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纳芯微 | SPI 隔离通信实战避坑：数字隔离器输出并<span style='color:red'>联电</span>平异常的原因与解决方案

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纳芯微 | SPI 隔离通信实战避坑：数字隔离器输出并联电平异常的原因与解决方案

　　在工业系统 SPI 一主多从通信架构中，为节省 IO 资源，数字隔离器输出通道并联复用是常见设计，但实际应用中极易出现电平无法正常拉高 / 拉低的异常问题，严重影响通信稳定性。本文先梳理工业系统主流通信方式及 SPI 隔离的应用场景，深入剖析数字隔离器输出并联导致电平异常的核心原因，再针对性给出两种经实测验证的解决方案(CS 反向使能电路、二极管反向阻断配合软件配置)，并明确实施过程中的关键注意事项，为工程师解决同类 SPI 隔离通信问题提供直接参考。　　01 工业系统常见通信方式　　通信接口是硬件系统中实现数据交换的核心模块，常分为内部通信接口(板级通信)、外部通信接口(对外通信)，如图1，不同接口在速率、距离、复杂度等方面各有特点，是纳芯微产品主要的应用场景之一。图1 板级通信和对外通信　　板级通信　　板级通信为设备内部组件间的通信，通常具备速度快、距离短的特性，通常具备速度快、距离短的特性，常见有UART、I2C、SPI、单总线等。具体参数如表1所示：表1 板级通信具体参数　　对外通信　　对外通信为设备级信号传输，用于实现设备间的数据交互，多采用差分传输方式，具备传输距离远的优势，常见类型包括 RS-232、RS-485、CAN 等，具体参数如下表所示：　　表2 对外通信具体参数　　02 隔离SPI机会点　　SPI全称为Serial Peripheral Interface(串行外设接口)，由摩托罗拉公司开发的一种同步、全双工、主从式串行通讯总线，可以实现一主多从的通讯连接。　　在硬件连接方式上，SPI常用4线制(SCK、MOSI、MISO、CS/SS)，各信号线的传输方向及功能描述如下表3所示：表3 SPI各信号线的传输方向及功能　　SPI一主多从的通讯拓扑，MOSI、MISO、SCK常采用复用接口，节省IO资源，通过独立的CS/SS实现从机选择。如图2所示。图2 SPI 一主多从基础拓扑　　在工业系统中，MCU高压域与低压域之间需要做通讯隔离，纳芯微隔离器NSI8241W(3正1反)适用于SPI信号隔离。对于一主一从的隔离方式，4通道刚好一对一匹配(3正向通道对应SCK、MOSI、CS/SS，1反向通道对应MISO)。对于一主多从的拓扑架构，同样会复用通道节省IO资源，如图3示例。图3 带数字隔离器的SPI主多从拓扑　　03 数字隔离器输出并联问题及解决方案　　数字隔离器隔离SPI复用通道实际测试时，会发现复用MISO会出现电平异常，当一路输入高，一路输入低的情况下，MISO不能完全被拉高或者拉低。如图4，两颗8241 Out口复用，输入分别给高、低时，MISO波形。图4 Vdd1=Vdd2=5.25V，IND1高，IND2低黄色OutD1=蓝色OutD2≈2.5V　　数字隔离器Out内部为推挽输出：输入为高时，推挽上管导通，输出高电平;输入为低时，推挽下管导通，输出低电平。当输入一高一低时，就会形成分压回路，造成MISO电平异常，如图5，这显然与SPI中规定MISO复用冲突(当SS拉低使能时，从机输出配置为推挽输出，当SS拉高时，从机输出需配置为高阻态，防止多个输出导致电平冲突)。图5 数字隔离器内部分压回路　　查阅NSI8241真值表(如图6所示)，当EN拉低时，数字隔离器可以输出高组态，能够满足SPI复用要求。因此我们给出以下电路调整方案，来实现数字隔离器输出口并联复用需求。图6 NSI241真值表　　方案1　　CS 处增加反向电路，同步使能数字隔离器　　在CS处增加反向电路(NPN、PNP、反相器等，需考虑Vce压降)同步使能数字隔离器。CS拉高禁用时，数字隔离器EN拉低禁用，Out复用输出高。　　方案2　　二极管反向阻断 + 软件配置，实现并联复用　　通过二极管进行反向阻断，配合软件配置合理实现数字隔离器输出并联复用。　　但需要注意的是：　　(1)需添加上下拉电阻，明确默认电平，同时满足信号上升沿、下降沿的时间要求;　　(2)需考虑二极管压降对电平幅值的影响，避免因压降导致通信误判;　　(3)当一路输出通道由高电平切换至低电平时，受寄生参数影响，可能会短暂通过二极管抽取另一通道电流，需重视由此产生的电压尖峰问题。　　结论与建议　　在工业 SPI 一主多从隔离通信场景中，数字隔离器输出通道并联复用是节省 IO 资源的常用方案，但因隔离器内部推挽输出结构，直接并联易导致电平异常。本文通过分析异常产生的核心原因，提供了两种经实测验证的解决方案(CS 反向使能电路、二极管反向阻断 + 软件配置)，同时明确了实施过程中的关键注意事项。工程师在实际设计中可根据项目需求选择合适方案，规避电平异常问题，保障 SPI 通信的稳定性。　　高可靠性四通道数字隔离器NSI824x已通过 UL1577 安全认证，支持3kVrms-8kVrms 多档绝缘电压，同时在低功耗下提供高电磁抗扰度和低辐射。数据速率高达 150Mbps，共模瞬态抗扰度 250kV/μs。支持数字通道方向及输入失电默认输出电平配置，宽电源电压可直接适配多数数字接口，简化电平转换;高系统级 EMC 性能进一步提升使用可靠性与稳定性。

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纳芯微

发布时间：2025-12-05 11:20 阅读量：461 继续阅读>>

祝贺AMEYA360代理品牌英<span style='color:red'>联电</span>子UM3851产品斩获2024中国IC成就奖“年度最佳通信/网络芯片”

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祝贺AMEYA360代理品牌英联电子UM3851产品斩获2024中国IC成就奖“年度最佳通信/网络芯片”

　　3月28-29日，由全球电子技术领域知名媒体集团AspenCore主办的2024国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shanghai)，在上海张江科学会堂举行。同期举办2024中国IC设计成就奖年度颁奖典礼也于3月29日圆满落幕。　　上海英联凭借卓越的性能优势以及优秀的市场表现，其高速CAN收发器UM3851荣膺“2024年度中国IC设计成就奖：年度最佳通信/网络芯片”　　关于中国IC设计成就奖　　作为中国电子业界最重要的技术奖项之一，中国IC设计成就奖由全球电子技术领域知名媒体集团AspenCore主办，至今已连续举办22年。该奖项旨在表彰中国IC设计链中占据领先地位或展现出卓越设计能力与技术服务水平以及具备极大发展潜力的最佳公司、团体以及杰出个人，同时，也表彰他们在协助工程师开发电子系统产品方面所作的贡献。每一年颁奖典礼已成为半导体产业领袖的年度盛会及行业领航标。　　高速CAN收发器UM3851介绍　　UM3851是一款高速CAN收发器，支持静默模式，具有在总线与CAN 协议控制器之间进行差分信号传输的能力。　　• 良好的电磁兼容性 (EMC) 和静电放电 (ESD) 性能　　• 未上电节点不干扰总线　　• 5V电源供电，IO 接口电平兼容3.0~5.5V　　• 支持TXD显性输出的超时功能　　• VCC,VIO支持低电压检测功能　　• 完全兼容 ISO 11898-2:2016 标准　　• 高速CAN，支持CAN FD且波特率高达 5 Mbit/s　　• 总线引脚耐压±44V　　UM3851是各种HS-CAN网络节点的绝佳选择，广泛适用于工业自动化、楼宇自动化、智能电力系统、电动两轮车和车载设备等应用。　　UM3851订购信息：　　• 有SOP8和DFN8 3*3封装，工作温度范围-40℃到125℃　　关于上海英联电子　　上海英联电子是耕耘超过 20 年的专业模拟芯片厂商，尤其在接口芯片和电平转换芯片领域国内领先。英联的接口和电平转换品类齐全，性能优异，获得众多行业大客户青睐并采用。2024年英联会大量推出符合AEC-Q100标准的车规级电平转换和接口芯片。　　如需采购样品或者技术支持，敬请电话联系AMEYA360：021-34688927/021-34633375

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英联电子

发布时间：2024-04-09 10:27 阅读量：1132 继续阅读>>

<span style='color:red'>联电</span>、世界先进、力积电等厂商纷纷调整产线

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联电、世界先进、力积电等厂商纷纷调整产线

　　据报道显示，三星、Key Foundry及SK海力士旗下SK Hynix System IC等韩国晶圆代工厂，近期的成熟制程产能利用率都仅有40%至50%。由于终端需求持续疲软，上述三家韩国晶圆代工厂已决定关掉某些成熟制程设备，进行“热停机”。　　据悉，电子制造业的生产线非常复杂，涉及到许多设备和机器。当需求不振时，制造商会采取“热停机”(Warm Shutdown)策略，关闭一些闲置产能设备。尽管这些设备仍然处于“通电”状态，但生产线上的工作人员不会让它们生产，因为这会导致设备的能耗大幅增加。如果必须生产，他们会尽可能地缩短生产时间，以免需要重新检查设备。一旦设备断电，重新启动需要一段时间进行调整。现在，晶圆代工业者开始出现热停机现象，这意味着这些制造商不看好短期内的订单情况。　　该报道指出，联电先前在法说会上坦言，本季没有看到市场需求强劲的复苏迹象，其中，8英寸晶圆厂产能利用率比12英寸晶圆厂低，因此，该公司确实会有策略性管理产线的措施，订单上则和客户配合。　　世界先进方面，该公司先前已于法说会表示，本季整体终端需求仍弱，客户备货保守、订单能见度维持三个月。　　力积电则说，在产能利用率不是太高的状态下，一切成本也要将电费纳入考虑，该公司会重新整理、管理生产线，进行成本上调控，这段时间公司除了要节约，还要“练兵”，储备研发量能。　　除了调整产线措施外，近期市场传出，继台积电、世界先进之后，今年韩国8英寸晶圆代工行业也纷纷下调价格，原因是IT需求低迷导致代工利用率下降以及向12英寸工艺的转换产生了影响。

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联电

发布时间：2023-08-23 09:15 阅读量：2934 继续阅读>>

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串联电容器的作用是什么与并联电容器有哪些区别

并联和串联作为两种组成形式，出现的概率往往相差不多。串联电容器广泛应用于电力输电、配电系统中，特别是长距离、大容量的输电系统中，提高输送容量，提高系统的稳定性，改善系统的电压调整率，同时提高系统的功率因数，降低线路损耗。串联电容器的作用 1、提高了线路的末端电压。利用容抗补偿线路的感抗，让线路的电压降落，从而提高线路受电端的电压的目的，一般来说可将线路末端电压可提高20％。 2、提高了线路的输电能力。电容器本身具有补偿电抗，线路的电压降落和功率损耗会减少，也就相应提高了线路的输送容量。 3、提高了系统的稳定性。输电能力提高了，本身就提高了静稳定。当线增加容抗，减少系统总的等效电抗，输送的极限功率提高了，系统的动稳定也提高了。 4、改善系统的潮流分布。在闭合网络中串联电容器，改变线路电抗，电流会按指定的线路流动，达到了功率经济分布的要求。 5、降低负荷端的电压波动。当线路负荷端接有变化很大的冲击负荷时，电容器能消除电压的剧烈波动。串联电容器和并联电容器的区别并联补偿电容器进行无功补偿的主要作用是减小视在电流，提高功率因数，降低损耗，提高电力设备的有功功率。从另一个角度讲，并联补偿电容器进行无功补偿，可以理解为用电容器为用电设备提供所需无功电流，从而减轻电力线路、变压器和发电机的负担。第一：从调压角度看，由于并联电容器提高负荷侧功率因数以减小无功功率流动来提高受端电压，需要根据负荷的变化而进行频繁的分组投入或切除操作，且容量与电压平方成正比，当电网电压下降时，调压效果显著下降。串联电容器的电压降由于直接抵偿线路压降，调压作用随着负荷的变化而自动连续调整，其调压效果相比并联电容器显著的多。因此仅从调压角度讲，只有在功率因数很大，线路电抗与负荷阻抗比值也很大，并考虑串联电容器单位容量价格较并联电容器大时，采用并联电容器才有利。第二、从降低网损方面看，安装并联电容补偿后，由于减小了输电线及变压器的无功输送容量，并联电容补偿比串联电容补偿优越的多，因此降低网损的作用很大。同时还可在输电线最大输送电流数值不变的情况下，用减少的无功功率来相应地输送更多的有功功率。而串联电容补偿由于基本未改变输电线路上的无功输送容量，只是提高了末端电压水平，因此串补不但不能降低网损，反而因为提高了负荷的电压而造成负荷消耗无功增加，使线损增加。由于串联补偿会产生铁磁谐振和自励磁等异常现象，对用电设备造成危害；在超高压输电线路中，可能与发电机组产生一种低于工频的次同步震荡，引起轴扭振造成发电机轴系破坏，因此在目前220kV以下电网中串联电容补偿的实际应用要比并联电容补偿少的多。第三、等效电容不同并联电容器组的等效电容等于电容器组中各电容之和，而串联电容器组等效电容的倒数等于电容器组中各电容倒数之和。串联电容器组的等效电容比电容器组中任何一个电容器的电容都要小，而串联电容器组的等效电容比电容器组中任何一个电容器的电容都要小。第四、容量差别电容串联，容量减少（串联后总容量的计算，参照电阻的并联方法），耐压增加。电容并联，容量增加（各容量相加），耐压以最小的计。串联电容：串联个数越多，电容量越小，但耐压增大，其容量关系：1/C＝1/C1＋1/C2＋1/C3并联电容：并联个数越多，电容量越大，但耐压不变，其容量关系：C＝C1＋C2＋C3。

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电容器

发布时间：2022-11-07 09:38 阅读量：3119 继续阅读>>

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串联电容器有什么作用电容器如何匹配使用

电容器是储存电量和电能(电势能)的元件，通常情况下，电容器实际电容量与标称电容量是有偏差。为增进大家对电容器的认识，本文Ameya360电子元器件采购网将对电容器的匹配问题，以及串联电容器的相关内容予以介绍。一、电容器匹配问题电容器是最常用的设备之一，对于电容器、电子专业朋友或多或少都知道。但是，在使用电容器时，我们如何匹配几个不同的电容器呢?为了回答大家的疑问，本文将引入电容器的匹配，主要在引入电解质电容器和薄膜电容器的匹配问题上。在一个电器中，尤其是在CD中，电容起着很大的作用，因为在音频设备中，电容量很大，特别是在CD中间，需要很多集成块，选择空间很小。与功率放大器中的放大器不同，有很多选择。因此，在CD中，在固定集成块的情况下，您只能选择电容和电阻。由于电阻对声音的影响远小于电容，电容是我们关注的首要问题。当然，电阻的影响相对较小，例如输入输出电阻对设备的影响较大，但其他电阻影响较小。为了巧妙地匹配机器中的电容，除了你有足够优秀的电容外，你还必须有一个重要的前提条件，那就是你必须有一个灵敏的耳朵，因为在这个过程中，仪器提供的帮助是非常有限的，尤其是薄膜电容领域，常用的仪器很难起到作用，所以要看你的评价标准和耳朵来检查声音。匹配电容时，先固定大容量的电容，再分别安装小容量的电容。这个时候每个位置可能会有几个品牌的电容供你选择，除了耐心对比，你没有更好的选择。你在固定每个电容的时候，还必须做一个反向的工作，就是把你加的小电容按从小到大的顺序取下，看看声音有没有变化，因为我们从很多地方重新组装电容，可能会和声音修改重叠，所以最后这一步是必须的。如果你拆了电容后声音没有变化，那说明你的装修重叠了，你其他地方的装修已经可以起到你拆的电容的作用了，这样电容就可以拆了。如果拆下电容后声音变得更差，说明电容是必须的，应该保留。另外，需要提醒大家的是，电容器安装后，使用一段时间后，声音会发生微妙的变化。一般来说，刚开始声音粗的电容后来会变细，声音细的电容用一段时间后会变粗。所以，安装后不要简单听，要耐心熬。二、串联电容器 (一)串联电容器概念串联电容器也是一种无功补偿设备通常串联在330kV及以上的超高压线路中，其主要作用是从补偿(减少)电抗的角度来改善系统电压，以减少电能损耗，提高系统的稳定性。串联电容器广泛应用于电力输电、配电系统中，特别是长距离、大容量的输电系统中，提高输送容量，提高系统的稳定性，改善系统的电压调整率，同时提高系统的功率因数，降低线路损耗。 (二)串联电容器作用串联电容器的等效电容量的倒数等于各个电容器的电容量的倒数之和：1/C总=1/C1+1/C2+……+1/Cn。电容并联可增大电容量，串联减小。比如手头没有大电容，只有小的，就可以并起来用，反之，没有小的就可以用大的串起来用。串联电容器也是一种无功补偿设备通常串联在330kV及以上的超高压线路中，其主要作用是从补偿(减少)电抗的角度来改善系统电压，以减少电能损耗，提高系统的稳定性。 (三)串联电容器控制和保护系统串联电容器组的保护和控制方案设计成一个综合的系统，包括测量变送器、信号传输系统及地面安装的人机接口和相应辅助设备的完整保护和控制系统。保护和控制的设计原则是保护电容器组，并确保系统电容器组运行要求的高可靠性和高可用性。信号传输系统是保护和控制系统的有机组成部分，它连接位于绝缘平台的测量变送器和信号传送器到位于控制室的保护和控制柜信号接受器上，它经由一个光纤信号柱和光缆组成，把信号从绝缘平台传送到控制室。在绝缘平台上，电流信号转换成红外线信号，通过光纤柱和光缆送到控制室，这些光信号转换成适于控制和保护系统的数字信号。控制柜和人机接口的典型布置。保护和控制功能完全由VME总线上的基于嵌入式控制器的计算机软件功能由软件实现。软件包括保护继电器、可编程控制器、系统监视器和用户接口模块。通常的保护功能有电容器的不平衡保护、电容器的过负荷保护、持续过电压保护、平台故障保护、持续火花间隙保护、MOV单程能量积累保护、MOV能量积累保护、MOV能量上升速度保护、MOV过电流保护、MOV故障保护和次谐波保护。

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电容器

发布时间：2022-11-01 09:26 阅读量：2978 继续阅读>>

半导体市场需求激增，三星考虑将一部分产能外包给<span style='color:red'>联电</span>和格芯

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半导体市场需求激增，三星考虑将一部分产能外包给联电和格芯

据悉，由于半导体市场需求激增，三星电子公司可能就电脑通用芯片扩大向联电（UMC）和格芯（GlobalFoundaries）的外包业务。业内消息人士称，三星电子的内部系统LSI部门最近同意从联电采购其用于智能手机相机的CMOS图像传感器，三星从2000年代中期启动了自己的代工业务，目前外包芯片的策略让不少产业分析师们颇感意外。有消息称，联电很快将使用三星电子的28nm制程技术批量生产芯片。据悉，三星电子从去年年底开始通过与UMC合作来应对半导体设施的短缺，比如在电视显示驱动器领域。另外，三星电子还可能与格芯签署委托协议。格芯是从超微半导体公司被分拆出来的公司，后者曾在2014年就转让14nm加工技术与三星电子合作。另一位行业人士称，三星电子可能将很大一部分通用半导体业务交给外部公司，包括全球第一铸造公司台积电。由于疫情的影响，导致2020年上半年出现全球芯片产能下降。同时，终端厂商对采购比较保守也使得同期芯片库存减少。然而，随着当年下半年的电子产品以及汽车需求的爆发，半导体产业链供需平衡被打破，导致芯片供给端无法及时供应。目前，半导体短缺已迫使全球包括汽车、游戏控制器等在内的制造业巨头出现了延迟生产的局面。然而，就在三星电子面临芯片产能不足的局面时，三星集团位于美国德州奥斯汀的两家芯片工厂又因天然气供应不足被当地政府强制关闭。据三星发言人透露，目前三星集团正在努力寻求恢复位于奥斯汀的芯片工厂生产，但是还是要等待电力能够正常供应，否则将无有办法复工复产。了解到，三星在韩国基兴有一条S1生产线，在得州奥斯汀有一条S2生产线。此外，应美国政府的要求，三星正计划在美国新建一家先进的代工厂，但该设施尚未正式宣布或建设。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！

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三星

发布时间：2021-03-04 00:00 阅读量：2460 继续阅读>>

台湾地震！台积电、<span style='color:red'>联电</span>等晶圆大厂回应……

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台湾地震！台积电、联电等晶圆大厂回应……

（12月10日晚间9点19分左右），中国台湾宜兰县海域（北纬24.74度，东经121.99度）发生5.8级地震，震源深度80千米，全岛震感明显，台积电、联电等晶圆代工厂所在地新竹科学园区最大震度达4级，对此各大厂纷纷作出了回应……据了解，台积电新竹晶圆厂（Fab 12、Fab 8、Fab 5）及龙潭封装厂（AP03）震感明显，地震发生以后台积电安排相关人员进行紧急疏散。台积电发言人在 10 日晚间对此次地震做出回应称：“按照台积公司内部程序，北部厂区有部分人员因所在厂区达四级震度已进行疏散以确保安全，目前工安系统正常，部分人员也已回到原位正常运作。另外，正进行盘查中，目前没有已知的显著影响。”联电表示其各厂区都未达到需进行人员疏散的标准，目前厂区正常生产运作，没有受到影响。世界先进的二厂及三厂都测得4级震度，依照标准作业流程，将所有制造部人员进行疏散，确认无任何伤亡，对生产营运没有影响。群创的工厂分布在苗栗的竹南、南科，该位置相对距离震中较远。群创表态称，公司的机台都有地震防护，营运正常不受地震影响。友达的厂区分布在桃园龙潭、新竹园区及中科，该公司发言人表示，目前公司厂务系统正常运作，并未受此次地震影响。另外，相关设备商在接受媒体采访时表示，因为台湾晶圆厂在应对地震方面非常有经验，预估此次地震对各晶圆厂实际的营运状况影响不大，不过也可能会需要停工几小时做机台检查。自今年下半年，全球晶圆代工产能陷入紧缺以来，第四季度开始产能紧缺、涨价的趋势已经传导至下游的芯片、模组上来。因此，此次地震引发了业内的极大关注，所幸的是，根据目前的消息，此次地震暂未对产业产生显著影响。10月开始，半导体行业涨价潮迭起从10月开始，包括晶圆代工厂、IC设计厂、IC制造厂等半导体供应链厂商在内的涨价消息一波接一波。10月，台积电、联电、世界先进、力积电等代工厂商向媒体表示第四季订单全满；FPGA大厂赛灵思发邮件向客户宣布，从2021年4月5日起旧型号涨价25%；IC设计厂敦泰、联咏被传调价成功，其中IC设计大厂、面板驱动IC龙头联咏涨幅高达10%-15%。11月，PCB上游板材商开始新一轮涨价，环氧树脂日暴涨4000元/吨，双酚A 11月上旬累计上涨超22%； LCD紧缺涨价持续，32英寸报价60美元、环比涨幅2美元，39.5英寸、43英寸均环比上涨4美元，报价分别为91美元、107美元，50英寸以上环比上涨5美元以上，报价分别为50英寸144美元/55英寸166美元/65英寸221美元/75英寸322美元。11月26日，恩智浦向客户发布邮件宣布，将全线调涨产品价格。11月30日，覆铜板巨头建滔再发调价函，对所有材料的销售价格加价每张/卷5元到200元不等；瑞萨向客户发布涨价通知称，部分产品将于2021年起正式涨价。涉及调价产品为模拟IC和电源IC。此次涨价潮将持续到何时？日前，力积电董事长黄崇仁在法说会上表示，“目前产能已紧到不可思议，客户对产能的需求紧张达到‘恐慌’程度，预估明年下半年到2022年下半年，逻辑IC、DRAM市场都会缺货到无法想像的地步。”另外，根据国际电子商情的一系列报道，此次元器件涨价潮或将持续到明年Q2。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！

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台湾

发布时间：2020-12-14 00:00 阅读量：2149 继续阅读>>

台媒：<span style='color:red'>联电</span>将为英特尔代工芯片

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台媒：联电将为英特尔代工芯片

全球半导体龙头英特尔扩大芯片委外代工，找上联电合作，下单28纳米通讯WiFi与车用相关芯片。在业界关注英特尔转单台积电之际，英特尔先建立与台厂友好关系。业界并传出，由于晶圆代工产能吃紧，英特尔高层为确保供货无虞，亲自致电联电高层，希望联电全力支援供货。至截稿前，未取得英特尔回应。对于相关消息，联电表示，不对单一客户进行评论，强调目前旗下12吋厂产能已几乎全数满载，仅位于日本的三重富士通半导体（MIFS）还有一些空间。近期晶圆代工产能供不应求，不仅8吋代工吃紧，12吋代工需求同样夯。供应链透露，英特尔近期积极投入先进制程研发，力求在10纳米及以下制程追赶进度，而在疫情带动的笔电、PC需求销售热潮下，英特尔自家12吋厂产能塞爆，高层因此出面寻求联电支援，并扩大在应用于28纳米制程的网通WiFi芯片的投片量。英特尔因先进制程进度不如预期，先前已透露将扩大委外代工，市场普遍聚焦在其中央处理器（CPU）产品委外状况，由于CPU需要10纳米以下最先进的产能生产，全球仅台积电、三星两家业者有机会分食订单，以台积电呼声最大。英特尔新竹办公室总经理谢承儒日前接受媒体访问时，已透露英特尔对委外代工的合作态度，强调全球晶圆代工厂众多，每家各有强处，英特尔有很多不一样的产品，会考虑如何利用不同晶圆代工厂的优势，搭配英特尔不同产品组合。如今传出英特尔先与联电合作，扩大28纳米制程的网通WiFi芯片的投片量，凸显英特尔正在逐步落实委外代工策略，建立与台厂友好关系。尤其在这一波产能吃紧的产业态势下，英特尔无法满足所需的量，期望联电「挪出产能」，且车市逐渐回温，原先英特尔子公司投片在联电28纳米制程的车用芯片，也传出同步追单中。联电第3季获利91.1亿元，为14年多来新高，每股纯益0.75元，优于法人预期。在居家上班与在家学习持续带动智慧手机及计算机相关的无线连结和电源管理芯片需求挹注下，联电第3季产能利用率维持97%高档。联电认为，当前产业的供需动态已经转向对晶圆代工较为有利，联电将在强化客户关系及股东的利益中寻求平衡，确保公司长期的发展。法人看好，在产能供不应求，以及有客户积极追单、要产能下，联电本季营运将优于往年同期。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！

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台积电英特尔

发布时间：2020-11-09 00:00 阅读量：2192 继续阅读>>

斥资约61亿元 <span style='color:red'>联电</span>拟扩充8,12英寸产能

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斥资约61亿元联电拟扩充8,12英寸产能

近日，晶圆代工大厂联电召开董事会，通过资本预算，预计投资 274.06 亿新台币（约合人民币61.3亿元），将用来扩充 8、12英寸晶圆厂产能。联电表示，目前 8英寸厂产能优化，将会以子公司苏州和舰科技为主，预计将扩充 1 万片，而 12 英寸厂则是厦门联芯，将从 1.7 万扩充到 2.5 万片，计划提升近 47%。主要工程在于去瓶颈化及自动化以强化生产效率。去瓶颈化是指在现有制程中因设备能力限制了产能的部分加以扩大或改建，相较新建工厂的成本较低。另外也有计划扩充新加坡及南科厂的产能，同样也会进行去瓶颈化，以迎合市场需求。联电这次揭露的资本预算，主要是编列今年与明年可预见要执行投资的金额，至于实际支出的时间点，则要视相关执行进度而定，且市场目前杂音仍重，可能还会有变量。整体而言，明年支出应与今年差距不大。联电表示，目前 8英寸产能仍然满载，12 英寸成熟制程也相当稳健，不过先进制程方面利用率则较低，本季整体产能利用率可能低于 9 成。市场预期，联电本季营收将可能降低近一成，而明年还要面临传统淡季，业绩表现并不乐观。

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联电

发布时间：2018-12-14 00:00 阅读量：2084 继续阅读>>

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联电再度发澄清声明:和美光DRAM技术完全不同

　　近日台湾地区联华电子在其公司网站上发布有关近期和美光及美国法律案件的后续声明，表示联华电子的DRAM技术基础里的元件设计，是完全不同于美光公司的设计。对于和福建晋华的合作，联华电子表示，只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易。　　联华电子表示，联华电子的DRAM技术基础里的元件设计，是完全不同于美光公司的设计。简而言之，联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元，这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。这和美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象相反。　　联华电子表示，38年来，在全球的供应链上，已经成为不可或缺的一员，先进量产技术达14纳米。对比之下，美光公司争执所涉及的DRAM技术，是32纳米，在联华电子的计画启动当时，已经是落后几个世代的技术。　　联华电子表示，社会上有一个错误的印象，认为联华电子没有任何DRAM的知识或经验，这不是事实，而且是极端的不实。从1996年到2010年，联华电子积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上，联华电子内部DRAM团队人数，超过150人。联华电子是一个有组织的企业机构，藉由坚实而稳定的团队，掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。举个例子来说，现任联华电子共同总经理之一的简山杰，是1996年时开发DRAM产品的RAM制程开发经理。　　另一个实例则是： Alliance公司是1996年第一个获得联华电子公司授权合作DRAM伙伴之一，该公司是一家总部位于美国的DRAM晶片设计公司，藉由联华电子的技术进行DRAM制造。除了传统的DRAM技术外，2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术，这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。　　联华电子称，另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25纳米的DRAM技术。事实是，美光公司在2010年初，购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25纳米DRAM技术。　　而对于和福建晋华的合作，联华电子表示，同意与晋华公司联合开发DRAM制程，这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目，在做成决策当时，只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易，已经向台湾当局正式提出申请，主管机关亦已于2016年4月核准整个项目。　　联华电子称，自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术，履行合约义务，联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个专案的研发团队成员接近300人，但只有不到10％的人曾在美光公司工作过。　　联华电子最后表示：不要“在报刊上”进行这场诉讼，但联华电子要向我们的客户和投资人保证，联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫。

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联电

发布时间：2018-11-14 00:00 阅读量：2321 继续阅读>>

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