纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

Release time:2024-03-20
author:AMEYA360
source:纳芯微
reading:2676

  针对汽车电气化与智能化涌现出越来越多的高压继电器、车身LED、单极性步进电机等负载,纳芯微推出全系列车规级低边驱动产品以满足不同通道电流,集成度与诊断的需求。如下表所示,纳芯微低边系列产品覆盖1/2/4/8通道不同阻值系列,其中NSD11/12系列为单/双通道90~300mΩ低边系列;NSD5604-Q1为最高支持55V耐压的4通道低边驱动,非常适合应用于商用车24V平台控制器应用;全新8通道低边驱动NSD56008-Q1产品具备跛行模式并支持负载开路诊断功能。

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

  NSD56008-Q1产品特性

  工作电压:4.5V – 28V

  8通道1Ω低边驱动,每通道典型负载电流330mA

  16位SPI通信,支持并联和菊花链模式,兼容8位SPI通信

  2个兼容CMOS的输入引脚IN0和IN1,可映射到输出端口

  全功能检测及保护:过载,过温诊断及保护,过压保护和开路诊断。

  支持跛行模式

  支持并联模式

  工作温度:Tj=-40°C~150°C

  封装形式:HTSOP24

  AEC-Q100认证

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

  1、输入IO映射功能(Input Mapping)

  NSD56008-Q1提供IN0和IN1两个输入控制引脚,在默认模式下分别控制输出通道OUT2和输出通道OUT3,同时也可以通过映射地址寄存器(mapping registers) MAP_IN0和MAP_IN1将IN0和IN1映射到任意一个输出通道,以实现PWM控制任意输出通道,该功能可广泛应用于散热风扇模组调速控制与LED亮度调节等场景。

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

  2、跛行模式(Limp Home)

  针对汽车发生故障后需要保持持续工作的要求,当芯片IDLE 引脚为“低电平”且其中一个输入引脚(IN0或者IN1)设置为“高电平”时,NSD56008-Q1进入跛行模式(Limp Home Mode),IN0与IN1默认映射到输出通道OUT2与OUT3,可用于保持特定负载/继电器持续工作,所有其他输出通道均关闭。在跛行模式下,为防止MCU可能出现的"不可控操作",NSD56008-Q1寄存器仅支持读取,不支持寄存器写入操作。MCU可通过输入状态寄存器(Input Status Monitor)监控 NSD56008-Q1 INx的状态是否与配置相符;同理,通过输出状态寄存器(Output Status Monitor)监控OUTx负载工作状态是否正常。

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  3、有源钳位(Active Clamping)

  钳位能量是衡量低边开关在驱动感性负载以实现快速退磁功能的一项重要指标,退磁能量与感性负载电感值、负载电流、钳位电压与退磁时间相关。钳位能量衡量指标主要分为单次脉冲能量耗散(single pulse)和重复脉冲能量耗散(repetitive pulses)。单次脉冲能量耗散衡量的是低边驱动全生命周期不损伤芯片的情况下,短时间能够承受的最大能量耗散值;重复脉冲能量耗散衡量的是低边驱动在周期性关断过程中在不会因为累积效应对芯片造成损伤情况下所吸收的单次退磁能量值。

  NSD56008-Q1常用于驱动小电流感性负载例如12V继电器,25度摄氏度下,最大平均电流为300mA左右,85摄氏度条件下,最大平均电流为200mA左右。根据其实际应用负载电流并考虑充足余量的情况下,在负载电流580mA测试中,NSD56008-Q1单次脉冲测试可承受120mJ以上能量耗散(datasheet 中降额为50mj@440mA, 25℃)。重复脉冲测试中单次能量耗散为20mJ(datasheet中降额为10mj@440mA, 85℃),其在环境温度85度情况下,完成200万次关断操作后仍然保持功能正常。

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

  单脉冲关断能量 - 25摄氏度

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

  重复多次脉冲关断能量 - 200万次反复关断 - 85摄氏度

  4、诊断和保护(Diagnosis & Protection)

  NSD56008-Q1配备丰富的保护与诊断功能,分别提供逻辑供电与功率供电欠压保护;每个通道独立设计过载与过温保护,各过温过载以及负载状态的诊断信息通道间相互独立并能够通过寄存器汇报到MCU,一个通道的错误状态不会影响其他通道正常工作。

  保护功能:

  VDD欠压保护

  VS欠压保护

  每通道独立过载

  与过温保护

  诊断功能:

  芯片工作模式监控

  输入与输出IO状态监控

  输出通道过载与过温状态监控

  输出通道开路诊断

  通信错误诊断

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

  纳芯微低边驱动产品系列选型表:

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

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纳芯微丨AI 服务器电源功率密度提升,隔离采样芯片如何应对采样与保护挑战?
  随着 AI 服务器电源功率密度和运行频率持续提升,系统对关键节点电压、电流的采样精度、响应速度和隔离安全提出了更高要求。  在服务器电源系统中,从 AC/DC PFC 输入级到 DC/DC LLC 谐振级,各级功率转换均依赖精确的电压、电流监测数据,以支撑系统高效、稳定运行。在高压、高频、高功率密度工作条件下,如何在高压侧与低压控制侧之间实现可靠的物理隔离,并保障关键信号的准确、及时传输,成为系统设计中的重要问题。  隔离采样技术可在高压侧与低压控制侧之间建立安全隔离,同时实现电压、电流等关键信号的采集与传输,帮助降低高压串扰、雷击或瞬态过压等因素对低压控制电路的影响,并为系统控制与保护提供必要反馈。  01  隔离采样技术演进  从基础隔离到智能集成  纳芯微隔离采样产品矩阵体现了从基础隔离采样向集成化、智能化方向的演进。  以 0–2V 单端输入的 NSI1311 为起点,纳芯微隔离采样产品逐步向隔离电压采样、隔离电流采样和隔离比较器等方向拓展。  在隔离电压采样方向,产品由单端输入的 NSI1311,发展至差分输入的隔离运放 NSI1312 和差分输入的隔离 ADC NSI1316,进一步覆盖不同应用需求。随着产品迭代,集成化趋势更加明显。NSI36xx 系列将隔离 DC-DC 电源集成于采样芯片内部,有助于简化高压侧供电设计。其中,NSI36CxxR 版本进一步集成比较器和运放,可简化系统电路,并支持硬件过流、过压保护。  在隔离电流采样方向,产品由 NSI1300 演进至 NSI1400/1200C 系列,并推出了集成隔离电源的 NSI360x 系列。  面向快速响应和简化设计需求,纳芯微推出隔离比较器 NSI22C12。该产品集成窗口比较器、隔离通道及高压侧 LDO,可用于实现过压或过流保护,尤其适用于服务器电源 LLC 谐振腔的快速过流保护场景。  在服务器电源系统中,PFC 电路通常负责对输入交流电进行整形和升压,LLC 谐振拓扑随后完成 DC/DC 变换并形成最终输出。整个能量转换链路的安全、稳定运行,依赖于对关键节点电压和电流的精确监测。  纳芯微隔离采样芯片可部署于服务器电源各核心监测点,覆盖 PFC 输入电压/电流检测、PFC 输出电压检测、LLC 谐振腔电流检测与快速过流保护,以及 DC/DC 输出电流检测等环节,支持电源系统实现从输入到输出的全链路监测与保护。  02  三款新品详解  面向服务器电源的集成化设计  服务器电源对功率密度、可靠性和效率要求较高。围绕不同层面的设计挑战,纳芯微推出了三款新品。  首先是集成隔离电源的 NSI36xx 系列。相较于上一代 NSI13xx 系列,NSI36xx 系列进一步提升了集成度。传统方案通常需要分别为高压侧和低压侧设计供电电路,在浮地采样等场景下,设计复杂度和 PCB 占板面积较高。  NSI36xx 系列仅需在低压侧提供单一电源即可正常工作,可省去高压侧供电电路设计,降低电源设计复杂度,并节省约 30%–50% 的板上面积,在空间受限的服务器电源系统中具备应用优势。  NSI36CxxR 是该系列的差异化产品,集成内部比较器和单端准差分运放,可在百纳秒级时间内检测异常并触发保护机制,提升系统安全性和可靠性。  第二款新品是 0–4V 宽压输入的隔离电压采样运放 NSI1611。面向服务器电源向更高电压发展的趋势,NSI1611 将输入范围扩大一倍,有助于提升系统抗干扰能力和采样精度。  在相同扰动电压下,更宽的输入范围可降低扰动对采样结果的相对影响。同时,NSI1611 在保持 1GΩ 高阻输入的基础上拓宽输入范围,可进一步提升系统采样精度。  NSI1611 提供单端输出或比例输出版本。其中,比例输出版本可将后级参考电压直接接入芯片 Reference 引脚,由芯片完成差分转单端转换及简单自适应放大,帮助客户充分利用后级 ADC 满量程,提升整体采样精度。  第三款新品是面向快速保护设计的隔离比较器 NSI22C12。在服务器电源谐振腔过流采样中,传统方案通常采用 CT 方案或分立方案。CT 方案体积较大,输入端还需增加额外调理电路,会增加成本和 PCB 占板面积;在 DC 负载过流保护中,部分客户则采用普通比较器搭配高速光耦或数字隔离器的分立方案。  NSI22C12 采用单芯片集成设计,集成窗口比较器,支持正负阈值设定;同时集成内部隔离通道,比较后可直接输出隔离数字信号。其高压侧集成高压 LDO,供电范围为 3.1V 至 27V,可直接接入驱动供电,简化外围供电设计。  该产品保护延时最大仅 250 纳秒,可用于快速过压、过流检测,帮助服务器电源系统在异常工况下及时触发保护机制,提升系统控制的安全性和可靠性。  03  服务器电源应用  从PFC到DC/DC全链路保护  在典型服务器电源架构中,隔离采样芯片可部署于电能转换链路的关键环节,用于实现电压、电流检测及保护反馈。  电源系统通常始于 PFC 电路。PFC 电路负责对输入交流电进行整形和升压,优化电网供电质量,并为后级电路提供稳定的高压直流电源。纳芯微隔离采样芯片可部署于 PFC 输入端和输出端,实时监测输入电压/电流及输出电压,为 PFC 控制回路提供关键反馈信号。  随后,LLC 谐振电路完成 DC/DC 转换,将高压直流电转换为服务器主板所需的低压直流电。在这一环节,谐振腔电流检测与过流保护尤为关键。纳芯微隔离比较器 NSI22C12 凭借低于 250 纳秒的快速响应时间,可检测异常电流并触发保护机制,帮助降低功率器件损坏风险。  在输出端,DC/DC 输出电流检测同样需要高精度隔离采样。通过监测输出电流,电源管理系统可根据不同负载条件调整工作状态,提升系统运行效率与稳定性。  通过覆盖 PFC 输入/输出、LLC 谐振腔及 DC/DC 输出等关键环节,纳芯微隔离采样产品可支持服务器电源实现从输入到输出的全链路监测与保护。  04  精度、安全与成本  隔离采样的三重优势  纳芯微隔离采样芯片从采样精度、隔离安全和系统成本三个方面,为服务器电源设计提供支持。  在采样精度方面,NSI1611 系列输入偏置电压优化至 ±0.8mV,较前代产品的 ±1.5mV 进一步降低;增益温漂由前代的 45ppm/℃ 优化至 40ppm/℃,提升全温区精度稳定性。其采样带宽达到 330kHz,可适配 SiC、GaN 等高频开关器件控制需求,满足系统高动态响应要求;  在隔离安全方面,纳芯微“隔离+”产品提供高于基础隔离要求的安全等级,帮助系统建立高低压安全边界。NSI1611 系列隔离耐压可达 5700Vrms,最大浪涌隔离耐压 VIOSM 可达 10kV,可适配高温、高压等严苛应用环境;  在系统成本方面,集成隔离电源的 NSI36xx 系列可省去外置隔离电源模块,降低整体 BOM 成本约 10%–20%;同时可节省 PCB 面积约 30%–50%,有助于实现更小型化的电源设计。NSI1611 的单端输出信号可直接接入 MCU 的 ADC 接口,省去传统差分输出方案所需的后级运放及调理电路,进一步降低 BOM 成本和 PCB 布局复杂度。
2026-06-03 10:02 reading:201
纳芯微丨AI服务器电源揭秘 ,水有水源,算力有电源
纳芯微荣获联合电子2026生态伙伴峰会“优秀供应商奖”
让驱动状态可视可控,纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux
  纳芯微推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602Ux系列,该系列基于明星产品NSI6602全面升级,驱动侧电压提升至32V,相比上一代产品具备更强的抗冲击能力与系统适配能力。  此外,NSI6602Ux集成输入/输出侧电源状态反馈功能,并兼具高隔离电压、低延时、死区可配、输入互锁、欠压阈值可选等特性,适用于驱动SiC、IGBT等器件,可广泛应用于新能源汽车OBC、DC-DC、主动悬架等场景。  输入/输出侧电源状态反馈,  助力功率器件开关安全  在OBC/DC-DC、工业电源、电机驱动等功率电子系统中,驱动芯片的可靠性直接决定功率器件的开关安全。随着SiC、GaN等第三代功率器件的应用,器件驱动阈值更敏感、响应速度更快,这使得系统对驱动芯片的状态监测精度和响应及时性的要求大幅提升。  传统方案通常依赖外部电压监测电路来判断驱动芯片是否就绪,这不仅增加系统复杂度,还可能因延迟或干扰带来误驱动风险,进而引发功率器件损坏、系统失控等潜在安全隐患,同时也限制了第三代功率器件性能的充分发挥。  纳芯微NSI6602Ux创新性集成了RDY状态反馈功能,可实时输出芯片供电状态,直接反馈至MCU/DSP,实现芯片级“就绪可见”。无需额外监测电路,即可有效避免未就绪驱动、误触发等风险,从系统架构层面提升功率器件开关安全性。  NSI6602Ux(右图)与NSI6602(左图)功能框图对比  高性能驱动与多重保护协同,  提升系统可靠性与效率  NSI6602Ux具备4A峰值拉电流与6A峰值灌电流的强劲驱动能力,可直接驱动IGBT、SiC等功率器件,支持最高2MHz开关频率,无需额外增设缓冲器或驱动放大电路,显著简化外围设计。  器件支持最高32V驱动电压,并集成欠压锁定(UVLO)保护,可有效应对高压冲击场景。同时,内置输入侧IN+/IN-互锁功能,从硬件层面避免上下桥臂直通风险,大幅提升了系统的可靠性和抗干扰能力。此外,通过DT引脚可灵活配置死区时间,搭配多档UVLO阈值选择,进一步提升系统设计的安全裕量与适配能力。  在性能方面,NSI6602Ux具备45ns传播延时、5ns延迟匹配、4ns脉宽失真,处于行业领先水平。并支持±150kV/μs高CMTI,有效抑制共模干扰,避免延时波动,在复杂工况下仍可保持稳定运行。  灵活控制与接口兼容设计,  降低系统复杂度与BOM成本  NSI6602Ux支持DIS/EN两种使能逻辑配置,可灵活适配不同控制架构;输入侧支持2.8V~5.5V宽电压供电,可直接兼容MCU、DSP,无需额外电平转换电路。  通过减少外围器件、简化接口设计与控制逻辑,有效降低系统设计复杂度与BOM成本,同时提升整体方案的通用性与可扩展性。  NSI6602Ux产品特性:  5.7kVrms隔离耐压,可驱动高压SiC和IGBT  高CMTI:150kV/μs  输入侧电源电压:2.8V~5.5V并支持欠压2.35V保护  驱动侧电源电压:最高可达 32V  峰值拉灌电流:+4A/-6A  驱动电源欠压:8V/17V两档可选  支持输入、输出侧电源监控上报RDY  可编程死区时间  支持使能逻辑控制  典型传播延时:45ns  工作环境温度:-40℃~125℃  符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准  符合RoHS标准的封装类型:SOW14/16,SOP16  通过UL、VDE、CQC等多项安全认证  NSI6602Ux典型应用电路  封装与选型  纳芯微NSI6602Ux系列现已全面量产,产品覆盖多种隔离电压等级、UVLO选项及封装,可灵活适配不同应用场景。进一步咨询NSI6602Ux产品,可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。  NSI6602Ux系列选型表
2026-05-22 10:31 reading:464
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