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核芯互联丨CL3669国产双通道16位250MS<span style='color:red'>PS</span> ADCPin-to-Pin 兼容 ADS42LB69 · 更低功耗 · 更高性价比

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核芯互联丨CL3669国产双通道16位250MSPS ADCPin-to-Pin 兼容 ADS42LB69 · 更低功耗 · 更高性价比

　　产品概述　　CL3669是核芯互联推出的一款双通道、16位分辨率、250MSPS采样率的高性能模数转换器(ADC)。该器件针对低功耗和高无杂散动态范围(SFDR)而设计，在宽输入频率范围内具有出色的噪声性能。　　图1 CL3669 双通道ADC功能框图核心特性双通道 16位 250MSPS 600mW/通道 DDR LVDS 9×9mm QFN64 Pin-to-Pin 兼容

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核芯互联

发布时间：2026-05-22 10:44 阅读量：445 继续阅读>>

恩智浦丨算力高达40 eTO<span style='color:red'>PS</span>，边缘AI加速神器！Ara240独立神经处理单元全解析

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恩智浦丨算力高达40 eTOPS，边缘AI加速神器！Ara240独立神经处理单元全解析

　　如今模型越来越大并走向多模态，还出现了设备端生成式AI和智能体AI，AI工作负载不断增长，边缘系统需要的已不仅仅是渐进式的算力提升，而是专门的加速能力，以实现实时性能、更低功耗、强大的数据隐私保护以及可扩展性。Ara240独立神经处理单元 (DNPU) 正是为了满足这些边缘AI需求而构建。　　作为恩智浦首个独立神经处理单元 (DPNU)，Ara240提供了AI优化的架构，拥有高达40 eTOPS的算力、大容量片上存储器和高片外带宽。总而言之，它专为运行先进AI、大语言模型 (LLM)、视觉语言模型 (VLM)、多模态语言模型以及下一代边缘推理而打造。　　借助Ara240 DNPU带来的更高性能和效率，将边缘AI提升至全新高度。探索Ara240 DNPU，并利用Ara生态合作体系规划您的下一个设计。　　无论是设计工业自动化系统、自主机器人、智能基础设施、先进的人机接口 (HMI) 平台还是边缘服务器，Ara240 DNPU都能提供所需的性能余量，直接在边缘运行现代AI工作负载。　　图1：Ara240 DPNU为先进的AI应用实现实时、设备端推理　　Ara240 DNPU：专为边缘先进AI而设计　　Ara240 DNPU专为高需求的设备端AI应用而设计，在这些应用中，延迟、隐私和能效至关重要。Ara240 DNPU支持广泛使用的AI模型架构——包括卷积神经网络 (CNN)、Transformer、大语言模型 (LLM)、视觉语言模型 (VLM) 和多模态模型——使开发人员能够将生成式AI和高性能AI引入嵌入式系统和边缘系统，而无需依赖云端计算。　　该DNPU的关键技术能力包括：　　高达40 eTOPS的等效算力：为主机处理器分流复杂的并行AI工作负载提供高吞吐量　　大容量片上存储器+专用LPDDR4接口 (高达16GB)：支持更大模型和更高带宽处理，同时不增加对主机内存的争用　　PCIe G4x4和USB 3.2 G1主机接口：提供灵活、高速的集成　　安全启动和硬件信任根：实现安全的AI管道和受保护的部署　　支持Linux和Windows运行时：为边缘系统提供广泛的兼容性　　框架支持：包括TensorFlow、PyTorch和ONNX　　作为可扩展的AI配套处理器，Ara240 DNPU为那些需要在本地执行复杂推理的系统带来强大的AI加速能力——从而提供更低的延迟、更低的云成本以及更强的数据隐私保护。　　Ara240 16GB M.2模块加速原型设计　　为帮助开发人员更快地评估Ara240 DNPU，恩智浦提供了Ara240 16GB M.2模块，该模块可无缝集成到任何带有MKey PCIe接口的主机平台而设计。　　模块亮点包括：　　高达40 eTOPS的AI性能　　专有神经网络处理器，运行频率高达900MHz　　16GB LPDDR4存储器　　M.2 2280 MKey外形尺寸　　PCIe G4x1/x2/x4配置　　目前支持i.MX 8M Plus和i.MX 95应用处理器　　该模块为评估Ara240性能、加速概念验证开发以及将高性能AI集成到现有设计提供了一条简化路径。Ara240 16GB M.2模块将于2026年6月开始供货，您可在恩智浦官网nxp.com和代理商处购买。　　图2：Ara240 16GB M.2模块让开发人员能够更快地基于Ara240进行原型设计　　相得益彰：Ara + i.MX　　Ara240 M.2模块可用作我们i.MX应用处理器的AI协处理器：　　i.MX 95应用处理器：高性能边缘计算平台，集成了eIQ Neutron NPU　　i.MX 8M Plus应用处理器：Arm CortexA53平台，内置了机器学习和视觉加速能力　　未来支持M-Key PCIe的恩智浦平台　　这种适配性使得目前使用恩智浦MPU的开发人员能够轻松地将Ara240 DNPU作为配套加速器，显著扩展AI性能。　　紧凑、可扩展的Ara240加速器模块　　除了恩智浦Ara240 M.2模块外，我们的生态系统合作伙伴也在推出各自基于Ara240的模块。　　这些模块使客户能够在不同的散热、机械和性能配置下轻松评估Ara240 DNPU——支持工业PC、机器人系统和紧凑型嵌入式边缘设备等应用。这些板共同为客户提供了一条从早期评估到完整系统设计流程的顺畅开发路径。　　赋能物理世界AI的专用软件　　恩智浦eIQ Agentic AI框架扩展了eIQ AI软件开发环境，增加了专门设计的功能，在边缘充分利用其DNPU的加速能力。该框架通过协调多个模型 (例如视觉、语言和控制模型)，同时将推理和决策高效地映射到硬件加速器而非通用CPU上，从而实现智能体AI工作负载的确定性、实时执行。　　通过结合硬件感知型模型准备、优化的编排以及安全的设备端执行，我们的eIQ Agentic AI框架使DNPU能够为自主式和生成式AI工作负载维持低延迟和可预测的性能，在减少对云端依赖的同时，简化复杂的多模态边缘AI系统的部署。　　借助Ara240 DNPU以及不断壮大的M.2模块生态系统，开发人员可以获得：　　可扩展的AI性能　　实时推理能力　　通过本地处理提升隐私保护　　更低的运营成本和云成本　　支持不断演进的模型架构的灵活性　　借助Ara240加速边缘实时、设备端AI处理。Ara240是恩智浦首款DNPU，提供高达40 eTOPS的算力，配备可扩展的内存和带宽。

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恩智浦

发布时间：2026-05-15 09:49 阅读量：472 继续阅读>>

杰华特丨四路PoE供电新思路 JWH72964：高集成、强防护、易设计，一站式满足<span style='color:red'>PS</span>E应用

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杰华特丨四路PoE供电新思路 JWH72964：高集成、强防护、易设计，一站式满足PSE应用

　　JWH72964　　- 四路PoE供电新思路 -　　在安防监控、企业网络与工业互联场景中，PoE以太网供电已成为简化布线、提升部署灵活性的核心方案。面对高功率、多端口、高可靠性的设计需求，杰华特推出JWH72964——一款高度集成的四路PSE转换器，以硬核性能与极简设计，构建一站式PoE供电解决方案。　　产品概览：标准合规，高度集成　　JWH72964是一款专为IEEE802.3at标准打造的四路PSE转换器，内置四颗低导通电阻MOSFET与无损电流检测，无需外置采样元件。芯片可自动识别PD设备并智能供电，完整覆盖IEEE802.3af/at标准功能。此外，支持I2C接口实现半自动模式下的电压/电流监测与阈值配置，内置过载、短路、过温等全维度保护。5mm×5mm QFN小型化封装，外围电路极简，助力降低BOM成本与PCB面积。　　核心特性：硬核参数，实力赋能　　四路独立PSE通道　　单端口支持最高35W输出，四端口总功率可达120W，满足高功率PD设备供电需求　　标准全面合规　　兼容IEEE802.3atType1/Type2，通过Sifos权威测试验证，符合IEC62368-1:2018安规标准　　低损耗高效能　　内置300mΩ低RDSONMOSFET，降低导通损耗，提升整机效率　　高精度监测　　搭载14位ADC，实现电压、电流精准采集，供电状态一目了然　　智能PD识别　　4点PD检测，支持1/2事件分类，精准识别合法设备，杜绝误供电　　高速通信接口　　400KHzI2C接口，单总线可挂载16颗芯片，多设备管控更便捷　　宽温稳定运行　　工作温度-40℃~+85℃，适配严苛工业与户外环境　　高集成封装　　5mm×5mmQFN-32封装，节省空间，简化布局　　强悍抗静电能力　　人体放电模式HBM±2kV、机器放电模式±500V，现场安装更可靠　　图1：无外加散热设施，实际运行120W满载温升表现　　图2：具有行业先进的高耐压集成MOS，图为BV曲线　　全维防护：多重保障，稳如磐石　　JWH72964构建全方位保护体系，覆盖各类异常工况，为PoE系统保驾护航：　　基础保护　　欠压、过压、过流、限流、过温、输出短路保护　　专项保护　　Fetbad故障检测、过功率保护、I2C看门狗、软起动限流　　长效监测　　支持MPS维持功率特征，实时追踪PD连接状态，断线即关断　　高压兼容　　集成110V热插拔MOSFET，提升系统抗冲击能力　　场景优势：极简部署，灵活适配　　针对NVR、DVR、PSE中跨、交换机/路由器等典型应用，JWH72964展现极强适配性：　　智能供电逻辑　　未检测标准PD设备不供电，避免无效能耗与安全风险　　灵活功率管理　　可配置最大功率阈值，过功率时自定义四端口掉电顺序　　极速故障响应　　后端负载短路，快速关断输出，保护前端设备　　无风扇稳定满载　　120W满载运行温升优异，无需风扇散热，降低系统成本与噪音　　多模式灵活切换　　支持自动、半自动、手动、关机四种模式，适配不同场景　　傻瓜式上电即用　　无需配置寄存器，上电即可工作，缩短开发周期　　非标功率拓展　　可提供Class5非标功率，超越标准at功率上限　　智能中断反馈　　保护触发后实时上报MCU，便于系统诊断与运维　　布线极简部署　　一根网线同步传输数据与电力，无需单独铺设电源线，点位部署无束缚　　强抗工频干扰能力　　在45Hz~65Hz宽频范围内，可耐受最高9.2V工频干扰幅值稳定正常上电，保障设备在复杂电网环境中可靠运行　　强抗工频干扰场景实例　　交换机接 IPhone 场景　　交换机接 AP 设备场景　　竞品对比：内置MOS，高效降本　　JWH72964与友商A线路对比　　对比市面主流PSE方案，JWH72964以内置MOS核心优势，实现成本、性能、散热全面领先：　　PoE/PSE系统一站式解决方案　　杰华特持续深耕电源管理领域，JWH72964凭借高集成、低功耗、强防护、易设计的独特优势，为PoE/PSE系统提供一站式解决方案。该芯片内置MOS，可简化外围设计并降低BOM成本;支持灵活配置，适配各类场景;同时具备高标准合规性与全维度保护，助力安防、网络、工业等领域产品实现高效、小型化、高可靠性升级。

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杰华特

发布时间：2026-05-14 09:45 阅读量：496 继续阅读>>

Littelfuse 推出用于汽车电源保护的高压 T<span style='color:red'>PS</span>MC、T<span style='color:red'>PS</span>MD、TP5.0SMDJ 瞬态抑制二极管

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Littelfuse 推出用于汽车电源保护的高压 TPSMC、TPSMD、TP5.0SMDJ 瞬态抑制二极管

　　新型汽车级瞬态抑制二极管可降低 BOM 成本，同时保护 BDU、HVAC 和 PTC 系统中的 GaN/SiC MOSFET 和 IGBT　　美国伊利诺伊州罗斯蒙特、中国上海 — 2026 年 5 月 12 日 — 为安全高效的电能传输提供先进解决方案的领导企业 Littelfuse公司 (NASDAQ：LFUS)，今天宣布推出 TPSMC, TPSMD 及 TP5.0SMDJ 高压瞬态电压抑制(TVS)二极管系列，通过专为汽车高压电力电子应用设计的器件(包括电池断路装置(BDU)、高压 HVAC 系统和正温度系数(PTC)加热器)扩展了 TP 系列产品组合。　　随着电气化汽车架构向更高电压和宽带隙半导体迁移，GaN/SiC MOSFET 和 IGBT 等功率器件越来越多地受到负载突降、感应开关和其他高能事件造成的严重瞬态电压的影响。传统的中低压 TVS 解决方案通常需要将多个器件串联起来才能达到充分的保护，从而增加了 PCB 面积、复杂性和物料清单(BOM)成本。　　新型 TPSMC、TPSMD 和 TP5.0SMDJ 高压瞬态抑制二极管通过在单个汽车级器件中提供更高的断态电压(高达 400 V)和高峰值脉冲功率来应对这一挑战，使工程师能够简化保护方案，同时提高系统效率和耐用性。　　主要功能与特色　　高断态电压(≥400 V)可为高压汽车电路提供单设备保护　　峰值浪涌电流高达 300 A，峰值脉冲功率高达 5 kW，可支持恶劣的瞬态条件　　快速响应时间(通常<1 ps)可实现有效的瞬态箝位　　符合 AEC-Q101 标准，符合 PPAP 标准，可满足汽车可靠性要求　　DO-214AB(SMC)表面贴装封装可最大程度减小 PCB 尺寸并简化布局　　符合 IEC-61000-4-2 ESD 标准(最高 30 kV)，提供强大的系统级保护　　与多设备保护方法相比，降低了 BOM 成本并减少了组件数量　　专为高压汽车电源系统而设计　　TPSMC、TPSMD 和 TP5.0SMDJ 系列是首款专为新兴高压汽车子系统打造的瞬态抑制二极管，使设计人员能够：　　减少串联所需的 TVS 器件数量　　优化低额定值 GaN/SiC MOSFET 或 IGBT 的选择，以减少传导损耗　　在降低成本的同时提高整体系统效率　　“这些高压瞬态抑制二极管专为下一代汽车电源架构而开发，”Littelfuse 产品营销总监 Charlie Cai 表示。“通过在 BDU、HVAC 和 PTC 应用中启用单器件瞬态保护，我们的客户可以简化设计、降低 BOM 成本，甚至选择额定值较低的功率半导体来提高效率和系统性能。”　　TPSMC、TPSMD 和 TP5.0SMDJ 系列概述　　所有系列均提供单向和双向配置。　　市场与应用　　汽车电子产品　　电池断路装置(BDU)　　高压 HVAC 压缩机　　PTC 座舱和电池加热器　　高压直流配电　　常见问答-高压 TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ 瞬态抑制二极管　　1.为什么选择高压瞬态抑制二极管而不是传统的瞬态抑制解决方案?　　高压瞬态抑制二极管可在单个器件中提供足够的断态电压，无需串联多个低压器件。这可减少 PCB 面积、成本和设计复杂性。　　2.这些瞬态抑制二极管旨在保护哪些功率半导体?　　这些产品专为保护高压汽车电力电子产品中使用的 GaN/SiC MOSFET 和 IGBT 而优化。　　3.这些器件符合哪些汽车标准?　　TPSMC、TPSMD 和 TP5.0SMDJ 系列符合 AEC-Q101 标准，符合 PPAP 标准，并符合 IEC-61000-4-2 ESD 要求。　　4.TPSMC、TPSMD 和 TP5.0SMDJ 系列有哪些区别?　　TPSMC 支持 1500 W，TPSMD 支持 3000 W，而 TP5.0SMDJ 支持 5000 W 峰值脉冲功率。　　5.这些瞬态抑制二极管是否与 Littelfuse 现有的设计兼容?　　是的。其旨在与现有的 Littelfuse 瞬态抑制二极管和电路保护产品组合无缝集成。　　供货情况　　TPSMC、TPSMD 和 TP5.0SMDJ 汽车级系列瞬态抑制二极管提供卷带封装，起订量 3,000 只。通过全球授权的 Littelfuse 经销商接受样品请求。如需了解 Littelfuse 授权经销商名单，请访问 Littelfuse.com。

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Littelfuse

发布时间：2026-05-12 10:02 阅读量：556 继续阅读>>

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萨瑞新品｜7V系列 SEU 系列高速 ESD 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发

　　随着 USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、MIPI、车载 SerDes、车载以太网等高速接口全面普及，10Gbps + 传输对信号完整性与 ESD 防护提出双重严苛要求。　　江西萨瑞微电子推出SEU0721P1(双向)+ SEU0731P1(单向) 两款 DFN1006-2L 超小型 ESD 保护二极管，专为高速信号链路打造，超低电容、高钳位、强防护，覆盖单端 / 差分全场景高速 I/F 保护需求。　　01　　核心优势：突破权衡，高速与保护兼得　　SEU0721P1|双向 ESD 二极管　　类型：双向　　结电容：典型 0.25pF，Max 0.3pF(0.2pF 级)　　ESD 防护：IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)　　峰值脉冲电流：4A(8/20μs)　　封装：DFN1006-2L 无引脚小型化　　SEU0731P1|单向 ESD 二极管　　类型：单向　　结电容：典型 0.4pF，Max 0.5pF　　ESD 防护：IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)　　峰值脉冲电流：4A(8/20μs)　　封装：DFN1006-2L 无引脚小型化　　02　　核心亮点　　SEU0721P1：≤0.3pF，极致抑制信号劣化，完美适配 USB4、PCIe、MIPI 等高灵敏度差分接口。　　SEU0731P1：≤0.5pF，兼顾高速与成本，适合单端高速 I/O 与通用高速接口。　　03　　低钳位 + 低漏电流，保护更可靠　　双向款：4A 下钳位电压典型16.5V　　单向款：4A 下钳位电压典型11V，更低钳位、更稳保护　　漏电流低至0.1μA/1μA，系统功耗更优　　04　　高等级 ESD，满足车规 / 消费 / 工业　　两款均达到：　　IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)　　宽温工作：-55℃ ~ +125℃　　RoHS、UL 94V-0、无铅绿色塑封料　　05　　DFN1006-2L 微型封装，高密度布局　　超小体积、低寄生电感　　贴近连接器摆放，不占用空间　　适合手机、笔电、车载、相机等轻薄化设计　　06　　典型应用原理图　　双向保护电路(SEU0721P1)　　适用于：USB4/USB3.x、PCIe、LVDS、MIPI、车载 SerDes 等差分高速信号　　单向保护电路(SEU0731P1)　　适用于：单端高速 I/O、HDMI、音频、传感器、通用高速信号　　07　　关键参数对比表　　08　　应用领域　　完美覆盖10Gbps + 高速接口：　　USB4 / USB3.x / Thunderbolt 4　　HDMI / DisplayPort / PCIe　　MIPI D-PHY / C-PHY / LVDS　　车载 SerDes、车载以太网(10/100/1000Mbps)　　手机、笔电、平板、相机、便携仪器、车载设备、工业终端

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萨瑞

发布时间：2026-05-06 10:11 阅读量：557 继续阅读>>

士兰微5.5kW <span style='color:red'>PS</span>U方案助力算力供电升级

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士兰微5.5kW PSU方案助力算力供电升级

　　当前算力数据中心正朝着800V直流母线架构加速演进，士兰微电子凭借在半导体各细分领域的深厚积累，构建了“从电网到核心”的全链路供电解决方案，可为算力数据中心供电系统提供士兰“功率器件+电源管理IC”整体解决方案，包含SiC、GaN、DPMOS、LVMOS、eFuse、Multiphase Controller、DrMOS、POL 等产品，全面覆盖算力电源SST、HVDC、PSU、BBU、IBC、Hot-Swap、BoardPower、Accelerator Card等应用，为高性能计算应用的发展注入强劲动力。本篇将介绍士兰微电子在5.5kW PSU上的成套应用方案。　　方案介绍　　下图为由“图腾柱PFC+LLC”组成的5.5kW PSU。　　在图腾柱 PFC、连续导通模式的高频高效拓扑中，快管承担高频硬开关动作，开关损耗决定了整机效率、温升与功率密度，需要选用低 Eon、Eoff 且栅电荷 Qg 优异的 SiC MOSFET。士兰微650V电压平台系列的SiC MOSFET产品(料号为SCDP65R040NB2LB)满足上述应用场景的需求，可显著降低高频工况下的能量损耗，提升系统整体转换效率，同时减少散热压力，支持更高频率、更高功率密度的电源设计，满足数据中心、服务器电源等场景对高效、高可靠供电的严苛需求。　　PFC慢管工作在工频整流状态，导通损耗与直接决定整机效率、温升与运行可靠性。选用士兰微的低导通电阻 Rds (on)、正向压降优异，同时兼顾浪涌电流能力的超结 MOSFET(料号为SVSP60R022LBS5)，在工频导通期间的损耗有效降低，提升系统效率与热稳定性。　　在 LLC的SR位置，中重载情况下软关断，轻载情况下硬关断。士兰微的自研低压MOSFET(料号为SVGP081R8NL5-3HF)具有导通电阻 Rds (on)低、栅电荷 Qg 小、反向恢复特性优异的特点，能帮助客户提升半载和满载效率，优化轻载时EMC表现。　　士兰微SiC MOS、超结MOS以及低压MOSFET方案已助力头部客户在5.5kW PSU 产品上实现功率转换效率达到97.5%。今后，士兰微电子将继续深耕算力数据中心供电领域，迭代推出更多先进产品，助力各电源客户实现更高的效率目标。

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士兰微

发布时间：2026-04-30 10:13 阅读量：682 继续阅读>>

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3nm上车、100Gbps：瑞萨R-Car X5H重新定义车载TSN网络

　　4月15日-16日，2026第七届中国国际汽车以太网峰会(AES2026)于上海举办。在“车载网络架构创新与Serdes技术路径”分会场，瑞萨电子高性能运算产品市场应用技术部经理李高伟，发表了《赋能下一代E/E架构：瑞萨以太网TSN交换机IP解决方案》的主题演讲，系统介绍了瑞萨面向集中式E/E架构的R-Car X5H SoC与RH850 U2B24-E MCU，以及集成其中的R-Switch 3.0以太网TSN交换机IP。　　瑞萨电子高性能运算产品市场应用技术部经理李高伟发表演讲　　车载交换机面临的新挑战　　随着汽车电子电气架构从多域控制器向“中央计算+区域控制”(HPC + Zonal ECU)加速演进，以太网与TSN交换机已成为决定整车实时性与安全性的关键环节。传统分布式架构中，交换机仅承担简单的数据转发。而在集中式架构下，一个中央计算平台需同时服务智能座舱、ADAS、网关、车身控制等多个功能域，并运行多个操作系统(QNX、Android、Linux等)。演讲中指出，车载交换机必须具备：低延迟无阻塞交换能力、完整的TSN特性支持、多核SoC/MCU及多虚拟机的协同能力，以及满足混合安全等级(ASIL-B/D)的硬件隔离机制。瑞萨的解决方案是将高性能TSN交换机IP直接集成到中央计算SoC中，并为之设计了第三代R-Switch架构——R-Switch 3.0。　　R-Car X5H：　　业界首款3nm车规级多域融合处理器　　R-Car X5H是本次演讲的核心亮点。作为业界首款采用3nm制程的车规级多域融合中央计算芯片，它在特定工作负载下能效比上一代提升30–35%，在部分应用场景下，无需液冷即可满足车规级散热要求，对整车成本与可靠性意义重大。　　X5H的性能参数树立了行业新标杆：　　CPU：32个Cortex-A720AE，总计1400K DMIPS　　实时核：12个Cortex-R52，最高64.6K DMIPS，也可配置为锁步核支持ASIL-B/D　　NPU：高达400 TOPS(稀疏)，用于360°感知　　GPU：最高4 TFLOPS，支持超过10个显示器，最高8K输出　　内存：LPDDR5x，250GB/s带宽　　扩展：通过UCIe支持Chiplet，可灵活升级NPU/GPU　　此外，X5H内置了多级安全架构和硬件FFI(混合安全等级隔离)，允许ASIL-D与非安全应用在同一芯片上安全共存，无需额外Hypervisor开销。这一设计前瞻性地回应了软件定义汽车对安全与灵活性的双重需求。　　R-Switch 3.0：　　集成在X5H内的TSN交换核心　　R-Switch 3.0是瑞萨自研以太网车载交换机IP的第三代产品，专门针对车载混合架构和高千兆速率设计，符合IEEE 802.1DG和OPEN TC11标准。其硬件规格充分满足未来五年车载网络的需求：　　端口配置：最多8个外部网口(支持1Gbps–10Gbps)、8个内部网口、2个CPU专用口　　总带宽：外部输入总和50Gbps，内部交换能力100Gbps　　安全：所有外部网口支持MACsec，内、外口支持VLAN隔离机制　　转发架构：基于流水线的无阻塞存储转发，集成CAM/TCAM转发表　　路由能力：硬件完成从Layer 1 (Port) – Layer 2 (MAC/Stream ID) – Layer 3 (IPv4/IPv6) – Layer 4 (UDP/TCP) 等各层转发　　多路以太网专用DMA直接内存访问机制　　在TSN特性上，R-Switch 3.0几乎覆盖了所有车载所需的关键标准：802.1AS-rev(双时钟域)、802.1Qav(信用感知调度)、802.1Qbv(时间感知调度)、802.1Qbu + 802.3br(帧抢占)、802.1Qci(输入流监管)、802.1CB(帧复制与消除)。这些特性确保了音频、视频、控制数据在同一网络中确定性传输，彻底告别为不同流量单独布置专用总线的时代。　　现场演示：　　全以太网AVB音频方案　　演讲现场，李高伟展示了基于R-Car X5H与RH850 U2B24-E的以太网AVB音频演示系统。通过R-Switch 3.0的8路以太网端口和内置通用DSP，实现了多路麦克风、扬声器的低延迟音频传输。整套方案无需外置音频DSP，由R52实时核独立控制，完全不占用A720主核资源。　　该演示直观地证明：在集中式架构下，过去需要单独走专用总线的功能，现在可以统一到以太网骨干网上，且性能更好、成本更低、软件兼容性更强。这也是瑞萨一直倡导的“网络融合”理念的具体体现。　　展望：　　从功能集成走向网络融合　　下一代汽车E/E架构的竞争，不再仅仅是算力的比拼，更是网络交换能力与TSN生态完整性的较量。瑞萨R-Car X5H将3nm制程、400 TOPS AI算力、100Gbps TSN交换机整合在一颗芯片中，并支持Chiplet扩展，为车厂提供了一条从当前Zonal架构到未来完全软件定义汽车的平滑演进路径。面向未来，瑞萨将持续深耕车载以太网TSN技术，携手合作伙伴共同推动智能汽车网络向更高效、更安全、更开放的方向迈进。

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发布时间：2026-04-22 09:40 阅读量：633 继续阅读>>

应对E<span style='color:red'>PS</span>严苛工况：永铭VHT系列固液混合电容高可靠性方案

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应对EPS严苛工况：永铭VHT系列固液混合电容高可靠性方案

　　随着汽车电动助力转向系统(EPS)在乘用车中的普及，其对安全性、舒适性与电气化适配能力的要求持续提升。EPS控制模块通常布置于发动机舱或转向管柱附近，长期面临高温、强振动环境。同时，低速泊车、原地转向等工况会频繁产生高纹波电流冲击。传统液态电解电容在上述条件下易出现性能衰减，成为系统可靠性的关键瓶颈。　　典型失效现象与根源分析　　在整车耐久测试中，部分EPS模块在经历数万公里复杂路况及高低温循环后，出现转向助力力矩轻微下降现象，影响项目验收与整车质量评估。　　原方案：常规低阻抗液态电解电容　　失效模式：高温下电解液干涸，ESR上升，滤波能力与瞬态放电能力下降，影响电机响应速度　　根因分析：　　1.液态电容依赖离子导电，其ESR约为固液混合电容的10倍，导致模块内阻升高、输出电压纹波增大;　　2.液态电容在125℃条件下典型寿命仅为4000小时，难以满足汽车行业10年或15万公里的全生命周期要求。　　问题根源：　　磁盘阵列RAID写缓存保护并不是“长时间续航”　　针对上述问题，永铭推出VHT系列固液混合电容，专为EPS电机驱动模块设计。　　代表型号　　核心技术支撑　　1.固液混合技术：结合固态导电聚合物与液态电解质优势，实现超低ESR与低漏电流，从根源上避免电解液干涸，确保ESR在高温及长期使用中的稳定性;　　2.抗震结构设计：优化内部结构与端子设计，满足严苛机械振动测试要求;　　3.过载能力：具备大纹波电流承受能力，可应对电机堵转等极端工况。　　应用验证：客户实测数据对比　　该系列产品已在多家主流整车平台及Tier 1供应商的新一代EPS电机驱动模块中实现批量应用，主要用于直流母线支撑与滤波。　　【应用场景照片】　　实测对比(原液态电容方案 vs. 永铭VHT方案)　　结论：更换为永铭VHT系列后，客户EPS模块顺利通过全部耐久性验证，助力衰减问题未再复现。　　总结　　永铭 VHT 系列固液混合电容已通过多项国际权威测试与合规认证：AEC-Q200 车规级可靠性测试、ELV 车辆环保合规认证、TSCA 有毒物质管控合规、RoHS 与 REACH 环保合规认证。以上测试与认证充分验证了产品在温度循环、振动、高温高湿等严苛条件下的长期可靠性，适用于全生命周期内对响应速度与安全性有高要求的转向系统。

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永铭

发布时间：2026-04-20 11:03 阅读量：560 继续阅读>>

芯动神州微电子丨ADCS1185QN：18位5MS<span style='color:red'>PS</span>精密ADC助力工业CT实现高精度

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芯动神州微电子丨ADCS1185QN：18位5MSPS精密ADC助力工业CT实现高精度"透视眼"

　　芯动神州作为一家专注于高性能模拟和混合信号芯片设计和研发的高科技企业，拥有一支技术精湛、经验丰富的研发团队，致力于为客户提供优质的模拟和混合信号解决方案。除了ADC芯片，公司还涵盖了以下产品系列：　　工业信号链：高精度数模转换器、模数转换器，为工业自动化控制系统提供精确的数据采集和信号转换功能。　　信号传输芯片：确保信号在不同设备和系统之间稳定、高速、无损地传输，满足工业通信和数据传输的需求。　　工业传感器芯片：用于检测和测量各种物理量(如压力、温度、湿度、气体浓度等)，为工业物联网和智能传感器系统提供核心感知元件。　　如需了解更多关于ADCS1185芯片及其他产品的详细信息、技术支持或购买渠道，请访问芯动神州官方网站www.sinoxtech.com或发送邮件至sales@sinoxtech.com。　　ADCS1185：18位5MSPS精密ADC助力工业CT实现高精度"透视眼"　　开篇：工业CT的"芯"痛点，我们懂　　在工业无损检测领域，工业CT(计算机断层扫描)被誉为"工业神眼"。从航空航天精密铸件到新能源汽车电池包，从半导体封装到考古文物数字化，工业CT需要在毫秒级时间内捕捉微米级缺陷，这对核心ADC芯片提出了极致要求：　　18位超高精度——分辨细微密度差异　　5MSPS超高速率——满足产线节拍要求　　100dB动态范围——同时看清明暗细节　　工业级可靠性——-40°C~+85°C稳定工作　　长期以来，这类高端ADC市场被国外巨头垄断。　　ADCS1185:为工业CT而生的"中国芯"　　芯动神州最新推出的ADCS1185QN，是一款18位、5MSPS逐次逼近型(SAR)ADC，专门针对数字成像、工业CT、光谱分析等高端测试测量应用优化设计。　　核心性能一览：　　18位无失码分辨率——1/262144的精准度，连头发丝1/10的缺陷都不放过　　5MSPS采样率——每秒500万次采样，高速旋转扫描不拖影　　100dB动态范围 & 99dB SNR——暗部细节与高光区域同时清晰呈现　　-117dB超低失真(THD)——信号纯净，伪影更少，重建图像更真实　　±2.0LSB INL / ±0.99LSB DNL——线性度卓越，CT值定量分析更准确　　Pin-to-Pin兼容AD7960：零成本切换，即刻升级　　最重要的消息放在最前面：ADCS1185与ADI的AD7960完全Pin-to-Pin兼容!这意味着什么?　　无需改板：现有基于AD7960的工业CT设备，直接替换芯片即可　　软件无缝：寄存器配置、时序控制完全一致，固件零修改　　风险归零：经过验证的架构，替换即成熟方案　　成本优化：国产供应链，交期更短，性价比更高　　技术对比速查表：　　工业CT场景深度赋能　　1. 高速旋转CT无压力　　5MSPS采样率配合SAR架构的零延迟特性，支持多通道同步采样，满足工业CT高速旋转扫描的实时性要求，告别运动伪影。　　2. 宽动态范围应对复杂工件　　检测铝合金铸件时，厚实处与薄壁处X射线透过率差异巨大。ADCS1185的100dB动态范围确保从低密度气孔到高密度夹杂一次扫描全捕获，无需多次曝光。　　3. 多通道并行架构友好　　支持LVDS串行接口和回波时钟模式，多片ADC可共享时钟总线，简化工业CT探测器阵列的布线复杂度，降低系统EMI风险。　　4. 工业现场高可靠　　通过严格的环境适应性设计，在高温高湿的工厂环境或冷链物流检测场景中，-40°C到+85°C全温度范围内保持±2LSB的线性精度。　　不止于替换，更是升级　　虽然兼容AD7960，但ADCS1185在细节上针对工业应用进一步优化：　　功耗优化：自时钟模式下功耗低至39mW，适合便携式DR设备　　参考电压灵活：支持2.048V/4.096V/5V多种参考方案，适配不同探测器　　抗干扰增强：优异的PSRR(电源抑制比)，在工业电源噪声环境下表现更稳　　结语：中国智造，从"芯"开始　　芯动神州ADCS1185的推出，不仅打破了高端ADC的进口依赖，更为工业CT设备厂商提供了"零风险国产化"的最优路径。无需重新设计硬件，无需修改底层软件，即刻享受国产供应链的安全与便捷。　　现已开放样片申请与评估板借用　　样片型号：ADCS1185QN　　评估套件：支持Pin-to-Pin对比测试　　技术支持：提供工业CT应用参考设计　　芯动神州，让每一帧CT图像都精准可信!　　芯动神州科技有限公司——专注于高性能模拟芯片研发，致力于为中国高端装备提供"中国芯"解决方案。

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芯动神州

发布时间：2026-04-16 09:45 阅读量：712 继续阅读>>

行业新闻

ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管

　　2026年4月2日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，推出兼具业界超低动态电阻(Rdyn)*1和超低电容特性的ESD(静电放电)保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。　　近年来，在工业设备和车载市场，高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地，系统(电路板、模块)层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面，随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展，IC对电气过载(EOS)和静电放电(ESD)的耐受能力呈下降趋势。因此，对于兼具“低电容(抑制高速通信时的信号劣化)”和“凭借低动态电阻实现出色IC保护性能”的外置ESD保护器件的需求与日俱增。尤其是在10Gbps以上的下一代通信中，微小的寄生电容差异都会对通信波形产生重大影响。然而，降低寄生电容与动态电阻之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何兼顾通信质量和IC保护，成为亟待解决的课题。　　对此，ROHM推出了能够解决这一课题、并支持更高速通信的RESDxVx系列产品，新产品不仅实现更低电容，还实现更低的动态电阻。超过10Gbps的高速通信接口，需要可将信号劣化控制在更低且具备出色IC保护性能的ESD保护二极管。新产品实现引脚间电容*3仅为0.24pF(双向)和0.48pF(单向)的超低电容特性。同时，与该特性存在权衡关系的动态电阻也降低至0.28Ω。与普通产品相比，其钳位电压*4降低了约40%，确保了优异的IC保护性能。　　这些优势有助于提高各种高速数据通信设备(例如AI服务器和5G/6G通信设备等工业设备，笔记本电脑和游戏机等消费电子产品)的可靠性。另外，DFN1006-2W封装的“RESDxVxBASAFH”和“RESDxVxUASAFH”符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求，还适用于采用SerDes*5通信的ADAS(高级驾驶辅助系统)、AD(自动驾驶)摄像头以及ECU(电子控制单元)等应用。　　新产品已于2026年3月开始量产(样品价格70日元/个，不含税)，并已经开始网售，可通过AMEYA360商城购买，如有需要请联系AMEYA客服。　　ROHM今后将继续扩充低电容ESD保护二极管和TVS二极管的产品阵容，助力AI服务器、通信基础设施、自动驾驶系统等电子技术的发展，为实现安全、安心且舒适的数字社会贡献力量。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　适用于支持USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、DisplayPort、PCI Express、LVDS、MIPI D-PHY/C-PHY、车载SerDes以及车载以太网(10/100/1000Mbps)等各种接口的设备。　　◆工业设备：AI服务器、数据中心、路由器、光模块、5G/6G通信基站、FA设备用摄像头等　　◆消费电子：PC、服务器、USB加密狗、智能手机、平板电脑、游戏机、影音设备、通信天线等　　◆车载设备：ADAS(高级驾驶辅助系统)/AD(自动驾驶)/全景影像系统/倒车影像系统用的摄像头、车载信息娱乐系统、车身控制ECU、中控台(影音系统、显示屏)等。　　<网售信息>　　开始销售时间：2026年3月起　　新产品在AMEYA360商城将逐步发售。　　<术语解说>　　*1) 动态电阻(Dynamic Resistance)　　表示ESD保护二极管在保护IC时，其电压随电流变化的增量程度的指标，又称“交流电阻”。该值越小，表示即使流过相同的放电电流时，也能将引脚电压的上升幅度控制得越低，从而减轻IC承受的电气应力，提高保护性能。　　*2) ESD保护二极管　　用来保护电路免受过电压、浪涌和ESD(Electro-Static Discharge：静电放电)影响的半导体器件。通过吸收突发的电压和电流尖峰(浪涌)，来防止电路损坏和误动作。在车载环境中，对于电气方面发生严重波动时的保护至关重要。　　*3) 引脚间电容(Capacitance Between Terminals)　　电子元器件中产生的不必要的电容分量。如果引脚间电容较大，高速通信时信号就会劣化，因此在车载通信应用中降低引脚间电容非常重要。　　*4) 钳位电压　　ESD保护二极管抑制浪涌等引起的过电压时电路内维持的电压。该电压越低，越可以有效地保护电路和设备，从而提高车载设备的可靠性。　　*5) SerDes　　成对使用IC实现大容量数据高速传输的通信方式。信息发送端的串行器(Serializer)将多个数字信号数据转换为一个高速串行信号发出，信息接收端的解串器(Deserializer)则将其还原为原始数据。因其能以数Gbps至数十Gbps的速度高速传输大量数据，而被广泛应用于PC、服务器及车载摄像头系统等的高速接口。

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ROHM

发布时间：2026-04-02 15:58 阅读量：703 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

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