集成电路的各种封装形式有什么特点

发布时间:2022-07-13 10:59
作者:Ameya360
来源:网络
阅读量:2933

    集成电路,缩写为IC;顾名思义,某些常用的电子组件(例如电阻器,电容器,晶体管等)以及这些组件之间的连接通过半导体技术电路与特定功能集成在一起。集成电路的各种封装形式有什么特点?

集成电路的各种封装形式有什么特点

    常见的七种集成电路的封装形式如下:

    1、SO封装

    引线比较少的小规模集成电路大多采用这种小型封装。SO封装又分为几种,芯片宽度小于0.15in,电极引脚数目比较少的(一般在8~40脚之间),叫做SOP封装;芯片宽度在0.25in以上,电极引脚数目在44以上的,叫做SOL封装,这种芯片常见于随机存储器(RAM);芯片宽度在0.6in以上,电极引脚数目在44以上的,叫做SOW封装,这种芯片常见于可编程存储器(E2PROM)。有些SOP封装采用小型化或薄型化封装,分别叫做SSOP封装和TSOP封装。大多数SO封装的引脚采用翼形电极,也有一些存储器采用J形电极(称为SOJ),有利于在插座上扩展存储容量。SO封装的引脚间距有1.27mm、1.0mm、0.8mm、0.65mm和0.5mm几种。

    2、QFP封装

    QFP(Quad Flat Package)为四侧引脚扁平封装,是表面组装集成电路主要封装形式之一,引脚从四个侧面引出呈翼(L)形。基材有陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看,塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时,多数情况为塑料QFP。塑料QFP是最普及的多引脚LSI封装,不仅用于微处理器、门阵列等数字逻辑LSI电路,而且也用于VTR信号处理、音响信号处理等模拟LSI电路。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多种规格,引脚间距最小极限是0.3mm,最大是1.27mm。0.65mm中心距规格中最多引脚数为304。

    为了防止引脚变形,现已出现了几种改进的QFP品种。如封装的四个角带有树脂缓冲垫(角耳)的BQFP,它在封装本体的四个角设置突起,以防止在运送或操作过程中引脚发生弯曲变形。

    3、PLCC封装

    PLCC是集成电路的有引脚塑封芯片载体封装,它的引脚向内钩回,叫做钩形(J形)电极,电极引脚数目为16~84个,问距为1.27mm。PLCC封装的集成电路大多是可编程的存储器。芯片可以安装在专用的插座上,容易取下来对其中的数据进行改写;为了减少插座的成本,PLCC芯片也可以直接焊接在电路板上,但用手工焊接比较困难。PLCC的外形有方形和矩形两种,方形的称为 JEDEC MO-047,引脚有20~124条;矩形的称为 JEDEC MO--052,引脚有18~32条。

    4、LCCC封装

    LCCC是陶瓷芯片载体封装的SMD集成电路中没有引脚的一种封装;芯片被封装在陶瓷载体上,外形有正方形和矩形两种,无引线的电极焊端排列在封装底面上的四边,电极数目正方形分别为16、20、24、28、44、52、68、84、100、124和156个,矩形分别为18、22、28和32个。引脚间距有1.0mm和1.27mm两种。

    LCCC引出端子的特点是在陶瓷外壳侧面有类似城堡状的金属化凹槽和外壳底面镀金电极相连,提供了较短的信号通路,电感和电容损耗较低,可用于高频工作状态,如微处理器单元、门阵列和存储器。

    LCCC集成电路的芯片是全密封的,可靠性高,但价格高,主要用于军用产品中,并且必须考虑器件与电路板之间的热膨胀系数是否一致的问题。

    5、PQFN封装

    PQFN是一种无引脚封装,呈正方形或矩形,封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘,提高了散热性能。围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连接的导电焊盘。由于PQFN封装不像SOP、QFP等具有翼形引脚,其内部引脚与焊盘之间的导电路径短,自感系数及封装体内的布线电阻很低,所以它能提供良好的电性能。由于PQFN具有良好的电性能和热性能,体积小、质量小,因此已经成为许多新应用的理想选择。PQFN非常适合应用在手机、数码相机、PDA、DV、智能卡及其他便携式电子设备等高密度产品中。

    6、BGA封装

    BGA封装即球栅阵列封装,它将原来器件PccQFP封装的J形或翼形电极引脚改成球形引脚,把从器件本体四周“单线性”顺序引出的电极变成本体底面之下“全平面”式的格栅阵排列。这样,既可以疏散引脚间距,又能够增加引脚数目。焊球阵列在器件底面可以呈完全分布或部分分布。

    从装配焊接的角度看,BGA芯片的贴装公差为0.3mm,比QFP芯片的贴装精度要求0.08mm低得多。这就使BGA芯片的贴装可靠性显著提高,工艺失误率大幅度下降,用普通多功能贴片机和回流焊设备就能基本满足组装要求。

    采用BGA芯片使产品的平均线路长度缩短,改善了电路的频率响应和其他电气性能。

    用再流焊设备焊接时,锡球的高度表面张力导致芯片的自校准效应(也叫“自对中”或“自定位”效应),提高了装配焊接的质量。

    正因为BGA封装有比较明显的优越性,所以大规模集成电路的BGA品种也在迅速多样化。现在已经出现很多种形式,如陶瓷BGA(CBGA)、塑料BGA(PBGA)及微型BGA(Micro-BGA、?BGA或CSP)等,前两者的主要区分在于封装的基底材料,如CBGA采用陶瓷,PBGA采用BT树脂;而后者是指那些封装尺寸与芯片尺寸比较接近的微型集成电路。

    目前可以见到的一般BGA芯片,焊球间距有1.5mm、1.27mm和1.0mm三种;而?BGA芯片的焊球间距有0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm和0.3mm多种

    7、CSP封装

    CSP的全称为 Chip Scale Package,为芯片尺寸级封装的意思。它是BGA进一步微型化的产物,做到裸芯片尺寸有多大,封装尺寸就有多大。即封装后的IC尺寸边长不大于芯片长度的1.2倍,IC面积只比晶粒(Die)大不超过1.4倍。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14,已经非常接近于1:1的理想情况。

    在相同的芯片面积下,CSP所能达到的引脚数明显地要比TSOP、BGA引脚数多得多。TSOP最多为304根引脚,BGA的引脚极限能达到600根,而CSP理论上可以达到1000根。由于如此高度集成的特性,芯片到引脚的距离大大缩短了,线路的阻抗显著减小,信号的衰减和干扰大幅降低。CSP封装也非常薄,金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2mm,提升了芯片的散热能力。

    目前的CSP还主要用于少I/O端数集成电路的封装,如计算机内存条和便携电子产品。未来则将大量应用在信息家电(IA)、数字电视(DTV)、电子书(E-Book)无线网络WLAN/GigabitEthernet、ADSL等新兴产品中。

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
高温IC设计必懂基础知识:高结温带来的5大挑战
  随着技术的飞速发展,商业、工业及汽车等领域对耐高温集成电路(IC)的需求持续攀升‌。高温环境会严重制约集成电路的性能、可靠性和安全性,亟需通过创新技术手段攻克相关技术难题‌。  这份白皮书致力于探讨高温对集成电路的影响,并提供适用于高功率的设计技术以应对这些挑战。第一篇文章介绍了工作温度,包括环境温度和结温等。本文将继续介绍高结温带来的挑战。  高结温带来的挑战  半导体器件在较高温度下工作会降低电路性能,缩短使用寿命。对于硅基半导体而言,晶体管参数会随着温度的升高而下降,由于本征载流子密度的影响,最高极限会低于 300℃。依靠选择性掺杂的器件可能会失效或性能不佳。  影响 IC 在高温下工作的主要技术挑战包括:  泄漏电流增加  MOS 晶体管阈值电压降低  载流子迁移率降低  提高闩锁效应(Latch-Up)敏感性  加速损耗机制  对封装和接合可靠性的挑战  要设计出能够在高温下工作的 IC,了解高温下面临的挑战至关重要。下文将探讨 IC 设计面临的挑战。  1.泄漏电流增加  CMOS 电路中泄漏电流的增加主要是由半导体 PN 结泄漏和亚阈值沟道泄漏的增加引起的。  ▷反向偏置 PN 结泄漏  在较高温度下,半导体中热能的增加会导致更多电子 - 空穴对的产生,从而产生更高的泄露电流。结泄漏取决于掺杂水平,通常随温度呈指数增长。根据广泛使用的经验法则,温度每升高 10℃,结电流大约增加一倍。  二极管的泄漏电流由漂移电流和扩散电流组成:  其中, q 为电子的基本电荷, Aj 为结面积,ni 为本征载流子浓度,W 为耗尽区宽度,τ 为有效少数载流子寿命,L 为扩散长度,N 为中性区掺杂密度。  在中等温度下,泄漏电流主要由耗尽区中电子 - 空穴对产生的热引起。在高温下,泄漏电流主要由中性区产生的少数载流子引起。漂移电流与耗尽区宽度成正比,这意味着它与结电压的平方根成正比(在正常反向电压下),而扩散电流与结电压无关,并且与掺杂密度 N 成反比。掺杂水平越高,在温度高于约 150°C 时扩散泄漏越少。  泄漏电流的指数增加影响了大多数主动器件(如双极晶体管、MOS 晶体管、二极管)和一些被动器件(如扩散电容、电阻)。然而,由氧化物隔离的器件,例如多晶硅电阻、多晶硅二极管、ploy-poly 电容和 metal-metal 电容,并不受结泄漏的影响。结泄漏被认为是高温 bulk CMOS 电路中最严峻的挑战。  ▷亚阈值沟道泄漏  MOS 晶体管关闭时,栅极 - 源极电压 VGS 通常设置为零。由于漏极至源极电压 VDS 非零,因此漏极和源极之间会有小电流流过。当 Vgs 低于阈值电压 Vt 时,即在亚阈值或弱反型区,就会发生亚阈值泄漏。该区域的漏极源极电流并不为零,而是与 Vgs 呈指数关系,主要原因是少数载流子的扩散。  该电流在很大程度上取决于温度、工艺、晶体管尺寸和类型。短沟道晶体管的电流会增大,阈值电压较高的晶体管的电流会减小。亚阈值斜率因子 S 描述了晶体管从关断(低电流)切换到导通(高电流)的有效程度,定义为使漏极电流变化十倍所需改变的 VGS 的变化量:  其中,n 是亚阈值斜率系数(通常约为 1.5)。对于 n = 1,斜率因子为 60mV/10 倍,这意味着每低于阈值电压 Vt 60mV,漏极电流就会减少十倍。典型的 n = 1.5 意味着电流下降速度较慢,为 90mV/10 倍。为了能够有效地关闭 MOS 晶体管并减少亚阈值泄漏,栅极电压必须降到足够低于阈值电压的水平。  ▷栅极氧化层隧穿泄露  对于极薄的栅极氧化层(厚度低于约 3 纳米),必须考虑隧穿泄漏电流的影响。这种电流与温度有关,由多种机制引发。Fowler-Nordheim 遂穿是在高电场作用下,电子通过氧化层形成的三角形势垒时产生。随着有效势垒高度降低,隧道电流随温度升高而增大。较高的温度也会增强 trap-assisted 隧穿现象,即电子借助氧化层中的中间陷阱态通过。对于超薄氧化层,直接隧穿变得显著,由于电子热能的增加,隧穿概率也随之上升。  2.阈值电压降低  MOS 晶体管的阈值电压 Vt 与温度密切相关,通常随着温度的升高而线性降低。这是由于本征载流子浓度增加、半导体禁带变窄、半导体 - 氧化物界面的表面电位的变化以及载流子迁移率降低等因素造成的。温度升高导致的阈值电压降低会引起亚阈值漏电流呈指数增长。  3.载流子迁移率下降  载流子迁移率直接影响 MOS 晶体管的性能,其受晶格散射与杂质散射的影响。温度升高时,晶格振动(声子)加剧,导致电荷载流子的散射更加频繁,迁移率随之下降。此外,高温还会增加本征载流子浓度,引发更多的载流子 - 载流子散射,进一步降低迁移率。当温度从 25°C 升高到 200°C 时,载流子迁移率大约会减半。  载流子迁移率显著影响多个关键的 MOS 参数。载流子迁移率的下降会降低驱动电流,减少晶体管的开关速度和整体性能。更高的导通电阻会增加功率损耗并降低效率。较低的迁移率还会降低跨导,使亚阈值斜率变缓(增加亚阈值泄漏),降低载流子饱和速度(对于短沟道器件至关重要),并间接影响阈值电压。  4.提高闩锁效应敏感性  集成电路中各个二极管、晶体管和其他元件之间的隔离是通过反向偏置 P-N 结来实现的。在电路开发过程中,需采取预防措施以确保这些结在预期应用条件下始终可靠阻断。这些 P-N 结与其他相邻结形成 N-P-N 和 P-N-P 结构,从而产生寄生 NPN 或 PNP 晶体管,这些晶体管可能会被意外激活。  当寄生 PNP 和 NPN 双极晶体管相互作用,在电源轨和接地之间形成低阻抗路径时,CMOS IC 中就会出现闩锁效应(Latch-up)。这会形成一个具有正反馈的可控硅整流器(SCR),导致过大的电流流动,并可能造成永久性器件损坏。图 1 显示了标准 CMOS 逆变器的布局截面图。图中还包含寄生 NPN 和 PNP 晶体管。正常工作时,所有结均为反向偏置。图 1. 带标记的寄生双极晶体管逆变器截面图和寄生双极晶体管示意图  闩锁效应的激活主要取决于寄生 NPN 和 PNP 晶体管的 β 值,以及 N - 阱、P - 阱和衬底电阻。随着温度的升高,双极晶体管的直流电流增益(β)以及阱和衬底的电阻也会增加。  在高温条件下,闩锁效应灵敏度的增加也可以视为双极结型晶体管(BJT)阈值电压的降低,从而更容易在阱和衬底电阻上产生足以激活寄生双极晶体管的压降。基极 - 发射极电压随温度变化降低的幅度约为 -2mV/℃,当温度从 25℃升至 200℃时,基极 - 发射极电压降低 350mV。室温下的典型阈值电压为 0.7V,这意味着阈值电压大约减半。  5.加速损耗机制  Arrhenius 定律在可靠性工程中被广泛用于模拟温度对材料和元器件失效率的影响。  其中,R( T) 是速率常数,Ea 是活化能,k 是玻尔兹曼常数(8.617 · 10−5eV/K),T 为绝对温度(单位:开尔文)。通常,每升高10°C可靠性就会降低一半。  ▷经时击穿-TDDB  TDDB 是电子器件中的一种失效机制,其中介电材料(例如 MOS 晶体管中的栅氧化层)由于长时间暴露于电场下而随时间退化,导致泄漏电流增加。当电压促使高能电子流动时,在氧化层内部形成导电路径,同时产生陷阱和缺陷。当这些导电路径在氧化层中造成短路时,介电层就会失效。失效时间 TF 随着温度的升高而呈指数级减少。  ▷负 / 正偏置温度不稳定性 - NBTI / PBTI  NBTI 影响以负栅极 - 源极电压工作的 p 沟道 MOS 器件,而 PBTI 则影响处于积累区的 NMOS 晶体管。在栅极偏压下,缺陷和陷阱会增加,导致阈值电压升高,漏极电流和跨导减少。这种退化显示出对数时间依赖性和指数温度上升,在高于 125°C 时有部分恢复。  ▷电迁移  电迁移是指导体中的金属原子因电流流动而逐渐移位,形成空隙和小丘。因此,如果金属线中形成的空隙大到足以切断金属线,就会导致开路;如果这些凸起延伸得足够长以至于在受影响的金属与相邻的另一金属之间形成桥接,则可能导致短路。电迁移会随着电流密度和温度的升高而加快,尤其是在空隙形成后,会导致电流拥挤和局部发热。金属线发生故障的概率与温度成指数关系,与电流密度成平方关系,与导线长度成线性关系。铜互连器件可承受的电流密度约为铝的五倍,同时可靠性相似。  ▷热载流子退化  当沟道电子在 MOS 晶体管漏极附近的高电场中加速,会发生热载流子退化。在栅极氧化层中产生界面态、陷阱或空穴。它影响诸如阈值电压 VT、电流增益 β、导通电阻 RDS_ON 和亚阈值泄漏等参数。在较高温度下,平均自由程减少,降低了载流子获得的能量,使得热载流子退化在低温条件下更为显著。
2025-05-28 09:21 阅读量:259
集成电路原产地新规,流片地成关键!
半导体集成电路选用八大原则
  电子元器件是电子产品最基本组成单元,电子设备的故障有很大一部分是由于元器件的性能、质量或选用的不合理而造成的,故电子元器件的正确选用是保障电子产品可靠性的基本前提。可靠性设计就是选用在最坏的使用环境下仍能保证高可靠性的元器件的过程。  半导体集成电路选用八大原则  一、集成电路的优选顺序为超大规模集成电路→大规模集成电路→中规模集成电路→小规模集成电路。  二、尽量选用金属外壳集成电路,以利于散热。  三、选用的集成稳压器,其内部应有过热、过电流保护电路。  四、超大规模集成电路的选择应考虑可以对电路测试和筛选,否则影响其使用可靠性。  五、集成电路MOS器件的选用应注意以下内容:  1)MOS器件的电流负载能力较低,并且容抗性负载会对器件工作速度造成较大影响。  2)对时序、组合逻辑电路,选用器件的最高频率应高于电路应用部位的2~3倍。  3)对输入接口,器件的抗干扰要强。  4)对输出接口,器件的驱动能力要强。  六、应用CMOS集成电路时应注意下列问题:  1)CMOS集成电路输入电压的摆幅应控制在源极电源电压与漏极电源电压之间。  2)CMOS集成电路源极电源电压VSS为低电位,漏极电源电压VDD为高电位,不可倒置。  3)输入信号源和CMOS集成电路不用同一组电源时,应先接通CMOS集成电路电源,后接通信号源;应先断开信号源,后断开CMOS集成电路电源。  4)CMOS集成电路输入(出)端如接有长线或大的积分或滤波电容时,应在其输入(出)端串联限流电阻(1~10kΩ),把其输入(出)电流限制到10mA以内。  5)当输入到CMOS集成电路的时钟信号因负载过重等原因而造成边沿过缓时,不仅会引起数据错误,而且会使其功耗增加,可靠性下降。为此可在其输入端加一个施密特触发器来改善时钟信号的边沿。  七、CMOS集成电路中所有不同的输入端不应闲置,按其工作功能一般应作如下处理:  1)与门和非门的多余端,应通过0.5~1MΩ的电阻接至VDD或高电平。  2)或门和或非门的多余端,应通过0.5~1MΩ的电阻接至VSS或低电平。  3)如果电路的工作速度不高,功耗也不要特别考虑的话,可将多余端与同一芯片上相同功能的使用端并接。应当指出,并接运用与单个运用相比,传输特性有些变化。  八、选用集成运算放大器和集成比较器时应注意下列问题:  1)无内部补偿的集成运算放大器在作负反馈应用时,应采取补偿措施,防止产生自激振荡。  2)集成比较器开环应用时,有时也会产生自激振荡。采取的主要措施是实施电源去耦,减小布线电容、电感耦合。  3)输出功率较大时,应加缓冲级。输出端连线直通电路板外部时,应考虑在输出端加短路保护。  4)输入端应加过电压保护,特别当输入端连线直通电路板外部时,必须在输入端采取过电压保护措施。
2025-04-03 17:43 阅读量:381
集成电路引脚分布规律详解
  在现代电子设计中,集成电路(IC)是核心组件之一,而其引脚的分布规律则影响着电路的功能和性能。了解集成电路引脚的分布,可以帮助设计师优化电路布局,减少干扰,提高整体系统的可靠性。  一、集成电路引脚的基本概念  集成电路引脚是连接外部电路与内部电路的接口,通常由金属材料制成,并通过焊接或插接方式固定在印刷电路板(PCB)上。引脚的数量和排列方式依据IC的类型、功能以及封装形式(如DIP、SMD、BGA等)而异。  1.1 引脚分类  集成电路的引脚通常可以分为以下几类:  电源引脚:通常用于连接电源和接地,确保IC正常工作。  信号引脚:用于传递输入和输出信号,决定了IC的功能。  控制引脚:用于控制IC的工作状态,如复位、使能等。  二、引脚分布的规律  2.1 略称优先的布局  许多集成电路在设计时遵循了略称优先(Power First)的原则,即电源和接地引脚通常位于封装的边缘或靠近中心,以确保它们与其他信号引脚的最佳连接。这种布局可以减少电源线的阻抗,提高供电稳定性。  2.2 信号引脚的排列  信号引脚的排列一般遵循从输入到输出的方向性设计。这种从左到右的布局有助于在设计电路时简化信号流,提高信号完整性。  输入引脚:通常位于封装的一侧,便于外部信号连接。  输出引脚:通常与输入引脚相对,简化信号传输路径。  2.3 接地引脚的分布  接地引脚在设计中扮演着重要角色,它通常具有以下分布规律:  多点接地:在多引脚IC中,接地引脚应分布在不同位置,以减少电流回流时引起的干扰。  接地平面:在PCB设计中,尽量采用连续的接地平面连接接地引脚,以降低电阻和电感,提高电路的信号稳定性。  2.4 保护引脚的设计  一些集成电路还会设置保护引脚,比如用于静电放电(ESD)保护的引脚。这些引脚通常需要在设计时特别关注,确保它们能够有效避免外部环境对IC的损害。  三、实际应用中的注意事项  了解引脚分布规律后,设计师在进行实际应用时,还应注意以下几点:  引脚选择:在详细设计电路时,应仔细查阅IC手册,确认引脚的功能,以避免错误连接。  布局合理:在PCB设计时,要合理布局引脚的位置,尽量缩短信号路径,以降低延迟和噪声干扰。  考虑散热:高功率IC需关注引脚的散热问题,确保在设计时留有充足的散热空间。  测试点设计:适当设置测试点,引脚附近提供常规调试接口,方便后期电路调试和故障排查。  集成电路的引脚分布规律是设计电路的重要基础,掌握这些规律可以帮助设计师更有效地进行电路设计,优化性能。
2025-03-21 16:13 阅读量:566
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
MC33074DR2G onsemi
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码