台积电宣布发展大计:携先进制程抢攻AI、5G

Release time：2017-12-11
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台积电总经理暨共同执行长刘德音在年度供应链管理论坛宣示大投资计划，台积电看好人工智能（AI）及5G的庞大市场，5纳米新厂Fab 18将于明年动土兴建，2019年上半年进入风险试产，3纳米新厂的投资金额更超过200亿美元，南京厂也将于明年5月提前半年量产出货。

12月7日，台积电举行供应链管理论坛，共有超过600个来自全球半导体业界的设备、原物料、封装、测试、厂务、信息系统与服务等供货商参加。

台积电资深副总经理暨资讯长左大川则透露，台积电今年将可达到年营收320亿美元的目标，10纳米制程于2017年产出，预计今年可以贡献约一成的营收。

台积电总经理暨共同执行长刘德音表示，台积电在2016年总计开发了250项专利技术，有9200个产品及1100万片晶圆的产出，提供给台积电的470个客户，感谢供应商的支持与贡献。

此外，刘德音还在论坛上透露了台积电的发展大计。

一.南京厂明年五月提前半年量产出货

论坛上，刘德音表示，台积电南京12吋厂预计于明年5月开始量产出货，此时程将较台积电原定明年下半年出货的计划提前。刘德音指出，南京厂是台积电独资设立的晶圆厂，由于大陆当地需求强劲，未来仍有扩产计划。

根据台积电规划，南京厂主要生产16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程，规划月产能为2万片12吋晶圆。

台积电南京厂投资案是台积电服务全球客户布局的一环，投资额控制在30亿美元内（约900亿台币），为台资企业历年来赴中国投资最大金额。

市场人士认为，台积电南京厂能实现提前出货，显示其在制程技术、建厂等重要指标上都有独到的领先利基；面对近年中国大陆半导体市场的快速崛起，台积电南京厂的提前出货，有利其提前抢食庞大商机。

二.抢进AI和5G

他透露，台积电提出行动装置、高速运算计算机（HPC）、物联网与智慧汽车等4大技术平台已有两年，目前4大技术平台均已完备，与客户全力抢进商机。4大技术平台背后有AI与5G两大重要发展，指这两大技术创新将再度改变人类生活，也让台积电再度进入令人兴奋的时代。

5G方面，刘德音预估5G将于2019年正式商转，比市调机构预估早一年。5G可加速机器与机器间的连结与对话，更加速各项控制系统和科技产品应用进入智能化时代，而台积电7纳米制程已准备好为客户量产5G相关芯片。

至于AI方面，刘德音认为AI是所有产业的未来趋势，未来的发展也毫无限制，各个领域都会应用到AI技术。他强调目前已有3亿支手机，采用类以AI架构的神经网络，AI的应用已经开始，未来还会在各领域被广泛使用。

三.巨资续攻先进制程

先进制程方面，刘德音指出，进入5G时代，各项AI及5G相关应用都要7纳米以下先进制程支持，台积电7纳米与7＋纳米技术也都已就位，未来市场需求相当强劲，台积电将是主要技术与生态系统供货商。

据刘德音所言，目前台积电7纳米制程已有超过40个客户，因应客户需求强劲，除了目前在竹科12厂研发及生产，未来还将转入中科15厂的第5期和第6期，届时将有总共3个厂生产，明年开始出货。

5纳米方面，刘德音透露，台积电的5纳米新厂Fab 18预计将在明年动土兴建，将有3期厂房生产5纳米，2019年上半年进入风险试产，并会导入极紫外光（EUV）技术。

3纳米新厂的计划已于9月宣布，新厂将坐落于南科，投资金额超过200亿美元(逾6000亿台币)。

设备业者估算，台积电为5纳米量身打造的Fab 18将兴建3期工程，总月产能上看10万片，总投资金额至少达新台币4000～5000亿元，加上3纳米新厂总投资金额超过新台币6000亿元，亦即5纳米及3纳米总投资金额将超过新台币1兆元。

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台积电南京厂，获美国年度许可！
行业新闻

台积电南京厂，获美国年度许可！

　　据新加坡《联合早报》网站1月1日报道，台积电表示宣布，该公司已获得美国政府发放年度许可证，在2026年向位于中国大陆的南京工厂输出芯片制造设备。　　台积电在发给路透社的一份声明中表示，此项许可“确保晶圆运营业务和产品交付不受干扰”。　　韩国三星电子与SK 海力士两家企业，也已经获得同类进口许可。　　报道称，三星电子、SK海力士和台积电此前受益于美国对华芯片相关出口全面限制的豁免政策，即“经验证最终用户(VEU)”制度。被列入“VEU”清单的企业，可以从美国进口指定的受管制物项(包括半导体设备和技术)，无须再单独申请出口许可证。　　不过，上述政策有效期截至去年12月31日，意味着从今年起向中国输出美产芯片制造设备仍需申请出口许可证。　　台积电在声明中进一步指出：“美国商务部已向南京厂区核发年度出口许可，获准输往该厂区的美国出口管制物项，无需供应商单独申请许可。”　　声明同时重申，该许可将“保障厂区生产运营与产品交付不受中断”。　　据悉，台积电南京工厂专注于16纳米及其他成熟制程芯片的生产，并非该公司的尖端半导体产品。除南京外，台积电在上海亦设有一座晶圆制造工厂。据其 2024年度报告披露，南京厂区贡献的营收约占公司总营收的 2.4%。
2026-01-04 16:12 reading：334
台积电官宣：2nm量产！
行业新闻

台积电官宣：2nm量产！

　　据台积电官网，台积电2纳米技术已如期于2025年第四季开始量产。N2技术采用第一代纳米片(Nanosheet)晶体管技术，提供全制程节点的效能及功耗进步。台积公司并发展低阻值重置导线层与超高效能金属层间电容以持续进行2纳米制程技术效能提升。　　台积电表示，N2技术将成为业界在密度和能源效率上最为先进的半导体技术。N2技术采用领先的纳米片晶体管结构，将提供全制程节点的效能及功耗的进步，以满足节能运算日益增加的需求。N2及其衍生技术将因我们持续强化的策略，进一步扩大台积公司的技术领先优势。　　从性能提升维度来看，相较于前代N3E工艺，N2工艺针对逻辑电路、模拟电路与静态随机存取存储器(SRAM)混合设计的芯片，实现了三大核心突破：同等功耗下性能提升10%—15%、同等性能下功耗降低25%—30%、晶体管密度提升15%。而针对纯逻辑电路设计的芯片，其晶体管密度较N3E工艺的提升幅度更是高达20%。　　*注：台积电公布的芯片密度数据，基于“50%逻辑电路+30%静态随机存取存储器+20%模拟电路”的混合设计方案测算。　　**注：性能提升为同等运行速度下的对比数据。　　***注：功耗降低为同等性能输出下的对比数据。　　值得关注的是，N2工艺是台积电首款采用全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管的制程技术。这种晶体管结构中，栅极完全包裹由多层水平纳米片构成的导电沟道，不仅优化了静电控制效果、降低了漏电率，还能在不牺牲性能与能效的前提下缩小晶体管体积，最终实现晶体管密度的大幅提升。　　此外，N2工艺还在供电网络中集成了超高性能金属-绝缘体-金属电容器(SHPMIM)，其电容密度达到上一代SHDMIM方案的两倍以上，同时将薄层电阻(Rs)与通孔电阻(Rc)均降低50%，有效提升了芯片的供电稳定性、运行性能与综合能效。
2025-12-30 16:43 reading：361
突发！美国撤销台积电南京厂授权！
行业新闻

突发！美国撤销台积电南京厂授权！

　　当地时间9月2日，据彭博社报道，美国商务部工业与安全局(BIS)已撤销台积电南京厂的“经验证最终用户”(VEU)授权，意味着该厂未来将无法再“自由运送”受美方出口管制覆盖的关键设备与物资。　　台积电在声明中表示：“我们已收到美国政府通知，台积电南京厂的VEU授权将自2025年12月31日起正式撤销。我们正在评估情况并采取适当措施，包括与美国政府沟通，但我们仍将全力确保南京厂的持续运作不受影响。”。　　VEU授权被撤后，台积电向南京厂供货的上游供应商需就受控货品逐单申请美国许可证，原先的一揽子许可被改为个案审批，带来审批周期与排队不确定性。彭博社称美国主管部门正寻求降低行政负担，但既有许可积压较多，短期难以消除“时间成本”与运营波动。美国商务部工业与安全局(BIS)对此未立即置评。　　从经营权重看，台积电在中国大陆的制造占比相对有限;南京厂2018年投产，去年仅贡献台积电总营收的一小部分，最先进量产制程为16nm(属较早商用世代)。即便如此，该厂维持正常运行仍需持续进口设备、备件与化学品，任何许可延宕都会传导至维护、良率与产能保障。　　当地时间8月29日，美国商务部工业与安全局(BIS)发布最终规则，宣布撤销三家在华半导体企业的VEU授权。这三家公司分别是英特尔半导体(大连)有限公司、三星中国半导体有限公司，以及SK海力士半导体(中国)有限公司。根据规则，相关变更将在公告发布120天后生效。BIS估计每年新增约1000份许可审批工作量。　　与此不同的是，台积电的VEU授权从未在《联邦公报》上公开发布，因此BIS无需像对待其他公司那样进行修订。但总体效果是相同的：一旦VEU撤销生效，向台积电、三星及SK海力士在华工厂供货的厂商都必须主动向美方申请出口许可证，涉及范围涵盖先进制造设备、备件乃至生产过程中消耗的化学品。　　撤销VEU授权，本质上就是把原本“一次性放行”的模式，改成了“逐单审批”。过去台积电南京厂能较为顺畅地进口设备和耗材，如今则需要一项一项申请许可证。这意味着备件更换、设备维修或化学品补给的过程都可能被拖慢，厂区运营面临新的不确定性，哪怕生产节点并非最新最先进。　　从政策角度看，美国意在通过更严的流程来收紧供应，而不是立刻切断供给。这样一来，美方可以保持对供应链的“节奏控制”：需要时放行，必要时收紧。对台积电南京厂而言，挑战在于如何减少这些不确定性对生产的冲击——比如提前备货、增加替代物料、优化申请节奏、与供应商和美方保持紧密沟通。换句话说，这不是“能不能生产”的问题，而是“生产过程还能不能像以前一样稳定高效”的问题。
2025-09-03 13:48 reading：991
台积电1.4nm提前启动！
行业新闻

台积电1.4nm提前启动！

　　8月29日消息，据台媒《经济日报》报道，台积电中科1.4nm先进制程晶圆厂已经准备建设。　　中科管理局27日表示，二期园区扩建水保相关公共工程将赶在9月底前完成，供应链传出，台积电中科新厂预计10月动工，初估总投资金额将达新台币1.2万亿至1.5万亿元(约392亿至490亿美元)　　目前已知，包括营造、水泥、厂务工程等相关厂商都已陆续接获通知，台积电中科先进制程建厂工程将在近日招标，随后发包动工，相关作业正如火如荼展开。　　环境部昨日召开环评大会，审查通过新竹科学园区宝山二期环境影响差异分析报告，此案攸关台积电2nm厂，主因再生水建设不如预期，台积电须调整使用再生水期程。　　竹科与台积电承诺会加强购买海水淡化厂生产的水、不影响新竹地区民生用水，同时竹科也会跨部会协商推动其他再生水，且每两年滚动检讨除生活用水，仍会达到100%使用再生水的终极目标，最终顺利通过环评大会。　　台积电先前在技术论坛释出生产据点规划时，1.4纳米制程主要生产据点，即为原兴农球场的台中F25厂，拟规划设立四座厂房，首座厂预计赶在2027年底前完成风险性试产，2028年下半年正式量产，新厂初估营业额可望超过5,000亿元(1169亿人民币)。　　供应链进一步指出，中科厂2028年量产的应该是第一期二座1.4纳米制程厂房，后续第二期二座厂，不排除将推进至A10(1纳米)制程。另一方面，台积电在1.4纳米制程推进获得重大突破，稍早已通知供应商备妥1.4纳米所需设备，预定今年先进新竹宝山第二厂装设试产线。　　另一方面，台积电在1.4nm制程推进获得重大突破，稍早已通知供应商备妥1.4nm所需设备，预定今年先进新竹宝山第二厂装设试产线。　　据了解，台积电原订采用2nm制程的宝山晶圆20厂，其中二厂将改为1.4nm制程与研发线，三厂为1nm制程与研发线、四厂不排除为0.7nm制程与研发线。而中科初步规划四座厂房，第一期两座厂为1.4nm制程，第二期二座厂不排除为1nm制程。　　此外，南科管理局目前正筹备开发台南沙仑园区，预计2027年第3季交地给厂商建厂，届时将争取台积电进驻园区投资建厂。据了解，台积电已规划在此投资兴建1nm先进制程基地，以目前土地面积达500公顷来看，初估可兴建10座晶圆厂。　　英特尔稍早透露，可能下一代A14(1.4nm)制程将与客户合作，专为代工研发，若届时仍无客户，将可能会放弃继续开发尖端制程代工工艺。三星则将1.4nm制程量产时间，从2027年延后至2029年，专注在提高2nm良率。业界分析，此举将促成台积电加速1.4nm制程布局，以确保市场独占性。
2025-08-29 13:43 reading：644
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