华为招聘大量人才进军光刻机?避免依赖第三方提升自主可控

Release time:2020-07-24
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source:与非网
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近日,有消息传,华为在大规模招聘光刻机技术人才。这或许意味着华为可能打算自己研发芯片制造技术,不依赖第三方供应商。

 

众所周知,在美国的无端的制裁下,光刻机巨擘 ASML 停止向中芯国外供应 EUV 光刻机,今年 5 月份,美国加大对华为半导体的制裁,不准全部接纳美国技术的半导体企业对华为供应代工服无,造成台积电不得不中缀与华为之间的同盟。

 

在当前的形式下,华为进军光刻机,也是符合逻辑的。

 华为招聘大量人才进军光刻机?避免依赖第三方提升自主可控

此次之前,也有消息称,华为内部确实提出要坚定选择绝处逢生式的全产业链模式,进军更多业务板块谋求生存空间。

 

消息表示,海思仍在扩张,暂不考虑缩减规模,不考虑散是满天星之类的市场传闻把人员散落到其他公司的动作,而是在积极寻找代工厂,打造设计制造一体的 IDM(垂直整合制造工厂,芯片设计和芯片制造一体)

 

业内人士表示,目前全球最先进的芯片制程工艺牢牢掌握在台积电、三星等少数公司手里。而中国大陆在先进芯片制程领域没有多少话语权。

 

因此,在如此重要的领域,必须做到自主可控,所以当下最重要的事情就是加速完成产业链整合及自主可控,争取早日赶上国际先进制程水平。

 

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日本首台光刻机制造工厂,关闭!
  尼康公司宣布将于2025年9月30日关闭横滨制造工厂。在该工厂的人员和运营将迁移至其他工厂,预计对尼康2025年的财务业绩影响甚微。这标志着半导体先驱时代的终结。  据公开资料,尼康横滨工厂成立于1967年,历经58年,是尼康内部历史上第二悠久的部门,也是该公司最早在总部以外设立的生产基地。该工厂主要专注于制造精密光学设备,包括用于平板显示器生产的显微镜和曝光系统。该工厂在日本半导体行业发挥了重要作用,尤其是在1980年生产了日本第一台半导体曝光系统,这是一台尼康步进式光刻机,型号是NSR-1010G。  横滨工厂的关闭,标志着尼康应对长期存在的行业挑战的一个时代的终结。由于经济停滞、日本人口结构变化以及半导体和显示器市场需求萎缩,尼康精密设备部门的收入一直面临下滑。英特尔等主要客户的运营困难以及包括美国关税在内的持续贸易紧张局势,进一步加剧了这些压力。  这些因素导致尼康精密设备业务2025财年的收入预计将下降8.4%,预计收入为1850亿日元(约合12.4亿美元),多年来首次跌破2000亿日元大关。  尼康正将重点转向医疗保健、光学设备和包括3D打印在内的数字制造技术等新兴增长领域。精密设备业务将重点关注半导体封装、测试工艺光刻系统和精密检测设备等领域的新应用,这表明其战略重心已从传统的曝光系统制造转向其他领域。  尼康横滨工厂的未来用途尚未披露。然而,此次工厂关闭被广泛视为尼康公司历史上的象征性转折点,凸显了该公司在不断变化的市场动态和技术趋势中调整业务结构的努力。
2025-08-26 16:37 reading:264
新型光刻机工厂,9月量产!
  在半导体制造设备这一全球高门槛、高技术、高投入的战场上,佳能(Canon)正试图以新姿态重返赛道。2025年7月30日,佳能宣布在日本宇都宫的生产基地正式启用其21年来首座专注于半导体制造设备的新工厂,意图借助生成式AI热潮带来的芯片需求拐点,重新冲击光刻机市场。  这座新工厂坐落于佳能宇都宫生产中心,占地达67,518平方米,计划于2025年9月正式投产。总投资额高达500亿日元(折合约3.36亿美元),用于新厂房建设与先进设备引入。投产后,佳能半导体光刻设备的整体产能预计将提升50%。佳能董事长兼首席执行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)在开幕式上表示:“新工厂汇集了佳能多年来在光学、精密控制、材料工程等领域的核心技术,将成为支持全球半导体产业发展的重要力量。”  光刻设备是芯片制造中最关键的一环,主要用于将精密的电路图案转移至硅晶圆表面。一般而言,线宽越小,芯片的性能越强、功耗越低。当前最先进的极紫外(EUV)光刻系统能够将线宽压缩至7纳米以下,属于前端制程的尖端利器。  在这一领域,荷兰巨头ASML垄断全球市场,其EUV设备市占率超过90%,是唯一的EUV光刻系统供应商。相比之下,日本的佳能与尼康曾在20世纪末掌控全球光刻市场,但在21世纪初的微缩竞争中败下阵来,被ASML远远甩在身后。  这次佳能的新工厂并不生产高端EUV设备,而是聚焦i-line(365nm)与氟化氪(KrF,248nm)光刻机,这些主要用于90nm以上节点的“成熟制程”芯片,例如驱动IC、电源管理芯片、MCU、功率器件等。  值得注意的是,这家工厂还将生产纳米压印光刻(NIL)设备,一种“像图章一样”在基板上直接印出电路图案的下一代技术。尽管这项技术仍处于应用探索阶段,但佳能已是全球少数掌握该技术的厂商之一。  佳能重新关注“成熟光刻技术”的背后,是AI芯片制造新趋势的变化。生成式AI(如ChatGPT、文心一言等)的爆发式增长,推动服务器、GPU等高算力芯片需求暴增,而单芯片的微缩已接近极限,摩尔定律放缓,先进封装成为突破口。  在先进封装中,制造商倾向于将多个芯片(如CPU、GPU、HBM)“捆绑”成一个系统级模块(SIP),需要依赖高精度的后端布线与中介层(Interposer)连接。这一过程中,光刻机的角色重新重要起来。佳能早在2011年就推出面向后端封装的光刻设备,目前这些设备已占其整体销售的三成。  佳能高级常务董事竹石宏昭(Hiroaki Takeishi)称:“我们几乎垄断了主要芯片制造商在后端工艺中使用的光刻设备。”客户包括台积电、三星、英特尔等一线晶圆厂商,尤其在中介层布线、先进封装领域具有不可替代性。  受益于AI与先进封装工艺的持续火热,佳能在光刻设备领域的销量也在逐年上升。官方数据显示,2025年公司计划销售225台光刻设备,同比增长9%;而在2015年到2020年间,佳能年均出货仅约90台,增速明显。  尽管佳能在成熟制程与先进封装光刻设备领域已有较强话语权,但市场并非没有对手。老对手尼康(Nikon)已宣布将在2026年前推出新一代后端封装光刻设备,重新进军这一领域,正面挑战佳能的优势地位。  在EUV领域已经无缘“C位”的佳能,选择了一条更务实但潜力巨大的路线:不正面对抗ASML,而是深耕AI驱动下的后端封装和成熟制程市场。随着先进封装成为摩尔定律放缓下的“下半场”,佳能有望凭借多年积累的技术与设备,在这一新蓝海中逆风翻盘。  而下一步的关键,将是其纳米压印设备能否真正商用化,以及是否能持续保持在后端封装市场的领先优势。未来2~3年,将是佳能光刻命运重写的关键窗口期。
2025-08-05 16:50 reading:1296
新款光刻机,明年交付!
  日本光学巨头尼康近日宣布,从今年7月起正式接受其全新数字光刻系统DSP-100的订单,首批设备预计在2026财年内交付客户产线。这款专为半导体后道封装工艺设计的设备,瞄准了人工智能芯片爆发催生的先进封装需求。  DSP-100的最大突破在于能够处理600×600毫米的巨型方形基板,这一尺寸超越了目前行业普遍采用的510×515毫米标准。在技术参数上,它实现了1.0微米线宽分辨率以及±0.3微米的套刻精度,对510×515毫米规格基板,每小时产能达到50片。  与传统光刻设备不同,DSP-100采用了一项关键创新——无掩模曝光技术。它取消了传统工艺中必不可少的物理光掩模板,转而通过空间光调制器(SLM)将电路图案直接投射到基板上。  这一设计消除了光掩模的物理尺寸限制,使设备能够灵活应对大型封装基板的生产需求。同时省去光掩模制作环节,大幅缩短了芯片封装的设计迭代周期。  设备核心采用了尼康独有的多镜头阵列技术,该技术移植自其平板显示面板曝光设备。通过精确控制多个投影镜头协同工作,系统实现了如同使用单一大镜头的曝光效果,在超大基板上完成无缝图案拼接。  在效率方面,DSP-100展现了革命性的进步。以生产100毫米见方的大型封装为例,600×600毫米面板上可同时产出36个单元,其生产效率达到传统300毫米晶圆工艺的九倍。  设备特别强化了对基板变形问题的处理能力。在面板级封装过程中,树脂或玻璃基板极易出现翘曲和变形,这曾是制约良率提升的关键因素。DSP-100通过高精度形变校正技术,有效解决了这一行业痛点。  固态光源的采用是另一项实用创新,显著降低了设备的维护成本和使用门槛。整套系统通过优化设计,支持更环保的制造工艺,符合半导体产业可持续发展趋势。  尼康进军半导体设备领域并非一日之功。这家创立于1917年7月25日的企业,最初以“日本光学工业株式会社”之名诞生。早期主要为日本军方生产光学仪器,直到二战后转向民用市场。  1946年,公司首次采用“尼康”品牌名,该名称融合了“日本光学”的日文发音与德国蔡司相机“ZeissIkon”中的“kon”。尽管公众熟识尼康源自其相机产品,但它在半导体制造设备领域已有数十年积累。  1980年,尼康推出首台半导体曝光设备“NSR-1010G”。1986年,它进一步开发出液晶曝光设备“NSR-L7501G”。2006年,公司发布液浸扫描曝光机“NSR-S609B ArF”,展示了在尖端光刻领域的技术实力。  2017年,尼康做出战略调整,关闭了无锡相机生产基地,将资源更多投向高精尖设备制造。2024年4月,公司完成对美国专业摄像机制造商RED的收购,强化了影视制作领域布局。  DSP-100的面世正值半导体行业向面板级封装(PLP)加速转型的关键时期。随着人工智能和高性能计算芯片复杂度飙升,传统300毫米晶圆已难以满足封装需求。  台积电、英特尔和三星等巨头正积极布局面板级封装技术。台积电计划于2027年启动扇出面板级封装(FOPLP)的试点生产,初期将采用300×300毫米基板。  三星已将该技术应用于Galaxy Watch的Exynos W920芯片和Pixel手机的Google Tensor G4芯片。但行业专家指出,三星目前的应用仍集中于移动芯片领域,需向AI和HPC领域扩展才能保持竞争力。  随着物联网和生成式AI的爆发式增长,数据中心对**高性能半导体**需求激增。芯片封装技术正朝着更精细的电路图案和更大封装尺寸演进。使用树脂或玻璃基板的面板级封装,因能突破传统晶圆尺寸限制,成为行业突破的新方向。  尼康DSP-100的推出,标志着这家百年光学企业在半导体制造关键环节的深度布局。当2026年首批设备交付产线时,全球芯片封装领域的竞争格局或将迎来新变量。  随着2026年交付节点的临近,台积电、三星等芯片制造巨头对面板级封装技术的布局加速推进。尼康这款支持600毫米基板的设备,为芯片封装工艺突破物理限制提供了可能。  光学大厂的技术底蕴与半导体产业的迫切需求在此交汇,芯片封装领域的技术竞赛已悄然升级。
2025-07-25 15:45 reading:1250
深入剖析光刻机的核心技术及特点
  光刻机,作为半导体制造过程中不可或缺的设备,是实现芯片高精度图案转移的关键工具。随着电子技术的快速发展,光刻技术已成为推动半导体行业进步的支柱。  光刻机的核心技术  光源技术  光源是光刻机核心部件之一,其波长直接影响光刻的分辨率。早期的光刻机使用汞灯等光源,随着技术的发展,深紫外光(DUV)和极紫外光(EUV)成为主流。DUV光源如波长为193nm的ArF准分子激光器和波长为248nm的KrF准分子激光器在工业上广泛应用。而EUV光源使用波长为13.5nm的极紫外光,能够支持制造3纳米及以下制程的芯片,极大提升了芯片计算能力。  光学系统技术  光学系统负责将掩模上的图案精确地缩小并投影到硅片上。它由一系列精密的透镜和反射镜组成,需要具备高度精确的光学特性和极低的畸变。现代光刻机采用的投影式光刻技术,通过优化光学系统的设计和制造工艺,不断提高分辨率和成像质量。此外,焦深控制和光学畸变校正技术也是光学系统的重要组成部分,它们共同确保了光刻图案的精确转移。  对位系统技术  对位系统确保掩模上的图案与硅片上的图案精确对齐,这对于多层光刻过程中的图案叠加至关重要。现代光刻机采用高精度的对位系统,如激光对准和图像识别技术,以实现亚纳米级的对准精度。这种高精度的对位系统能够有效减少图案叠加误差,提高芯片制造的成品率。  精密机械系统  光刻机的精密机械系统包括硅片传输系统、对准系统、抛光和清洗系统等。硅片传输系统由精密的机械臂、夹具和运动控制单元组成,确保硅片在曝光过程中的精确定位和快速传输。对准系统则通过高精度的激光对准和图像识别技术,实现亚纳米级的对准精度。抛光和清洗系统可以去除硅片表面的微粒、有机物和氧化物,减少光刻图案的缺陷。  环境控制技术  光刻过程对环境条件要求极高,包括温度、湿度、洁净度和振动控制等。光刻机通常配备有高精度的环境控制系统,以确保光刻过程的稳定性和准确性。这些系统通过精确控制环境参数,减少外界干扰,提高光刻质量和效率。  光刻胶技术  光刻胶是一种光敏感材料,其性能直接影响光刻的质量。随着光刻技术的发展,光刻胶的分辨率、灵敏度和化学稳定性等性能也在不断提高。新型光刻胶材料的研发和应用,为实现更小的特征尺寸和更高的图案精度提供了支持。  计算光刻技术  计算光刻技术通过模拟和优化光刻过程,提高光刻的分辨率和图案精度。它包括光源掩模联合优化(SMO)、光学邻近效应修正(OPC)等技术。这些技术通过数学模型和算法,对光源和掩模图形进行优化,以补偿光学系统的像差和光刻过程中的邻近效应,从而实现更小的特征尺寸和更高的图案精度。  掩模技术  掩模是光刻过程中的关键部件,其质量和精度直接影响光刻图案的转移效果。现代光刻机采用高精度的掩模制造技术,包括电子束光刻和激光写入等方法,以确保掩模图案的精确度和一致性。同时,掩模的清洗和修复技术也在不断发展,以延长掩模的使用寿命。  量测与检测技术  量测与检测技术用于实时监控和评估光刻过程的质量和效果。现代光刻机配备了先进的量测和检测系统,如光学量测、电子束量测和散射ometry等技术。这些系统能够快速、准确地测量光刻图案的尺寸、形状和位置等参数,并及时反馈给光刻机的控制系统,以实现过程的闭环控制和优化。  光刻机的特点  高精度  光刻机的精度直接决定了芯片的性能。其光学系统和对位系统的高精度设计,使得光刻机能够在硅片上实现亚微米甚至纳米级的图案转移。这种高精度的制造能力是现代半导体产业发展的基础。  高复杂性  光刻机是集光学、机械、电子、材料和计算机等多学科技术于一体的复杂系统。其光源、光学系统、对位系统、精密机械系统和环境控制系统的协同工作,确保了光刻过程的稳定性和准确性。这种高度的复杂性使得光刻机的研发和制造难度极高。  高成本  光刻机的研发和制造需要大量的资金投入。从基础研究到工程化开发,再到大规模生产,每一个环节都需要顶尖的技术和设备支持。此外,光刻机的维护和升级也需要高昂的费用,这使得光刻机成为半导体制造中最昂贵的设备之一。  高集成性  光刻机的光学系统、机械系统、电子控制系统和软件系统等各个子系统之间需要高度集成和协同工作。这种高度的集成性不仅提高了光刻机的整体性能,也增加了其设计和制造的难度。  高技术壁垒  光刻机技术涉及多个领域的前沿技术,其研发和制造需要跨学科的协作和长期的技术积累。目前,全球范围内能够制造高端光刻机的国家和企业非常有限,形成了较高的技术壁垒。  光刻机作为半导体制造的核心设备,其技术和市场的发展对全球科技产业格局具有重要影响。随着半导体制造工艺的不断进步,光刻机技术将继续面临新的挑战和机遇。未来,光刻机的发展将集中在提高分辨率、增加产能、降低成本和增强可靠性等方面。同时,新型光源技术、计算光刻技术、新型光刻胶材料和多光束光刻技术等也将成为光刻机技术发展的重要方向。
2025-04-15 15:58 reading:786
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