应用。在电动汽车中，控制器不仅要处理高电容电气元件，还要通过控制电机的功率流来确保电机平稳高效地运行。预充电电路中的高压正负接触器可安全地连接和断开电容器的电源，防止启动时产生过大的浪涌电流。它们可确保充电受控，并在必要时通过隔离组件来维护系统安全。如果没有预充电电路，接触器在闭合过程中可能会发生熔化，导致短暂电弧和潜在损坏。　　其中一种预充电电路拓扑结构如下图所示。　　在上述电路中，有两个大电流、高电压接触器S1和S2，以及一个单独的预充电开关T1和一个直流链路电容器C1，它们与负载(如牵引逆变器)并联。起初，两个大电流接触器S1和S2都处于断开状态，将高压蓄电池与负载的两个端子隔离。预充电开始时，开关T1(1300V A5A IGBT)与高压负极接触器S1一起闭合，使直流链路电容器充电至与蓄电池相同的电压。预充电过程结束后，开关T1打开，高压正极接触器S2关闭。由于直流链路电容器在高压正极和负极接触器闭合之前已经充电，因此不会产生明显的浪涌电流。1300V A5A IGBT具有很高的浪涌电流能力，因此非常适合这种应用。　　下图显示的是Littelfuse的BDU演示板，其中包含一个1300V A5A IGBT。　　Littelfuse提供1300V A5A沟槽式IGBT　　为了满足800V BEV不断发展的需求，Littelfuse推出了全新系列的1300V沟槽分立式IGBT，如下图6所示。这些器件专为需要降低传导损耗(Pcond)、良好热性能和可靠性的应用而设计。该系列的A级IGBT具有优化的低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))，从而提高了低频开关性能。这些IGBT具有高达10µsec的短路可靠性。这一特性尤其适用于关键的BEV系统，如对车内空间加热和电池调节至关重要的PTC加热器。此外，这些IGBT还可用于预充电和放电电路。　　该系列包括集电极电流为15A、30A、55A和85A(外壳温度为110°C)的单通道IGBT。封装选项有SMD TO-263HV、TO-268HV和插件TO-247。与传统的三引脚TO-263和TO-268封装相比，SMD封装的HV版本具有更强的爬电和电气距离。　　性能和优势　　更高的击穿电压BVCES：1300V击穿电压专为800V BEV架构定制，适用于乘用车和重型卡车。1300V额定电压可为直流母线电压提供缓冲，直流母线电压会根据电池的充电状态而波动，然而1200V额定电压的器件可能会带来应用风险。　　1300V的器件电流范围更广：集电极电流范围为15A至85A(110°C时)，可满足乘用车和重型车辆的各种应用要求。　　传导能量损耗最小化Econd：该系列是1300V IGBT中VCE(饱和)值最低的产品之一，有效地将传导损耗降至最低。这一特性不仅提高了效率，还缓解了热设计难题。　　短路能力tSC：1300V IGBT可处理长达10微秒的短路能力，因此适用于需要更高可靠性的汽车应用。　　封装：表面贴装分立封装包括TO-263HV、TO-268HV和插件TO-247。这些SMD封装的高压(HV)版本与标准3引脚版本相比，改善了爬电距离和电气距离。　　结束语　　随着汽车行业向更高电压架构的电动汽车转变，硅IGBT对于要求较低开关频率和最小传导损耗的应用仍然至关重要。Littelfuse的1300V A级沟槽式IGBT系列可满足800V BEV子系统的特殊需求，特别是在PTC加热器、放电电路和预充电应用中。这些IGBT具有低VCE(饱和)、短路能力和宽电流范围。同时提供SMD和插件封装，具有更强的爬电和电气距离，为设计提供了灵活性。
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发布时间：2025-04-07 13:45 阅读量：403 继续阅读>>
村田制作所初次入选“CDP Climate”特高评价的A级企业名单
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村田制作所初次入选“CDP Climate”特高评价的A级企业名单

　　株式会社村田制作所初次入选全球性环境非营利组织CDP旗下“CDP Climate(气候变化)”项目特高评价的A级企业名单。这是给对于在气候变化对策中的目标设定、采取的行动、信息披露方面在世界居先的企业所授予的一项评价。　　关于CDP　　CDP是一个以企业和自治体为对象、运营全球性环境信息披露系统的国际环境NGO组织(非营利组织)。　　“CDP Climate(气候变化)”项目按照8个等级进行评价，评价结果分为特高等级的领导等级(A，A-)、管理等级(B，B-)，认识等级(C，C-)以及信息披露等级(D，D-)。　　2021财年，CDP与资产管理规模高至110兆美元的590多个投资家协作，通过资本市场和企业的采购活动，就披露环境信息、减排温室气体、保护水资源、保护森林的应对措施和战略等问题，向各企业听取意见，并对措施做出了评价。　　目前，全球有14000多个组织通过CDP披露环境信息，其中包括相当全球市值总额64%以上的13000多家企业和1100多个自治体。　　此外，CDP拥有全然符合TCFD(气候相关财务披露工作小组)标准的全球规模很大的环境数据库，CDP分数被大范围用于推动投资和采购决策，以实现可持续发展且灵活的脱碳社会。　　村田关于气候变化的应对现状　　近年来，为了应对世界各地日益严重的环境问题，社会要求企业做出以脱碳为首的气候变化对策。为了切实应对此类来自社会的多种要求，村田制作所将“强化气候变化对策”选定为重点课题，提出GHG(温室气体)的总减排目标，开展事业运营，村田制作所集团全体正在积极开展投资，以推动能源节省和可再生能源的利用。　　在能源节省措施方面，长年以来，本公司每年持续实施450-600项能源节省措施(约减排5万吨CO₂)。然而，近年来事业扩张速度超过了这些措施的实施效果，GHG总排放量出现了增加趋势。　　自2018财年以来，村田一直积极努力在能源节省的基础上扩大再生能源的引进量，因此GHG总排放量于2018财年达到峰值后开始向下转向减少，2020财年减至143.5万t-CO₂e，比上一财年减少了17.4万吨。今后我们还将继续努力达成排放量目标，力争在2021财年减至140万吨，2024财年减至128万吨，2030财年减至87万吨。　　为了推动再生能源的利用，村田制作所于2020年加入了RE100。对经营生产中所使用电力的再生能源导入比率设定了目标，分别是2030年达到50%，截至2050年达到全盘导入。　　2021年11月，村田制作所使用以自家技术生产的蓄电池和能源管理技术，实现了株式会社金津村田制作所经营生产活动相关电力全盘再生能源化。村田将继续实施积极的措施，在村田制作所集团各公司中扩大利用可再生能源。　　为了进一步加速这样的环境投资，村田制作所从2021财年开始运行碳定价制度。为CO₂减排赋予经济性价值并将其纳入投资指标，从而使村田制作所集团各公司便于开展环境投资。除了本制度，村田还将努力创建其他实效性更高的CO₂减排制度。　　此外，在CDP Water(保护水资源)方面，村田制作所自去年以来一直获得“A-”的评价。　　为了实现可持续发展的社会，村田不仅要解决本公司的问题，还要通过独到产品和技术，为社会整体的环境减少负荷和为解决社会问题做出贡献，努力创造经济价值和社会价值。
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发布时间：2025-03-26 17:20 阅读量：328 继续阅读>>
ARK（方舟微）200V N+P双沟道增强型MOSFET - F<span style='color:red'>TE</span>03R20D
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ARK（方舟微）200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D

　　ARK（方舟微）200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D信息如下：       一、基本信息　　1. 产品名称：FTE03R20D　　2. 产品描述：200V N沟道和P沟道增强型MOSFET　　3. 产品电路图：　　4. 产品基本参数：　　二、产品特性　　集成栅源电阻和齐纳二极管　　可以避免二次击穿　　阈值、导通电阻和输入电容低　　开关速度快　　有独立且电气隔离的N沟道和P沟道　　三、产品介绍　　FTE03R20D是由高电压，低阈值的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET组成的器件。该器件集成了栅源电阻和齐纳二极管，这对于高压脉冲应用至关重要。　　FTE03R20D是一款互补型、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道的MOSFET对管，采用先进的垂直双扩散MOSFET结构和成熟的硅栅制造工艺。这种设计使得器件既具备了双极晶体管的功率处理能力，又继承了MOSFET器件固有的高输入阻抗和快速的开关速度。　　与所有MOS结构一样，该器件不会发生热失控和热致二次击穿。VDMOSFET因其低阈值、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速的开关速度等特性，非常适合各种开关和放大应用。　　四、常见应用　　1. CMOS逻辑电路：N沟道和P沟道增强型MOSFET经常被集成在一起，用于构建CMOS反相器。这种反相器电路利用N沟道和P沟道MOSFET的互补特性，通过控制输入信号来实现逻辑功能的反转。　　       2. 功率开关应用：增强型VDMOSFET因其低导通电阻和高电流承载能力，在功率开关电路中扮演重要角色。　　3. 电源管理：在电源管理领域，N沟道和P沟道增强型MOSFET被用于构建高效的电源转换器和稳压器。由于它们能够提供快速的开关速度和较低的导通电阻，这些器件可以有效减少能量损耗并提高系统的整体效率。　　4. 放大器电路：在放大器电路设计中，N沟道和P沟道MOSFET也可以被用来构建共源共栅放大器结构。这种设计利用了两种沟道类型的互补特性，以实现更高的增益和更好的频率响应。　　N沟道和P沟道集成的增强型VDMOSFET在现代电子电路设计中具有广泛的应用前景，特别是在需要高效、快速响应和高可靠性的场合。这些器件的互补特性和优异的电气性能使其成为构建复杂电子系统的关键组件。
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发布时间：2025-03-24 10:00 阅读量：337 继续阅读>>

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