荣湃推出理想二极管控制器Pai8150x系列

发布时间：2025-03-03 15:03
作者：AMEYA360
来源：荣湃
阅读量：1071

　　荣湃半导体发布全新Pai8150x系列理想二极管控制器，该系列控制器凭借卓越的性能和创新设计，在降低系统功耗、提升效率方面表现优异。Pai8150x系列结合外部NMOS器件，不仅能够显著降低传统PN结二极管或肖特基二极管的正向压降和功率损耗，还能提供出色电池反向保护和反向电流阻断功能，对电池管理应用提供了强有力的支持。

　　电池反向保护和反向电流阻断

　　汽车供电系统设计时，低压电池包直供的模块或者子系统的输入侧，需要器件提供电池反向保护、多数还需要提供反向电流阻断功能。反向保护与反向电流阻断是两个概念，常见以PMOS实现防反(图1)，其无法阻止电流从输出侧回流到输入侧。在冗余安全供电(ORing)应用中，反向电流阻断是必备功能。

荣湃推出理想二极管控制器Pai8150x系列

　　实现防反与反向电流阻断的简单方法是电源输入端串接肖特基二极管。图2展示以二极管实现冗余供电。当VIN1异常跌落，VIN2会接管供电，D1导通，D2截至，反之亦然，电源切换过程中，无VIN1与VIN2之间的电流路径。常用的工业系统、电信服务器、存储和基础设施设备均需实现冗余供电。在小功率场景中，二极管简单成本低，但随功率增大，二极管压降会导致严重的功率损失。

荣湃推出理想二极管控制器Pai8150x系列

　　荣湃理想二极管Pai8150x系列

　　荣湃新推出的理想二极管控制器，Pai8150x系列，其控制外部NMOS模拟二极管行为，正向导通时，打开NMOS沟道，降低正向导通压降，同时检测输入输出电压，当存在反向电流时，关闭NMOS沟道，实现反向电流截止和电池反向保护功能，其成品面积小，能够有效节省空间。Pai8150x系列引脚配置如图3。引脚功能描述如表1。

荣湃推出理想二极管控制器Pai8150x系列

　　Pai8150C典型应用框图如图4, EN为使能引脚, SW用于电池电压监控, 当EN=High, SW=ANODE, 当EN=Low, SW浮空, 降低采样功耗。Pai8150x内部集成电荷泵, 当VBAT>VOUT+50mV, GATE拉高, 驱动外部NMOS全导通。当VOUT-11mV>VBAT, GATE OFF, NMOS关断。以上两种状态以外, GATE处于闭环调节状态(Regulation Conduction Mode), 在不同负载条件下,环路目标为VBAT-VOUT=20mV。工作状态参考图5。Regulation状态作用在于, 即使微弱反向电流, 环路也会使GATE电压降低, 最终实现反向电流截止。

荣湃推出理想二极管控制器Pai8150x系列

　　Pai8150x系列的关键参数，均达到国际领先水平。

荣湃推出理想二极管控制器Pai8150x系列

　　Pai8150x关键参数

　　理想二极管控制器Pai8150x系列产品可广泛应用于汽车电子和工业控制等领域。在汽车电子方面，该系列控制器可用于ADAS域控以及Camera，Cockpit，USB，TCU等模块，在工业控制领域，该系列产品同样适用于医疗成像，基站等多种场景。

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　　Pai8233X是基于荣湃iDivider技术开发的双通道隔离栅极驱动器，具有4A的峰值源电流和8A的峰值灌电流，最高开关频率可达5MHz，适用于MOSFET、IGBT和SiC MOSFET的栅极驱动。每个驱动器都可以作为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个可编程死区时间(DT)的半桥驱动器使用。输入VCCI支持3V至5.5V的范围，使该驱动器适合与模拟和数字控制器接口。输出侧欠压保护支持6V、9V、12V三种电平，每个器件都支持高达25V的VDD电源电压。具有供电范围广、传输延时低、CMTI能力强等特点。　　01使用注意事项　　为应对高频、大功率等复杂工况下隔离栅极驱动器的误动作与损坏风险，保证系统安全可靠工作，须在系统电路设计及PCB布局时，留意以下芯片使用相关的注意事项。图1 Pai8233X典型应用原理图　　1.1 输入端口滤波器　　为抑制PCB长走线或布局不当引入的输入噪声，建议在INA/INB端口配置RC滤波器(RIN: 0~100Ω，CIN: 10~100pF)。具体参数需在信号抗扰度与传播延时之间取得平衡。　　1.2 供电去耦电容/自举电容　　荣湃Pai8233X系列隔离驱动器的逻辑侧(VCCI)供电范围为3-5.5V，高压侧(VDDA/VDDB)最大工作电压25V。为提高工作鲁棒性并抑制电源噪声，建议在逻辑侧VCCI引脚至GND引脚采用100nF和1uF(16V/X7R)的低ESR和低ESL的标贴型多层陶瓷电容器(MLCC)并联组合。同理，在高压侧推荐VDDX引脚至VSSX引脚采用100nF和10uF(50V/X7R)的MLCC并联组合。需要注意的是，所有去耦电容应紧邻VCCI/VDDX引脚和GND/VSSX引脚放置。　　1.3 栅极驱动电阻　　合理选型栅极驱动电阻可抑制由PCB寄生参数、高电压/电流开关dv/dt、di/dt及体二极管反向恢复引起的振铃，改善EMI表现，并优化开关损耗与驱动速度。电阻值过小可能导致电压过冲与开关过快;电阻值过大则易引起开关速度降低和开关损耗过大，不利于驱动性能。栅极驱动电阻对功率器件的性能与鲁棒性具有重要影响，为了平衡系统效率和电磁干扰性能，设计中应综合考虑系统需求进行选型，其驱动电流峰值可参考下式计算：　　其中，ROH/ROL为驱动芯片导通/关断输出内阻，RON/ROFF为外部栅极导通/关断电阻，RGFET_int为功率管内部栅极电阻(可查对应功率管数据表)。　　1.4 栅极-源极并联电阻/电容　　MOS管的栅漏寄生电容(米勒电容)会在开关过程中导致栅极电压波动。当漏极电压快速变化时，米勒电容会将漏极电压的变化耦合到栅极，可能使栅极电压超过阈值，导致MOS管在关断状态下误导通。在栅极和源极之间并联电阻、电容，可以增加米勒电容电流释放路径，增大栅源电容的容值，分担米勒电容耦合的电压，从而降低栅极电压的波动幅度，减少误导通的风险。此外，并联CGS可以减小谐振频率，减小在开关过程中栅极的振铃幅度，使栅极电压波形更平滑、更稳定。RGS通常在5kΩ~20kΩ之间，CGS通常在100pF~10nF之间，具体可根据实际应用场景进行选择。　　02常见问题汇总　　1、死区时间Dead Time如何设置?　　答：Pai8233X 允许用户通过以下方式设置死区时间(DT)：　　DT引脚连接到VCCI：没有死区时间，A、B两路输出信号可以同时为高。　　DT引脚悬空或通过编程电阻连接到GND：如果DT引脚保持开路，则死区时间(tDT)设置为<15ns。如果DT引脚通过电阻与GND相连，死区时间tDT可以电阻RDT来设置。死区时间可以用公式tDT ≈ 10×RDT来计算。电阻RDT的单位kΩ，死区时间tDT的单位ns。　　当DT功能激活时，如果两个输入同时为高，则两个输出将立即变为低，此功能可以防止直通，并且不会影响正常工作时的死区时间。各种输入输出情况下死区逻辑关系如下图。图2. 输入、输出、死区逻辑关系　　2、DT引脚在芯片上电后还能更改配置模式吗?　　答：DT引脚只有在上电的时刻会去识别配置模式，一旦确定后就无法更改，除非重新下电。但是如果配置模式为接RDT到GND的模式，上电时可以通过更改电阻来修改DT时间，但无法在上电状态下更改成其他的配置模式。　　3、通过电阻RDT配置的硬件死区时间与上位机软件设置的死区时间如何选择?　　答：通过电阻RDT配置的硬件死区时间与上位机软件设置的死区时间应按照最大值进行选择。即当硬件死区时间大于上位机软件设置的死区时间时，则隔离驱动器将按照硬件死区时间进行工作。当上位机软件设置的死区时间大于硬件死区时间时，则隔离驱动器将按照上位机软件设置的死区时间进行工作。　　4、为了提高驱动器的驱动能力，能否将Pai8233X的两个驱动通道并联使用?　　答：不建议将双通道隔离驱动器的两个通道并联使用。因为并联使用对器件同步性能要求很高，Pai8233X的两个驱动通道之间有传播延时差异(一般<5ns)，且Pai8233X的默认输出状态为低电平。如果通道间出现传播延时差异，可能会导致驱动器上通道与下通道短路，最终无法实现驱动功能。荣湃目前已推出驱动能力更强的双通道隔离驱动器Pai8236X系列，峰值源电流和灌电流均达10A。如果需要更强驱动能力的芯片，可以选择此系列产品。　　5、双通道隔离驱动器如何实现负压偏置电路?　　由PCB布局非理想或MOS封装引线引入的寄生电感，可能导致功率管在开关过程中出现栅极电压振铃。若振铃超过阈值电压，将引发误导通甚至器件击穿的风险。为将振铃电压抑制在安全范围内，施加负栅极偏置是一种常用且有效的解决方案，以下是几种典型实现电路。　　图3显示了一个示例，在二次侧隔离电源上使用齐纳二极管构造一个负电源电压，为驱动器输出提供负压，让开关管实现负压关断。用户可以根据实际需求，选择不同钳位电压的齐纳二极管ZX，实现相应的关断负压值。此电路需要2路独立的隔离电源用于实现半桥配置，并且RZ上存在稳态功耗。图3. 利用2路独立电源输出级上的齐纳二极管生成负偏置　　图4显示了一个使用两组独立/四路电源的解决方案。每组电源VDDX有2路输出(VX+和VX-)。电源VX+决定驱动输出电压，VX-决定负电压关断。此方案比第一个例子所需的电源数量多，但在设置正负电源电压时更具有灵活性。图4. 利用两组/四路电源生成负偏置　　图5所示的方案采用单电源与齐纳二极管生成负偏置，结构简单、成本最低，并兼容自举高侧驱动。但需注意其存在以下局限：(1)负栅极驱动偏置同时受齐纳二极管和占空比共同影响。负偏置的能量来自于驱动信号高电平器件对耦合电容的充电，这意味着占空比决定了每个周期内对耦合电容的充电时间。因此，在此方案中，使用变频谐振转换器等具有固定占空比(约50%)的转换比较有利。(2)高侧VDDA-VSSA必须维持足够的电压来保持在建议的电源电压范围内，这意味着必须保证低侧有足够的导通时间来刷新自举电容器。因此高侧驱动无法实现100%占空比。图5. 利用单电源和栅极驱动路径上的齐纳二极管生成负偏置　　总 结　　为方便客户设计负压关断电路，荣湃现已推出集成负压偏置功能的隔离驱动产品Pai8236XNX。该芯片内部集成负偏压功能，无需外部增加额外电路元器件。
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　　什么是理想二极管控制器?　　理想二极管控制器可驱动外部 N 沟道 MOSFET 来仿真具有超低正向压降和可忽略不计反向电流的理想二极管。理想二极管控制器可根据栅极控制机制分为两类：线性调节控制和迟滞开/关控制。　　线性调节控制会根据负载电流来控制栅极电压，有助于快速反向电流阻断;　　在迟滞开/关控制中，当超过正向导通比较器阈值时，MOSFET完全导通。　　图1中的典型应用原理图显示了用于驱动外部 N 沟道 MOSFET 的理想二极管控制器Pai8150C。MOSFET的源极与输入端相连，电荷泵电容器连接在阳极和 VCAP 之间，可提供足够的栅极驱动电压来导通 MOSFET，EN引脚控制芯片开关。图1. 理想二极管控制器 - 典型应用原理图　　理想二极管应用介绍　　理想二极管控制器典型应用有三种：背靠背FET架构，电池反向保护以及电源路径管理及冗余(ORing)。　　1 背靠背FET架构　　理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而仿真具有电源路径开/关控制、浪涌电流限制的理想二极管整流器。电动汽车12V辅助电池由DC/DC变换器的12V输出电压供电。图2为荣湃半导体理想二极管控制器Pai8151B的应用案例。为实现DC/DC输出的12V与12V电池之间的受控连接与断开，需采用基于理想二极管控制器的背靠背MOSFET方案。当使能信号EN为低电平时：MOSFET Q1和Q2导通，DC/DC变换器输出的12V为12V辅助电池充电。当12V辅助电池充满电后： 使能号 EN 置为高电平，MOSFET Q1 和 Q2 关断，从而切断DC/DC变换器12V输出与12V辅助电池之间的电气通路。图2. 负载切换与浪涌电流控制应用图　　在电动汽车启动阶段，为了减缓高压电池连接设备输入电容的电流冲击，系统利用12V低压蓄电池实现对此输入电容的预充电。因此要求能量能从12V电池向高压测传输，理想二极管控制器需避免进入反向截止模式。如图3所示，此时需将控制器的Cathode引脚悬空设计以支持能量双向传输。图3. 能量双向传输应用图　　在电路启动初期，电容C1的初始电压较低，导致背靠背MOSFET导通瞬间可能引发过大浪涌电流。为抑制此现象，需采用软启动(soft start)机制：通过在理想二极管控制器的GATE引脚接入大容量电容C2与电阻R1构成的RC网络，利用Gate输出电流 Ig 对C2充电，使Gate电压 Vgate缓慢上升，从而逐步增大MOSFET导通程度，实现浪涌电流的平滑控制。　　由于 MOSFET Q1 源极电压为 Vsource = Vgate-Vth，其中 Vth 为常数(MOSFET 阈值电压)。可得：　　因此可以通过控制 C2 的充电速率来间接限制电容 C1 充电的浪涌电流。 例：车载 DCDC 变换器输出电容 C1=1mF，C2=10nF，R1=10kΩ，芯片 Gate 端输出电流 Ig 为 20uA。由公式可得：　　2 电池反向保护　　电池反向保护包含反极性保护(RPP/RHP)和反向电流阻断(RCB)两方面。反极性保护在电池意外反接或断开感性负载产生瞬态负压时，防止负载损坏。反向电流阻断则阻止电流从负载(特别是子系统中的大容量保持电容)倒流回电池，确保该电容能在电源中断或动态反向条件下持续为子系统(如汽车电子)供电，维持关键操作。理想二极管控制器配合外部N沟道MOSFET可高效实现这两种保护，尤其适用于需要同时防止输入反接和阻断反向电流的应用，例如为直流变换器或稳压器后跟处理器的应用。如图4为荣湃半导体理想二极管控制器Pai8150C电池反接应用方案。图 4. 理想二极管控制器电池反接应用原理图　　在应用中CAP电容的取值与MOSFET输入电容Ciss有关，CAP应大于10*Ciss(MOSFET)，推荐 CAP电容不小于100nF。器件 MOSFET 的选型也有一定的要求，为保证正常工作时芯片处于 Regulatton 状态，需满足20mV　　3 电池路径管理及冗余(ORing)　　冗余电路使用多个电源单元为负载提供所需的电源。它们有助于提高系统的可靠性和可用性， 并在其中一个电源单元发生故障时确保系统安全。在汽车系统中，冗余电源对于自动驾驶等安全关键型应用尤为重要， 因为在这类应用中，断电可能会导致严重的后果。ORing 电路有助于系统根据最高输入电压从多个输入中选择最佳可用电源。理想二极管充当开关，在输入电压高于输出电压时导通，并在输入电压低于输出电压时关断。这样，ORing 电路可确保具有最高电压的输入源连接到输出端，并防止出现反向电流。如果两个输入电源几乎相等，则可以由两个电源同时为负载供电，而两个电源之间没有环流。因此，反向电流阻断是实现 ORing 电路所需的主要特性。图5为荣湃理想二极管控制器Pai8150C双路ORing解决方案。图 5. 典型 ORing 应用　　理想二极管在车载O　　BC+DC/DC的应用　　新能源汽车中，降压型DC/DC变换器负责将动力电池输出的高压直流电(400V-800V) 转换为恒定的低压直流电(12V/14V/36V/48V) ，以满足整车低压系统的供电需求。其核心功能包含两方面：一是为车身电器(如灯光、车窗、仪表、娱乐系统等)及控制系统(BMS、驾驶模块等)提供稳定电源;二是为低压蓄电池充电。由于低压负载的功率需求大而工作电压低，DC/DC变换器需持续输出大电流，因此具有低电压、高电流的典型技术特征。其核心架构为移相全桥ZVS拓扑与同步整流模块的组合，详见图6所示电路。图 6. DC/DC 变换器电路图　　在车辆低压供电系统中，直流/直流变换器(DC/DC)为12V蓄电池充电的核心逻辑如下：当整车控制器(VCU)未发出高压上电指令时，系统处于高压下电状态，此时由12V蓄电池直接为所有低压负载供电;一旦VCU发出高压上电指令，DC/DC变换器随即启动，将动力电池输出的高压直流电转换为稳定的低压直流电。此后，DC/DC变换器同时承担两项关键任务：一是实时为整车低压负载供电，二是为12V蓄电池充电。其输出功率会根据低压负载的实时用电需求进行动态分配，优先保障负载供电，剩余的能量则用于给蓄电池充电，从而维持整个低压系统的能量平衡。　　总结　　理想二极管控制器本质是模拟理想二极管特性的集成电路，核心作用是实现高效的单向导电，替代传统机械二极管或普通二极管，广泛应用于电源冗余系统、汽车电子、不间断电源(UPS)、太阳能光伏系统。得益于极低导通压降、快速开关响应和无反向恢复电流等优势，理想二极管控制器是电源端口应用的真正“多边形战士”。
2025-11-06 11:50 阅读量：525
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　　新能源汽车高压电气系统正掀起“升压”热潮，800V乃至1000V平台逐渐成为主流趋势，在这个追求高功率密度和极致效率的竞技场上，SiC功率器件正大放异彩，逐渐取代Si。　　但SiC有个特点：它需要更高驱动电压，才能把“内阻”降到最低，发挥真正实力。同时，关断时它还需要一点“反向推力”——即负压关断，否则在那些快如闪电的电压变化瞬间(高dv/dt)，它可能一个“激灵”就给自己导通了!　　不仅如此，系统里那些可预见或突如其来的“噪声刺客”，冷不丁也会给驱动芯片施加额外的电压压力。面对如此“高压”挑战，驱动芯片需得扛得住更高的正负电压冲击，成为守护系统的可靠“护法”。　　荣湃半导体推出的新产品——Pai8236系列双通道隔离驱动芯片， 它的亮点之一，就是能稳稳驾驭高达40V的驱动电压!有了它，SiC可以尽情施展拳脚，系统也能在高压环境中稳如泰山。　　Pai8236产品系列提供多款特色子系列满足不同需求：　　1. S系列：　　擅长“分兵作战”，提供分离输出能力，给予设计者更灵活的布局自由。　　2. M系列：　　配备了“防误动保险”——集成米勒钳位功能，专门用来抑制由米勒电容引起的误导通风险，提升系统鲁棒性。　　3. N系列　　是处理“负压”的专家。它非常灵活，既支持外部负压输入，也内置了多种负压选项(-2V, -3V, -4V, -5V)，就像它的“兄弟”单通道驱动Pai8216一样，让负压配置变得简单可靠。　　如图1，三种系列的引脚定义图。　　Pai8236逻辑侧集成固定死区配置(DT)，全局使能(DISABLE)。关键电气参数如表1所示。　　Pai8236系列选型表：
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　　随着现代电子设备(如智能电表)功能日益强大，内部各模块间的数据交互速度越来越快。同时，大家对设备长期稳定运行和成本效益的要求也越来越高。在此背景下，作为保障信号安全和系统稳定的关键元件——隔离器的性能与可靠性，就显得尤为重要。　　荣湃全新推出的新一代数字光耦产品，正是为了满足这些需求而生。它融合了先进的电容隔离技术和智能分压技术 (iDivider)，在多个方面实现了显著提升：　　性能全面提升　　相比上一代产品，传输速度更快，信号更精准，运行更稳定可靠，有效解决用户在实际应用中的常见问题。　　优化用户体验　　针对用户反馈的痛点进行了针对性优化，(如空气中隔离耐压打火损坏 ， 返修率高等问题)，使用体验更佳。　　更具成本优势　　在提供卓越性能的同时，价格更具市场竞争力，助力客户实现真正的降本增效目标。　　凭借电容隔离技术带来的高传输速率和高可靠性，数字光耦正逐步替代传统低速光耦和中高速光耦，成为实现高效信号隔离和保障系统安全的理想选择。　　全新一代数字光耦和传统低速光耦的对比　　在为智能电表等设备选择信号隔离方案时，传统低速光耦和新兴的数字光耦是主要选项。荣湃全新一代数字光耦在关键性能指标上实现了显著突破，为系统设计带来全新可能。以下是核心对比：　　1 传输速率瓶颈　　传统低速光耦 (4引脚常见)：　　·基础开关速度慢，且随时间推移光衰效应加剧。　　·典型速率限制：仅约 50kbps。　　·即使通过增加复杂外围电路尝试提速，极限速率也仅在 100kbps 附近徘徊。　　·外围电路不仅增加成本，更显著提升主板复杂度，降低系统整体可靠性。　　高速光耦：　　·速率可达 10Mbps，解决了低速问题。　　·主要局限：单芯片通常仅提供 1 个通道。 多通道应用需多个芯片，占用宝贵PCB面积，布局设计挑战大。　　荣湃全新一代数字光耦：　　·平均传播延时大幅降低至约 40ns (前代产品约 300ns)。　　轻松支持更高速的通信协议，突破传统光耦的速率天花板。　　无需复杂外围提速电路，设计更简洁。　　2 集成度与空间效率　　传统低速光耦：　　·单通道或多通道方案相对成熟，但提速方案占用空间大。　　高速光耦：　　·多通道应用占板面积大，不利于紧凑设计。　　荣湃全新一代数字光耦：　　·采用创新的 WB SSOIC-10 封装。　　·集成度高，在仅约 40mm² 的超小面积内，集成 3 个独立信号通道。极大节省PCB空间，简化布局，助力设备小型化。　　3 可靠性与绝缘能力　　传统低速光耦：　　·性能会随时间和光衰下降，长期可靠性是挑战。　　荣湃全新一代数字光耦：　　·显著提升隔离电容性能，增强绝缘能力。　　·关键指标卓越：　　交流耐压：10kVrms (1分钟)　　浪涌能力：15kVpeak　　ESD防护：>9kV　　·提供顶级的电气隔离保护和抗干扰能力，确保系统长期安全稳定运行。　　应用优势　　得益于面积小、集成度高、绝缘性能好的优势，数字光耦在智能电表中的应用中，已成为替代普通光耦的更优选择。国家电网三相智能电表框图　　在国家电网三相智能电表中，隔离器件扮演着保障系统安全和信号完整性的关键角色，主要应用于两处核心通信接口：　　-计量-管理主芯与移动通信模块间的载波通信隔离　　-计量-管理主芯对外RS-485通信隔离　　传统低速光耦面临的严峻挑战：　　寿命瓶颈：业界公认，常规光耦的稳定可用寿命约10年。即使通过加严筛选留出裕量，才勉强触及国家电网 2020版标准强制要求的16年寿命。未经严格筛选的产品，难以满足这一硬性指标。　　速率瓶颈：随着智能电表功能日益复杂，单次采集数据量激增。为提升效率，国家电网载波与RS-485通信的波特率已从9600bps 提升至 115.2kbps。在此速率下，单个数据位脉宽仅约8µs，传统低速光耦的性能已逼近甚至达到极限，难以可靠传输高速信号。　　此外，南网最大6Mbps 通信速率要求下，传统低速光耦、中速光耦无法满足速率需求，此时，载波速率高达8Mbps的数字光耦，可以提供更大的价值支持。　　—总结发言—　　荣湃全新一代数字光耦：　　国网严苛要求的理想答案　　荣湃基于高性能SiO2电容隔离工艺打造的全新一代数字光耦，完美解决了上述挑战：　　·超长寿命，轻松满足16年国标　　·通过器件级加强绝缘认证　　·可在 1500Vrms / 2121Vpeak 的可重复工作电压下稳定运行超过30年，远超国网16年要求，无需依赖加严筛选，提供本质可靠保障。　　·高速传输，畅行115.2kbps　　·极低的传播延时，轻松兼容RS-485、CAN、SPI等高速协议。　　·顶级绝缘与安全防护：　　10kVrms 交流耐压 (1分钟)。　　15kVpeak 浪涌耐压。　　>9kV ESD 防护。　　·提供业内领先的电气隔离强度和抗干扰能力，确保系统长期安全无虞。　　·高集成度，优化紧凑设计：　　·创新封装技术，在严格满足8mm爬电距离要求的前提下。　　·以极小的占板面积实现功能，完美契合智能电表对PCB布局紧凑化的严苛需求。
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