威兆发布9款采用TOLL封装NMOS

Release time：2022-11-09
author：Ameya360
source：网络
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　　消费电子产品、电子整机等市场体量在近几年增长迅速，产业链对于 MOSFET 的需求也水涨船高。伴随大功率快充技术的普及，电源厂商对 MOS 器件的耐压、内阻等各维度性能也提出了更高的要求；而随着汽车电气化、5G 商用化进程的深入推进，市场对于 MOSFET 的需求也朝着多元化方向发展。

威兆发布9款采用TOLL封装NMOS

　　威兆TOLL封装MOS新品问世

　　TOLL封装适用于中低压 MOS（耐压40V～150V，电流300A max）、超结 SJ-MOS 的封装，package 厚度 2.3mm，占板面积 115m㎡。相比 TO-263-6L，TOLL占板面积缩小30％，高度减小50％，节省了宝贵的 PCB 应用空间，而且热阻更小从而散热效率更高，封装寄生电感更小，有助于降低生产成本和散热解决方案成本、提高功率密度。

　　威兆半导体近期推出了9款采用 TOLL 封装的 NMOS 产品，BVDSS（漏源击穿电压）有 40V、80V、100V、150V 可选，VGS 耐压达 ±20/25V，ID（漏极电流）涵盖 100A~325A。

　　威兆 VSK002N10HS-G 是一款漏源击穿电压 100V 的N沟道 MOS，采用 TOLL 封装，VGS 耐压 ±25V，Vth 为 2.1~3.1V，漏极电流最高 325A，VGS 为 10V时导通电阻 RDS(on) 典型值为 1.7mΩ，适用于 USB PD 电源、电池保护、电机控制等应用场景。

　　威兆 VSK009N15HS-G 是一款漏源击穿电压 150V 的N沟道 MOS，采用 TOLL 封装，VGS 耐压 ±25V，Vth 为 2.6~3.6V，漏极电流最高 100A，VGS 为 10V时导通电阻 RDS(on) 典型值为 9.2mΩ，适用于通信电源、电池保护、电机控制等应用场景。

威兆发布9款采用TOLL封装NMOS

　　充电头网总结

　　威兆半导体此次采用的 TOLL 封装，相比 TO-263-6L 封装不仅有着更小的体积和占板面积，而且具备低封装寄生和电感效应，以及出色的 EMI 表现和热性能；TOLL 封装拥有可焊侧翼，可以很好满足高安全性和高可靠性的大功率应用场景。


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威兆半导体锂电保护应用功率器件解决方案
行业新闻

威兆半导体锂电保护应用功率器件解决方案

　　引 言　　随着锂电技术的持续进步，新型应用场景的涌现，中国锂电行业呈现出规模扩张、结构优化的发展态势。数据显示，2024年中国锂离子电池出货量达到1214.6GWh，同比增长36.9%，在全球总出货量的占比达到78.6%，且份额仍在持续扩大。展望未来，伴随着固态电池技术走向成熟，AIDC/储能等应用需求的增加，全球锂电市场前景仍十分广阔。　　安全是锂电行业发展的生命线，BMS/锂电保护板作为锂电系统的“保护神”，是系统安全可靠运行不可或缺的关键环节，近年来亦展现出高速发展的趋势。　　锂电保护板典型结构　　BMS/锂电保护板主要功能包括电池状态监测，包括电压、电流、温度等;电池状态计算，SOC、SOH监测及分析;电池安全保护，过流、过温、过充过放与短路保护等;电池能量管理，充放电及均衡控制等;还有电池信息管理，即信息交互及储存。　　锂电保护板的常见结构如下所示：图1 储能保护板典型结构　　正常工作时，充放电保护MOSFET处于常通状态，MOSFET的低Rds(on)特性有利于降低系统损耗，提升系统效率。发生异常工况时，可根据控制指令快速关断，对用户和用电设备实现有效保护。　　锂电保护板工作原理及失效模式分析　　短路是锂电系统面临的极端危险场景，提升短路保护的可靠性是系统维持安全运行的关键环节。负载短路时，回路电流会迅速升至最大值，该值的大小取决于电池电压和回路阻抗。从短路保护波形可以看到，整个过程分为两个阶段：短路保护延时时间，是系统对异常工况的检测与反应时间;短路保护动作时间，则是关闭保护MOSFET的时间。CH2:Vgs CH3:Vds CH4:Ishort图2 锂电保护板短路保护模式　　短路保护失效模式　　锂电保护板的短路失效模式主要有过电压失效和过热失效两种。热失效源于MOSFET关断时长时间处于线性模式，高电压大电流交叠会产生很大的能量损耗，关断速度过慢导致损耗过高，使晶圆温度超过其能承受的最大结温，器件被烧毁，将可能引发系统失控的严重后果。过电压失效则是由于MOSFET关断瞬间，板卡的寄生电感与高di/dt，产生高电压尖峰，叠加在MOSFET两端，严重时可导致MOSFET雪崩失效，进而导致系统失控。　　实际应用中，通过合理调整MOSFET的动作时间、增加电压钳位等保护措施，在过电压失效和过热失效这两种模式间找到平衡，以提升极端工况下的系统可靠性。　　功率器件失效机理分析　　深入探究锂电保护应用中的MOSFET失效机理，有助于精准把握功率器件在不同工况下的性能表现，从而优化设计，提高锂电保护的可靠性和稳定性。　　1. 短路失效机理　　热失效模式，短路保护关断过程中，MOSFET的关断动作时间过长，热量累计导致MOSFET晶圆的Tj超过其最大值Tj_max，晶圆被烧毁，出现不可逆的损坏。过压失效模式，则是因为短路保护关断过程中，MOSFET进入雪崩状态，高dv/dt可能导致寄生晶体管导通，出现闩锁失效现象，从而导致器件被击穿。　　2. 不同失效模式下的晶圆形态　　对不同失效模式的晶圆进行开盖分析，热失效模式下失效点会呈现高温状态的碳化等现象;而过压失效模式，MOSFET会进入雪崩状态，其瞬间的大能量则会导致晶圆损伤点较大，晶圆伴有开裂现象。回路的电感值越小，短路峰值电流越大，关断瞬间产生的能量越大，破坏区域亦更大。　　3. 热不稳定性曲线　　以VSP9R5N15HS-G型号为例，对MOS管SOA和ZTC点进行说明。零温度系数点ZTC作为一个关键指标，当Vgs高于ZTC点时，温度上升电流减小，Rds(on)呈正温度系数;Vgs低于ZTC点时，温度上升电流增大，呈负温度系数，此时容易形成热点导致器件损坏。　　锂电保护应用中，MOSFET关断时，在跨越线性区过程中，较易形成局部过热从而导致器件失效。通过对器件本身的优化设计，有利于提升功率MOSFET在此工况下的应用表现。　　4.驱动电阻的影响　　实际应用中，驱动电阻的阻值可有效影响器件的开关速度，改变MOS管的关断时间，在过压失效和过热失效之间找到折中点。实验中将驱动电阻的阻值从510Ω调整到300Ω，观察到短路保护动作时间和关断过程中产生的损耗均有了显著减小的趋势。　　这一改变具有重要意义，短路关断时间的优化能直接改善MOSFET短路保护的可靠性。所以，在设计和使用MOS管时，合理调整驱动电阻至关重要。　　威兆锂电保护应用系统解决方案　　威兆低压MOSFET具备优异性能和高可靠性，配备强有力的支持团队，可为客户提供有效的技术支持和全生命周期的服务能力。功率器件已安全可靠应用于多个行业，涵盖ESS、E-Bike、低速汽车、电动叉车、电动工具、AGV等不同场景，满足不同的用户需求。　　产品组合广泛，具备20V至200V多种电压规格，产品具备导通电阻Rds(on) 低、Vth一致性高、抗雪崩能力强等特点。能适配多样化的市场应用。典型型号如VS1891GKH、VSM006N15HS-G等，已得到市场的广泛使用，并得到优异反馈。　　表1 威兆BMS/锂电保护功率器件解决方案
2025-12-25 16:57 reading：211
威兆半导体增强型N沟道MOSFET获年度优秀功率器件产品
企业动态

威兆半导体增强型N沟道MOSFET获年度优秀功率器件产品

　　近日，威兆半导体凭借自主研发的增强型N沟道MOSFET——VSK004N15HS-G，荣获由展会主办方与行业媒体电子发烧友网共同颁发的“2025半导体市场创新表现奖——年度优秀功率器件产品奖”!　　VSK004N15HS-G为增强型N沟道MOSFET，采用TOLL封装，VDS(漏极-源极电压)达150V，能够满足多种中低压应用场景的需求，其具有低导通电阻(Rds(on)：3.9mΩ)、优异电气性能、低开关损耗、宽工作温度范围和易驱动等特性，得益于以上特性有效减少开关损耗，提升应用系统效率。　　该型号已经过严格的测试筛选，具有高可靠性、高一致性，适用于各种恶劣的电气和环境条件，拥有详细的技术文档、数据手册和应用指南，可帮助客户快速应用和优化电路设计。现已广泛应用于消费电子、工业控制、光伏储能、电源管理和电机驱动等领域。　　威兆半导体拥有雄厚的研发实力、先进的生产设备和CNAS实验室，已通过ISO9001、ISO14001、ISO45001、QC080000、IATF16949等体系认证，可有效保障产品高一致性、可靠性及完整的交付和售后服务。　　未来威兆半导体将继续加强研发创新、优化市场策略，同时紧密关注行业发展趋势，积极拥抱新技术和新应用，以小型化、轻量化等优势进一步提升市场占有率和竞争力。
2025-10-17 14:24 reading：669
威兆半导体推出1200V40mohm SICMOS单管产品
行业新闻

威兆半导体推出1200V40mohm SICMOS单管产品

　　最新一代的宽禁带半导体材料SIC具有耐高温、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点;可以满足现代电力电子技术对半导体器件大电流、高压、高频、低损、高温、高功率密度、高可靠性、长寿命等高标准要求;在消费、工业、汽车、航空航天等领域都有重要应用前景。　　高击穿场强(SI的10倍)→高耐压;芯片耐压等级更高、同耐压下芯片厚度更薄、内阻更低、面积更小、损耗更低、工作频率更高、功率密度更高高禁带宽度(SI的3倍)→高工作温度;芯片内部理论极限温度，SIC可达600℃以上;高热导率(SI的3倍)→低热阻;提高散热效率，有利于产品的小型化，提升功率密度;　　专注于功率器件专业领域十二年的“国家级专精特新重点小巨人企业”威兆半导体新推出了第三代半导体SIC MOS 1200V40mohm_　　HCC*120R040H1，该产品封装采用TO-247和TO-247-4L，可满足不同客户的应用需求。该产品采用自对准Planar技术和新型栅氧氮化技术，具有沟道密度高、导通压降低、沟道迁移率高、界面态低、参数一致性好，可靠性高等特点。产品依据国际行业通用可靠性标准进行考核，可满足于工业、汽车等应用需求。　　产品性能　　经过公司内部详细测试评估HCC*120R040H1，其各方面参数都完成设计目标，达到同行先进水平。与国外友商同类两颗产品C***40120、S*****40**进行比较，详情如下：　　静态参数：　　动态参数：　　这款产品静动态参数平衡较好，比较好地兼顾了导通损耗和开关损耗，有利于控制总体损耗提高系统效率，降低器件温升;内阻高温上升比例比较小;开启、关断过程中波形良好平滑，能做到无振荡或低振荡，有利于降低动态损耗，且对EMC友好;寄生二极管反向恢复软度良好，无振荡。该产品比较适合用于有高频、高压、高效、高功率密度等需求的各类电力转换装置中。
2025-08-07 11:12 reading：1208
威兆半导体荣获2024年度“市场表现奖”
行业新闻

威兆半导体荣获2024年度“市场表现奖”

　　近日，深圳市集成电路产业总结大会暨深圳市半导体行业协会第八届第二次会员大会在深圳市南山区隆重举办。我司深圳市威兆半导体股份有限公司(以下简称：威兆半导体)凭借过去一年在市场上的卓越表现，荣获2024年度“市场表现奖”。这一殊荣不仅是对威兆半导体市场表现的充分肯定，更是对公司坚持自主创新、推动功率器件国产替代化进程的高度认可。　　本次大会汇聚了众多业界精英，包括中国半导体行业协会、深圳市发展和改革委员会、深圳市工业和信息化局、深圳市科技创新局等组织机构的主要领导嘉宾以及百余位行业人士，共同探讨集成电路产业的发展机遇。　　会议议程涵盖深圳市半导体行业协会系列工作报告、深圳市集成电路产业总结报告、产业合作推介、以及出海、数智化赋能产业发展的主题演讲等，为行业企业发展提供了宝贵的思路和方向。　　大会最后，深圳市半导体行业协会对2024年度为深圳半导体与集成电路产业发展做出突出贡献的企业和个人进行表彰。威兆半导体凭借在功率器件领域的卓越表现，斩获年度“市场表现奖”。这一奖项不仅彰显了威兆半导体在市场中的领先地位，也体现了行业协会对我司在推动产业发展中所作贡献的高度认可。
2025-08-07 11:06 reading：734
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