兆易创新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品系列

发布时间：2022-08-19 13:54
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：3325

    兆易创新今日宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品——GD25UF系列。该系列在数据传输速度、供电电压、读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平，在针对智能可穿戴设备、健康监测、物联网设备或其它单电池供电的应用中，能显著降低运行功耗，有效延长设备的续航时间。

兆易创新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品系列

    随着物联网技术的发展，新一代智能可穿戴设备需要拥有更丰富的功能来满足消费者的需求，这种空间敏感型产品对系统功耗提出了更严苛的要求，希望进一步提升产品的续航能力。

    从系统设计层面来看，一些先进工艺器件的工作电压已低至1.2V，如果所需的Flash可支持1.2V的电压操作，这对于主控而言，将能够有效简化电源设计并优化系统成本。

    应此需求，兆易创新推出了GD25UF产品系列，该系列工作电压可扩展至1.14~1.6V，具有单通道、双通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式，支持不同容量选择，能够满足智能设备所需的代码存储要求。

    在读写性能方面

    GD25UF最高时钟频率STR 120MHz，DTR 60MHz，拥有10万次的擦写寿命，数据有效保存期限可达20年。

    在安全性方面

    该产品具有128bit Unique ID来实现加密效果，为应用带来高安全保障。

    同时，为进一步满足低功耗的需求，GD25UF产品系列特别提供了Normal Mode和Low Power Mode两种工作模式。在Normal Mode下，器件读取电流在四通道120MHz的频率下低至6mA；在Low Power Mode下，器件读取电流在四通道1MHz频率下低至0.5mA，擦写电流低至7mA，睡眠功耗低至0.1uA。

    相比于1.8V供电的SPI NOR Flash，1.2V GD25UF系列在Normal Mode下，相同电流情况下的功耗降低了33%，而在Low Power Mode下，相同频率下的功耗降低了70%，有效延长了设备的续航时间。

    另外GD25UF系列产品的供电电压支持1.14~1.6V的宽电压范围，可显著延长单电池供电应用的使用寿命。并且该系列产品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封装，全温度工作范围覆盖-40℃~85℃、-40℃~105℃、-40℃~125℃。

    兆易创新存储器事业部执行总监陈晖先生表示：

    “GD25UF系列产品进一步丰富了兆易创新的Flash Memory产品线。其具备的1.2V低电压和超低功耗模式可以帮助小容量电池供电设备提高续航能力，即使在不可避免的电池衰减过程中，也可以保持出色且稳定的运行状态，增加应用的可靠性。如今，电池续航能力已经成为消费者选购产品的重要指标，GD25UF系列产品的问世会是下一代可穿戴设备的理想选择。作为国内外鲜少拥有1.2V SPI NOR Flash产品线的企业，兆易创新走在了需求前端，为下一代应用的设计开发缓解了压力，从一定程度上缩短了客户的研发成本，让他们能够在日益激烈的市场竞争中保持领先地位。”

    目前，兆易创新GD25UF系列可提供64Mb容量样品，更多容量产品将陆续推出，客户可在下方留言咨询！

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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