瑞萨将60亿美元收购IDT?官方这样回复

Release time:2018-09-04
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source:国际电子商情
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日前,日经新闻网8月31日报道称,日本半导体(芯片)大厂瑞萨电子(Renesas Electronics)已和美国芯片商Integrated Device Technology(IDT)进行最终协商,瑞萨计划收购IDT、将IDT纳为旗下完全子公司,预估收购额将达60亿美元,将成为日本半导体业界史上最大规模的并购案。

IDT在美国纳斯达克(NASDAQ)挂牌上市,而瑞萨若完成收购、预估IDT将进行下市。

报道指出,瑞萨想要收购IDT、主要是为了强化自动驾驶技术,预期收购IDT将让瑞萨获得自动驾驶所需的芯片设计/研发力。

官方回复:非瑞萨宣布,正考虑收购IDT,未做出任何决定

关于上述日经新闻的报导内容,国际电子商情了解到瑞萨于8月31日发布官方回应,称日经新闻所报导的内容并非由瑞萨所宣布,不过瑞萨为了让事业能有更进一步的成长、确实正考虑收购IDT,但目前尚未做出任何决定。

瑞萨官方回复如下:

日前日经新闻关于瑞萨的在线报道提及了瑞萨总部设在美国的半导体公司存在潜在收购,这些报道并非基于瑞萨的声明。虽然瑞萨正在考虑收购以加速业务增长,但尚未做出明确的决定。如果瑞萨做出任何重大决定,将第一时间向公众公布。

在选择被收购方时,瑞萨都会精心挑选,考虑各方面因素,包括:(1)产品/市场兼容性和互补性; (2)候选人的市场竞争力和财务稳健性; (3)合并后整合(PMI)的可行性,旨在最大化合并后公司产生的业务和股东价值。

特别是,候选公司的产品应该在瑞萨的重点业务领域具有坚实的竞争力,并与瑞萨的核心产品(包括微控制器(MCU)和片上系统(SoC))相互补充,从而实现长期的协同发电。此外,该目标预计将在收购后进一步改善瑞萨集团的财务状况(毛利率改善和股东价值增长)。另一个决定性因素是管理政策和业务运营的兼容性和通用性,这使得合并后的公司收购后的统一业务管理成为可能。

在需要融资的情况下,瑞萨会确定具有最佳融资成本的结构。同时,通过考虑合并后公司的现金产生能力,瑞萨将采取严谨的方法来保持财务健康。

关于最近收购2017年2月完成的Intersil公司,完成了(1)管理团队和组织,(2)企业/产品品牌和(3)包括销售办事处在内的全球网站整合计划。此外,整合的协同作用远远超过了最初的目标(1.7亿美元的年度运行率,通过交叉销售和解决方案开发,来从新的业务收购中获得收入增长,以及通过消除重叠功能和利用杠杆原理来节省成本以获得更大的业务平台)。

瑞萨---全球第2大车用芯片厂

瑞萨(RENESAS)于2003年4月1日—由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并成立。

RENESAS结合了日立与三菱在半导体领域方面的先进技术和丰富经验,是无线网络、汽车、消费与工业市场设计制造嵌入式半导体的全球领先供应商。

瑞萨为全球第2大车用芯片厂,在很多诸如移动通信、汽车电子和PC/AV 等领域获得了全球最高市场份额,资料显示,2017年瑞萨营收为35,3亿美元、仅次于荷兰恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)的44.2亿美元位居第2。

瑞萨集成电路设计(北京)有限公司苏州分公司(RDB-SU)是瑞萨科技全资子公司,2004年1月成立以来,承担着家电和汽车电子领域MCU的一系列设计工作,并在2006年4月开始开发面向中国市场的MCU。

全球半导体业界正进行合纵连横,瑞萨于2017年砸下约3,200亿日圆收购美国Intersil。

根据瑞萨提交政府的文件,瑞萨打算运用手上现金与银行贷款来完成交易。截至今年6月底为止,瑞萨握有1,300亿日圆(约12亿美元)现金。

IDT---无线充电芯片出货量全球第一

而IDT为一家没有拥有自家工厂的无晶圆厂(Fabless)企业,在通讯用芯片的设计/研发上拥有很高的技术力,2017年度(截至2018年3月底为止的会计年度)营收为8.43亿美元、营益1.11亿美元,并于2015年收购德国车用半导体企业。

在众多的无线充电芯片厂商中,IDT业绩一枝独秀,至2016年底,IDT全球无线充电芯片的出货量累计将近2亿,而在2017年度又出货超一亿颗,稳居全球第一位,在技术壁垒高、利润相对稳定的无线充电接收端芯片和系统解决方案中,IDT是唯一有过大批量出货经验的厂商。

“2017年IDT无线充电芯片出货量还在高速增长,销售额同比2016年达到两位数以上的增长,2018年,除了韩国客户的需求平缓增长外,中国手机客户的无线充电芯片需求将快速增长。”

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瑞萨RZ/V2N MPU入选中国电子报“人工智能产品编辑选择”案例
  近日,《中国电子报》“盘点2025特刊”发布,公布了“人工智能产品编辑选择”案例。作为《中国电子报》固定栏目,2025年“编辑选择”聚焦一年来电子信息领域热点和焦点,着眼AI应用,综合考虑技术、市场、生态等因素,推选出8个创新产品及解决方案,以期为行业发展树立典范。瑞萨RZ/V2N MPU在本次评选中脱颖而出,获选“AI视觉应用类”案例。  RZ/V2N MPU  作为面向大规模视觉AI市场的中端核心产品,RZ/V2N进一步完善了瑞萨从低端到高端的视觉AI MPU全系列布局。该产品集成了专有AI加速器DRP-AI3与先进剪枝技术,搭载四个Arm® Cortex®-A55 CPU、一个Cortex-M33内核及Arm Mali-C55 ISP,构成完整异构计算平台,支持双MIPI摄像头同步采集,可精准实现跌倒检测、车牌识别等复杂视觉任务。同时具备15TOPS的AI推理性能与10TOPS/W的高能效比,15mm²紧凑型封装使系统安装面积较前代产品减少38%。兼具高性能、低功耗与小尺寸特性,无需风扇冷却即可适配空间受限设备,且配套丰富的开发资源可大大降低开发门槛。该产品可精准契合市场需求,在智慧城市、工业4.0、智能汽车等领域应用前景广阔。  此次入选《中国电子报》“人工智能产品编辑选择”案例,彰显了业界对瑞萨在视觉AI领域产品实力的高度认可。未来,瑞萨将继续深耕人工智能领域,不断推进技术迭代与创新,为全球各行业智能化升级提供更高效、可靠的解决方案,助力客户优化设计流程,加速产品上市进程。
2026-01-15 10:24 reading:259
技术干货丨使用瑞萨REXFET MOSFET降低RDS(on)
  用于大电流应用的MOSFET的核心技术挑战在于,在保持优异开关性能的同时,实现低导通电阻。随着现代电源采用基于PWM的系统和更高的开关频率,最大限度地减少导通损耗和开关损耗变得至关重要。  为应对这一挑战,瑞萨电子的REXFET-1工艺采用分离栅结构,并在此前专注于P柱实现的ANM1/ANM2超结技术基础上进一步提升,以实现:  • RON指数改善至0.24(与前几代的0.36相比)  • 超低导通电阻,可降低导通损耗并降低散热  • 以小型封装实现高功率密度  • 降低栅极电荷(QG)和栅极电容,优化开关特性  结合多线键合(multi-wire)和夹片键合(clip bonding)等先进封装技术,REXFET-1器件在实现低导通电阻和高速开关的同时,满足严格的汽车可靠性标准。  此外,我们采用融合多年经验的坚固设计,确保产品具有高度可靠性和耐用性,使设计人员能够放心使用。我们专门为电池管理系统(BMS)和电机应用设计了80V至150V的REXFET-1系列产品。瑞萨电子MOSFET技术的发展  REXFET-1平台的开发是瑞萨电子在推进功率MOSFET技术方面悠久历史的一部分。从1979年日立推出首款垂直型MOSFET开始,瑞萨电子始终引领行业创新,包括在2003年推出首款用于英特尔芯片组的DrMOS。在接下来的几十年中,超结技术、用于智能手机的倒装芯片封装以及铜夹结构等创新进一步提升了效率和功率密度。瑞萨电子功率MOSFET的发展历程  REXFET-1系统级性能  BLDC电机控制在工业和汽车应用中都非常普遍。为了验证REXFET-1在实际应用中的性能,瑞萨电子在BLDC电机驱动系统中评估了采用TOLL封装的100V和150V产品。我们还将REXFET-1 100V RBA300N10EANS-3UA02(工规版RBE015N10R1SZQ4)和150V RBA190N15YANS-3UA04(工规版RBE039N15R1SZQ4)的性能与市场上的主要器件进行了性能对比。  REXFET-1与竞品器件在最高60A条件下进行了测试,并比较了平均结温。在10kHz和20kHz开关频率下,结温结果保持与最佳竞品器件相当的水平。  REXFET-1器件在相同系统条件下表现出较低的电压振荡和尖峰。在电机控制应用中,较高的振荡和电压尖峰可能导致系统可靠性问题,并产生较高的电磁干扰(EMI)。REXFET-1器件始终表现出具有竞争力的效率、热稳定性和抗EMI能力。100V REXFET-1导通波形比较  我们丰富的REXFET-1产品组合代表了功率MOSFET技术的重大进步。凭借分离栅晶圆工艺和先进的封装技术,REXFET-1器件能够实现:  •与前几代沟槽工艺相比,RSP降低30%  •卓越的导通损耗与开关损耗平衡  •丰富的封装选项(3x3、5x6、TOLL、TOLG、TOLT),以满足多样化的系统需求。  这些创新使设计人员能够在电机驱动、BMS以及其他要求苛刻的应用中实现更高的效率、更大的功率密度和更高的系统可靠性。
2025-12-31 17:01 reading:358
瑞萨电子:既有“大脑”又有“感官”的智能触摸面板
  当前,楼宇与家居自动化领域正呈现出一个重要趋势:人机界面(HMI)正从单一控制功能,向集成环境感知、智能决策与多系统联动的综合交互终端演进。传统HMI系统在应对现代智能空间需求时,常面临功能单一、环境感知能力弱、功耗高与扩展性差等痛点。  为此,瑞萨电子推出的智能触摸面板系统,以高度集成的系统级设计,将简单控制终端升级为集智能交互、多环境感知、低功耗运行与灵活连接于一体的综合性解决方案,有效解决上述难题。  系统级优势:从“交互界面”到“感知中枢”的进化  该系统以一颗超低功耗MCU为中枢,不仅负责管理电容式触摸界面和显示模块,还连接了丰富的传感器设备——包括可检测CO₂和TVOC的空气质量传感器、湿温度传感器以及用于非接触测温的热电堆。MCU可实时采集并处理这些数据,驱动LCD或TFT显示屏更新用户界面(UI),将所有环境信息直观呈现。  系统支持可选的低功耗蓝牙或Wi-Fi模块实现远程监控,并采用交流电源输入供电。其高能效设计支持低功耗模式,在确保实时反馈与快速触控的同时,最大化节约能源使用。  深度解析:瑞萨智能触摸面板核心组件智能触摸面板框图  系统的“大脑”是瑞萨RL78/L23 MCU。这款32MHz的MCU专为满足HMI市场的灵活需求而设计,集成卓越的低功耗性能与双区闪存、段码式LCD控制器及电容式触控等关键功能,可应用于智能家居电器、消费电子、物联网和表计系统等领域。同时,RL78/L23针对超低功耗进行了优化,适合大多数时间处于待机状态的电池供电应用。此外,IH定时器(KB40)可实现精确的多通道加热控制,对电饭煲和电磁炉等智能厨房电器提供核心支持。  作为系统的“电站”,RAA223011的性能至关重要。这款700V AC/DC开关稳压器输出功率高达5W,其卓越之处在于超低待机功耗(空载<10mW)和高达80%的效率。它采用恒关时间控制与脉冲调频(PFM)技术,既避免了可听噪声,又优化了轻载能效。同时内置输入功率不足保护、输出短路及过载“打嗝”保护机制,可确保系统在复杂电网环境下的高可靠性运行与长使用寿命。  在系统内部,RAA214250线性稳压器(LDO)负责为特定模块提供纯净、稳定的二次电源。其工作电压范围宽(2.5V至20V),输出电流达500mA,典型压差仅为269mV,这种设计让它在大电流输出场景下,自身能耗与发热大幅降低,有助于提升整个系统的稳定性和寿命。同时,其输出电压可通过外部电阻灵活调节,为板级电源设计提供了便利。  I2C总线缓冲器ISL33003是确保系统通信稳定与高效的“交通枢纽”。它能扩展I2C总线的电容负载能力,突破400pF的限制,支持接入更多、更远距离的传感器。其内置上升时间加速器能降低上拉电阻功耗并提升数据速率;支持热插拔功能,允许系统在不断电的情况下安全更换器件;而电平转换能力则能轻松桥接不同工作电压的芯片,极大增强了系统的扩展性与鲁棒性。  快速开发与原型验证:完善的生态支持  为加速产品上市,瑞萨提供RL78/L23快速原型开发板,实现开箱即用的高效开发体验。板卡集成了段码LCD和触摸按键,可立即开始评估。板载USB-UART接口使编程调试无需额外工具。同时支持Arduino Uno、Pmod™、Grove等流行接口,扩展性极强。瑞萨还提供丰富的示例代码和Arduino库,大幅度降低开发门槛,助力开发者快速完成从概念到原型的过程。  瑞萨电子的智能触摸面板系统解决方案构建了一个功能全面、稳定可靠且能效卓越的硬件平台。它成功地将一个简单的人机交互界面,升级为集环境感知、数据处理、本地控制与远程连接于一体的智能中枢。无论是智能家居、智慧楼宇还是工业控制,该方案都为实现产品智能化升级提供了一条高效、可靠的路径。
2025-12-25 17:16 reading:418
瑞萨电子基于R-Car第五代SoC推出端到端多域融合解决方案,加速推动SDV创新
  12月16日,全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布围绕其第五代(Gen 5)R-Car产品家族进一步扩展软件定义汽车(SDV)解决方案阵容。作为该产品家族的最新成员,R-Car X5H是业内首款采用先进3纳米制程的车规级多域融合片上系统(SoC),可同时运行先进辅助驾驶系统(ADAS)、车载信息娱乐系统(IVI)和网关系统等多项功能。  目前,瑞萨已启动第五代芯片的样品供应,并推出完整评估板及R-Car Open Access(RoX)平台白盒软件开发套件(SDK),以支持下一阶段开发工作。与此同时,瑞萨正深化与客户及合作伙伴的协作,以加速产品落地进程。在2026年国际消费电子展(CES 2026)上,瑞萨将展示基于R-Car X5H的AI驱动多域应用实景演示。  R-Car X5H采用业界先进的3纳米工艺节点,实现了更高的集成度、性能与能效,功耗较前代5纳米解决方案降低达35%。随着AI成为新一代SDV的核心要素,该SoC为多域车载应用提供强大的中央计算能力,并支持通过芯粒(Chiplet)封装技术灵活扩展AI性能。其提供高达400TOPS的AI性能,若通过芯粒技术拓展,性能更可提升四倍以上。此外,该产品还具备4TFLOPS等效*的GPU性能,可支持高端图形处理,并搭载32个Arm® Cortex®-A720AE CPU内核及六个支持ASIL D等级的Cortex®-R52锁步内核,整体运算能力超过1000K DMIPS。该SoC支持混合功能安全机制,能够在多域执行高阶功能的同时,确保系统安全无虞。  为应对日益复杂的电气/电子(E/E)架构,瑞萨持续增添RoX开发平台功能,以推动硬件与软件在开发初期深度融合。RoX平台整合了开发下一代汽车所需的关键硬件、操作系统、软件和工具,并支持无缝软件更新,大幅简化开发流程。  以开放、可扩展的RoX白盒SDK加速车辆创新  为助力客户缩短产品上市时间,瑞萨针对R-Car X5H推出RoX白盒软件开发套件(SDK)。该开放平台基于Linux、安卓操作系统及XEN虚拟机。我们还为合作伙伴操作系统和解决方案提供额外支持,包括AUTOSAR、EB corbos Linux、QNX、Red Hat和SafeRTOS。开发者可即刻投入开发,构建ADAS、L3/L4级自主驾驶、智能座舱及网关系统。集成式AI/ADAS软件栈可实现实时感知与传感器融合,生成式AI与大型语言模型(LLM)则为下一代AI座舱提供智能人机交互支持。该SDK整合了来自Candera、DSP Concepts、纽劢、Smart Eye、STRADVISION、中科创达等领先合作伙伴的量产级应用软件栈,全面支持现代车载软件架构的端到端开发。  Vivek Bhan, Senior Vice President and General Manager of High Performance Computing at Renesas表示:“自去年推出先进的R-Car产品以来,我们持续致力于开发系统解决方案,并于今年早些时候向客户交付了芯片样品。我们正与OEM、一级供应商及合作伙伴紧密协作,快速推出完整的开发平台,赋能下一代SDV。这些智能计算平台具备设计灵活性,可提供更智能、更安全、更互联的驾驶体验,并满足未来的AI出行需求。”  Christian Koepp, Senior Vice President Compute Performance at Bosch’s Cross-Domain Computing Solutions Division表示:“我们非常高兴能与瑞萨携手推进最新汽车创新成果的落地。基于双方多年的合作基础,将瑞萨的R-Car X5H集成至我们的ADAS ECU中是顺理成章的下一步。在CES 2026上,我们将重点展示这款具备先进感知与融合能力的高性能解决方案,以满足快速发展的L2+及L3自动驾驶市场需求。”  Dr. Christian Brenneke, Head of ZF’s Electronics & ADAS Division表示:“将瑞萨R-Car X5H与我们的ADAS ECU相结合,使我们能够提供兼具高性能计算与可扩展性的创新传感器融合能力。该联合平台融合雷达定位与高清地图技术,实现精准感知与定位,从而提供可靠的ADAS性能。在CES 2026上,我们将重点展示覆盖多个车载域的联合ADAS解决方案。”  瑞萨将于CES 2026联合合作伙伴首次展示R-Car X5H融合演示  在2026年CES上,瑞萨将通过一系列特邀演示,首次展示R-Car X5H的强大功能。  此次全新多域演示基于RoX平台,从R-Car Gen 4升级至新一代R-Car X5H,集成ADAS和IVI软件栈、实时操作系统(RTOS),以及基于Linux和Android的边缘AI功能,并搭载XEN虚拟机。该平台支持8路高分辨率摄像头输入和最多8块分辨率高达8K2K的显示屏,为下一代SDV带来沉浸式视觉体验和强大的传感器集成能力。结合RoX白盒SDK和量产级合作伙伴软件栈,该平台专为覆盖多车载域的实际部署而设计。
2025-12-17 15:36 reading:369
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