上半年除了存储器价格攀高,半导体行业还有啥变化?-Ameya360 electronic components purchasing network

上半年除了存储器价格攀高,半导体行业还有啥变化?

Release time：2017-08-21

author：

source：TechNews

reading：1768

近期以来，或许大家经常会听到的就是因为半导体产业跨入一个成长的波段，导致所有产品的价格上扬，使得诸如台积电、韩国三星的全球性的大型半导体公司获利丰硕，营收屡创新高。至于，所谓的半导体当前热潮，有哪些基本的数据可以来代表，下面这些数据或许可以来进一步说明。

在当前半导体的热季中，大家感受最强烈的莫过于存储器的价格。也由于存储器市场的供不应求，使得价格节节攀高，也让韩国三星、SK海力士，日本东芝等国际大厂获利满满。有市场调查机构统计，在快闪存储器(NANDFlash)的价格部分，自2016年下半年起，截至2017年第2季止，NANDFlash售价每季上涨达11.6%，预期2017年全年涨幅更将达到33%。

至于，在DRAM的部分，根据TrendForce存储器储存研究(DRAMeXchange)的研究表示，DRAM价格从2016年下半年起，涨至2017年上半年，依然维持强劲上涨力道。就2016年第1季的PCDRAM合约均价来到24美元的价格来说，涨幅逼近40%。至于，第2季均价亦来到27美元，亦有超过一成的涨幅。而7月PCDRAM合约价持续上扬约4.6%的情况下，预估2017年下半年价格将会维持小幅上涨态势。

另外，根据半导体产业协会（SIA）日前的公布也指出，2017年6月份全球半导体销售金额达到326亿美元，和前一个月相比，上扬2%。和2016年同期相比则是飙升23.7%。累计2017年第2季半导体销售金额为979亿美元，较第1季成长5.8%，也较2016年同期增加23.7%。合计，2017年上半的半导体销售金额比2016年同期高出20.8%。

SIA总裁兼执行长JohnNeuffer指出，2017年上半年，全球半导体业缔造了可观的销售成长，第2季和6月份销售金额双双改写历史纪录。其中，6月份美洲市场买气尤为畅旺，各区销售年增率都至少达到18%，未来几个月市场可望持续成长。至于，和2016年同期相比，美洲销售大增33.4%、中国上升25.5%、亚太/其他地区提高19.5%、欧洲增加18.3%、日本提高18.0%。而和5月份相比，美洲则是提高5.1%、欧洲也增加1.9%、中国上杨1.5%、日本增加1.0%、亚太/其他地区提升0.8%。

至于，从全球半导体供应链来分析，半导体产业整体仍然保持高度景气向上的趋势，而且整体体质健康，稳步攀升。其中，在上游半导体设备出货金额上，近几季以来屡创新高。根据国际半导体协会(SEMI)的统计，全球半导体设备在6月的出货金额达到22.9亿美元，较前一个月比增家0.8%，也较2016年同期成长33.4%，直逼2000年以来景气高峰时的水准。

而在半导体产业的主要材料-矽晶圆供应链状况上，目前市场供需持续吃紧，乐观估计要道2020年才会供需平衡的状态。根据全球硅晶圆主要供应商日本SUMCO的表示，2018年起到2020年为止，会有每月一万片的12寸硅晶圆产能缺口。而这部分产能缺口，将会藉由在原有厂房基础上小量扩产的方式来解决。这部份从当前起到完全平衡缺口需要1年半的时间。也就是说，最乐观的情况下，2020年是12寸硅晶圆的暂时平衡点。

最后，在终端产品对半导体的需求上，目前半导体对终端产品的销售金额仍持续向上，每月均较前一个月有几乎两位数字的成长情况下，供应链的供货仍处于失衡的状态，而且在短期内产能扩张有限的情况下，供需失衡的情况依旧持续。藉由以上这些种种的数据显示，半导体产业在近来需求大增，产能却持续供应不上的情况下，进入难得一件的高档循环中。虽然如此，也有厂商希望这样供需失衡的状态不要持续太久。毕竟终端产品无法获得满足而无法出货的情况下，最后一旦景气反转，受伤的还是大多数的厂商。

（"Note: The information presented in this article is gathered from the internet and is provided as a reference for educational purposes. It does not signify the endorsement or standpoint of our website. If you find any content that violates copyright or intellectual property rights, please inform us for prompt removal."）

行业新闻

从设计到封测：一文读懂半导体产业核心术语

　　一、设计与EDA/IP　　1. IC设计：集成电路设计。　　2. EDA：电子设计自动化。指用于设计芯片的软件工具套件。　　HDL：硬件描述语言。如 Verilog, VHDL。　　RTL：寄存器传输级。设计过程中的一个抽象层次。　　DFT：可测试性设计。在设计中加入便于测试的结构。　　DFM：面向制造的设计。优化设计以提高制造良率。　　PDK：工艺设计套件。晶圆厂提供给设计公司的工艺文件包。　　Simulation：仿真。　　Verification：验证。　　Synthesis：逻辑综合。　　P&R：布局布线。　　STA：静态时序分析。　　3. IP：知识产权核。预先设计好、可复用的电路模块(如CPU核、接口IP等)。　　SoC：片上系统。将多个功能模块集成到单一芯片上。　　ASIC：专用集成电路。为特定应用定制的芯片。　　ASSP：专用标准产品。为特定应用领域设计的标准芯片(介于ASIC和通用芯片之间)。　　FPGA：现场可编程门阵列。可编程的逻辑芯片。　　4. Fabless：无晶圆厂模式。公司只负责芯片设计和销售，制造外包给晶圆代工厂。　　5. IDM：集成器件制造商。公司覆盖设计、制造、封装测试等全产业链环节(如 Intel, Samsung)。　　二、制造(晶圆加工 / Foundry)　　1. Wafer：晶圆。制造芯片的硅基片。　　Ingot：硅锭。切割成晶圆的原材料。　　Si：硅。　　SOI：绝缘体上硅。一种特殊结构的晶圆。　　Epitaxy：外延。在晶圆表面生长单晶层。　　2. Fab：晶圆厂。　　3. Foundry：晶圆代工厂。专门为其他公司制造芯片的工厂(如 TSMC, SMIC)。　　4. Process Node：工艺节点/制程节点。描述制造工艺先进程度的指标(如 7nm, 5nm, 3nm)。越小通常代表技术越先进。　　5. Front End Of Line：前道工艺。在晶圆上制造晶体管和互连线的过程。　　CVD：化学气相沉积。　　PVD：物理气相沉积。　　ALD：原子层沉积。　　Wet Etch：湿法刻蚀。　　Dry Etch / Plasma Etch：干法刻蚀/等离子刻蚀。　　Mask / Reticle：掩模版/光罩。承载电路图形的母版。　　Stepper / Scanner：步进式/扫描式光刻机。　　DUV：深紫外光刻。使用 248nm 或 193nm 波长的光刻技术。　　ArF / KrF：分别指 193nm 和 248nm 光刻使用的激光光源类型。　　Immersion Lithography：浸没式光刻。提高光刻分辨率的技术。　　EUV：极紫外光刻。使用 13.5nm 波长的下一代光刻技术。　　Lithography：光刻。使用光将电路图形转移到晶圆上的关键工艺。　　Etch：刻蚀。将光刻胶图形转移到下层材料的过程。　　Deposition：沉积。在晶圆表面生长薄膜材料的过程。　　Ion Implantation：离子注入。将杂质离子注入硅中形成特定电学特性的区域。　　CMP：化学机械抛光。平坦化晶圆表面的工艺。　　Thermal Processing：热处理。如氧化、扩散、退火等。　　Cleaning：清洗。去除晶圆表面污染物的工艺。　　Metrology：量测。对晶圆进行各种物理和电学参数的测量。　　Inspection：检测。查找晶圆上的缺陷。　　Yield：良率。合格芯片占总芯片数的百分比。　　6. Transistor：晶体管。芯片的基本开关单元。　　MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管。最常见的晶体管类型。　　FinFET：鳍式场效应晶体管。3D结构晶体管，用于先进节点。　　GAA：环绕栅极晶体管。FinFET的后继技术。　　7. Interconnect：互连线。连接晶体管的金属导线。　　BEOL：后道工艺。制造互连线的过程。　　Damascene Process：大马士革工艺。制造铜互连的主流工艺。　　三、封装与测试　　1. Back End Of Line / OSAT：后道工艺 / 外包半导体封装和测试厂商。指芯片制造完成后的封装和测试环节，通常由专门的封测厂完成。　　Assembly：封装/组装。　　Packaging：封装。　　Test：测试。　　2. Wafer Test / CP：晶圆测试/中测。在晶圆切割前对每个芯片进行基本功能测试。　　3. Dicing / Scribing：划片/切割。将晶圆切割成单个芯片。　　4. Die：裸片/晶粒。切割下来的单个芯片。　　5. Packaging Types：封装类型　　TSV：硅通孔。穿透硅片的垂直电连接通道。　　Interposer：中介层。连接不同裸片的硅基板或有机基板。　　DIP：双列直插式封装。　　SOP/SOIC：小外形封装。　　QFP：四方扁平封装。　　BGA：球栅阵列封装。　　LGA：栅格阵列封装。　　CSP：芯片尺寸封装。封装尺寸接近芯片尺寸。　　WLP：晶圆级封装。在晶圆上进行大部分封装步骤。　　SiP：系统级封装。将多个不同功能的裸片封装在一个模块内。　　MCM：多芯片模块。　　2.5D / 3D IC： 2.5维/三维集成电路。使用硅中介层或TSV实现裸片堆叠的高密度封装技术。　　6. Final Test / FT：成品测试。封装完成后对芯片进行的全面功能和性能测试。　　7. Burn-in：老化测试。在高温高压下测试芯片的长期可靠性。　　8. Quality Control / QC：质量控制。　　四、材料与设备　　1. Materials：　　Silicon Wafer：硅晶圆。　　Photoresist：光刻胶。　　Mask Blank：掩模版基板。　　Electronic Gases：电子气体(如高纯氮气、氩气、特殊气体)。　　CMP Slurry： CMP研磨液。　　Targets：靶材(用于PVD)。　　Precursors：前驱体(用于CVD/ALD)。　　Wet Chemicals：湿电子化学品(酸、碱、溶剂等)。　　Lead Frame：引线框架。　　Substrate：封装基板。　　Molding Compound：塑封料。　　Underfill：底部填充胶。　　Thermal Interface Material：热界面材料。　　2. Equipment：　　Lithography Tool：光刻机 (EUV Scanner, DUV Scanner/Stepper)。　　Etcher：刻蚀机。　　Deposition Tool：薄膜沉积设备 (CVD, PVD, ALD)。　　Ion Implanter：离子注入机。　　CMP Tool：化学机械抛光机。　　Furnace：扩散炉/氧化炉。　　RTP：快速热处理设备。　　Metrology & Inspection Tool：量测检测设备。　　Wafer Cleaner：清洗机。　　Prober：探针台(用于Wafer Test)。　　Tester：测试机(用于Wafer Test和Final Test)。　　Dicer：划片机。　　Die Bonder：固晶机/贴片机。　　Wire Bonder：引线键合机。　　Molder：塑封机。　　SMT：表面贴装技术设备(用于将封装好的芯片贴到PCB上)。

2025-08-22 11:08 reading：338

model	brand	Quote
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

model

brand

Quote

Texas Instruments

onsemi

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

model	brand	To snap up
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments

model

brand

To snap up

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

STMicroelectronics