近日,威兆半导体凭借自主研发的增强型N沟道MOSFET——VSK004N15HS-G,荣获由展会主办方与行业媒体电子发烧友网共同颁发的“2025半导体市场创新表现奖——年度优秀功率器件产品奖”!
VSK004N15HS-G为增强型N沟道MOSFET,采用TOLL封装,VDS(漏极-源极电压)达150V,能够满足多种中低压应用场景的需求,其具有低导通电阻(Rds(on):3.9mΩ)、优异电气性能、低开关损耗、宽工作温度范围和易驱动等特性,得益于以上特性有效减少开关损耗,提升应用系统效率。
该型号已经过严格的测试筛选,具有高可靠性、高一致性,适用于各种恶劣的电气和环境条件,拥有详细的技术文档、数据手册和应用指南,可帮助客户快速应用和优化电路设计。现已广泛应用于消费电子、工业控制、光伏储能、电源管理和电机驱动等领域。
威兆半导体拥有雄厚的研发实力、先进的生产设备和CNAS实验室,已通过ISO9001、ISO14001、ISO45001、QC080000、IATF16949等体系认证,可有效保障产品高一致性、可靠性及完整的交付和售后服务。
未来威兆半导体将继续加强研发创新、优化市场策略,同时紧密关注行业发展趋势,积极拥抱新技术和新应用,以小型化、轻量化等优势进一步提升市场占有率和竞争力。
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