TVS二极管的工作原理 TVS与ZD的区别

发布时间:2023-01-19 11:27
作者:Ameya360
来源:网络
阅读量:2630

  TVS英文是“Transient Voltage Suppressors”的首字母缩写,是一种用于过电压保护和 ESD保护的器件。今天Ameya360电子元器件采购网将给大家进行介绍!

TVS二极管的工作原理  TVS与ZD的区别

  一、TVS二极管的工作原理

  TVS二极管用来保护后段的IC免受由静电和电源波动引起的意外过电压和浪涌的影响。

  整流二极管和肖特基势垒二极管利用的是二极管的正向特性,而TVS二极管与齐纳二极管(ZD)一样,利用的是二极管的反向特性。

  如下图所示将TVS二极管与IC并联,当电路正常工作时,TVS二极管处于OFF状态,只消耗一定的漏电流。

  当被施加了浪涌等过电压时,TVS二极管会变为ON状态,并且TVS侧会消耗脉冲电流,从而钳制过电压并保护后段的IC。

  二、TVS与ZD的区别

  TVS和ZD在利用二极管的反向特性方面是相同的,但是由于ZD主要用于恒压应用,因此对电压稳定的低电流范围(5mA~40mA)规定了“齐纳电压(VZ)”。

  此外,ZD基本上在ON状态下使用。

  而TVS为了不影响IC的驱动电压,在电路正常工作期间处于OFF状态,当被施加了浪涌等突发过电压时,击穿电压值变得越发重要。因此,规定了绝对不会导致击穿的两个电压——“截止电压(VRWM)”和“击穿电压(VBR)”。

  此外,由于其主要用途是过电压保护,因此,作为保护特性,对几A~几十A范围内的大电流范围特性也有规定。


(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
肖特基二极管和齐纳二极管的区别
  二极管作为电子电路中常见的元器件,有多种类型,常见的包括肖特基二极管和齐纳二极管。它们虽然同属二极管,但结构、工作原理及应用有显著差异。  一、基本定义与结构差异  肖特基二极管  肖特基二极管是一种金属-半导体结二极管,由金属(如铂、铬等)与N型半导体直接接触形成。因为没有PN结,肖特基二极管具有较低的正向压降和快速开关速度。  齐纳二极管  齐纳二极管是通过掺杂形成特殊的PN结二极管,设计用于反向击穿电压精确稳定的工作状态。其主要功能是利用齐纳击穿效应或者雪崩击穿效应实现稳压。  二、工作原理差异  肖特基二极管  肖特基二极管的导电是基于金属和半导体交界处的势垒高度变化,正向导通时压降小(一般约0.2~0.3V),反向截止性能好,响应速度极快。  齐纳二极管  齐纳二极管在正常正向工作时与普通二极管类似,但工作重点在于反向击穿区。当反向电压达到齐纳击穿电压(通常5~200V)时,二极管开始导通,保持稳定电压,用于稳压、电压参考等。  三、应用领域  肖特基二极管应用  开关电源与整流电路,减少损耗,提高效率。  高频电路中的快速整流。  低压降二极管保护电路。  齐纳二极管应用  稳压电路,提供稳定基准电压。  过压保护,防止电路损坏。  电压钳制和浪涌抑制。  总结来说,肖特基二极管以低正向压降和快速响应为特点,适合高频和低电压场合。齐纳二极管则专注于稳压和保护功能,通过精准的击穿电压维持电路稳定。肖特基二极管和齐纳二极管虽同为二极管,但针对不同的电路需求和工作环境设计。
2025-10-22 16:16 阅读量:305
二极管正负极识别指南
  在电子技术领域,二极管作为最基础的半导体器件之一,广泛应用于整流、信号处理和保护电路中。正确识别二极管的正负极,即阳极和阴极,对于电路设计和故障排查至关重要。  一、二极管的基本结构与符号  二极管由P型半导体和N型半导体组成,形成PN结。其两个端分别称为:  阳极:连接P型半导体的一端;  阴极:连接N型半导体的一端。  电流在二极管中只能由阳极流向阴极,二极管在正向偏置时导通,在反向偏置时截止。  在电路图中,二极管符号是一个箭头加一条竖线,箭头指向电流允许流动的方向(阳极→阴极),竖线端代表阴极。  二、二极管正负极的物理识别  二极管本体标记  许多二极管在阴极一端有标记,如一条黑色环带或一端的平面,表示阴极。  有些型号会在器件表面印刷“K”字样标识阴极。  封装类型差异  玻璃封装的二极管通常通过黑环标记阴极。  插件封装(如1N4148)阴极端常有黑色环带;  表面贴装(SMD)二极管阴极一侧可能有灰色或白色条纹。  三、用万用表识别二极管极性  步骤如下:  设定万用表至二极管测试档,或欧姆档。  红表笔接触疑似阳极,黑表笔接触疑似阴极。  查看读数:  正向时,万用表显示约0.6~0.7V(硅二极管),说明此时红笔接阳极,黑笔接阴极;  反向时,显示“OL”或高阻,表示反向不导通。  如果测量结果符合以上特征,说明红笔接触的是阳极,黑笔接触的是阴极。  四、识别注意事项  不同材料电压降异同:硅二极管正向压降约0.6-0.7V,锗二极管约0.2-0.3V,肖特基二极管约0.2-0.4V,需根据具体型号判定。  器件损坏时难以判断:断路或短路的二极管可能无法判别极性,建议更换或使用示波器等专业设备检验。  正确定义极性的重要性:错误连接二极管极性可能导致电路损坏或功能异常。  总结来说,识别二极管的正负极是电子电路设计和维护中的基础技能。通过观察器件标记和借助万用表测试,可以准确判断二极管的阳极与阴极,提高工作效率并避免因极性错误引发的故障。
2025-09-01 14:30 阅读量:557
TVS二极管和齐纳二极管的区别
  TVS(Transient Voltage Suppressors)二极管和齐纳二极管都具有在施加反向电压后,在某一电压下击穿、钳制电压的特性。本 应用笔记将对 TVS 二极管和齐纳二极管的区别予以说明。I-V 特性上的使用范围区别Figure 1 是齐纳二极管的 I-V 特性,Figure 2 是 TVS 二极管的 I-V 特性。这两个二极管都利用了反方向特性这一点,但是齐纳 二极管主要用于稳压用途,所以设计成在 1mA 到 40mA 这样 的小电流区域电压稳定,不能流过大电流(Figure 1 的阴影部 分)。在击穿区域内施加指定的小电流 IZ 时,二极管两端电压值 被规定为齐纳电压 VZ。齐纳二极管通常在使用时处于击穿状态。  对于 TVS 二极管,为了不妨碍保护电路的驱动电压,通常使 用在切断电压 VRWM 以下电压范围内(Figure 2 右侧的阴影部 分)。然后,施加浪涌等过电压时会击穿、流过数 A 到数十 A 的电流(左侧的阴影部分)。由于通常情况下不可以击穿,因此规定了绝对不会引起击穿的 电压最大值即截至电压 VRWM 和击穿电压 VBR 两种。  由于击穿电压 VBR 与齐纳电压 VZ 一样使用小电流进行测量,因 此与实际应用条件下的雪崩电压不同。因此,将流过大电流时 的最大击穿电压规定为钳位电压 VCL。Datasheet 上参数定义的区别TVS 二极管和齐纳二极管的 datasheet 上规定的差异如 Table 1 所示。在前面中也说明过,由于齐纳二极管主要用于稳压用 途,所以只规定了小电流域的齐纳电压 VZ。与此相对,TVS 二极管有着小电流区域的击穿电压 VBR、截至 电压 VRWM、高电流区域的钳位电压 VCL3 个参数的区分。只有 TVS 二极管会有表示在特定浪涌波形中能承受的最大浪 涌功率的峰值脉冲功率 PPP 和表示最大浪涌电流的峰值脉冲电 流 IPP 的定义。仅有 TVS 二极管有 ESD 对策用的 ESD 耐量的规定。对于端子间电容,在通信线路中使用时,需要选择数据波形不 会被电容影响而钝化的端子间电容值,因此仅 TVS 二极管有该 项规定。如上所述,齐纳二极管主要用于稳压,因此 datasheet 上的参 数定义主要是齐纳电压等,项目较少。而 TVS 二极管的目的是 保护其他设备不受浪涌的影响,所以电压的参数定义比较广泛, 还规定了 ESD 耐量和端子间容量等重要项目。
2025-07-10 15:01 阅读量:648
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
型号 品牌 抢购
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
TPS63050YFFR Texas Instruments
BP3621 ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码