如何正确选择MOS管 mos管的作用

Release time:2022-01-12
author:
source:网络
reading:2918

MOS管由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

如何正确选择MOS管 mos管的作用

1)用N沟道或P沟道?

选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。

2)确定MOS管的额定电流该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

3)选择MOS管的下一步是系统的散热要求须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。

4)选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。

需要注意哪些细节?整理如下:

MOS管导通后的无方向性,MOS在加压导通后,就类似于一根导线,只具有电阻特性,无导通压降,通常饱和导通电阻为几到几十毫欧,且无方向性,允许直流和交流电通过。

(1)为了安全使用MOS管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

(2)各类型MOS管在使用时,都要严格按要求的偏置接入电路中,要遵守MOS管偏置的极性。如结型MOS管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等。

(3)MOS管由于输入阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将MOSMOS管放入塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。

(4)为了防止MOS管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然,如果能采用先进的气热型电烙铁,焊接MOS管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用MOS管时必须注意。

(5)在安装MOS管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。

(6)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例,该管子加装140×140×4(mm)的散热器后,最大功率才能达到30W.

(7)多管并联后,由于极间电容和分布电容相应增加,使放大器的高频特性变坏,通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此,并联复合管管子一般不超过4个,而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。

(8)结型MOS管的栅源电压不能接反,可以在开路状态下保存,而绝缘栅型MOS管在不使用时,由于它的输入电阻非常高,须将各电极短路,以免外电场作用而使管子损坏。

(9)焊接时,电烙铁外壳必须装有外接地线,以防止由于电烙铁带电而损坏管子。对于少量焊接,也可以将电烙铁烧热后拔下插头或切断电源后焊接。特别在焊接绝缘栅MOS管时,要按源极-漏极-栅极的先后顺序焊接,并且要断电焊接。

(10)用25W电烙铁焊接时应迅速,若用45~75W电烙铁焊接,应用镊子夹住管脚根部以帮助散热。结型MOS管可用表电阻档定性地检查管子的质量(检查各PN结的正反向电阻及漏源之间的电阻值),而绝缘栅场效管不能用万用表检查,必须用测试仪,而且要在接入测试仪后才能去掉各电极短路线。取下时,则应先短路再取下,关键在于避免栅极悬空。

在要求输入阻抗较高的场合使用时,必须采取防潮措施,以免由于温度影响使MOS管的输入电阻降低。如果用四引线的MOS管,其衬底引线应接地。陶瓷封装的芝麻管有光敏特性,应注意避光使用。

对于功率型MOS管,要有良好的散热条件。因为功率型MOS管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作。

总而言之,为了保证MOS管安全使用,要注意的事项较多,广大的专业技术人员,特别是广大的电子爱好者,都要根据自己的实际情况出发,采取切实可行的办法,安全有效地用好MOS管。

("Note: The information presented in this article is gathered from the internet and is provided as a reference for educational purposes. It does not signify the endorsement or standpoint of our website. If you find any content that violates copyright or intellectual property rights, please inform us for prompt removal.")

Online messageinquiry

reading
一文了解MOS管
行业新闻

一文了解MOS管

  从计算机芯片到电源管理,从音频放大到高速通信,MOS管的广泛应用推动了现代电子工业的繁荣。已经成为现代电子器件最重要的基础之一。  MOS管的基本原理  MOS管,全称Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应管),属于场效应晶体管的一种。它的工作原理基于电场调控导通通道的原理,通过栅极施加电压,控制源极与漏极之间的电流。  简单来说,MOS管由源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)三部分组成。核心结构包括一层薄薄的氧化层(通常是二氧化硅,SiO₂)和在其上的金属或多晶硅栅极。当在栅极施加电压时,会在半导体基体内部形成导电通道,从而实现源极到漏极的导通或截止。  作用机理  栅极电压形成的电场:栅极电压相对于源极产生电场,调节半导体材料中的载流子浓度。  导通通道的控制:当栅极电压超过一定阈值电压(Vth)时,导电通道在半导体基体内形成,实现源极到漏极的导通。  电流控制:通电状态由栅极电压决定,而不是由源极电压控制,这也是MOSFET的高输入阻抗的原因。  MOS管的结构组成  典型的MOS管结构主要包括以下几个部分:  源极(S):供电子或空穴进入导电通道的端口。  漏极(D):导通的电子或空穴离开的端口。  栅极(G):控制导通状态的电极。  衬底(Substrate):晶体管的基础半导体连接,通常是硅材料。  氧化层(Oxide Layer):在栅极和半导体基体之间形成的绝缘层,通常为二氧化硅。  漂移区和源/漏区:用以形成PN结,确保稳定的导通和截止特性。  在制造过程中,通常采用硅基础上,通过氧化层沉积、光刻、扩散或掺杂等工艺,形成所需结构。  MOS管的类型分类  MOSFET可按照不同标准进行分类,主要包括以下几种:  1. 按工作方式分类  N沟MOSFET(NMOS):通过N型半导体形成导电通道,电子载流子为主要载流子,导通速度快,应用广泛。  P沟MOSFET(PMOS):通过P型半导体形成导电通道,空穴为主要载流子,相比NMOS速度较慢,但具有不同的电路特性。  2. 按极性分类  增强型:在没有栅极电压时,器件处于截止状态,施加正向栅极电压后导通。  耗尽型:在没有栅极电压时已导通,通过加偏压可使器件截止。  3. 按沟道结构分类  平面MOSFET:传统的结构,沟道为平面型。  斗篷MOSFET(FinFET):采用三维结构,沟道呈“鳍”状,增大沟道面积,改善性能。  4. 按导通方式分类  场效应晶体管(MOSFET):最常用。  绝缘栅晶体管(IGBT):结合了MOSFET和 BJT(双极型晶体管)优点,适合高电压、大功率场合。  MOS管的工作特性  1. 阈值电压(Vth)  是指栅极电压达到的临界值,使导通通道形成的最低电压。不同类型、结构的MOSFET其阈值电压不同,影响电路设计。  2. 导通区域  线性区(三极区):栅极电压高于阈值,漏极-源极电压较低,导通,但漏极电流随漏极-源极电压线性变化。  饱和区(数字区):漏极-源极电压高于某一值,电流趋于稳定,是数字电路中的主要工作区域。  3. 转移特性  描述在一定漏极-源极电压下,栅极电压变化引起的漏极电流变化关系。对于强化型N沟MOSFET,其转移特性可以用阈值电压作为参数描述。  4. 漏极-源极电阻  在导通状态下,MOSFET的导通电阻较低,使其成为理想的开关器件。  5. 开关速度  由寄生电容等参数决定,是高速电子电路的基础。  MOS管的应用领域  MOS管广泛应用于各种电子电路中,主要涵盖:  1. 数字电路  微处理器:作为基本开关单元构建逻辑门。  存储器:如DRAM、SRAM中的存储单元。  数字信号处理器(DSP):实现高速开关和运算。  2. 模拟电路  放大器:运用MOSFET的线性区进行信号放大。  电源管理:开关电源、DC-DC转换器。  传感器接口:MOSFET在模拟信号调节中的作用。  3. 电力电子  电机驱动:高效率的开关控制。  逆变器:转换直流为交流能源。  4. 其他特殊应用  光电子、传感器接口:由于其高输入阻抗和快响应。  智能芯片:在智能手机、平板、车载电子中的广泛应用。  MOS管作为现代电子产业的基石器件,以其优异的电性能和广泛的应用成为电子系统中的“核心血管”。从早期的数字电路到现在的智能设备,MOSFET的技术不断革新和优化,推动着电子技术的持续发展。
2025-07-07 14:28 reading:567
一文了解常见的几种MOS管驱动电路
  MOS管最显著的特性是开关特性好,因此被广泛应用在需要电子开关的电路中。MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。  下面给大家介绍下平时在工作中经常会用到的一些MOS管驱动电路。  01直接驱动  电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式,同时也是最简单的驱动方式。但使用这种驱动方式,需要注意以下几点。  (1)了解电源IC手册的最大驱动峰值电流,因为不同芯片制造工艺不同,驱动能力可能不同。  (2)了解MOS管的寄生电容,寄生电容越小越好。因为寄生电容越大,MOS管导通时要的能量就越大,如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流,MOS管导通的速度会受到很大影响。  IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素,都影响驱动电阻阻值的选择。如果驱动能力不足,上升沿可能出现高频振荡,也不能无限减小Rg。  02推挽驱动  当选择MOS管寄生电容比较大,电源IC内部驱动能力不足时,可以采用推挽驱动。常使用图腾柱电路增加电源IC驱动能力,一般应用在电源IC的驱动能力较弱的电路上。另外,图腾柱电路也有加快关断的作用。  推挽驱动电路通过提升电流提供能力,迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间,但是减少了关断时间,开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。  03快速关断  MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放,保证开关管能快速关断。  为使栅源极间电容电压的快速泄放,常在驱动电阻上并联一个电阻和一个快恢复二极管,如上图所示,其中D1常用的是快恢复二极管。这使得MOS管的关断时间大大缩短,同时减小关断时的损耗。Rg2在此处的作用是限流,防止把电源IC给烧掉。  比较常见的是用三极管来泄放栅源极间电容电压。如果Q1的发射极没有电阻,当PNP三极管导通时,栅源极间电容短接,达到最短时间内把电荷放完,最大限度减小关断时的交叉损耗。栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC,提高了电路可靠性。  04隔离驱动  为了满足高端MOS管的驱动或是满足安全隔离,经常会采用变压器驱动。下图中使用的R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡,C1的目的是通过交流,隔开直流,同时也能防止磁芯饱和。  除开以上介绍的几种常见的驱动电路外,还有其他形式的驱动电路,大家可以结合具体情况选择最合适的驱动。
2025-05-13 10:52 reading:561
MOS管选型指南:如何选择合适的MOS管?
       MOS管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一种常用的半导体器件,具有低开关损耗、高开关速度、低驱动电压等优点,被广泛应用于电源管理、驱动电路、放大器等领域。但是,市面上MOS管品种繁多,如何选择合适的MOS管成为了工程师们面临的难题。本文将为您介绍MOS管选型的几个关键要素,帮助您选择合适的MOS管。  1.电压和电流  MOS管的电压和电流是选型时需要考虑的重要因素。电压是指MOS管能承受的较大电压,一般分为栅极-源极电压(Vgs)和漏极-源极电压(Vds),选型时需要根据实际应用场景选择合适的电压等级。电流是指MOS管能承受的较大电流,也是选型时需要考虑的重要因素,需要根据实际应用场景选择合适的电流等级。  2.导通电阻  导通电阻是指MOS管在导通状态下的电阻大小,也是选型时需要考虑的重要因素。导通电阻越小,MOS管的导通能力越强,同时也会带来更小的开关损耗。因此,在选型时需要根据实际应用场景选择合适的导通电阻。  3.开关速度  开关速度是指MOS管从关断到导通或从导通到关断的时间,也是选型时需要考虑的重要因素。开关速度越快,MOS管的响应能力越强,同时也会带来更小的开关损耗。因此,在选型时需要根据实际应用场景选择合适的开关速度。  4.温度特性  温度特性是指MOS管在不同温度下的性能表现,也是选型时需要考虑的重要因素。MOS管的温度特性越好,其性能表现越稳定。因此,在选型时需要根据实际应用场景选择具有良好温度特性的MOS管。  综上所述,MOS管选型需要考虑的因素有很多,需要根据实际应用场景选择合适的MOS管。同时,在选型时需要注意MOS管的品牌、质量和可靠性等因素,选择具有优良品质和可靠性的MOS管,才能确保系统的稳定性和可靠性。
2025-03-31 15:07 reading:605
常见耗尽型MOS管应用场景
  耗尽型MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET)在电路设计中具有多种重要应用,这些应用主要得益于其独特的电气特性和工作原理。  一、作为电流源  耗尽型MOS管可以作为电流源使用。当MOS管的栅极电压恒定时,通过它的漏极电流也将恒定。因此,可以通过调节栅极电压来控制漏极电流的大小。这种电流源可以应用于各种场合,比如运放的输入级、电源稳压电路等。在这些应用中,耗尽型MOS管的高输入阻抗和低输出阻抗特性使得它能够提供稳定的电流输出,同时减小对输入信号的影响。  二、作为开关  耗尽型MOS管也可以作为开关使用。当栅极电压大于阈值电压时,MOS管处于导通状态,可以通过漏极和源极之间传导电流。而当栅极电压低于阈值电压时,MOS管处于截止状态,不会有电流通过。因此,可以通过控制栅极电压来控制MOS管的导通和截止,实现开关功能。这种开关电路广泛应用于各种数码产品、电源开关等场合。耗尽型MOS管的快速开关速度和高可靠性使其成为这些应用中的理想选择。  三、作为放大器  耗尽型MOS管还可以作为放大器使用。当MOS管处于导通状态时,漏极电流与栅极电压之间的关系符合一定的函数关系。通过调节栅极电压,可以控制漏极电流的大小,从而实现电流放大功能。这种放大电路可以应用于音频放大器、功率放大器等场合。耗尽型MOS管的放大特性使得它能够在这些应用中提供稳定的增益和线性度。  四、在开环反馈电路中的应用  在开环反馈电路中,耗尽型MOS管的漏极电流与输入电压之间的关系可以通过反馈电路进行调整。通过调整反馈电路中的元件数值,可以实现电路的增益、频率响应等特性的调节。这种应用使得耗尽型MOS管在模拟电路设计中具有更大的灵活性。  五、作为电压比较器  耗尽型MOS管还可以作为电压比较器使用。当输入电压与参考电压进行比较时,通过调节栅极电压,可以控制MOS管的导通与截止,从而实现电压比较的功能。这种电压比较器可以应用于过压保护、欠压保护等场合。耗尽型MOS管的高输入阻抗和低功耗特性使得它在这些应用中具有出色的性能。  六、在开关电源中的应用  在开关电源中,耗尽型MOS管作为开关管使用,可以实现高效率的能量转换。通过控制MOS管的导通和截止,可以实现电源输出的稳定和高效。耗尽型MOS管的快速开关速度和高可靠性使其成为开关电源设计中的理想选择。  七、在逆变器电路中的应用  逆变器电路将直流电源转换为交流电源,常见用于太阳能发电系统和无线电通信系统等。耗尽型MOS管作为逆变器的关键元件之一,通过控制MOS管的导通和截止,可以实现输出交流电压的控制。这种应用使得耗尽型MOS管在可再生能源和通信系统等领域中具有重要作用。  八、在电机驱动电路中的应用  通过控制耗尽型MOS管的导通和截止,可以控制电机的转速和转向。这种电机驱动电路广泛应用于各种电动车、机器人等设备。耗尽型MOS管的高可靠性和快速响应特性使得它在这些应用中能够提供精确的电机控制。  九、在电压稳压器中的应用  通过控制耗尽型MOS管的导通和截止,可以调节输出电压的大小,实现电压的稳定。电压稳压器被广泛应用于各种电子设备中,保证设备的正常工作。耗尽型MOS管的低漏电流和低功耗特性使得它在这些应用中具有出色的性能。  综上所述,耗尽型MOS管在电路设计中具有多种重要应用。其高输入阻抗、低输出阻抗、快速开关速度和高可靠性等特性使得它成为电子领域中不可或缺的元件之一。随着科技的发展和应用的需求不断增加,耗尽型MOS管的应用将会更加广泛和多样化。
2025-03-28 14:49 reading:641
  • Week of hot material
  • Material in short supply seckilling
model brand Quote
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
model brand To snap up
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BP3621 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
TPS63050YFFR Texas Instruments
Hot labels
ROHM
IC
Averlogic
Intel
Samsung
IoT
AI
Sensor
Chip
About us

Qr code of ameya360 official account

Identify TWO-DIMENSIONAL code, you can pay attention to

AMEYA360 weixin Service Account AMEYA360 weixin Service Account
AMEYA360 mall (www.ameya360.com) was launched in 2011. Now there are more than 3,500 high-quality suppliers, including 6 million product model data, and more than 1 million component stocks for purchase. Products cover MCU+ memory + power chip +IGBT+MOS tube + op amp + RF Bluetooth + sensor + resistor capacitance inductor + connector and other fields. main business of platform covers spot sales of electronic components, BOM distribution and product supporting materials, providing one-stop purchasing and sales services for our customers.

Please enter the verification code in the image below:

verification code