永铭丨<span style='color:red'>AI服务器</span>机柜BBU的毫秒级瞬态功率缺口：为什么“混合型超级电容（LIC）+BBU”更合适？
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永铭丨AI服务器机柜BBU的毫秒级瞬态功率缺口：为什么“混合型超级电容（LIC）+BBU”更合适？

　　AI服务器机柜在训练/推理负载快速切换时，会出现毫秒级(典型1–50 ms)的功率突变与直流母线(DC Bus)掉压风险。NVIDIA在介绍 GB300 NVL72 电源架设计时提到，其电源架内集成能量存储元件并配合控制器，实现机柜级的快速瞬态功率平滑(见参考资料[1])。　　工程实践中，用“混合型超级电容(LIC)+BBU(Battery Backup Unit，备用电源单元)”构成就近缓冲层，可把“瞬态响应”和“短时备电”分工解耦：LIC负责毫秒级补偿，BBU负责秒级到分钟级接管。本文给出工程师可复现的选型思路、关键指标清单与验证项，并以永铭SLF 4.0V 4500F(单体ESR≤0.8mΩ，持续放电电流200A，参数应引用规格书[3])为例给出配置建议与对比数据支撑。　　机柜BBU电源正在把“瞬态功率平滑”前置到近端　　随着单柜功耗走向百千瓦级，AI工作负载会在短时间内造成电流阶跃。若母线掉压超过系统阈值，可能触发主板保护、GPU错误或重启。为降低对上游供电与电网侧的峰值冲击，一些架构开始在机柜电源架内部引入能量缓冲与控制策略，使功率尖峰在机柜内被“就地吸收与释放”。这类设计的核心启示是：瞬态问题优先在离负载最近的位置解决。　　在搭载英伟达GB200/GB300等超高功率(千瓦级)GPU的服务器中，电源系统面临的核心挑战已从传统的备电，转变为应对毫秒级、数百千瓦级的瞬态功率冲击。传统以铅酸电池为核心的BBU备用电源方案，因其固有的化学反应延迟、高内阻及有限的动态电荷接受能力，在响应速度与功率密度上存在瓶颈，已成为制约单机柜算力提升与系统可靠性的关键因素。　　表1：三级混合储能模式在机柜BBU中的位置示意(表格框图)　　架构演进，从“电池备电”到“三级混合储能模式”　　传统BBU多以电池为核心储能。面对毫秒级功率缺口，电池受限于化学反应动力学与等效内阻，响应往往不如电容类储能敏捷。因此，机柜侧开始采用“LIC(瞬态)+BBU(短时)+UPS/HVDC(长时)”的分级策略：　　LIC并联于DC Bus近端：承担毫秒级功率补偿与电压支撑(高倍率充放电)　　BBU(电池或其他储能)：承担秒级到分钟级接管(系统按备电时长设计)　　机房级UPS/HVDC：承担更长时长的不间断供电与电网侧调节　　这种分工把“快变量”和“慢变量”解耦：既稳住母线，又降低储能单元长期应力与维护压力。　　深度解析：为何是永铭混合型超级电容?　　永铭混合型超级电容LIC(Lithium-ion Capacitor，锂离子电容)在结构上结合了电容的高功率特性与电化学体系的较高能量密度。在瞬态补偿场景中，决定能否“顶住”的关键是：在目标Δt内输出所需能量，并且在允许的温升与电压跌落范围内通过足够大的脉冲电流。　　高功率输出：在GPU负载突变、电网波动时，传统铅酸电池由于化学反应速度慢、内阻高，其动态电荷接受能力会迅速恶化，导致在毫秒时间内无法及时响应。混合型超级电容能够在1-50ms内完成瞬时补偿，随后BBU备用电源提供分钟级备电，保障母线电压平稳，显著降低主板和GPU死机风险。　　体积与重量优化：体积与重量优化：在以“同等可用能量(由 V_hi→V_lo 电压窗口决定)+相同瞬态窗口(Δt)”为对比口径时，LIC 缓冲层方案相较传统电池备电通常可显著降低体积与重量(体积可减少约 50%～70%，重量可减轻约 50%～60%，典型值无公开出处，需项目验证)，释放机柜空间与风道资源。(具体比例取决于对比对象规格、结构件与散热方案，建议在项目口径下对比验证。)　　充电速度提升：LIC具备高倍率充放电能力，回充速度通常高于电池方案(速度提升5倍以上，可实现接近十分钟快充，来源：混合型超级电容对比铅酸电池典型值)。回充时间由系统功率余量、充电策略与热设计共同决定，建议以“回充到 V_hi 所需时间”作为验收指标，并结合重复脉冲温升进行评估。　　循环寿命长：LIC 在高频充放电工况下通常具备更高循环寿命与更低维护压力(100万次循环寿命，6年以上寿命，是传统铅酸电池方案的约200倍，来源：混合型超级电容对比铅酸电池典型值)。循环寿命与温升极限请以具体规格与测试条件为准，从全生命周期角度有助于降低运维与故障成本。　　图2：混合储能系统示意：　　锂电池(秒–分钟级)+ 锂离子电容LIC(毫秒级缓冲)　　以英伟达GB300参考设计的日本武藏CCP3300SC(3.8V 3000F)为对标，在公开规格参数维度具备更高容量密度、更高电压以及更高容量：4.0V的工作电压与4500F的容量，带来了更高的单体能存储能量，在相同模组体积下提供更强的缓冲能力，确保毫秒级响应能力不打折扣。永铭SLF系列混合型超级电容关键参数：额定电压：4.0V;标称容量：4500FDC内阻/ESR：≤0.8mΩ持续放电电流：200A工作电压范围：4.0–2.5V　　采用永铭混合型超级电容的 BBU 就近缓冲方案，可在毫秒级窗口内对直流母线(DC Bus) 提供大电流补偿，提升母线电压稳定性;在同等可用能量与瞬态窗口的对比口径下，缓冲层通常更有利于降低空间占用并释放机柜资源;同时更适配高频充放电与快速恢复需求，降低维护压力。具体效果请以项目口径验证为准。　　选型指南：场景精准匹配　　面对AI算力极限挑战，供电系统的创新至关重要。永铭SLF 4.0V 4500F混合型超级电容，以扎实的自主技术，提供了高性能、高可靠的国产化BBU缓冲层解决方案，为AI数据中心实现稳定、高效、集约化的持续进化提供了核心支撑。　　如您需要获取详细技术资料，我们可提供：规格书、测试数据、应用选型表、样品等支持。同时请您提供：母线电压、ΔP/Δt、空间尺寸、环境温度、寿命口径等关键信息，以便我们快速给出配置建议。　　Q&A板块　　Q：AI服务器的GPU负载可能在毫秒内飙升150%，传统铅酸电池响应跟不上。永铭锂离子超级电容具体的响应时间是多少，如何实现这种快速支撑?　　A：永铭混合型超级电容(SLF 4.0V 4500F)依托于物理储能原理，内阻极低(≤0.8mΩ)，能够实现1-50毫秒级别的瞬时高倍率放电。当GPU负载突变导致直流母线电压骤降时，它可以近乎无延迟地释放大电流，直接对母线进行功率补偿，从而为后端BBU电源的唤醒与接管争取时间，确保电压平滑过渡，避免因电压跌落引发的运算错误或硬件死机。　　文末摘要　　适用场景：AI 服务器机柜级 BBU(备用电源单元)，直流母线(DC Bus)存在毫秒级瞬态功率冲击/电压跌落风险的场景;适用于“混合型超级电容 + BBU”的就近缓冲架构，用于短时断电、电网波动、GPU 负载突变下的母线稳压与瞬态补偿。　　核心优势：毫秒级快速响应(补偿1-50ms 瞬态窗口);低内阻/大电流能力，提升母线电压稳定性并降低意外重启风险;支持高倍率充放电与快速回充，缩短备电恢复时间;相较传统电池方案更适合高频充放电工况，有助于降低维护压力与全生命周期成本。　　推荐型号：永铭方形混合型超级电容SLF 4.0V 4500F
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发布时间：2026-01-15 14:28 阅读量：236 继续阅读>>
永铭丨破解<span style='color:red'>AI服务器</span>CPU/GPU供电困局：纳秒级瞬态如何稳压？MHz噪声怎样滤除？
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永铭丨破解AI服务器CPU/GPU供电困局：纳秒级瞬态如何稳压？MHz噪声怎样滤除？

　　本文摘要：AI芯片的算力狂奔，正将其供电网络推向极限。核心电压降至0.8-1.2V，单相电流冲击达百安级，导致VRM输出端出现纳秒级(10-100ns)的瞬态电流缺口与MHz级开关噪声干扰。传统电容因ESR高、高频阻抗大，已成为系统稳定的短板，而国际高端方案又存在供应链风险。本文解析供电末端三大核心指标，并以永铭MPS系列超低ESR叠层固态电容(导电性聚合物片式铝电解电容器)的实测对标数据为例，为工程师提供一条性能对标国际、供应自主可控的高可靠性取代路径。　　前言：供电末端的“隐形守卫”正在重新定义　　对在AI服务器追求极致算力的道路上，供电完整性(PI)是稳定性的基石。CPU/GPU的纳秒级负载阶跃如同“电流风暴”，若VRM输出电容无法在控制环路响应前(微秒级)的纳秒级空窗期快速补能，将直接导致核心电压下陷，引发计算错误或降频。与此同时，MHz开关噪声若未被吸收，会干扰高速信号。因此，输出电容已从“基础滤波”升级为“精准保障”的最后储能缓冲与噪声泄放通道。　　三大核心指标：为何传统方案力不从心?　　纳秒级瞬态支撑：ESR是决胜关键。响应速度取决于内阻，≤3mΩ的超低ESR是满足纳秒级电荷快速释放的刚性门槛。　　MHz级噪声抑制：高频阻抗特性至关重要。电容必须在开关频率及其谐波段保持极低阻抗，才能为噪声提供有效对地通路，保障PCIe/DDR等信号完整性。　　高温长寿命：匹配数据中心7x24h严酷工况。105℃下2000小时寿命及高纹波电流能力(>10A)，是应对长期高温应力、降低运维成本的基础。　　方案落地：永铭MPS系列·对标国际的国产化高价值选择　　永铭MPS系列直击上述痛点，关键参数与国际一线品牌(如松下GX系列)对标，实测表现卓越。　　简述：全温区容量/ESR曲线平滑，2000h老化测试后参数衰减优于行业平均水平，具体数据可在官网查看完整测试数据。　　Q&A　　Q：如何验证MPS电容在具体项目中的纳秒级支撑能力?　　A：建议在目标板上进行实测：使用电子负载模拟芯片的瞬态电流阶跃(如100A/100ns)，同时用高频探头监测核心电压的跌落幅度。对比更换MPS电容前后的电压波形，其更低的下陷值(Undershoot)和更快的恢复时间即为直接证据。　　结语：算力时代，稳定性同样重要　　在算力竞争与供应链自主化的双重驱动下，供电链路的每一个元件都关乎系统竞争力。永铭MPS系列以对标国际的性能实测数据、本土供应链的快速响应与成本优势，为AI服务器供电末端提供了可靠的国产化选择，助力中国AI基础设施行稳致远。　　文末摘要　　适用场景：AI服务器/高性能计算服务器CPU/GPU的VRM输出端。　　核心优势：纳秒级瞬态支撑(ESR≤3mΩ)、高效MHz噪声抑制、高温长寿命(105℃/2000h)、国产化高价值替代。　　推荐型号：永铭MPS系列超低ESR叠层固态电容(导电性聚合物片式铝电解电容器) (如：MPS471MOED19003R)。　　行动号召：获取规格书、完整测试报告与样品，请联系AMEYA360客服。　　【测试与数据声明】　　1. 数据来源：数据来源与测试声明：　　永铭MPS系列数据来源于其官方发布规格书。　　松下GX系列规格数据援引自其公开规格书，其关键性能指标(如ESR、纹波电流)已由我方实验室通过自有设备，对采购的样品(样品通过公开渠道采购)在同等测试条件下进行了验证性测试。　　本文中的性能对比基于以上来源，旨在进行客观的技术分析。　　2. 测试目的：所有测试均在同等条件下进行，旨在为工程师提供客观、可参考的技术性能比对。　　3. 局限性说明：测试结果仅对送测样品在特定测试条件下负责。不同批次、不同测试方法可能导致数据差异。　　4. 商标与知识产权：文中提及的“Panasonic”、“松下”、“GX系列”等均为其权利人的商标或产品系列名称，仅用于识别对标产品。本文数据对比不构成松下公司对我方产品的任何认可或背书，亦无贬损之意。　　5. 开放性验证：我们欢迎基于同等标准和条件的技术交流与验证
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发布时间：2026-01-09 14:12 阅读量：319 继续阅读>>
太阳诱电：扩充面向<span style='color:red'>AI服务器</span>的产品阵容，实现2012尺寸下100μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化
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太阳诱电：扩充面向AI服务器的产品阵容，实现2012尺寸下100μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化

　　太阳诱电株式会社研发出2012尺寸(2.0×1.25mm)下的100μF电容基板内置型多层陶瓷电容器(以下简称"MLCC")，在商品化，并已开始量产。　　该产品是一种用于IC电源线的去耦MLCC，主要应用于AI服务器等信息技术设备。在9月份商品化的1005尺寸基板内置型MLCC的基础上，进一步扩充的产品阵容。　　内置在基板上的部件，为了与电路连接，要求外部电极具有高精度的平坦性。因此，本公司通过提升外部电极形成技术等多种关键技术，成功实现了2012尺寸下100μF的基板内置型MLCC的商品化。　　该商品已于2025年11月在玉村工厂(群马县佐波郡)开始量产。本公司的样品价格是1个120日元。　　以AI服务器为代表的具备高级信息处理能力的设备，搭载了功耗极高的IC。对于此类电源电路的去耦应用，需要采用小型且大容量的MLCC来满足大电流需求。　　此外，为了将电路上的损耗和噪声降至最低，将电源电路布置在IC附近至关重要。传统的电源电路布置在IC周围，但如今技术发展已实现在基板背面或IC正下方内置等更近距离的配置方式。特别是对于基板内置型MLCC，为实现与导线的连接，具备高精度外部电极的MLCC不可或缺。　　因此，太阳诱电通过提升外部电极形成技术等工艺，成功实现了2012尺寸的基板内置型MLCC的商品化，其容量达到100μF。　　今后我们将继续推进MLCC的产品开发，并致力于实现更大容量等方面的进步。　　用途　　以AI服务器为首的信息设备中用于IC电源线的去耦用途　　规格
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发布时间：2025-12-12 16:16 阅读量：448 继续阅读>>
士兰微电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力<span style='color:red'>AI服务器</span>电源系统创新升级
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士兰微电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力AI服务器电源系统创新升级

　　2025年11月，杭州士兰微电子正式加入开放计算标准工作委员会。开放计算标准工作委员会(Open Compute Technology Committee)，简称OCTC，是中国电子工业标准化技术协会所属分支机构，主要成员来自数据中心上下游产业单位，旨在联合最终用户、系统厂商、核心组件供应商、科研院校，建立适用于新型数据中心的先进技术标准，完善产业链生态，推进产业健康、快速发展，满足国家对于数据中心绿色、集约、高效发展的要求。　　开放共建，协同创新，共筑芯未来　　杭州士兰微电子股份有限公司是国内最具规模、产品门类齐全的半导体IDM企业之一，已构建完整的IDM经营模式，覆盖从芯片设计、制造到封装的全产业链环节。公司拥有5吋、6吋、8吋和12吋的多条硅芯片生产线，以及6吋和8吋SiC功率器件芯片生产线。　　依托在功率半导体领域的深厚积累，士兰微电子为人工智能数据中心电源系统提供了“功率器件 + 电源管理IC”整体解决方案，包含SiC、GaN、DPMOS、LVMOS、Multiphase Controller IC、DrMOS、eFuse、POL等产品系列，全面支持AI服务器电源系统中SST、HVDC、PSU、IBC、Hotswap、BBU、VRM等应用，持续赋能算力基础设施发展。　　士兰微电子人工智能数据中心电源系统产品方案(Powering AIDC)　　展望未来，随着人工智能(AI)技术快速发展，数据中心作为数字经济重要基础设施，对能源消耗需求日益增加。应对AI数据中心的碳排放挑战，士兰微电子通过功率半导体技术和产品创新，助力提升数据中心“从电网到核心”全链路能源转换效率，为实现数据中心绿色、高效、可持续发展贡献“芯”力量。
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发布时间：2025-12-10 17:20 阅读量：449 继续阅读>>
矽力杰<span style='color:red'>AI服务器</span>48V散热风扇解决方案
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矽力杰AI服务器48V散热风扇解决方案

　　随着AI算力需求爆发式增长与智能制造的持续升级，数据中心的热密度不断攀升，散热系统已成为保障关键基础设施稳定运行的“生命线”。无论是散热风扇还是水泵，其精准控制都离不开预驱芯片这一“神经中枢”。　　矽力杰SQ55560作为一款专为无传感器三相BLDC电机设计的驱动IC，集成了正弦电流控制与灵活闭环算法，不仅大幅减少外部元器件数量、简化电路结构，更在散热风扇小型化方面提供了关键技术支持。　　芯片简介　　矽力杰SQ55560是一款最高支持80V电压的三相无刷风扇驱动芯片，专为BLDC应用设计。其内置MTP内存，支持免MCU系统配置，集成单电流采样、无传感器控制算法和四线制功能，集成12V Buck，尽可能简化外围BOM，有力推动散热系统的小型化进程。　　矽力杰SQ55560具备过欠压、过流、短路、开路、堵转、过温等多重保护功能，支持顺逆风启动，显著提升设备运行可靠性。同时，支持多种转速控制方式，灵活适配多样化应用场景。内置的Buck DC-DC转换器具备抖频功能，有效优化芯片的EMC表现。　　◆ 电源电压范围：6-80V　　◆ 睡眠模式　　◆ 集成多种电源模块　　♢ 高效率12V Buck DC-DC带抖频功能　　♢ 电荷泵升压电路　　♢ 5V LDO　　◆ BLDC无传感器正弦电流控制　　♢ 单电阻采样　　♢ 支持正反转控制　　♢ 顺/逆风启动　　♢ 开闭环调速控制　　♢ FG转速反馈　　♢ MTP存储用户配置与速度曲线　　◆ 标准I2C通讯　　◆ 四线制支持SP/FG复用为I2C通讯端口　　◆ 多样的转速控制模式　　♢ PWM频率/占空比　　♢ 模拟VSP电压　　♢ I2C　　◆ 全面的保护功能　　♢ 可调节死区　　♢ 堵转检测　　♢ 短路/开路/过流/过欠压/过温保护　　◆ QFN4*4-32封装四线制解决方案应用框图　　服务器风扇测试板(直径22mm)　　核心优势　　集成BUCK，精简外围BOM　　矽力杰SQ55560内置12V BUCK电路，只需外接一个4.7uF电容及一个47uH电感即可工作，最大程度减少芯片外围BOM。整个应用电路，除三相桥6个MOS及母线电容外，最少只需1个4.7uF/25V电容，2个220nF/25V电容，1个1uF/10V电容，1个47uH电感及一个母线采样电阻，最大程度减少外围BOM，从而实现更小PCB设计并减少物料成本。最少系统应用　　三相无感正弦电流控制，重塑设备静谧体验　　通过精准的正弦电流跟踪，有效降低电机转矩脉动，从源头减少系统噪声与振动，为散热风扇与水泵注入“静音基因”，提升机房硬件稳定性、延长寿命、优化机房环境并降低运维成本，助力高效可靠的数据中心运营。　　极速响应，瞬间启动　　采用高效环路控制，动态响应速度快，可在3秒内完成从0到全速域的极速跃升。高并发任务不“降频”，急速热响应让服务器“满血输出”。　　顺风逆风皆稳启，保障设备极端环境可靠运行　　矽力杰独创算法，面对大型数据中心机柜布局、环境扰动与负载波动形成的极端气流环境亦能稳定启动——让复杂风况尽在掌控，确保服务器散热始终稳定可靠。　　引脚复用，四线制赋能免拆机调试　　矽力杰SQ55560具备四线制功能，通过SP/FG引脚复用为I2C通讯引脚(SCL/SDA)，实现了调试接口与功能接口的一体化整合。这一功能允许用户在设备组装完成后，直接通过原有风扇连接线进行参数配置与状态监控，无需拆卸外壳或额外部署通讯线缆，大幅提升调试与维护效率。　　结语　　矽力杰SQ55560以“高集成度、低振动、易配置”三大核心优势，推动无刷风扇驱动从“功能实现”向“智能化体验”升级，为下一代智能散热系统提供坚实的技术支撑。
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发布时间：2025-11-19 13:44 阅读量：523 继续阅读>>
ROHM推出适用于<span style='color:red'>AI服务器</span>的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET
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ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET

　　2025年11月11日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1 范围的100V 耐压功率MOSFET“RS7P200BM” 。该款产品采用5060 尺寸(5.0mm×6.0mm)封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。　　RS7P200BM采用小型DFN5060-8S(5060尺寸)封装，与ROHM在2025年5月发售的DFN8080-8S(8.0mm×8.0mm尺寸)封装AI服务器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比，可实现更高密度的安装。 　　新产品在VDS=48V工作条件下，可确保脉冲宽度10ms时7.5A、1ms时25A的宽SOA范围，同时，还实现了与之存在权衡关系的低导通电阻(RDS(on))*3 4.0mΩ(条件：VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃)。通过抑制通电时的发热，有助于提高服务器电源的效率并减轻冷却负荷，进而进一步降低电力成本。　　新产品已于2025年9月开始量产(样品价格800日元/个，不含税)。本产品已经开始通过电商进行销售，可咨询AMEYA360客服。　　未来，ROHM将持续扩充适用于AI服务器等所用的48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为进一步节能和构建可持续的ICT基础设施贡献力量。　　开发背景　　随着AI技术的飞速发展和普及，搭载生成式AI和高性能GPU的服务器对稳定运行和能效提升的需求日益增长。尤其在热插拔电路中，能够应对浪涌电流*4和过负载、实现稳定运行的宽SOA范围功率MOSFET至关重要。另外，在数据中心和AI服务器领域，为了节能而正在加速向电源转换效率的48V电源系统转型，如何构建与其适配的高耐压、高效率电源电路成为当前的技术课题。　　ROHM通过推出符合市场需求的5060尺寸封装新产品，进一步强化适用于AI服务器热插拔电路的100V耐压功率MOSFET产品阵容。未来，ROHM将继续致力于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，进而为提升服务器系统的可靠性和节能性能做出贡献。　　应用示例　　48V系统AI服务器和数据中心电源的热插拔电路　　48V系统工业设备电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)　　AGV(自动引导车)等电池驱动的工业设备　　UPS、应急电源系统(电池备份单元)　　关于EcoMOS™品牌　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　术语解说　　*1) SOA(Safe Operating Area)　　元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。　　*2)热插拔电路　　可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。　　*3) 导通电阻(RDS(on))　　MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，工作时的损耗(功率损耗)越少。　　*4)浪涌电流(Inrush Current)　　在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。
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发布时间：2025-11-11 17:42 阅读量：592 继续阅读>>
太阳诱电：面向<span style='color:red'>AI服务器</span>，实现1005尺寸下22μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化
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太阳诱电：面向AI服务器，实现1005尺寸下22μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化

　　太阳诱电株式会社研发出1005尺寸(1.0×0.5mm)下的22μF电容基板内置型多层陶瓷电容器(以下简称"MLCC")，在商品化，并已开始量产。　　该产品是一种用于IC电源线的去耦MLCC，主要应用于AI服务器等信息技术设备。　　内置在基板上的部件，为了与电路连接，要求外部电极具有高精度的平坦性。因此，本公司通过提升外部电极形成技术等多种关键技术，成功实现了1005尺寸下22μF的基板内置型MLCC的商品化。　　该商品已于2025年8月在玉村工厂(群马县佐波郡)开始量产。本公司的样品价格是1个20日元。　　以AI服务器为代表的具备高级信息处理能力的设备，搭载了功耗极高的IC。对于此类电源电路的去耦应用，需要采用小型且大容量的MLCC来满足大电流需求。　　此外，为了将电路上的损耗和噪声降至最低，将电源电路布置在IC附近至关重要。传统的电源电路布置在IC周围，但如今技术发展已实现在基板背面或IC正下方内置等更近距离的配置方式。特别是对于基板内置型MLCC，为实现与导线的连接，具备高精度外部电极的MLCC不可或缺。　　因此，太阳诱电通过提升外部电极形成技术等工艺，成功实现了1005尺寸的基板内置型MLCC的商品化，其容量达到22μF。　　今后我们将继续推进MLCC的产品开发，并致力于实现更大容量等方面的进步。　　■用途　　以AI服务器为首的信息设备中用于IC电源线的去耦用途
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发布时间：2025-10-21 14:30 阅读量：503 继续阅读>>
太阳诱电：面向<span style='color:red'>AI服务器</span>的全新产品发布
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太阳诱电：面向AI服务器的全新产品发布

　　太阳诱电株式会社面向AI服务器的全新产品发布：0402英寸(1.0x0.5mm)实现静电容量22μF的基板内置型多层陶瓷电容器(以下简称“MLCC”)商品化，并开始量产。　　该产品是用于以AI服务器为首的信息设备的IC(注1)电源线的去耦(注2)用途的MLCC。　　由于与电路连接，内置于基板的部件在外部电极的平坦性等方面要求高精度。因此，本公司通过使外部电极形成技术等各种要素技术高度化，将0402英寸(1.0x0.5mm)实现22μF的内置基板对应的MLCC商品化。　　以AI服务器为首的具有高级信息处理能力的设备中，搭载了耗电量极高的IC。这种电源电路的去耦应用需要小型、大容量MLCC来应对大电流。　　此外，为了将电路损耗和噪声降到最小，将电源电路放置在IC附近非常重要。以往的电源电路配置在IC的周围，但内置在基板背面或IC正下方等更近配置的技术开发正在进行，特别是内置基板的MLCC与导线的连接，因此高精度的外部电极的MLCC不可或缺。　　因此，太阳诱电将外部电极形成技术等高度化，在0402英寸(1.0x0.5mm)的内置基板对应的MLCC中，将全球首个容量为22μF的MLCC商品化。　　今后将继续推进MLCC的产品开发，进一步实现大容量化等。　　■用途　　用于包括AI服务器在内的信息设备中的IC电源线去耦用途　　■术语解说　　(注1)IC：集成了电容器、晶体管、二极管、电阻等元件，具有各种功能的电子回路路。　　(注2)去耦：在IC等的电源线中，供给IC的动作所需的电，并且除去经由电源线进入的噪声等。
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发布时间：2025-09-12 17:13 阅读量：654 继续阅读>>
永铭电子四大<span style='color:red'>AI服务器</span>核心电容方案全线亮相——国产电容，高效打造AI算力“稳定芯”基座
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永铭电子四大AI服务器核心电容方案全线亮相——国产电容，高效打造AI算力“稳定芯”基座

　　引言：AI驱动下的电容技术变革　　随着AI算力需求呈指数级增长，服务器系统的供电、存储、备份与主板稳定性面临前所未有的挑战。永铭电子作为国产高端电容技术领军者，针对服务器电源、BBU(备用电源)、主板、存储、 四大核心场景，推出全系列高性能电容解决方案，全面取代TDK、松下、NCC、Rubycon等日系品牌，为AI基础设施注入“稳定基因”。　　一、服务器电源：高能量密度+高温稳定，能效突破95%+　　挑战：AI电源需在有限空间内承载千瓦级功率，对电容的可靠性、效率与温度特性要求极高。　　方案：　　输入端：液态牛角/插件电容(IDC3、LKF/LKL系列)，保障宽压输入稳定性;　　输出端：低ESR固态电容(NPC、VHT系列)+叠层高分子电容(MPD系列)，ESR低至3mΩ，损耗极低;　　· 优势：全系支持105℃-130℃高温，寿命2000-10000小时，助力电源效率突破95%+，功率密度提升20%以上。并且，我们已提供IDC3系列高性能牛角电容给全球领先的SiC/GaN方案商纳微半导体，并被采纳至4.5kW、8.5kW服务器电源。　　选型推荐：　　二、BBU备用电源：超级电容颠覆传统UPS，响应毫秒级+寿命100万次　　挑战：传统UPS响应慢、体积大、寿命短，无法满足AI服务器突发供电需求。　　方案：　　方形锂离子超级电容(SLF/SLM系列)：　　响应速度毫秒级，电压波动≤±1%;　　体积减少50%~70%，重量减轻50%~60%;　　循环寿命100万次，使用寿命6年以上;　　代表型号：SLF-3.8V-3500F(单体)、SLM-3.8V-28600F(模组);　　适用场景：AI服务器突发电流备份、机架空间优化、TCO降低。　　三、服务器主板：极致滤波+瞬态响应，为CPU/GPU供电保驾护航　　挑战：主板供电噪声直接导致AI芯片性能波动。　　方案：　　叠层高分子固态电容(MPS/MPD/MPU系列)：ESR低至3mΩ，抑制高频噪声;　　导电高分子钽电容(TPB/TPD系列)：响应速度提升10倍，匹配瞬时电流需求;　　高温固态电容(NPC/VPC/VPW系列)：105℃下寿命达2000-15000小时，电压波动控制在±2%以内;　　全系pin-to-pin兼容日系品牌，无缝取代。　　选型推荐：　　四、服务器存储：硬件级断电保护+高速读写稳定，守护数据资产　　挑战：NVMe SSD在高速读写与突发断电下面临数据丢失风险。　　方案：　　断电保护：高容量混合电容(NGY/NHT系列)+液态铝电解电容(LK/LKM系列)，提供≥10ms备份电力;　　读写滤波：叠层高分子电容(MPX/MPD系列)，ESR<10mΩ，电压波动≤±3%;　　优势：支持105℃-125℃高温，寿命4000-10000小时，兼容日系设计，可靠性达99.999%　　选型推荐：　　永铭四大方案核心共性优势　　全系高温支持：105℃~130℃宽温工作，适应严苛环境　　长寿命设计：2000~10000小时以上寿命，部分产品达100万次循环　　pin-to-pin兼容：直接取代日系品牌，无需修改设计　　国产取代首选：性能对标国际品牌，成本降低30%+　　定制化能力：支持容量、尺寸、电压等灵活定制　　展会现场行动指南　　时间：2025年9月9日-11日　　地点：北京·国家会议中心　　展位：C10(上海永铭电子)　　立即互动，锁定展会权益！　　如您有任何需求，可联系AMEYA360的客服告知您的应用场景，让永铭电容为您的AI系统注入“稳定·高效·国产”的芯动力！9月9-11日，北京国家会议中心C10展位，我们不见不散!
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发布时间：2025-09-09 09:25 阅读量：1335 继续阅读>>
应对AI算力瞬时浪涌！上海永铭锂离子超级电容为<span style='color:red'>AI服务器</span>BBU提供毫秒级供电保障
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应对AI算力瞬时浪涌！上海永铭锂离子超级电容为AI服务器BBU提供毫秒级供电保障

　　ODCC2025　　2025年ODCC开放数据中心峰会开幕在即，上海永铭电子股份有限公司将携新一代锂离子超级电容BBU解决方案亮相北京，致力于解决AI算力基础设施中高频、高功耗对供电系统提出的极致要求，为数据中心能源管理带来原创突破。　　服务器BBU解决方案-超级电容　　近期，英伟达官方将GB300服务器的备用电源(BBU)从“选配”全面升级为“标配”，单机柜新增超级电容与电池配置所带来的成本提升超万元，充分反映出其对供电“零中断”的刚性需求。在单GPU功率瞬态飙升至1.4千瓦、整机10千瓦级浪涌电流的极端工况下，传统UPS响应迟缓、循环寿命短，已难以胜任AI算力负载的毫秒级保障任务。一旦发生电压跌落，训练任务重启带来的经济损失远超电源投入本身。　　针对这一行业痛点，永铭电子推出基于锂离子超级电容技术(LIC)的新一代BBU解决方案，具备以下显著技术优势：　　1、超高功率密度，极大节约空间　　永铭LIC方案体积相比传统UPS减少50%～70%，重量减轻50%～60%，显著释放机架空间，支持高密度、超大规模AI集群部署。　　2、毫秒级响应与超长寿命　　工作温度范围宽达-30℃～+80℃，适应各种恶劣环境;循环寿命超过100万次，使用寿命长达6年以上，充电速度提升5倍，全生命周期TCO大幅降低。　　3、极致稳压，拒绝宕机　　毫秒级动态响应，电压波动控制在±1%以内，从根本上杜绝AI训练任务因电压暂降中断。　　应用案例　　特别在英伟达GB300服务器应用中，单机柜需部署多达252颗超级电容单元。永铭LIC模组(如SLF4.0V3300FRDA、SLM3.8V28600FRDA等)凭借高容量密度、极速响应和卓越可靠性，性能指标全面对标国际头部品牌，成为国内客户实现高端国产取代的首选。　　我们诚挚邀请您莅临永铭电子展位C10，深入了解锂离子超级电容在AI服务器BBU中的前沿应用，体验“毫秒响应、十年守护”的数据中心供电新标准。
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发布时间：2025-09-08 13:08 阅读量：1415 继续阅读>>

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