STMicroelectronics和Soitec合作开发SiC衬底制造技术

发布时间：2023-01-04 10:02
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：2985

　　合作的目标是 ST 在其未来的200mm基板制造中采用Soitec的SmartSiC技术。

STMicroelectronics和Soitec合作开发SiC衬底制造技术

　　STMicroelectronics和Soitec宣布了他们在碳化硅 (SiC) 衬底方面的下一阶段合作，计划在未来18个月内通过ST对Soitec的SiC衬底技术进行鉴定。此次合作的目标是ST在其未来的200mm基板制造中采用Soitec的SmartSiC技术，为其器件和模块制造业务提供支持，并有望在中期实现量产。

　　“向200mm SiC晶圆的过渡将为我们的汽车和工业客户带来巨大优势，因为他们会加速向其系统和产品的电气化过渡。随着产品产量的增加，这对于推动规模经济非常重要，”意法半导体汽车和分立器件事业部总裁Marco Monti说。“我们选择了一种垂直整合的模式，以最大限度地利用我们在整个制造链中的专业知识，从高质量的基板到大规模的前端和后端生产。与Soitec技术合作的目标是继续提高我们的制造产量和质量。”

　　“随着电动汽车的出现，汽车行业正面临重大颠覆。我们尖端的SmartSiC技术将我们独特的SmartCut™工艺应用于碳化硅半导体，将在加速其采用方面发挥关键作用，”Soitec首席运营官Bernard Aspar表示。“Soitec的SmartSiC™基板与 STMicroelectronics行业领先的碳化硅技术和专业知识的结合将改变汽车芯片制造的游戏规则，并将树立新的标准。”

　　SiC是一种颠覆性的化合物半导体材料，具有固有特性，在电动汽车和工业过程等关键的高增长功率应用中提供优于硅的性能和效率。它可以实现更高效的电源转换、更轻和更紧凑的设计以及整体系统设计成本的节省——所有这些都是汽车和工业系统成功的关键参数和因素。从150mm晶圆过渡到200mm晶圆将使产能大幅增加，制造集成电路的有用面积几乎增加一倍，每个晶圆可提供1.8-1.9倍的工作芯片。

　　SmartSi™是Soitec的专有技术，它使用Soitec专有的SmartCut™技术，将高质量 SiC“供体”晶圆的薄层分开，并将其键合在低电阻率“处理”多晶硅晶圆的顶部。然后，工程化基板可提高设备性能和制造产量。优质SiC“供体”晶圆可以多次重复使用，显着降低生产它所需的总能耗。KK签订了晶圆供应协议，以继续在现场进行现有的晶圆制造。


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