川土微电子CA-IS3211SCWG超宽体光耦输入型隔离栅极驱动器

发布时间:2025-03-03 15:08
作者:AMEYA360
来源:川土微
阅读量:320

  川土微电子CA-IS3211SCWG单通道超宽体光耦输入型隔离栅极驱动器新品发布!

  CA-IS3211SCWG采用超宽体SOIC8-WWB封装,气隙和爬电距离大于15mm,隔离耐压可达7.5kVRMS.

  01产品概述

  CA-IS3211SCWG 是一款光耦输入型单通道隔离栅极驱动器,可用于驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET器件,隔离耐压达7.5kVRMS。芯片可提供5A拉、6A灌峰值驱动电流能力。高达30V的输出侧电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动IGBT和SiC MOSFET。

  CA-IS3211SCWG 的性能亮点包括:气隙和爬电距离>15mm、高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传输延迟、低脉冲宽度失真。输入级基于半导体工艺模拟二极管特性,与传统的光耦隔离栅极驱动器的LED相比,具有更好的产品一致性并避免了光衰引发的可靠性问题。该芯片适用于工业电源、光伏逆变器、储能PCS、充电桩中母线电压达1500V及以上的应用。

川土微电子CA-IS3211SCWG超宽体光耦输入型隔离栅极驱动器

  02产品特性

  • 光耦输入型7.5kVRMS单通道隔离式栅极驱动器

  • 峰值驱动电流:5A拉/6A灌

  • 最大30V输出驱动电源电压

  • 12V VCC欠压锁定阈值

  • 轨到轨输出

  • 70ns(典型值)传输延迟

  • 25ns(最大)部件对部件延迟匹配

  • 35ns(最大)脉冲宽度失真

  • 150kV/μs(最小)共模瞬态抗扰度(CMTI)

  • 隔离栅寿命大于40年

  • 输入级最高反向耐压7V,并支持互锁

  • 超宽体SOIC8-WWB封装,气隙和爬电距离大于15mm

  • 工作结温范围TJ:-40°C到150°C

  03应用

  • 符合IEC61851:2023和GB/T 18487.1-2023标准要求的电动汽车充电桩

  • 1500V/2000V/2500V高压光伏逆变器

  • 1500V/2000V/2500V高压储能变流器

  • 高压工业电源、不间断电源(UPS)

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