<span style='color:red'>CMP</span>工艺工程师常用专业术语
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CMP工艺工程师常用专业术语

　　一、 核心工艺参数与性能指标 (Core Process Parameters & Metrics)　　这些是你在日常工作中每天都要监控、分析和报告的关键数据。　　去除速率 (Removal Rate, RR)　　解释：单位时间内去除的薄膜厚度，是CMP最核心的性能指标。通常单位为埃/分钟 (Å/min) 或纳米/分钟 (nm/min)。RR的稳定性和可控性至关重要。　　不均匀性 (Non-Uniformity, NU%)　　解释：衡量整个晶圆表面去除速率差异的指标。通常分为片内不均匀性 (WIWNU, Within-Wafer) 和片间不均匀性 (WTWNU, Wafer-to-Wafer)。NU%越小，代表平坦化效果越均匀，对器件性能一致性越好。　　选择比 (Selectivity)　　解释：指在同一工艺条件下，对两种不同材料的去除速率之比。例如，在浅沟槽隔离(STI) CMP中，我们希望氧化物(Oxide)相对于氮化物(Nitride)有很高的选择比，以在去除多余氧化物的同时，尽可能少地磨损作为停止层的氮化物。　　下压力 (Downforce / Pressure)　　解释：研磨头(Polishing Head)施加在晶圆背面的压力，单位通常是psi (磅/平方英寸)。根据普雷斯顿方程，它是决定去除速率的关键输入参数之一。　　转速 (Rotation Speed)　　解释：指研磨盘(Platen)和研磨头(Head)的旋转速度，单位是rpm (转/分钟)。同样是影响去除速率和流体动力学的关键参数。　　二、 关键硬件与耗材 (Key Hardware & Consumables)　　这些是你每天都要接触、更换和维护的物理部件。　　研磨液 (Slurry)　　解释：CMP工艺的“化学”核心。它是由研磨颗粒(Abrasive)和各种化学添加剂(助氧化剂、络合剂、pH稳定剂、表面活性剂等)混合而成的悬浮液。　　研磨垫 (Pad)　　解释：CMP工艺的“机械”核心。通常是聚氨酯(Polyurethane)材料，表面有特定的沟槽(Grooves)设计，用于传输研磨液和带走碎屑。分为硬垫和软垫。　　研磨垫修整器 (Pad Conditioner / Dresser)　　解释：带有金刚石颗粒的圆盘，用于在研磨过程中或研磨间隙对研磨垫进行“修整”。目的是去除嵌入的碎屑，恢复研磨垫表面的粗糙度和微观结构，以维持稳定的去除速率。　　挡环 (Retaining Ring)　　解释：位于研磨头边缘的环状部件，用于在研磨时固定晶圆，防止其滑出。同时，挡环的材质和状态对晶圆边缘的研磨轮廓(Edge Profile)有决定性影响。　　研磨颗粒 (Abrasive)　　解释：研磨液中的固体颗粒，提供主要的机械研磨作用。常见的有二氧化硅(Silica)、二氧化铈(Ceria)、氧化铝(Alumina)等，其粒径、形状和硬度都经过精密设计。　　三、 平坦化形貌与缺陷 (Planarization Topography & Defects)　　这些是CMP工艺需要解决的核心问题和常见的失效模式。　　碟形凹陷 (Dishing)　　解释：在金属CMP(如铜互连)中，大尺寸金属区域由于材质较软，被过度研磨，中心区域低于周围介电层，形成碟状凹陷。这会增加后续连线的电阻。　　腐蚀凹陷 (Erosion)　　解释：在高密度图形区域，由于局部压力和化学作用增强，导致大面积的介电层被过度磨损而变薄的现象。　　残留 (Residue)　　解释：研磨后，本应被去除的材料(如金属、氧化物)未能完全去除，残留在晶圆表面。这通常发生在图形的凹陷区域，会导致短路等致命缺陷。　　划伤 (Scratches)　　解释：CMP工艺最常见的缺陷之一。由大的研磨颗粒、外部异物或研磨垫碎屑在晶圆表面划出的线状痕迹。　　边角磨圆 (Corner Rounding)　　解释：在STI CMP中，沟槽的边角被过度研磨而变得圆钝的现象。这会影响晶体管的几何形状和电学性能。　　四、 工艺控制与终点检测 (Process Control & Endpoint Detection)　　这些是确保工艺稳定性和精确性的关键技术。　　终点检测 (Endpoint Detection, EPD)　　马达电流法 (Motor Current)：通过监测研磨盘或研磨头马达的电流变化(摩擦力变化)来判断。　　光学法 (Optical)：通过监测特定波长光的反射或干涉信号来判断薄膜厚度变化。　　涡电流法 (Eddy Current)：专门用于金属CMP，通过感应金属膜厚变化引起的涡电流变化来判断。　　解释：判断CMP过程何时应该停止的技术。这是从按时间控制(Timed Polish)向量产控制(Process-Controlled Polish)转变的关键。常见方法有：　　原位 (In-situ)　　解释：指在研磨过程中实时进行。例如“原位终点检测”(In-situ EPD)，“原位修整”(In-situ Conditioning)。　　CMP后清洗 (Post-CMP Clean)　　解释：一个至关重要的独立工序。使用刷洗、兆声波清洗和化学药液，去除CMP后残留在晶圆表面的颗粒、金属离子和有机物。清洗的好坏直接决定最终的缺陷水平。　　金属填充 (Dummy Fill / Metal Fill)　　解释：一种版图设计端的优化手段(DFM, Design for Manufacturability)。在图形密度低的区域，预先填充不具备电学功能的“假”金属块，以提高整个版图的图形密度均匀性，从而极大地改善CMP后的平坦度，减少Dishing和Erosion。　　五、 理论与模型 (Theory & Models)　　这些是理解CMP机理、进行深入研究的理论基础。　　普雷斯顿方程 (Preston's Equation)　　解释：CMP最基础的经验模型：RR = Kp * P * V。其中RR是去除速率，P是压力，V是相对速度，Kp是普雷斯顿系数(一个包含了所有其他化学和材料因素的经验常数)。　　斯特里贝克曲线 (Stribeck Curve)　　解释：描述润滑状态下摩擦系数与(粘度×速度/压力)关系的曲线。在CMP中，它被用来解释研磨垫、晶圆和研磨液三者之间的复杂作用，帮助我们理解从接触式研磨到流体动力学研磨的转变，对优化工艺窗口有指导意义。　　希望这份清单对你有所帮助。在实际工作中，你会发现这些术语总是交织在一起出现。例如，你需要调整下压力和转速来优化去除速率，同时监控不均匀性，并利用终点检测来防止碟形凹陷和腐-蚀凹陷的发生。祝你在CMP领域不断进步。
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发布时间：2025-08-27 11:52 阅读量：182 继续阅读>>
线易微：<span style='color:red'>CMP</span>6713HV隔离电源驱动芯片
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线易微：CMP6713HV隔离电源驱动芯片

　　线易微CMP6713HV是支持6.5V-30V输入，带使能和电阻选频功能的定压输入隔离电源驱动芯片。　　01 产品简介　　CMP6713HV是全桥式隔离电源驱动芯片，芯片内部集成两个N型功率MOSFET和两个P型功率MOSFET，通过内部振荡器提供具有精准时序和死区时间的互补驱动信号。　　驱动芯片搭配配套的变压器，可以实现输入电压6.5V-30V，输出功率不超过3.5W的隔离电源。采用不同的变压器，外围只需搭配简单的输入输出滤波电容和整流电路，即可获得多种隔离电压输出。产品提供电阻选频功能，可以在200-420kHz范围内连续调整开关频率。　　02 产品特点　　精简和紧凑的SOT23-6封装　　使能引脚支持高压(可直接连接VIN)　　抑制功率变压器的偏磁或饱和　　长期短路保护和自恢复功能　　集成限流/欠压/热关断保护　　软启动特性　　03 典型方案　　CMP6713HV搭配不同的变压器，可实现多种输入输出电压组合的解决方案，典型应用方案如图所示。典型方案与变压器配套
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发布时间：2025-07-08 13:20 阅读量：338 继续阅读>>

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