AI+时代,兆易创新存储助力AI服务器创新升级

Release time:2025-04-28
author:AMEYA360
source:兆易创新
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  在人工智能技术重构全球算力格局的当下,AI服务器作为支撑大模型训练、云端推理及边缘计算的核心基础设施,正迎来部署规模的爆发式增长。其硬件架构的复杂化与性能需求的指数级提升也对存储组件提出了多维度挑战:从启动引导的低延迟读取到算力核心的高频数据交互,从紧凑空间的高密度集成到高温环境的长期稳定运行。而SPI NOR Flash凭借在高速读写、功耗控制及可靠性上的综合优势,正在成为AI服务器硬件生态中不可或缺的关键一环。

  在AI技术浪潮的驱动下,全球AI计算硬件市场呈现爆发式增长。2024年成为AI PC元年,行业渗透率在2025年有望突破50%。同时,AI服务器与DS一体机产品亦迎来全面爆发。据Gartner与集邦咨询(TrendForce)数据显示,2024年全球AI服务器出货量约165.3万台,在2,164亿美元全球服务器市场中占比高达65%,远超通用服务器。另有机构预测,2028年全球服务器市场规模将增至3,328.7亿美元,AI服务器份额将进一步提升至近70%,持续主导市场增长。

  从产业链上游资本动向观察,微软、谷歌等头部云服务商正加速AI服务器布局:2024年微软AI服务器出货占比预计达20.2%;谷歌2025年GB200服务器采购量或达 7,000-8,000 台;Meta将2024年资本支出提升至380-400亿美元,其中AI服务器采购占比预计10.8%。此类战略性投入直接推动AI服务器对高性能存储组件的需求呈指数级增长。

AI+时代,兆易创新存储助力AI服务器创新升级

  兆易创新市场部产品经理田玥表示,AI服务器将为SPI NOR Flash提供多重应用空间,包括启动引导、算力核心、网络交互、管理监控等关键环节。在主板BIOS/UEFI固件存储中,SPI NOR Flash通常用于存储服务器启动引导程序、硬件配置及底层驱动等相关数据。在GPU加速器中,SPI NOR Flash用于存储AI芯片固件、驱动及轻量化模型参数碎片,满足训练、推理过程中频繁调用的需求。而在智能网卡(DPU)与网络控制器中,SPI NOR Flash承载网卡固件、协议栈及卸载引擎配置,凭借SPI/QPI接口与控制器的强兼容性,可快速加载协议栈以减少高速数据传输延迟;针对基板管理控制器(BMC)与管理子系统,SPI NOR Flash存储独立于主 CPU 运行的监控固件及状态参数,满足数据中心复杂环境下监控的需求。

  GPU和DPU将是SPI NOR Flash应用增长最快的领域。在云端AI服务器的高密度GPU运算场景中,高频数据交互催生SPI NOR Flash的差异化需求,如8个英伟达A100组成的GPU模组中,就有4种不同容量组合的SPI NOR Flash在使用,以保障高速数据传输与计算协同稳定性。与此同时,作为云端服务器标配的数据处理单元DPU,因云端处理与GPU加速的异构计算特性,对存储方案提出分级需求:256Mb至2Gb容量适配数据缓存与临时存储的高频交互场景,8Mb至32Mb容量则满足轻量化控制代码的存储需求,通过精准匹配任务负载的分级策略,实现数据处理效率与硬件成本的优化平衡。

AI+时代,兆易创新存储助力AI服务器创新升级

  通过参与开放计算项目(OCP)等开源硬件生态,SPI NOR Flash产品也在加速融入全球 AI 基础设施供应链。以2012年由 Facebook发起的OCP NIC项目为例,其标准化OCP接口设计支持面板级模块化插入服务器机箱,通过开源硬件架构推动数据中心基础设施的高效构建。在此项目中,兆易创新的GD25LB256E 等产品与 DPU 芯片形成协同方案,为数据处理单元提供适配的存储支持,进一步释放开源硬件生态下的市场机遇。

AI+时代,兆易创新存储助力AI服务器创新升级

  AI服务器的技术演进推动SPI NOR Flash需求持续升级:针对紧凑空间设计,需提供小尺寸封装与高容量集成的产品方案;耐高温性能适配数据中心高温环境;面对高速信号传输中的干扰与衰减问题,需强化驱动能力以保障信号完整性;针对高安全敏感市场,数据加密功能需求显著提升;同时,BMC管理模块与DPU卡等场景对8-32Mb小型容量闪存的需求持续增多,推动产品向轻量化、定制化方向发展。

  当前,兆易创新拥有业界领先的SPI NOR Flash产品矩阵,涵盖从512Kb到2Gb的全容量范围,支持3V、1.8V、1.65~3.6V、1.8V VCC&1.2V VIO、1.2V等多电压方案,并具备RPMC(可靠电源管理控制)、SFDP(串行闪存接口协议)等先进技术,满足AI服务器在高温、高负载环境下的稳定性要求。

  以具体产品为例,兆易创新针对低电压应用需求推出1.2V SPI NOR Flash两大产品系列:若追求极致低功耗,可选用VCC与VIO均为1.2V的GD25UF系列;若需兼顾低功耗与性能表现,则推荐采用1.8V VCC搭配1.2V VIO的GD25/55NF系列。此外,在高速数据传输领域,GD25/55T及GD25/55LT系列可提供高达200MB/s的数据吞吐量,而GD25/55X与GD25/55LX 系列则进一步将吞吐量提升至400MB/s,满足不同场景下的高速读写需求。

  自2008年推出国内首颗SPI NOR Flash以来,兆易创新历经多年的研发和市场拓展,已成为SPI NOR Flash全球市场占有率排名第二的芯片厂商,凭借270亿颗累计出货量的成熟经验,为AI服务器厂商提供可靠的量产保障与定制化解决方案。

  这一成绩源自兆易创新构建的稳定高效全球供应链体系。兆易创新已建立 ESG 风险管理体系,目标是2030年实现 50%以上供应商通过 RBA(责任商业联盟)认证。其全球供应链网络覆盖15+顶尖晶圆及封测厂商,并且公司依托合肥产品测试中心的27项核心测试能力,持续确保产品性能与交付稳定性。田玥表示,兆易创新通过多元化供应商策略与本地化生产布局,为AI服务器厂商提供稳定的供应链支持,助力全球AI算力基础设施在稳定性与绿色低碳目标上实现平衡发展。

  田玥最后表示,兆易创新凭借对AI服务器存储需求的深度理解、领先的产品矩阵及前瞻性布局,正成为AI算力革命的核心存储合作伙伴,其技术创新与生态协同将持续赋能全球AI基础设施的规模化落地与升级。


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兆易创新GD25LX128J系列车规SPI NOR Flash荣膺AEIF“2026国产车规芯片新品十强”
  5月20日,兆易创新(GigaDevice)旗下GD25LX128J系列车规级SPI NOR Flash凭借卓越的技术创新性与市场表现,在第十三届汽车电子创新大会(AEIF 2026)高峰论坛上一举斩获“2026国产车规芯片新品十强”以及“汽车电子金芯奖 · 卓越产品奖”两大奖项,充分展现了兆易创新在国产车规存储芯片领域的硬核实力。  在车载芯片国产化加速突破的行业背景下,主机及tier1零部件企业亟待选择一批质量过硬、性能稳定、供货可靠、有可控自主知识产权的芯片企业,作为合作对象。针对这一行业痛点,AEPC 汽车电子专业委员会(以下简称“AEPC”)推出行业首个综合性评价指标,暨“AEPC车规芯片健康指数标准”(AEPC standard for automotive Chip health index,简称 AsaChi “艾思齐”),为整车厂、Tier1 厂商以及投融资机构的决策提供科学依据。“2026 TOP 10 国产车规芯片新品榜单”便是依据“艾思齐”标准,对《国产车规芯片可靠性分级目录(2026)》中收录的300余款车规芯片进行综合评选后得出。  此次获奖的GD25LX128J系列车规级SPI NOR Flash可适用于智能网联、智能座舱、自动驾驶等对高性能有严格要求的应用,已批量供货于国内搭载最新导航辅助驾驶的各主流车型。该产品容量为128Mb,工作电压为1.8V,采用Octal SPI接口,支持DTR功能,最高时钟频率达200MHz,可实现400MB/s的数据吞吐率。芯片支持XIP(Execute-In-Place) 、DQS、DLP功能,以及ECC纠错及CRC校验,凭借高性能、高可靠性优势为智能网联与智能座舱提供了坚实的核心存储支撑。  本次荣膺双奖不仅是业界对兆易创新在车规级存储领域长期投入与技术积淀的高度认可,更彰显了公司在国产汽车供应链中的关键价值。兆易创新还将持续深耕汽车电子赛道,携手整车及零部件企业,共同推动中国汽车芯片产业的安全、自主与高质量发展。
2026-05-21 09:40 reading:507
兆易创新推出全新三相栅极驱动器,多电压平台赋能电机驱动革新
  5月19日,兆易创新(GigaDevice)推出三款全新三相无刷电机专用栅极驱动器——GD30DR1001、GD30DR1401以及GD30DR1901。产品精准覆盖了40V/120V/600V主流电压平台,凭借高集成度、强驱动能力及卓越的可靠性,为消费电子、家用电器、电动工具及工业设备提供一站式电机驱动解决方案。该新产品的发布,进一步扩充了兆易创新的电机驱动芯片版图,有利于打造更紧凑、更高效、更稳定的电机控制系统。  覆盖多电压平台,精准匹配应用需求  随着智能设备、电动工具及工业自动化对电机控制性能要求的不断提升,系统设计正面临更高的效率、可靠性与集成度挑战。兆易创新此次推出的三款模拟器件均基于三相独立半桥架构,兼容3.3V/5V逻辑输入,支持直接驱动MOSFET或IGBT功率器件,在简化系统设计的同时,有效降低整体BOM成本和开发复杂度。  GD30DR1001是一款驱动P/N MOSFET功率管40V三相栅极驱动芯片,工作电源电压5.5V~40V,兼容3.3V/5V输入逻辑,集成5V LDO带载电流50mA,可为芯片内部逻辑和外部MCU供电。芯片内部集成欠压保护/输入直通保护等多种保护功能,内置60ns死区时间,并采用高度集成的SOP16/QFN16封装。该型号适用于落地风扇、空气净化器、小型泵阀等直流无刷电机应用。  GD30DR1401是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动芯片,专为驱动双N型沟道高压MOSFET功率管或GaN而设计,悬浮偏移电压+120V,兼容3.3V/5V输入逻辑,集成5V LDO带载电流100mA以及12V的控制电路,输出电流能力IO+2.0A/-2.5A。内置死区时间、欠压保护、直通防止功能等安全保护功能。该型号适用于服务器风机、民用无人机、电动工具、园林工具、清洁电器、厨房电器等应用。  GD30DR1901同样集成了三个独立的半桥栅极驱动芯片,可驱动双N型沟道高压MOSFET功率管或IGBT,悬浮偏移电压+600V,兼容3.3V/5V输入逻辑,集成5V LDO带载电流50mA,内置死区时间、欠压保护、直通防止功能等安全保护功能。该型号适用于个人护理、白色家电、工业变频器、高压风机/水泵、光伏逆变等应用。  兼顾集成度、可靠性与易用性的设计优势  GD30DR1001/GD30DR1401/GD30DR1901系列在架构设计与功能集成层面进行了系统性优化。通过在单芯片内整合关键功能模块,并引入完善的保护机制与标准化接口,该系列在简化系统设计的同时,进一步提升整体运行稳定性与开发效率。  1.高集成架构,简化系统设计  单芯片内集成LDO、死区控制及多种保护功能,部分型号内置自举二极管,有效减少外部二极管、分立电阻及稳压器件的使用。这一高度集成的设计不仅降低了BOM成本,同时显著简化PCB布局,提高系统紧凑性与整体可靠性。  2.多重保护机制,提升系统鲁棒性  器件内置完善的保护功能,包括欠压锁定(UVLO)、功率管直通防护以及LDO短路保护等,可有效避免低压驱动、上下管直通带来的潜在风险。结合–40°C至+125°C的宽工作温度范围,使其能够在高温及高电磁干扰环境下保持长期稳定运行,满足工业级应用需求。  3.标准化接口设计,加速系统开发  支持3.3V/5V逻辑输入接口,可直接与兆易创新GD32 MCU等主流微控制器连接,便于构建“MCU+Driver”的完整电机控制方案。标准化的接口与驱动架构有助于降低设计门槛,缩短开发周期,加快产品导入与量产进程。  目前,GD30DR1001/GD30DR1401/GD30DR1901已全面开放样品申请并实现量产,全系列采用标准卷带封装形式,支持自动化生产需求,可助力客户快速实现产品落地、抢占市场先机。
2026-05-20 09:08 reading:492
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  5 月 21-23 日,2026 国际低空经济与无人系统博览会暨第十一届深圳国际民用无人机展览会(UASE 民用无人机展)将在深圳会展中心(福田)重磅启幕。本次大会将有140多个国家和地区万余名行业专家、学者与企业家齐聚一堂,围绕民用无人机与低空经济产业发展展开高端对话与深度研讨,共探低空产业新未来。  深耕国产芯片领域,赋能低空科技革新。兆易创新将携一站式民用无人机芯片解决方案出席本次盛会,核心展品GD32-Betaflight 飞控等方案将在2号馆2B100亮相。依托多年芯片研发积淀与全栈生态布局,兆易创新持续为民用无人机及低空产业发展提供核心支撑。诚邀各界业内人士、合作伙伴莅临 2B100 展位驻足参观,携手开拓低空经济全新机遇。  兆易创新大会展品亮点速览  兆易创新GD32-Betaflight飞控方案  旗舰级算力,极致响应:采用GD32H7系列MCU为主控,以600 MHz算力支撑Betaflight 的高速闭环控制与复杂滤波  高精度感知,稳定导航:双 IMU 硬件级冗余配合GDY1121高精度气压计与磁力计,有效抑制机身震动噪声,大幅提升航向参考与定点精度  可视化监控,数据透明:板载 OSD 字符叠加,实时监测电压、电流、飞行模式;SPI NOR Flash GD25Q128 支持大容量黑匣子数据回溯,故障分析一目了然  全能接口,灵活适配:预留6路独立 UART/USART,满足多设备并行通信需求;8 路硬件定时器支持 PWM/DShot 输出,适配 4~8 轴电机  基于GD30DR1401的MINI民用无人机电调ESC  Mini ESC 四合一电调  驱动:GD30DR1401(120V 三相栅极驱动器, IO+/ -(A) : 2.0/2.5A),集成5V LDO带载电流100mA以及12V的控制电路,内置死区时间、欠压保护、直通防止功能等安全保护功能  输入电压:2-6S 支持LIHV电池  输出电流:20A  支持电调遥测  支持双向DSHOT  驱动信号支持:DShot150/300/600、MultiShot、OneShot驱动信号  基于GD30BM2016的48V电池管理方案板  最高VBAT电压85V  电池串数3~16cell  电压输入范围0~5V;测量精度±5mV(-40~85℃); 单通道采样时间1ms  电流输入范围±200mV;测量精度0.5%;支持电流电压同步采集  温度测量,最高支持9路NTC(内部集成上拉电阻和bias);测量精度±2℃  支持内部和外部电池均衡;内部均衡电流最大80mA  支持pack的高/低边控制;支持主动fuse控制  硬件保护,OV/UV/SC/OT/UT等  功耗53 uA(Sleep),5 uA(Shutdown)  封装TQFP-48,7*7*1.2 mm  温度范围-40~85 ℃  GD30DC1902WGTR-I 100V 2A同步降压转换器方案板  4.5V-100V输入耐压能力,支持2A连续电流输出  集成400mΩ/120mΩ开关MOS管  开关频率三档可调(300kHz\500kHz\800kHz)  可通过外部电阻选择FPWM(低纹波)或PFM(轻载高效)模式,FPWM模式下支持fly-buck隔离输出  COT控制策略,动态性能好,可减少输出电容  输入欠压、输出过压、过流、过热保护、短路保护(打嗝模式)  FB管脚短路与开路保护  支持预偏置启动  内部 2ms 软启动  集成自举(BST)充电电路  低压差模式,支持 97% 占空比  0.78V FB电压;PG状态指示  240uA低静态电流,4uA关断电流  ESOP8小体积封装  GD30DC1804 100V 3A BUCK 方案板  输入电压4.5~100V,3A连续输出电流能力  集成100mΩ低电阻MOS  可通过外接偏置电压给芯片供电,减少自身功耗,提高效率  集成低侧MOS驱动,可通过外加低侧MOS实现同步降压功能,进一步提高效率  COT控制策略,动态性能优越,快速响应负载变化,减少输出电容  集成欠压、过流、短路、过热保护  固定开关频率450KHz  支持预偏置启动  内置1.3ms软启动  支持PFM(轻载高效)模式  静态电流低至70uA  支持低压差模式,占空比可达 99%  符合 RoHS 标准,无卤素  采用ESOP-8(6mm×4.9mm)封装  展位信息:2号馆2B100
2026-05-14 09:27 reading:578
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