川土微电子CA-IS3211SCWG超宽体光耦输入型隔离栅极驱动器

发布时间：2025-03-03 15:08
作者：AMEYA360
来源：川土微
阅读量：871

　　川土微电子CA-IS3211SCWG单通道超宽体光耦输入型隔离栅极驱动器新品发布!

　　CA-IS3211SCWG采用超宽体SOIC8-WWB封装，气隙和爬电距离大于15mm，隔离耐压可达7.5kVRMS.

　　01产品概述

　　CA-IS3211SCWG 是一款光耦输入型单通道隔离栅极驱动器，可用于驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET器件，隔离耐压达7.5kVRMS。芯片可提供5A拉、6A灌峰值驱动电流能力。高达30V的输出侧电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动IGBT和SiC MOSFET。

　　CA-IS3211SCWG 的性能亮点包括：气隙和爬电距离>15mm、高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传输延迟、低脉冲宽度失真。输入级基于半导体工艺模拟二极管特性，与传统的光耦隔离栅极驱动器的LED相比，具有更好的产品一致性并避免了光衰引发的可靠性问题。该芯片适用于工业电源、光伏逆变器、储能PCS、充电桩中母线电压达1500V及以上的应用。

川土微电子CA-IS3211SCWG超宽体光耦输入型隔离栅极驱动器

　　02产品特性

　　• 光耦输入型7.5kVRMS单通道隔离式栅极驱动器

　　• 峰值驱动电流：5A拉/6A灌

　　• 最大30V输出驱动电源电压

　　• 12V VCC欠压锁定阈值

　　• 轨到轨输出

　　• 70ns(典型值)传输延迟

　　• 25ns(最大)部件对部件延迟匹配

　　• 35ns(最大)脉冲宽度失真

　　• 150kV/μs(最小)共模瞬态抗扰度(CMTI)

　　• 隔离栅寿命大于40年

　　• 输入级最高反向耐压7V，并支持互锁

　　• 超宽体SOIC8-WWB封装，气隙和爬电距离大于15mm

　　• 工作结温范围TJ：-40°C到150°C

　　03应用

　　• 符合IEC61851:2023和GB/T 18487.1-2023标准要求的电动汽车充电桩

　　• 1500V/2000V/2500V高压光伏逆变器

　　• 1500V/2000V/2500V高压储能变流器

　　• 高压工业电源、不间断电源(UPS)

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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