兆易创新GD25LX128J系列车规SPI NOR <span style='color:red'>Flash</span>荣膺AEIF“2026国产车规芯片新品十强”
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兆易创新GD25LX128J系列车规SPI NOR Flash荣膺AEIF“2026国产车规芯片新品十强”

　　5月20日，兆易创新(GigaDevice)旗下GD25LX128J系列车规级SPI NOR Flash凭借卓越的技术创新性与市场表现，在第十三届汽车电子创新大会(AEIF 2026)高峰论坛上一举斩获“2026国产车规芯片新品十强”以及“汽车电子金芯奖 · 卓越产品奖”两大奖项，充分展现了兆易创新在国产车规存储芯片领域的硬核实力。　　在车载芯片国产化加速突破的行业背景下，主机及tier1零部件企业亟待选择一批质量过硬、性能稳定、供货可靠、有可控自主知识产权的芯片企业，作为合作对象。针对这一行业痛点，AEPC 汽车电子专业委员会(以下简称“AEPC”)推出行业首个综合性评价指标，暨“AEPC车规芯片健康指数标准”(AEPC standard for automotive Chip health index，简称 AsaChi “艾思齐”)，为整车厂、Tier1 厂商以及投融资机构的决策提供科学依据。“2026 TOP 10 国产车规芯片新品榜单”便是依据“艾思齐”标准，对《国产车规芯片可靠性分级目录(2026)》中收录的300余款车规芯片进行综合评选后得出。　　此次获奖的GD25LX128J系列车规级SPI NOR Flash可适用于智能网联、智能座舱、自动驾驶等对高性能有严格要求的应用，已批量供货于国内搭载最新导航辅助驾驶的各主流车型。该产品容量为128Mb，工作电压为1.8V，采用Octal SPI接口，支持DTR功能，最高时钟频率达200MHz，可实现400MB/s的数据吞吐率。芯片支持XIP(Execute-In-Place) 、DQS、DLP功能，以及ECC纠错及CRC校验，凭借高性能、高可靠性优势为智能网联与智能座舱提供了坚实的核心存储支撑。　　本次荣膺双奖不仅是业界对兆易创新在车规级存储领域长期投入与技术积淀的高度认可，更彰显了公司在国产汽车供应链中的关键价值。兆易创新还将持续深耕汽车电子赛道，携手整车及零部件企业，共同推动中国汽车芯片产业的安全、自主与高质量发展。
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发布时间：2026-05-21 09:40 阅读量：501 继续阅读>>
兆小易说「芯」｜别再小看SPI NAND <span style='color:red'>Flash</span>，它真的“跑快了”
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兆小易说「芯」｜别再小看SPI NAND Flash，它真的“跑快了”

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发布时间：2026-04-10 10:06 阅读量：644 继续阅读>>
eMMC之外新选择！兆易创新推出大容量SPI NAND <span style='color:red'>Flash</span>
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eMMC之外新选择！兆易创新推出大容量SPI NAND Flash

　　SPI NAND Flash新突破!兆易创新4Gb/8Gb大容量新品　　兆易创新推出GD5F4GM7/GD5F8GM8　　新一代、大容量SPINANDFlash为智能设备带来更高容量·更低功耗·更小尺寸
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发布时间：2026-04-03 09:58 阅读量：685 继续阅读>>
NAND <span style='color:red'>Flash</span>价格单月飙涨超65%，行业预警：缺货高峰还未到来！NAND <span style='color:red'>Flash</span>价格单月飙涨超65%，行业预警：缺货高峰还未到来！
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NAND Flash价格单月飙涨超65%，行业预警：缺货高峰还未到来！NAND Flash价格单月飙涨超65%，行业预警：缺货高峰还未到来！

　　12月2日消息，据市场研究机构TrendForce的最新调查显示，2025年11月整体NAND Flash主流合约价全面大幅上涨，各类产品平均月涨幅可达20%~60%，涨势快速扩散至所有容量段，512Gb TLC颗粒月涨幅甚至超过65%。　　TrendForce分析称，NAND Flash需求持续受AI应用与企业级SSD订单强力拉动，但由于原厂优先分配产能给获利能力较好的高阶和企业级产品，且旧制程产能快速收敛，晶圆供应情况更加紧绷，导致11月主流合约价全面大幅上涨。　　观察11月各类NAND Flash晶圆价格表现，1Tb TLC颗粒因企业级SSD需求持续成长，供给短缺最为严重，11月均价大幅上涨。512Gb TLC颗粒因旧制程转产导致供应急缩，加上市场需求稳健，推升价格涨幅成为11月TLC系列产品之冠，月增超过65%。256Gb TLC颗粒受旧制程退出影响，供给量再度下滑，价格持续显著成长。　　由于企业级高容量产品需求爆发，加上冷储存应用出货加速，QLC供应明显吃紧，1Tb QLC 11月均价也大幅上涨。MLC产品有工控及消费性产品支撑需求，均价持续走扬。TrendForce表示，由于原厂报价主导权强势，加上短期晶圆供应紧张的情况无法改善，预期12月合约价仍将维持涨势。　　同时，存储模块厂商十铨科技总经理陈庆文近日表示，存储市场将进入长期上升周期，预计2026年全年价格将持续上涨，而存储产品缺货状况可能要到2027年下半年至2028年才会有所缓解。陈庆文指出，当前大型云端服务提供商(CSP)已启动与全球三大存储原厂的对接，重点洽谈2026~2027年的订单合作事宜。　　他进一步补充，无论是DRAM内存还是NAND闪存，三大存储原厂2025年12月的合约价均出现明显上涨，部分产品单月涨幅高达80%~100%。　　陈庆文认为，存储市场真正的缺货高峰期尚未到来。他预测，2026年第一至第二季度，随着代理商库存逐步消化，市场将迎来“无论出价多高都难以拿到货”的紧张局面。
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发布时间：2025-12-03 14:01 阅读量：877 继续阅读>>
兆易创新推出GD25NX系列xSPI NOR <span style='color:red'>Flash</span>，高性能双电压设计，面向1.2V SoC快速响应需求
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兆易创新推出GD25NX系列xSPI NOR Flash，高性能双电压设计，面向1.2V SoC快速响应需求

　　兆易创新(GigaDevice)推出新一代双电压高性能xSPI NOR Flash——GD25NX系列。该系列采用1.8V核心电压与1.2V I/O电压设计，可直接连接1.2V SoC，无需外部电平转换器，显著降低系统功耗并优化BOM成本。作为继GD25NF与GD25NE系列之后的第三代双电压供电产品，GD25NX系列延续了兆易创新在双电压供电领域的技术积累。该产品系列兼具高速数据传输能力与高可靠性，广泛适用于可穿戴设备、数据中心、边缘AI及汽车电子等对稳定性、响应速度、能效比要求严苛的应用场景。　　GD25NX系列SPI NOR Flash支持八通道SPI模式，最高时钟频率为STR 200 MHz，DTR 200 MHz，实现高达400MB/s数据吞吐量。该系列的写入时间典型值为0.12ms，扇区擦除时间为27ms，其与常规1.8V八通道Flash相比，写入速度提升30%，擦除速度提升10%。为保障数据可靠性，GD25NX系列集成ECC算法与CRC校验功能，有效增强数据完整性并延长产品使用寿命。同时，该系列支持DQS功能，为高速系统设计提供完整信号保障，满足数据中心和汽车电子等高稳定性应用需求。　　依托创新的1.2V I/O接口架构，GD25NX系列在实现卓越性能的同时，也具备出色的低功耗表现。其读取电流在八通道STR 200MHz模式下低至16mA，在八通道DTR 200MHz模式下低至24mA;与常规的1.8V八通道SPI NOR Flash产品相比，GD25NX系列的1.2V I/O接口设计可将读功耗降低50%，在确保高速运行的同时显著提升系统能效，为功耗敏感型应用提供更具竞争力的解决方案。　　“GD25NX系列的诞生开创了低电压与高性能兼具的SPI NOR Flash新格局”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“其设计紧贴主流SoC对低电压接口的需求，为客户带来了更高的集成度与更低的BOM成本。未来，兆易创新将持续拓展双电压供电产品线，覆盖更丰富的容量与封装规格，助力客户打造更加高效、可靠的低功耗存储解决方案。”　　兆易创新GD25NX系列提供64Mb和128Mb两种容量选择，灵活满足不同应用对存储空间的差异化需求。该系列支持TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)以及WLCSP (4x6 ball array)封装形式。目前，128Mb的GD25NX128J产品已开放样片供客户评估，64Mb容量的GD25NX64J样片也在同步准备中。如需获取详细技术资料或报价信息，欢迎联系AMEYA360客服。
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发布时间：2025-11-18 10:35 阅读量：943 继续阅读>>
上海贝岭发布小容量Nor <span style='color:red'>Flash</span>系列产品
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上海贝岭发布小容量Nor Flash系列产品

　　上海贝岭作为国内集成电路行业首家上市公司，定位为中国一流的模拟和数模混合集成电路产品和应用方案供应商。公司依托在存储芯片领域的技术积淀与市场深耕，推出BL25WQ40A/20A/10A/05A Nor Flash产品(BL：代表贝岭;25：代表SPI协议;WQ：代表工作电压1.65V~3.6V;40/20/10/05：代表容量为4Mbit/2Mbit/1Mbit/512Kbit;A：代表版本号)，为满足广大客户在物联网、能效监测、工业控制、车载电子、可穿戴设备、消费电子等领域应用中，对存储产品高性能、高安全性与小型化的需求提供了更丰富多元的解决方案。　　BL25WQ40A/20A/10A/05A　　核心亮点速览　　贝岭小容量 Nor Flash 产品以高性能、高安全性、小体积为核心优势，旨在解决智能设备升级中的存储瓶颈：　　1.疾速响应　　支持创新的QPI模式，传输速率高达480Mbps，显著提升设备启动、固件升级和数据读取效率，让智能设备运行更流畅。　　2.精细防护　　独创5位保护位+CMP互补机制，支持最小1KB扇区的灵活保护，精准锁定关键数据(如密钥)，有效提升空间利用率与安全性，满足智能家居、工业控制等场景的加密需求。　　3.硬件安全　　内置128位ID及4x256字节OTP(一次性编程)寄存器，从芯片源头构建防克隆、防篡改的坚固防线，保护设备身份和敏感信息安全。　　4.低功耗小体积　　0.1μA深掉电电流与 3mmx2mm 超小封装，有效延长便携设备续航，为空间受限的微型设备(如TWS耳机、智能手表)提供理想选择。　　5.宽电压兼容　　1.65V~3.6V宽电压工作范围，轻松适配多种电源方案，简化客户设计，降低外围成本。　　图2 产品框图　　广泛适用 赋能多元场景　　贝岭小容量Nor Flash 产品凭借优异的性能和可靠性，是以下应用的理想存储选择：　　01　　物联网节点：设备认证、参数存储、固件存储与执行(XIP)。　　02　　工业控制：PLC、HMI、传感器模块的程序存储与关键数据保护。　　03　　车载电子：仪表盘、辅助系统、信息娱乐模块的代码存储。　　04　　可穿戴设备：智能手表、TWS耳机等空间和功耗敏感设备的固件与数据存储。　　05　　消费电子：智能家居设备、打印机、网络模块等。
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发布时间：2025-10-10 16:17 阅读量：1020 继续阅读>>
兆易创新携车规<span style='color:red'>Flash</span>及GD32A7系列MCU，亮相吉利汽车国产芯片方案技术展
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兆易创新携车规Flash及GD32A7系列MCU，亮相吉利汽车国产芯片方案技术展

　　7月17日，“2025吉利汽车国产芯片方案技术展”在吉利汽车研究院举行。本次展会以“创新”为主题，汇聚国内多家头部汽车半导体供应商，共同探索国产芯片在汽车电子领域的应用前景。兆易创新携车规级Flash和GD32A7系列车规级MCU及其配套应用方案受邀参展，集中展示在汽车电子芯片领域的创新成果。　　GD32A7系列车规MCU满足多元化需求　　GD32A7系列车规MCU采用Arm® Cortex® M7内核，支持单核、多核、单核锁步等多种选择，经过迭代升级后主频最高达320MHz，算力高达1300+ DMIPS。该系列芯片采用2.97-5.5V宽电压供电，能在-40℃~+125℃的工作温度范围内稳定运行，并符合AEC-Q100 Grade 1等级与IATF16949:2016认证标准。该系列可适用于车身控制、智能座舱、底盘、动力系统等多元电气化车用场景，全面满足国内车企日益增长的汽车电子国产化需求。　　在安全可靠性方面，GD32A71x/GD32A72x系列符合功能安全ISO 26262 ASIL B标准，GD32A74x系列符合功能安全ISO 26262 ASIL D标准。GD32A7系列全系内置可编程硬件加密模块HSM，支持TRNG/AES/HASH/ECC/RSA/SM2/SM3/SM4等硬件加密，并符合国际Evita Full标准信息安全要求，确保了数据的安全性和可靠性。　　信息安全集成方案发布，GD32A7系列车规级MCU替代独立SE芯片　　展会期间，兆易创新资深系统架构工程师李强发表了《汽车加密SE芯片MCU集成解决方案》的主题报告。报告以车载5G-TBOX方案为例，详细阐述了GD32A7系列MCU的技术优势。该产品内置的HSM(硬件安全模块)能够完整实现安全启动、安全通信等功能，满足《GB/T 32960-3 2025电动汽车远程服务与管理系统技术规范》的信息安全要求，以及《汽车芯片信息安全技术规范》二级标准，可充分满足TBOX产品的认证需求。值得一提的是，该创新方案通过将传统SE芯片的安全功能集成到GD32A7系列车规MCU中，为客户带来了显著的成本优化效益。这一技术突破为汽车电子系统的安全设计提供了更具性价比的解决方案。　　车载5G-TBOX方案概述，深化合作，推进国产化进程　　兆易创新车规级Flash与吉利汽车合作已久，展现了优异的产品质量表现与长期稳定的供应和服务能力。本次展示的GD32A7系列MCU，吸引了吉利汽车采购、质量、研发等多个各职能部门专家的深入交流。未来，兆易创新还将持续加大车规级芯片的研发投入，与吉利汽车等国内优秀的主机厂协同共进，共同推动汽车电子国产化进程迈入新阶段。
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发布时间：2025-07-25 13:40 阅读量：2669 继续阅读>>
兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND <span style='color:red'>Flash</span>， 突破性读取速度，助力应用快速启动
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兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash， 突破性读取速度，助力应用快速启动

　　今日，兆易创新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理(BBM)功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇，成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。　　GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24nm工艺节点，支持内置8bit ECC、3V和1.8V两种工作电压，以及Continuous Read、Cache Read、Auto Load Next Page等多种高速读取模式，为用户提供多种组合设计方案。与传统SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列在ECC设计上摒弃了原有的串行计算方式，实现复杂ECC算法的并行计算，这极大地缩短了内置ECC的计算时间。该系列3V产品最高时钟频率为166MHz，在Continuous Read模式下可达83MB/s连续读取速率;1.8V产品最高时钟频率为133MHz，在Continuous Read模式下可达66MB/s连续读取速率。这意味着在同频率下，GD5F1GM9系列的读取速度可达到传统SPI NAND产品的2~3倍，该设计优势可有效提高器件的数据访问效率，显著缩短系统启动时间，进一步降低系统功耗。　　为了解决传统NAND Flash的坏块难题，GD5F1GM9系列引入了先进的坏块管理(BBM)功能。该功能允许用户通过改变物理块地址和逻辑块地址的映射关系，从而有效应对出厂坏块和使用过程中新增坏块的挑战。一方面，传统NAND Flash在出厂时可能存在随机分布的坏块，若这些坏块出现在前部代码区，将导致NAND Flash无法正常使用。而GD5F1GM9系列通过坏块管理(BBM)功能，可确保前256个Block均为出厂好块，进而保障代码区的稳定性。另一方面，在使用过程中，NAND Flash可能出现新增坏块，传统解决方案需要预留大量冗余Block用于不同分区的坏块替换，造成严重的资源浪费。GD5F1GM9系列的坏块管理(BBM)功能允许用户重新映射逻辑地址和物理地址，使损坏的坏块地址重新可用，并且仅需预留最小限度的冗余Block，该功能不仅显著提高了资源利用率，还有效简化了系统设计。　　“目前，SPI NAND Flash的读取速度普遍较慢，已成为制约终端产品性能提升的重要瓶颈”，兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash的推出，为市场中树立了新的性能标杆，该系列不仅有效弥补了传统SPI NAND Flash在读取速度上的不足，并为坏块管理提供了新的解决方案，可成为NOR Flash用户在扩容需求下的理想替代选择。未来，兆易创新还将持续打磨底层技术，为客户提供更高效、更可靠的存储方案。”　　目前，兆易创新GD5F1GM9系列可提供1Gb容量、3V/1.8V两种电压选择，并支持WSON8 8x6mm、WSON8 6x5mm、BGA24(5×5 ball array)5x5ball封装选项。如需了解详细信息及产品定价，请联系AMEYA360销售代表。
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发布时间：2025-04-15 15:31 阅读量：1043 继续阅读>>
兆易创新推出GD25NE系列SPI NOR <span style='color:red'>Flash</span>：专为1.2V SoC打造，双电压供电助力读功耗减半
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兆易创新推出GD25NE系列SPI NOR Flash：专为1.2V SoC打造，双电压供电助力读功耗减半

　　兆易创新今日宣布推出专为1.2V SoC应用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列。该系列产品无需借助外部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容，此产品的面世将进一步强化兆易创新在双电压供电闪存解决方案领域的战略布局。凭借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分满足市场对于先进嵌入式存储解决方案日益增长的需求，成为智能可穿戴设备、医疗健康、物联网、数据中心及边缘人工智能应用的理想选择。　　GD25NE系列SPI NOR Flash的核心供电电压为1.8V，IO接口电压为1.2V，支持单通道、双通道、四通道、双沿四通道模式，最高时钟频率为STR 133MHz，DTR 104MHz。GD25NE系列的写入时间典型值为0.15ms，扇区擦除时间为30ms，其与常规1.2V单电压供电的Flash解决方案相比，数据读取性能提升了20%，写入速度提升60%，擦除时间缩短30%。凭借这些技术优势，GD25NE系列成为新兴嵌入式应用的卓越之选。　　为进一步满足能耗敏感型应用的需求，GD25NE系列采用超低功耗设计。其深度睡眠功耗电流低至0.2µA，在双沿四通道104MHz频率下的读取电流低至9mA，擦写电流低至8mA。与传统的1.8V Flash解决方案相比，GD25NE系列的1.2V IO接口设计可将功耗降低50%。这一优化的电源架构不仅显著提升了能效，还保持了Flash器件的高性能表现，同时简化了SoC的系统设计。　　“GD25NE系列作为双电源SPI NOR Flash品类的代表，实现了高性能与超低功耗的完美平衡，”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“凭借显著降低的功耗、更快的读取速度以及更高的擦写效率，GD25NE系列能够满足新一代1.2V SoC持续演进的需求。未来，兆易创新还将不断拓展双电源SPI NOR Flash的产品组合，致力于为客户提供更高效、更可靠、更前沿的闪存解决方案，助力创新应用的发展。”
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发布时间：2025-03-12 11:15 阅读量：1258 继续阅读>>
兆易创新GD25/55全系列车规级SPI NOR <span style='color:red'>Flash</span>荣获ISO 26262 ASIL D功能安全认证证书
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兆易创新GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash荣获ISO 26262 ASIL D功能安全认证证书

　　兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)今日宣布，旗下GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash获得由国际公认的测试、检验和认证机构SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽车功能安全认证证书。这一成就不仅有力印证了GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash在严苛汽车应用场景中的卓越安全性能和可靠性，也进一步巩固了公司在SPI NOR Flash领域的领导地位。　　随着汽车电子电气组件数量的指数级增长，其安全性需求日益凸显。ISO 26262作为国际权威汽车功能安全标准，其核心目标是降低汽车电子电气系统可能导致的风险，确保车辆的安全性能。在ISO 26262标准框架下，ASIL(Automotive Safety Integration Level)分类系统将功能安全从低到高分为四个等级：A、B、C、D，其中，D代表最高等级，意味着在该等级下的开发流程最为严格。　　兆易创新在汽车电子领域始终坚持精耕细作，将产品品质视为企业发展的核心。质量建设方面，车规级Flash以0PPM为目标，并持续推进质量改善，赢得了客户的广泛信赖，目前全球出货量已超两亿颗。功能安全建设方面，兆易创新全面强化了流程体系与人员管理，不断提升功能安全管理水平，继2023年通过ISO 26262 ASIL D流程认证之后，公司的车规级SPI NOR Flash再次获得ASIL D功能安全认证，充分展示出兆易创新已经建立起严格的车规芯片开发流程体系，并在此基础上已具备设计符合功能安全标准产品的成熟能力。　　GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash，严格遵循AEC-Q100 Grade1标准，采用55nm/45nm制程工艺，支持3V、1.8V以及1.65V~3.6V工作电压，容量覆盖2Mb~2Gb，可全面满足汽车电子所需的代码存储需求。在读写性能方面，可提供单通道、双通道、四通道和八通道通信模式，数据吞吐率最高达400MB/s，保证了高效的数据传输。同时，产品拥有10万次擦写周期，以及长达20年的数据保持期限。在安全性能方面，64Mb及以上容量的产品内置ECC算法与CRC校验功能，在提高可靠性的同时有助于延长产品的使用寿命。目前，GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash已广泛服务于众多国内外汽车制造商和Tier 1，应用领域横跨车载娱乐影音、智能座舱、智能网联、智能驾驶、电池管理、域控制器、中央计算、中央网关、区域控制器等多个关键汽车电子应用场景。　　兆易创新副总裁、存储器事业部总经理苏如伟表示：“NOR Flash作为汽车电子存储关键代码的重要介质，其功能安全性对于保障数据在极端环境下的可靠性和完整性至关重要，并且直接关系到车辆的安全、稳定运行。兆易创新GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash通过ISO 26262:2018 ASIL D汽车功能安全认证，充分印证了公司在车规级芯片设计领域的强劲实力。未来，公司还将继续秉承汽车功能安全的高标准，严格遵守相关流程规范，为全球客户提供更多高品质、高可靠性的车规级存储产品。”
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发布时间：2024-11-22 09:56 阅读量：1887 继续阅读>>

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