兆易创新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品系列

发布时间：2022-08-19 13:54
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：3614

    兆易创新今日宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品——GD25UF系列。该系列在数据传输速度、供电电压、读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平，在针对智能可穿戴设备、健康监测、物联网设备或其它单电池供电的应用中，能显著降低运行功耗，有效延长设备的续航时间。

兆易创新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品系列

    随着物联网技术的发展，新一代智能可穿戴设备需要拥有更丰富的功能来满足消费者的需求，这种空间敏感型产品对系统功耗提出了更严苛的要求，希望进一步提升产品的续航能力。

    从系统设计层面来看，一些先进工艺器件的工作电压已低至1.2V，如果所需的Flash可支持1.2V的电压操作，这对于主控而言，将能够有效简化电源设计并优化系统成本。

    应此需求，兆易创新推出了GD25UF产品系列，该系列工作电压可扩展至1.14~1.6V，具有单通道、双通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式，支持不同容量选择，能够满足智能设备所需的代码存储要求。

    在读写性能方面

    GD25UF最高时钟频率STR 120MHz，DTR 60MHz，拥有10万次的擦写寿命，数据有效保存期限可达20年。

    在安全性方面

    该产品具有128bit Unique ID来实现加密效果，为应用带来高安全保障。

    同时，为进一步满足低功耗的需求，GD25UF产品系列特别提供了Normal Mode和Low Power Mode两种工作模式。在Normal Mode下，器件读取电流在四通道120MHz的频率下低至6mA；在Low Power Mode下，器件读取电流在四通道1MHz频率下低至0.5mA，擦写电流低至7mA，睡眠功耗低至0.1uA。

    相比于1.8V供电的SPI NOR Flash，1.2V GD25UF系列在Normal Mode下，相同电流情况下的功耗降低了33%，而在Low Power Mode下，相同频率下的功耗降低了70%，有效延长了设备的续航时间。

    另外GD25UF系列产品的供电电压支持1.14~1.6V的宽电压范围，可显著延长单电池供电应用的使用寿命。并且该系列产品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封装，全温度工作范围覆盖-40℃~85℃、-40℃~105℃、-40℃~125℃。

    兆易创新存储器事业部执行总监陈晖先生表示：

    “GD25UF系列产品进一步丰富了兆易创新的Flash Memory产品线。其具备的1.2V低电压和超低功耗模式可以帮助小容量电池供电设备提高续航能力，即使在不可避免的电池衰减过程中，也可以保持出色且稳定的运行状态，增加应用的可靠性。如今，电池续航能力已经成为消费者选购产品的重要指标，GD25UF系列产品的问世会是下一代可穿戴设备的理想选择。作为国内外鲜少拥有1.2V SPI NOR Flash产品线的企业，兆易创新走在了需求前端，为下一代应用的设计开发缓解了压力，从一定程度上缩短了客户的研发成本，让他们能够在日益激烈的市场竞争中保持领先地位。”

    目前，兆易创新GD25UF系列可提供64Mb容量样品，更多容量产品将陆续推出，客户可在下方留言咨询！

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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全链布局+技术创新，兆易创新助力指纹识别技术落地IoT新兴场景
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全链布局+技术创新，兆易创新助力指纹识别技术落地IoT新兴场景

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　　1月22日，兆易创新(GigaDevice)宣布正式推出新一代GD32H7系列超高性能MCU，包含GD32H789/779系列超高性能通用MCU，以及集成EtherCAT®从站控制器GD32H78E/77E超高实时性系列MCU，该系列产品基于Arm® Cortex®-M7内核，主频高达750MHz，配备高速大容量内存架构及640KB可与CPU同频运行紧耦合内存(TCM)，实现了高性能、低动态功耗与高速通信的有机统一。该系列微控制器可适用伺服控制、变频驱动、数字电源、便携电子产品、智能家居以及消防等领域，树立性能新标杆，为下一代智能装备的升级奠定核心硬件基础。　　性能铁三角：750MHz内核、高速存储与零等待访问　　GD32H78E/77E、GD32H789/779系列MCU均基于性能强悍的Cortex®-M7内核，主频高达750MHz。该系列芯片拥有超高存储配置，最高可支持2MB Execution Flash与8MB Storage Flash，并搭载1.2MB的SRAM，更特别配备高达640KB大容量紧耦合内存(TCM)，实现CPU同频运行，指令与数据的零等待执行。无论是高实时任务、复杂算法还是密集型数据处理，这一革新架构可让算力持续释放，系统响应更快、执行更稳。　　灵活存储与强大扩展接口　　该系列MCU在外部存储与扩展连接方面展现出高度灵活性，配备2个OSPI接口支持高达200MHz时钟频率与双倍数据速率(DTR)模式，可高效直连PSRAM、HyperRAM、NAND Flash及NOR Flash等多种外部存储器，实现高速数据交换。　　同时，GD32H78E/77E、GD32H789/779系列微控制器均集成16/32位EXMC模块，进一步扩展了连接能力，可支持直接对接外部SDRAM与FPGA，不仅大幅提升了系统内存容量与数据处理带宽，也为复杂系统集成与定制化硬件协同提供了便捷可靠的桥梁。　　GD32H78E/77E系列MCU，运动控制核心芯片　　▲GD32H78E/77E芯片框图　　GD32H78E/77E系列芯片集成了EtherCAT®从站控制器，其DC同步周期精度提升至62.5微秒，达到业界先进水平。该设计不仅支持复杂的多轴联动与高动态响应控制，更能满足工业自动化、机器人、数控机床等领域对时序一致性的严苛要求，助力实现系统整体性能的提升。　　GD32H78E/77E系列芯片还配备了全面的高性能编码器接口，可原生支持多摩川(Tamagawa)T-format、HIPERFACE DSL、EnDat 2.2、BiSS-C及尼康(Nikon)A-format等主流工业编码器协议与旋转变压器(R/D Converter)，同时其通信接口具备CBC保护机制。结合其强大算力内核，GD32H78E/77E系列MCU可直接适配各类高端伺服电机与精密位置传感器，为伺服驱动器、机器人关节控制器及数控系统提供了高度集成的一站式解决方案。　　GD32H789/779系列MCU，高性能通用芯片　　▲GD32H789/779芯片框图　　GD32H789/779系列芯片不仅为复杂应用构建了全功能的通信与交互枢纽，更在模拟性能上实现突破。其内置的14-bit ADC凭借出色的设计，实现了优异的有效位数表现，同时集成的高性能数字滤波器模块(HPDF)，能直接处理外接高精度Sigma-Delta ADC，形成了从芯片内置到外接扩展的完整高精度解决方案。该系列产品核心外设资源包括：　　先进多媒体：图形处理加速器、 TFT-LCD接口、数字摄像头接口　　高速有线通信：8xU(S)ART、4xI²C、6xSPI、4xI²S　　先进网络与总线：2x10/100Mbps Ethernet、3xCAN-FD　　高性能模拟系统：2x14bit ADC(具有优异有效位)、1x12bit ADC、2CHsx12bit DAC、2xCOMP、1xHPDF(可外接高精度Σ-Δ ADC)　　高速数据接口：1xUSB HS OTG(内置PHY)、1xUSB FS(内置PHY)、2xSDIO　　全方位构建安全屏障　　兆易创新GD32H78E/77E、GD32H789/779系列MCU构建了从硬件到软件的全栈安全体系，系统性地实现了安全启动、安全调试、代码保护与安全升级等核心功能。该体系不仅提供基于安全启动与安全更新(SBSFU)的软件平台，更依托用户安全存储区等硬件机制，实现对代码与数据的多级防护，确保固件升级、完整性校验、真实性验证及防回滚检查全程可靠。　　在硬件加密层面，芯片内置的CAU模块支持DES、TDES及AES算法，并具备高效的DMA传输能力。HAU模块则支持SHA-1、SHA-224、SHA-256、MD5及HMAC等多种哈希算法，保障数据完整性与身份认证安全。此外，该系列芯片还提供EFUSE用于安全存储系统关键参数，并集成TRNG真随机数发生器，可生成高质量的32位随机数。　　该系列MCU集成了全面且高等级的安全功能，MCU STL获得德国莱茵TÜV IEC 61508 SC3(SIL 2/SIL 3)功能安全认证，全面支持 IEC 60730 Class B等各行业安全标准，并助力客户产品从容符合欧盟《网络弹性法案》(CRA)等法规，提升市场准入效率。
2026-01-22 11:33 阅读量：519
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