日本首台光刻机制造工厂，关闭！

发布时间：2025-08-26 16:37
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：251

　　尼康公司宣布将于2025年9月30日关闭横滨制造工厂。在该工厂的人员和运营将迁移至其他工厂，预计对尼康2025年的财务业绩影响甚微。这标志着半导体先驱时代的终结。

日本首台光刻机制造工厂，关闭！

　　据公开资料，尼康横滨工厂成立于1967年，历经58年，是尼康内部历史上第二悠久的部门，也是该公司最早在总部以外设立的生产基地。该工厂主要专注于制造精密光学设备，包括用于平板显示器生产的显微镜和曝光系统。该工厂在日本半导体行业发挥了重要作用，尤其是在1980年生产了日本第一台半导体曝光系统，这是一台尼康步进式光刻机，型号是NSR-1010G。

　　横滨工厂的关闭，标志着尼康应对长期存在的行业挑战的一个时代的终结。由于经济停滞、日本人口结构变化以及半导体和显示器市场需求萎缩，尼康精密设备部门的收入一直面临下滑。英特尔等主要客户的运营困难以及包括美国关税在内的持续贸易紧张局势，进一步加剧了这些压力。

　　这些因素导致尼康精密设备业务2025财年的收入预计将下降8.4%，预计收入为1850亿日元(约合12.4亿美元)，多年来首次跌破2000亿日元大关。

　　尼康正将重点转向医疗保健、光学设备和包括3D打印在内的数字制造技术等新兴增长领域。精密设备业务将重点关注半导体封装、测试工艺光刻系统和精密检测设备等领域的新应用，这表明其战略重心已从传统的曝光系统制造转向其他领域。

　　尼康横滨工厂的未来用途尚未披露。然而，此次工厂关闭被广泛视为尼康公司历史上的象征性转折点，凸显了该公司在不断变化的市场动态和技术趋势中调整业务结构的努力。

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　　光刻机，作为半导体制造过程中不可或缺的设备，是实现芯片高精度图案转移的关键工具。随着电子技术的快速发展，光刻技术已成为推动半导体行业进步的支柱。　　光刻机的核心技术　　光源技术　　光源是光刻机核心部件之一，其波长直接影响光刻的分辨率。早期的光刻机使用汞灯等光源，随着技术的发展，深紫外光(DUV)和极紫外光(EUV)成为主流。DUV光源如波长为193nm的ArF准分子激光器和波长为248nm的KrF准分子激光器在工业上广泛应用。而EUV光源使用波长为13.5nm的极紫外光，能够支持制造3纳米及以下制程的芯片，极大提升了芯片计算能力。　　光学系统技术　　光学系统负责将掩模上的图案精确地缩小并投影到硅片上。它由一系列精密的透镜和反射镜组成，需要具备高度精确的光学特性和极低的畸变。现代光刻机采用的投影式光刻技术，通过优化光学系统的设计和制造工艺，不断提高分辨率和成像质量。此外，焦深控制和光学畸变校正技术也是光学系统的重要组成部分，它们共同确保了光刻图案的精确转移。　　对位系统技术　　对位系统确保掩模上的图案与硅片上的图案精确对齐，这对于多层光刻过程中的图案叠加至关重要。现代光刻机采用高精度的对位系统，如激光对准和图像识别技术，以实现亚纳米级的对准精度。这种高精度的对位系统能够有效减少图案叠加误差，提高芯片制造的成品率。　　精密机械系统　　光刻机的精密机械系统包括硅片传输系统、对准系统、抛光和清洗系统等。硅片传输系统由精密的机械臂、夹具和运动控制单元组成，确保硅片在曝光过程中的精确定位和快速传输。对准系统则通过高精度的激光对准和图像识别技术，实现亚纳米级的对准精度。抛光和清洗系统可以去除硅片表面的微粒、有机物和氧化物，减少光刻图案的缺陷。　　环境控制技术　　光刻过程对环境条件要求极高，包括温度、湿度、洁净度和振动控制等。光刻机通常配备有高精度的环境控制系统，以确保光刻过程的稳定性和准确性。这些系统通过精确控制环境参数，减少外界干扰，提高光刻质量和效率。　　光刻胶技术　　光刻胶是一种光敏感材料，其性能直接影响光刻的质量。随着光刻技术的发展，光刻胶的分辨率、灵敏度和化学稳定性等性能也在不断提高。新型光刻胶材料的研发和应用，为实现更小的特征尺寸和更高的图案精度提供了支持。　　计算光刻技术　　计算光刻技术通过模拟和优化光刻过程，提高光刻的分辨率和图案精度。它包括光源掩模联合优化(SMO)、光学邻近效应修正(OPC)等技术。这些技术通过数学模型和算法，对光源和掩模图形进行优化，以补偿光学系统的像差和光刻过程中的邻近效应，从而实现更小的特征尺寸和更高的图案精度。　　掩模技术　　掩模是光刻过程中的关键部件，其质量和精度直接影响光刻图案的转移效果。现代光刻机采用高精度的掩模制造技术，包括电子束光刻和激光写入等方法，以确保掩模图案的精确度和一致性。同时，掩模的清洗和修复技术也在不断发展，以延长掩模的使用寿命。　　量测与检测技术　　量测与检测技术用于实时监控和评估光刻过程的质量和效果。现代光刻机配备了先进的量测和检测系统，如光学量测、电子束量测和散射ometry等技术。这些系统能够快速、准确地测量光刻图案的尺寸、形状和位置等参数，并及时反馈给光刻机的控制系统，以实现过程的闭环控制和优化。　　光刻机的特点　　高精度　　光刻机的精度直接决定了芯片的性能。其光学系统和对位系统的高精度设计，使得光刻机能够在硅片上实现亚微米甚至纳米级的图案转移。这种高精度的制造能力是现代半导体产业发展的基础。　　高复杂性　　光刻机是集光学、机械、电子、材料和计算机等多学科技术于一体的复杂系统。其光源、光学系统、对位系统、精密机械系统和环境控制系统的协同工作，确保了光刻过程的稳定性和准确性。这种高度的复杂性使得光刻机的研发和制造难度极高。　　高成本　　光刻机的研发和制造需要大量的资金投入。从基础研究到工程化开发，再到大规模生产，每一个环节都需要顶尖的技术和设备支持。此外，光刻机的维护和升级也需要高昂的费用，这使得光刻机成为半导体制造中最昂贵的设备之一。　　高集成性　　光刻机的光学系统、机械系统、电子控制系统和软件系统等各个子系统之间需要高度集成和协同工作。这种高度的集成性不仅提高了光刻机的整体性能，也增加了其设计和制造的难度。　　高技术壁垒　　光刻机技术涉及多个领域的前沿技术，其研发和制造需要跨学科的协作和长期的技术积累。目前，全球范围内能够制造高端光刻机的国家和企业非常有限，形成了较高的技术壁垒。　　光刻机作为半导体制造的核心设备，其技术和市场的发展对全球科技产业格局具有重要影响。随着半导体制造工艺的不断进步，光刻机技术将继续面临新的挑战和机遇。未来，光刻机的发展将集中在提高分辨率、增加产能、降低成本和增强可靠性等方面。同时，新型光源技术、计算光刻技术、新型光刻胶材料和多光束光刻技术等也将成为光刻机技术发展的重要方向。
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　　根据俄罗斯媒体报道指出，俄罗斯正在研发生产芯片的微影光刻机。其工业和贸易部副部长Vasily Shpak 在接受媒体访问时指出，2024 年将开始生产350 纳米微影光刻机，也就是说在明年俄罗斯就能拥有自己的光刻机了。此外，在2026年启动用于生产130 纳米制程芯片的微影光刻机。其生产将在莫斯科、泽列诺格勒、圣彼得堡和新西伯利亚的现有工厂进行。　　Vasily Shpak 指出，当前全球只有两家公司生产此类设备，包括日本NIKON 和荷兰ASML。然而，其对于半导体的生产相当重要。Vasily Shpak 指出，一个简单的逻辑就是，如果没有半导体主权，那就没有技术主权，那么你在国防安全和政治主权方面就非常脆弱。而现在俄罗斯已经掌握了使用外国制造65 纳米微影光刻机的技术，但因为外国公司被禁止向俄罗斯出口先进的微影光刻机，所以俄罗斯正在匆忙开发自己的生产设备。　　Vasily Shpak 表示，2024 年就将拨款2,114 亿卢布(约23亿美元)用于国内电子产品的开发。而俄罗斯决定开发350 纳米到65 纳米微影光刻机的原因，在于这一技术范围内的芯片多用于微控制器、电力电子、电信电路、汽车电子等方面上，这些应用大约占市场的60%。所以，这项设备在全世界市场的需求量很大，并且将在至少10 年内有持续的需求。　　另外，当被问到可能遭遇的阻力时，Vasily Shpak 说，我不想抱怨，所有的问题都不是问题，因为这关系到我们拥有哪些机会，以及所设定的目标。
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