海凌科:50W<span style='color:red'>氮化镓</span>ACDC电源模块HLK-50MxxC
  50W ACDC氮化镓电源模块HLK-50MxxC系列体积小巧,转换效率高达87%,具备全球输入电压范围、低温升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔离等优点,应用简单。  产品介绍  HLK-50MxxC系列ACDC氮化镓模块间具小体积和产品输出功率为50W,共有6款产品,用户可根据需求自行选择输出电压/电流范围。  产品特点  1. 超薄型、小型、业内最小体积  2. 全球通用输入电压(100~240Vac)  3. 低功耗、绿色环保 、空载损耗<0.21W  4. 低纹波、低噪声  5. 良好的输出短路和过流保护并可自恢复  6. 高效率、功率密度大  7. 输入输出隔离耐压 3000Vac  8. 100% 满载老化和测试  9. 高可靠性、长寿命设计,连续工作时间大于 100000 小时  10. 满足 UL、CCC、CE 要求;产品设计满足 EMI/EMC 及安规测试要求  11. 采用高品质环保防水导热胶灌封,防潮、防振,满足防水防尘 IP65 标准  12. 经济的解决方案、性价比高  13. 无需外接电路即可工作  14. 1 年质量保质期  应用场景  海凌科电子的HLK-50MxxC系列50W ACDC氮化镓电源模块凭借其小体积、高效率、高可靠性等特性,能够满足多种场景对高性能电源解决方案的需求。  1. 消费电子与智能设备  应用场景:智能音箱、路由器、智能家居控制中心、便携式设备、充电底座等。  2. 工业自动化与工控设备  应用场景:PLC控制系统、工业传感器、电机驱动器、HMI人机界面、自动化产线设备等。  3. 通信与网络设备  应用场景:5G基站模块、光猫、交换机、PoE供电设备、网络监控终端等。  4. 医疗电子设备  应用场景:便携式医疗仪器(如血糖仪、血压计)、医疗监护设备、小型诊疗工具等。  5. 智能照明与LED驱动  应用场景:智能LED灯具、户外景观照明、舞台灯光系统等。  6. 新能源与储能系统  应用场景:光伏逆变器辅助电源、储能电池管理系统(BMS)、电动汽车充电桩控制模块等。  7. 安防与监控系统  应用场景:IP摄像头、门禁系统、智能门锁、消防报警设备等。
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发布时间:2025-03-20 09:06 阅读量:245 继续阅读>>
海凌科电子:50W<span style='color:red'>氮化镓</span>ACDC电源模块HLK-50MxxC
  海凌科电子50W ACDC氮化镓电源模块HLK-50MxxC系列体积小巧,转换效率高达87%,具备全球输入电压范围、低温升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔离等优点,应用简单。  一、产品介绍  HLK-50MxxC系列ACDC氮化镓模块间具小体积和产品输出功率为50W,共有6款产品,用户可根据需求自行选择输出电压/电流范围。  二、产品特点  1. 超薄型、小型、业内最小体积  2. 全球通用输入电压(100~240Vac)  3. 低功耗、绿色环保 、空载损耗<0.21W  4. 低纹波、低噪声  5. 良好的输出短路和过流保护并可自恢复  6. 高效率、功率密度大  7. 输入输出隔离耐压 3000Vac  8. 100% 满载老化和测试  9. 高可靠性、长寿命设计,连续工作时间大于 100000 小时  10. 满足 UL、CCC、CE 要求;产品设计满足 EMI/EMC 及安规测试要求  11. 采用高品质环保防水导热胶灌封,防潮、防振,满足防水防尘 IP65 标准  12. 经济的解决方案、性价比高  13. 无需外接电路即可工作  14. 1 年质量保质期  三、应用场景  海凌科电子的HLK-50MxxC系列50W ACDC氮化镓电源模块凭借其小体积、高效率、高可靠性等特性,能够满足多种场景对高性能电源解决方案的需求。  1. 消费电子与智能设备  应用场景:智能音箱、路由器、智能家居控制中心、便携式设备、充电底座等。  2. 工业自动化与工控设备  应用场景:PLC控制系统、工业传感器、电机驱动器、HMI人机界面、自动化产线设备等。  3. 通信与网络设备  应用场景:5G基站模块、光猫、交换机、PoE供电设备、网络监控终端等。  4. 医疗电子设备  应用场景:便携式医疗仪器(如血糖仪、血压计)、医疗监护设备、小型诊疗工具等。  5. 智能照明与LED驱动  应用场景:智能LED灯具、户外景观照明、舞台灯光系统等。  6. 新能源与储能系统  应用场景:光伏逆变器辅助电源、储能电池管理系统(BMS)、电动汽车充电桩控制模块等。  7. 安防与监控系统  应用场景:IP摄像头、门禁系统、智能门锁、消防报警设备等。
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发布时间:2025-03-17 13:40 阅读量:263 继续阅读>>
海凌科:40W ACDC系列<span style='color:red'>氮化镓</span>电源模块 HLK-40Mxx系列
  海凌科40W ACDC系列氮化镓电源模块,具有全球输入电压范围、低温升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔离等优点,转换效率高达91%,应用广泛,性价比高。  一、产品介绍  40W ACDC系列氮化镓电源模块,采用氮化镓材料,体积小巧,仅为57.5*33.5*23.8mm,极大程度的节省了设计空间。  该系列电源模块共有4款,输出功率40W,输出电压分别为9V、12V、15V、24V,用户可根据需求选择想要的型号。  二、产品特点  91%转换效率  40W ACDC系列氮化镓电源模块,全球通用输入电压(85~265Vac),转换效率高达91%,空载损耗低于 0.1W,高效率低损耗,降低待机能耗,节能减排。  严格的质量控制  每一台模块电源都经过 100% 满载老化测试,确保产品在出厂前达到最高质量标准,为客户提供可靠的电源解决方案。  防水防尘设计(IP65)  采用高品质环保防水导热胶灌封,具备防潮、防振功能,满足 IP65 防水防尘标准,适用于恶劣环境中的设备供电。  高性价比,即插即用  该模块电源无需外接电路即可工作,设计简洁,安装方便,同时具备高性价比,为客户提供经济的解决方案。  详细参数  超薄型、小型、业内最小体积  全球通用输入电压(85~265Vac)  低功耗、绿色环保 、空载损耗<0.1W  低纹波、低噪声  高效率、功率密度大  输入输出隔离耐压 3000Vac  100% 满载老化和测试  高可靠性、长寿命设计,连续工作时间大于 100000 小时  满足 UL、CE 要求  产品设计满足 EMC 及安规测试要求  采用高品质环保防水导热胶灌封,防潮、防振,满足防水防尘 IP65 标准  经济的解决方案、性价比高  无需外接电路即可工作  1 年质量保质期  三、产品应用  海凌科40W ACDC系列氮化镓电源模块,采用氮化镓技术,是海凌科的热门产品,可应用于智能家居、自动化控制、通讯设备、仪器仪表等多个行业中。
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发布时间:2025-02-28 09:34 阅读量:308 继续阅读>>
罗姆与台积公司在车载<span style='color:red'>氮化镓</span>功率器件领域建立战略合作伙伴关系
  全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)宣布与Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited(以下简称“台积公司”)就车载氮化镓功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。  通过该合作关系,双方将致力于将罗姆的氮化镓器件开发技术与台积公司业界先进的GaN-on-Silicon工艺技术优势结合起来,满足市场对高耐压和高频特性优异的功率元器件日益增长的需求。  氮化镓功率器件目前主要被用于AC适配器和服务器电源等消费电子和工业设备应用。作为可持续发展和绿色制造的领导者,台积公司看好未来氮化镓功率器件在电动汽车(EV)的车载充电器和逆变器等车载应用中的环境效益,正在加强自身的氮化镓技术实力。  此次的合作关系是基于罗姆与台积公司在氮化镓功率器件领域的合作历史建立起来的。2023年,罗姆采用台积公司的650V耐压氮化镓HEMT工艺,推出了属于罗姆EcoGaN™系列的新产品,目前新产品已被用于包括Delta Electronics, Inc.旗下品牌Innergie的45W AC适配器“C4 Duo”在内的众多消费电子和工业领域应用。  罗姆董事兼专务执行官 东克己表示:“能够高频工作的氮化镓器件,因其具有小型、节能且有助于实现无碳社会的优势而被寄予厚望。要想将其产品优势落实到实际应用中,拥有可信赖的合作伙伴非常重要,我们非常高兴能够与拥有世界尖端制造技术的台积公司合作。在该合作关系基础上,我们还将通过提供包括可更大程度地激发氮化镓性能的控制IC在内的、易用的氮化镓解决方案,来促进氮化镓功率器件在车载应用领域的普及。”  台积公司特殊技术业务开发资深处长 李健欣表示:“随着我们在氮化镓制程技术的下一代发展,台积公司和罗姆将扩展我们的合作伙伴关系,致力于开发和生产用于汽车应用的氮化镓功率器件。通过结合台积公司在半导体制造领域的专业知识和罗姆在功率器件设计方面的专长,我们将努力推动氮化镓技术及其在电动车上的应用边界。”  关于台积公司  台积公司成立于 1987 年,率先开创了专业集成电路制造服务之商业模式,自此成为世界领先的专业集成电路制造服务公司。台积公司以领先业界的制程技术及设计解决方案组合支援其客户及伙伴生态系统的蓬勃发展,以此释放全球半导体产业的创新。身为全球的企业公民,台积公司的营运范围遍及亚洲、欧洲及北美,致力成为企业社会责任的行动者。2023 年,台积公司提供最广泛的先进制程、特殊制程及先进封装等 288 种制程技术,为 528个客户生产 1 万 1,895 种不同产品。台积公司企业总部位于中国台湾新竹。  关于罗姆  罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络,为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信设备等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域,罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。进一步了解详情,欢迎访问罗姆网站:https://www.rohm.com.cn/  ・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
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发布时间:2024-12-11 10:50 阅读量:543 继续阅读>>
海凌科:两位数的ACDC<span style='color:red'>氮化镓</span>电源模块 转化效率92%以上
  电源是一个产品的生命之源,一直默默无闻的为各种电器设备提供其所需的稳定电压。而采用氮化镓材料研发的电源模块,比用传统的蛙基材料研发的电源模块,拥有更高的转换效率、更低的开关损耗。  HLK-30Mxx和HLK-40Mxx是采用氮化镓芯片研发的两款高性价比AC-DC系列电源模块,输出功率30W和40W,内置EMC电路,稳压单路输出。  01  GaN电池模组系列  30W/40W产品概述  HLK-30Mxx和HLK-40Mxx两款系列电源模块,外观相同,体积小巧可爱,大小都只有57.5*33.6*22.5mm。  这两款电源模块均属于AC-DC隔离电源,使用氮化镓GaN芯片。功率密度大,效率高,转化效率高达92%以上。全球通用输入电压90-265Vac,输入输出隔离耐压 3000Vac。低纹波、低噪声、空载损耗<0.1W 。使用寿命长,连续工作时间超过10万小时。  02  GaN电池模组系列  30W和40W电池模组共同点  HLK-30Mxx和HLK-40Mxx两款系列模块的性价比高,使用寿命长,连续工作时间超过10万小时。  转换效率高,开关损耗低。  HLK-30Mxx和HLK-40Mxx两款系列电源模块,产品功率密度大,低功耗,采用氮化镓芯片,产品体积更小。氮化镓也被称为“终极半导体材料”,性能强大,使用范围广泛。作为整管流,可以有效降低开关与驱动损耗,增加开关的使用寿命,降低废热。  相较其他模块电源,氮化镓电源模组使用在电子产品中,可以减少产品10%-25%的用电量。同时,氮化镓的高禁带宽度与卓越导热性能,减少过度充电的潜在风险,提高产品的使用寿命,降低功耗。  安全可靠,符合UL、CE、EMC 标准。  HLK-30Mxx和HLK-40Mxx两款系列电源模块具备安全隔离、噪声隔离、电压变化以及稳压等特点。模块自身经过输出短路和过流保护测试,在出现相应异常时可以很好的保护并恢复电路。  同时,为了更好的保证产品的安全性,产品还采用了高品质环保防水导热胶灌封,防潮、防振、防水、防尘,满足UL、CE、EMC 标准。PCB 板采用双面覆铜箔板制作,材料防火等级为 94-V0 级。  即插即用,使用和替换更方便。  HLK-30Mxx和HLK-40Mxx两款系列电源模块即插即用,在产品出现故障时,用户可以快速排出是否是电源模块出现了问题,同时也可以快速更换有故障的电源模块。  03  GaN电池模组系列  30W和40W模块的特点  为了满足不同客户、不同产品的需求,HLK-30Mxx和HLK-40Mxx两款系列电源模块,在输出功率、输出电压、输出电流方面有着自身的特点,为用户带来了更多的选择。  HLK-30W系列介绍  HLK-30Mxx系列电源模块,顾名思义,是输出功率在30W的4款主打热销电源模组产品。4款产品分别为30M09/ 30M12/ 30M15/ 30M24。在输出电压和输出电流等方面提供不同的配置,拥有更多的产品解决方案,从而可以适用于更多产品,简化应用设计过程,缩短开发时间。  30W系列产品具体参数如下图所示:  HLK-40W系列介绍  HLK-40Mxx,宽电压24V(18-36)输入,产品的输出功率在40W,目前有着4款主推产品,分别为40M09/ 40M12/ 40M15/ 40M24。与HLK-30W相似,HLK-40W也是在输出电压和输出电流等方面给用户提供更大的选择空间,让用户在电源模组的选择上自由度更高,产品开发更加便捷。  40W系列产品具体参数如下图所示:  综上所述,HLK-30Mxx和HLK-40Mxx两款系列电源模块氮化镓电源模块在能源转换效率、降低损耗、安全耐用等方面的优势不言而喻,同时模块出货KK级以上,有自加工工厂,量产稳定,量大价优,支持定制。
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发布时间:2024-07-29 15:22 阅读量:636 继续阅读>>
瑞萨电子:Transphorm GaN技术引领<span style='color:red'>氮化镓</span>革命
  *瑞萨电子已于2024年6月20日完成对Transphorm的收购,以下为中电网于收购完成之前对Transphorm的采访文章。  长期以来,宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型(D-mode)和增强型(E-mode)氮化镓。在设计电路时,人们倾向于使用增强型(E-mode)晶体管,但其实无论从性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面,常闭型(D-mode)都更优于前者。  D-mode GaN的优势  此前,GaN功率半导体产品的全球领先企业Transphorm发布了《Normally-off D-mode 氮化镓晶体管的根本优势》的最新白皮书。其中,介绍了normally-off D-mode GaN平台的几个关键优势,包括:  性能更高:优越的TCR(~25%),更低的动态与静态导通电阻比(~25%),从而降低损耗,获得更高的效率和更优越的品质因数(FOM)。  高功率级应用更加容易:Transphorm D-mode具有较高的饱和电流,而E-mode则必须通过并联才能提供相同的电流,但这会导致功率密度和可靠性下降。  稳健性且易驱动性:采用最稳健的硅MOSFET SiO2栅极,不受E-mode的p栅极限制,可兼容硅基驱动器和控制器。  Transphorm业务拓展及市场营销高级副总裁Philip Zuk  Transphorm在初入市场时,不断研究、探讨了两种不同的技术路线,最终决定采用常闭型D-mode。十多年来,Transphorm凭借最可靠的GaN平台成功引领行业,设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650V、900V和1200V(尚处于开发阶段)氮化镓器件。目前,Transphorm器件的现场运行时间已超过2000亿小时,覆盖了从低功率到高功率系统最广泛的应用领域。  Transphorm业务拓展及市场营销高级副总裁Philip Zuk接受了中电网的采访,深入探讨了Transphorm氮化镓(GaN)产品的独特特点、技术优势及其在高性能领域的应用前景。他称:“Transphorm的常闭耗尽型D-mode技术凭借一个GaN核心平台就能够涵盖整个功率范围,没有任何限制,而其他技术则兼需增强型GaN和SiC MOSFET才能达到同样的效果。”  SuperGaN的优势  Transphorm的SuperGaN技术是其产品线中的一大亮点。SuperGaN技术是一种共源共栅(cascode)结构的常闭耗尽型(normally-off D-mode)氮化镓平台。该平台特点使得SuperGaN具备了增强型(E-mode)氮化镓所不能比拟的优势,包括:  Transphorm积累了深厚的GaN专业知识和垂直整合使其能够快速开发出高性能、可靠并且强劲的产品。  SuperGaN可以保持GaN器件2DEG(即二维电子气,2DEG沟道的电子迁移率最高,可令开关性能达到当前任何其他化合物半导体技术都无法企及的水平。)的自然状态,充分利用2DEG的固有优势,将器件导通电阻降到最低。  业界最丰富的封装类型:从传统的标准TO封装,直至降低封装电感、提高工作频率和印刷电路板制造效率的顶部和底部冷却式表贴封装。  业界领先的可靠性:器件运行时间已超过3000亿小时,FIT故障率(每10亿小时发生的故障次数)只有不到0.05。  此外,SuperGaN还可以提供最高的灵活性:  直接替代E-mode增强型GaN分立器件解决方案以及Si和SiC MOSFET;  提供不同的栅极驱动阈值电压,能够匹配使用E-mode增强型分立器件、高压超结和SiC MOSFET的电路设计;  作为一个垂直整合的企业,能够实现系统级封装(SIP)合作。  Philip Zuk称,任何其他供应商都无法提供上述优势,这也是Transphorm的SuperGaN技术能够取得成功的关键所在。  助力快充市场  如上所述,SuperGaN技术的优势使Transphorm的高压氮化镓场效应晶体管产品组合能够满足当今广泛的市场应用。例如,在快充领域,尤其是智能手机和笔记本电脑的充电器中,GaN器件在提高效率的同时减小体积,使快充设备更快捷高效。Philip Zuk认为,快充行业需要1200V GaN器件,Transphorm是一个垂直整合的企业,自主拥有外延片生产工艺,我们的1200V平台采用的是蓝宝石基GaN,650V SuperGaN平台采用的是硅基GaN。Transphorm将于今年下半年启动首款1200V器件的试样,帮助提升设计能力和成果,助力快充及800V电动汽车制造。  汽车领域的新选择  在应用更为广泛的新能源汽车领域,同为宽禁带半导体的SiC被广泛采用,未来GaN在该领域的应用会否更优于SiC呢?Philip Zuk认为,与SiC相比,GaN具有更高的性能,并且GaN器件的制造与硅基制程平台兼容,衬底材料更便宜,因此制造成本也更低。Transphorm的GaN技术650V以及即将在下半年推出的1200V平台可以不断改进性能和降低系统成本,而SiC却做不到。目前,Transphorm的GaN技术已应用于电动汽车的DC-DC以及车载充电器,并将在2030年进一步应用于车载逆变器驱动和三相快充站。  与竞争技术相比毫不逊色  Transphorm的SuperGaN技术可以与众多其他技术开展竞争,包括硅超结、IGBT和碳化硅MOSFET等。  在可驱动性、可设计性和稳健性方面最接近SuperGaN的技术,是已上市近25年的硅超结MOSFET。SuperGaN不断仿效这些市场应用成熟技术的特性,方便客户尽快适应并接受新的技术。  同时,SuperGaN还为设计者提供独一无二的“GaN优势”,即2DEG,2DEG沟道的电子迁移率最高,可令开关性能达到当前任何其他化合物半导体技术都无法企及的水平。  高性能SuperGaN技术在良率和可靠性方面可与硅基技术媲美,并可将电源设计提升至一个全新的高度,基于其他技术望尘莫及的固有材料属性,实现性能和功率密度更高而成本更低的系统。  小结  全球功率半导体市场正在快速扩展,尤其是在能源效率和高性能需求驱动下,氮化镓技术的市场份额不断增加。随着全球各国推进碳中和目标,氮化镓技术在可再生能源、电动汽车、高效电源管理等领域的应用前景广阔。  凭借着全方位的产品平台,Transphorm的氮化镓器件已经成功应用于从数十瓦至7.5kW的设计及量产产品,应用领域涵盖计算、能源/工业以及消费类适配器/快充电源。同时,Transphorm还创造了氮化镓行业的众多“第一”,为整个氮化镓功率半导体行业树立新的标杆,帮助越来越多的客户认识氮化镓技术的优势,期待着Transphorm能为新一代电力系统带来更多的贡献。
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发布时间:2024-07-12 10:50 阅读量:634 继续阅读>>
蔡司:<span style='color:red'>氮化镓</span>GaN的特殊价值在多个领域持续释放
  自MU在2018年10月25日那场波澜壮阔的科技浪潮中,如同破浪前行的领航者,首次发布了全球首款GaN充电器,将这一前沿技术正式引入了消费电子的广袤天地。短短数载,GaN的浪潮便席卷了整个行业,各大厂商如雨后春笋般纷纷涉足,竞相推出相关产品。如今,GaN消费电子产品市场犹如一片璀璨的星海,繁星点点,竞争激烈。  然而,面对这片红海般的竞争态势,相关企业并未满足于现状,而是如同翱翔于天空的雄鹰,敏锐地捕捉到了更多的增量市场空间。于是,GaN技术的应用开始逐步向新能源汽车、光伏、数据中心等更为广阔的领域延伸,犹如一颗璀璨的星辰,照亮了前行的道路。  GaN的独特价值,不仅仅局限于消费电子的边界,它正在这些新兴的领域中持续释放着光芒。就像一块珍贵的宝石,GaN在不同领域的应用中闪耀着独特的光彩,为未来的科技发展注入了新的活力。  无刷直流电机(BLDC)在机器人、电动工具、家电和无人机中的应用越来越多。这些应用要求设备具备轻便、小巧、低转矩脉动、低噪音和极高的精度控制。为了满足这些需求,驱动电机的逆变器需要以更高频率运行,同时需要先进的技术来减少由此产生的更高功率损耗。  氮化镓(GaN)晶体管和集成电路能够在不显著增加损耗的情况下以更高频率运行,相比于基于硅的设备,它们能够显著降低成本、噪音、尺寸和重量。也正因此,GaN在电机驱动领域展现出了巨大的潜力。  同时,在快充市场,GaN早已被广泛使用,也证明了其足够的安全可靠性。  01 GaN正在加速“上车”  在汽车行业的电动化与智能化浪潮中,汽车的电子脉络如同藤蔓般蔓延生长,搭载的电子电力系统愈发繁密。而在这一革新的浪潮中,基于GaN材料的功率器件犹如璀璨的明星,其功率输出密度和能量转换效率均远超传统硅材料,更以其出色的性能引领系统向小型化、轻量化迈进,大幅缩减了电力电子零部件的体积与重量。新能源汽车的崛起,为GaN材料带来了前所未有的发展机遇。  随着新能源汽车市场的蓬勃发展,GaN已率先在车载激光雷达产品中大放异彩,并逐渐在车载充电器(OBC)、DC/DC转换器等核心部件中展露锋芒,预示着其未来无限的可能性。风口之下,整车厂商、零部件供应商、GaN相关厂商等纷纷将目光投向这一领域,竞相将GaN产品引入新能源汽车的广阔天地。  GaN器件凭借优越的开关性能,成为车载激光雷达领域的宠儿。随着激光雷达在新能源汽车中的广泛应用,GaN器件产品更是炙手可热。2023年,英诺赛科凭借其低压车规级GaN产品,已在头部车企的车载激光雷达中实现量产,并在年底推出通过AEC-Q101认证的100V车规级GaN器件新品,为自动驾驶及其他先进驾驶辅助系统提供了强大的支持。  在新能源汽车车载充电器(OBC)领域,GaN Systems凭借其11kW/800V氮化镓车载充电器参考设计,在APEC 2023电力电子会议上大放异彩。与SiC产品相比,其功率密度提升高达36%,整体物料清单(BOM)成本至少降低15%,展现了氮化镓技术的卓越性能。同时,GaNPower也在这一领域积极布局,与汽车电子公司加拿大麦格纳集团携手合作,共同推动GaN在OBC上的应用研发。  高压汽车应用领域的GaN解决方案供应商VisIC公司则将目光瞄准了电动汽车逆变器,与hofer powertrain共同开发的基于GaN的逆变器已开始应用于800V汽车,并与IQE合作,共同研发高可靠性D型GaN功率产品,为电动汽车逆变器领域带来新的突破。博世也在积极研发1200V氮化镓技术,为新能源汽车领域注入新的活力。  目前,GaN器件在新能源汽车领域主要占据400V以下的应用市场,在中低端汽车市场展现出巨大的发展空间。同时,GaN器件在高压应用领域的研发也在不断推进,预示着其在新能源汽车领域更为广阔的前景。总体来看,氮化镓在新能源汽车领域的发展潜力不容小觑,正在逐步登上应用大舞台的巅峰。  在电源转换领域,死区时间曾是设计师们必须面对的难题。然而,随着GaN FET技术的出现,这一问题得到了显著改善。GaN FET技术不仅降低了死区时间,还大幅提升了电机驱动器的性能,为电源转换领域带来了革命性的变革。凭借其高效能、高功率密度和优越的热管理特性,GaN技术在电机驱动领域展现出显著的优势和广阔的前景,为电机驱动系统带来了全新的变革和无限的可能性。  02 GaN在光伏领域持续渗透  在璀璨的光伏舞台上,GaN光伏逆变器以其超凡的才华,将功率密度的华丽乐章演绎得更为激昂,为GaN功率器件开辟了一片崭新的价值蓝海。  回溯至2022年11月,美国光伏界的璀璨之星Solarnative振翅高飞,旗下微型光伏逆变器Power Stick搭载了EPC的GaN器件,犹如镶嵌了一颗璀璨的明珠,实现了业内翘楚的功率效益——功率密度竟跃升了五倍之多。这一卓越性能如一道曙光,照亮了GaN器件在光伏逆变器领域的无限可能,吸引了众多厂商竞相追逐。  英诺赛科,作为行业内的佼佼者,于2023年7月挥毫泼墨,将GaN的艺术融入光伏的画卷,旨在进一步雕琢模块体积,雕琢出更为高效的系统性能。而在今年初春的APEC 2024展会上,英诺赛科更是展示了其精心打造的2KW微逆方案,搭配150V GaN与650V GaN的和谐交响,与传统Si方案相比,不仅体积减少了约20%,功率器件的损耗更是降低了35%。这一卓越表现,不仅让系统性能璀璨绽放,更在成本上实现了优雅的缩减。  而在合作的舞台上,EET公司亦与EPC携手共舞,选用了EPC的增强型氮化镓(eGaN®)功率晶体管,为其新型SolMate®绿色太阳能阳台产品注入了更为强大的生命力。英飞凌亦在今年初与Worksport携手并肩,在便携式发电站的转换器中舞动着GaN功率器件的旋律。这两大合作案例,犹如优美的双人舞,展现了GaN器件在提高效率、开关频率等方面的卓越才能,同时实现了体积重量和系统成本的轻盈化。  如今,GaN在光伏行业的应用案例如同繁星点点,汇聚成一幅璀璨的星图。它以其卓越的性能和广泛的应用前景,逐渐成为光伏行业的“主力军”之一,引领着行业迈向更加辉煌的未来。  03 GaN在数据中心领域应用进展  在数据中心的庞大运营图谱中,服务器电源及其冷却系统犹如一只饥饿的巨兽,吞噬着不菲的能源,成为运营成本的重要组成。然而,随着GaN技术的崛起,这只巨兽似乎找到了节制的钥匙。GaN,以其超凡的性能和效率,正逐步减轻数据中心对冷却系统的依赖,以更轻盈的姿态,迈向节能与成本效益的新纪元。因此,数据中心工程师们纷纷将目光投向搭载GaN器件的电源模块,期待其带来的革新。  在数据中心电源模块的创新之路上,英诺赛科如同一颗璀璨的明星,其推出的100V SolidGaN的1kW DCDC电源模块和搭载650V GaN的2kW PSU方案,犹如两把利剑,精准地满足了当前AI、云计算对数据中心供电高效高功率密度的渴求。而纳微半导体,则以其最新高功率氮化镓芯片GaNSafe™为基础,打造了CRPS185 3200W钛金Plus效率服务器电源,其98W/inch³的超高功率密度和96.52%的极高峰值效率,无疑为数据中心服务器电源领域树立了新的标杆。  与此同时,CGD与群光电能科技和英国剑桥大学技术服务部(CUTS)的强强联合,正在共同描绘一幅未来数据中心电源的宏伟蓝图。他们携手设计和开发的先进、高效、高功率密度数据中心电源产品,将GaN的潜力发挥到极致。GaN的开关损耗小,使其在数据中心的电源模块中如鱼得水,相关案例的落地更是证明了其强大的生命力。展望未来,GaN有望延伸至数据中心的其他部件,开启更为广阔的应用前景。  蔡司扫描电镜 助力半导体研发  蔡司用于高质量成像和高级分析显微镜的FE-SEM蔡司扫描电镜Sigma系列将场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) 技术与出色的用户体验相结合。构建您的成像和分析程序并提高工作效率。研究新材料、用于质量检验的颗粒或生物或地质标本。在高分辨率成像方面毫不妥协-转向低电压并在1kV 或更低电压下受益于增强的分辨率和对比度。使用一流的EDS几何结构执行高级分析显微镜 ,并以两倍的速度和更高的精度获得分析数据。
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发布时间:2024-07-11 10:19 阅读量:679 继续阅读>>
上海雷卯:<span style='color:red'>氮化镓</span>GaN静电浪涌防护方案
什么是<span style='color:red'>氮化镓</span>半导体器件 <span style='color:red'>氮化镓</span>半导体器件特点是什么
  氮化镓半导体器件是利用氮化镓材料构建的各种电子器件,如晶体管(HBT)、场效应晶体管(FET)、二极管等。氮化镓是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,具有优异的电子传输特性、热稳定性和宽带隙能带结构,使得氮化镓器件在高频率、高功率、高温度条件下表现出色。  氮化镓半导体器件通常通过金属有机分子束外延(MOCVD)等工艺制备,可实现高质量、低缺陷的薄膜生长,从而提高器件的性能和可靠性。  一、氮化镓半导体器件的特点  宽带隙能带结构:氮化镓半导体具有较大的带隙能级(3.4电子伏特),相比于硅和锗等传统半导体,氮化镓器件能够实现更高的工作频率和功率密度。  高电子迁移率:氮化镓的电子迁移率非常高,可以达到数百至数千cm²/V·s,这意味着氮化镓器件拥有更快的开关速度和更低的电阻。  高电子饱和漂移速度:由于电子在氮化镓中的高迁移率,氮化镓器件具有较高的电子饱和漂移速度,适用于高频率运行。  耐高温特性:氮化镓半导体具有出色的热稳定性,能够在高温环境下工作,这使得氮化镓器件在高功率应用中表现优越。  较小的形成损耗:由于其高电子迁移率和宽带隙能带结构,氮化镓器件具有较小的形成损耗,可实现更高的效率和节能。  二、氮化镓半导体器件的应用  1、射频和微波器件  氮化镓半导体器件在射频和微波系统中应用广泛,如功率放大器、低噪声放大器、混频器等。其高频率特性和功率密度使其成为5G通信、雷达、航空航天等领域的理想选择。  2、光电子器件  氮化镓半导体器件也被用于光电子领域,例如LED、激光二极管和光检测器。氮化镓LED广泛应用于照明、显示和通信领域,而激光二极管则在光通信和激光雷达中发挥着重要作用。  3、功率电子器件  氮化镓半导体器件在功率电子领域中具有巨大潜力,如开关电源、电动汽车充电器、太阳能逆变器等。其高功率密度和高温工作特性使得氮化镓器件在提高能源转换效率和减小尺寸方面具有优势。  4、高速数据传输  氮化镓器件也被广泛应用于高速数据传输和通信领域,如光纤通信系统和高速计算机网络。其高频率特性和低损耗使得氮化镓器件在数据传输中能够实现更快的速度和更低的延迟。  氮化镓半导体器件由于其优异的性能特点,包括宽带隙能带结构、高电子迁移率、热稳定性等,在各个领域展现出极大的应用前景。其在射频、微波、光电子和功率电子领域的广泛应用,为提高系统性能、节能减排提供了有力支持。
发布时间:2024-04-09 11:42 阅读量:748 继续阅读>>
<span style='color:red'>氮化镓</span>芯片和硅芯片有什么区别和优势
  随着半导体技术的不断发展,氮化镓芯片作为一种新兴材料在电子行业中逐渐崭露头角。相比传统的硅芯片,氮化镓芯片具有独特的特性和优势,逐渐受到广泛关注和应用。  1.硅芯片的特点  硅芯片是目前电子行业最常用的半导体材料之一,被广泛应用于集成电路、处理器、存储器等领域。  硅芯片的优点  成熟制造工艺:硅芯片的制造工艺相对成熟,生产规模大,成本低。  大规模生产:硅芯片产能巨大,适用于大规模集成电路生产。  相对便宜:由于成本较低,硅芯片成品价格也相对较低。  硅芯片的缺点  功耗高:硅芯片在高频率运行时会产生较高的功耗,影响能效。  限制性能提升:硅芯片存在物理上的极限,对性能提升有一定限制。  温度敏感:硅芯片在高温环境下易出现性能波动或故障。  2.氮化镓芯片的特点  氮化镓(GaN)材料是一种 III-V族化合物半导体,具有优异的电学性能和物理特性,使其成为新一代电子器件的理想材料之一。  氮化镓芯片的优点  高频高功率特性:氮化镓芯片具有更高的电子流速度和载流子迁移率,适合用于高频高功率应用。  低损耗:相比硅芯片,氮化镓芯片在高频率下有较低的导通和开关损耗。  宽带隙特性:氮化镓具有较大的带隙能隙,使其在高频、高温环境下工作更加稳定。  氮化镓芯片的缺点  制造工艺复杂:相比硅芯片,氮化镓芯片的制造工艺更为复杂,增加了生产成本。  成本较高:由于制造工艺、原材料成本等因素,氮化镓芯片的成本相对硅芯片较高。  小规模生产:目前氮化镓芯片产量较小,规模化生产还面临挑战。  3.氮化镓芯片与硅芯片的对比  氮化镓芯片和硅芯片各有其独特的特点,在不同领域和应用中有所倾向。  功耗和效率:对于需要高功率和高频率操作的应用,如雷达系统、无线通信等,氮化镓芯片的低损耗特性使其更为适合,而硅芯片则可能受到功耗限制。  温度稳定性:在高温环境下的应用,如汽车电子设备、航空航天等领域,氮化镓芯片的宽带隙特性使其在高温工作时保持稳定性能,相比之下硅芯片可能会受到温度影响而表现不佳。  性能提升空间:对于需要突破硅芯片性能极限的领域,如高速计算、光电子学等,氮化镓芯片具有更大的性能提升空间和潜力,能够满足更高要求的应用需求。  成本与生产规模:目前由于制造工艺和原材料成本等因素,氮化镓芯片的生产成本较硅芯片更高。虽然硅芯片具有成熟的大规模生产工艺,但随着氮化镓技术的进步和产业化发展,预计氮化镓芯片的成本会逐渐下降,产量也会随之增加。  氮化镓芯片和硅芯片各有自身的优势和局限性,在不同应用场景和需求下都能发挥重要作用。了解和比较氮化镓芯片与硅芯片的特点,可以更好地选择适合特定应用的半导体材料。
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