一文学习<span style='color:red'>晶圆</span>厂各环节术语中英文释义
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一文学习晶圆厂各环节术语中英文释义

　　今天由AMEYA360带您了解晶圆厂各环节术语的释义。　　一、工艺动力系统　　1. 厂房与排气系统　　CUP：Central Utility Plant，中央动力厂房　　GEX：General EXhaust，普通级热排气　　SEX：Scrubber EXhaust，酸排气　　VEX：Volatile Organic Compound EXhaust，有机溶剂排气　　AEX：Ammonia EXhaust，碱性排气　　2. 公用设施　　PCW：Process Cooling Water，工艺冷却水　　PV：Process Vacuum，工艺真空　　HV：House Vacuum，真空吸尘　　CW：City Water，自来水　　3. 监控与控制　　FMCS：Facility Monitoring Control System，厂务监控系统　　MCC：Motor Control Center，马达控制中心　　VFD：Variable Frequency Device，变频器　　二、空调与通风系统(HVAC)　　1. 空气处理设备　　AHU：Air Handling Unit，空调箱　　MAU：Make-up Air Unit，外气空调箱　　VAV：Variable Air Volume Box，可变风量风箱　　FFU：Fan Filter Unit，风机过滤器　　2. 过滤与净化　　HEPA：High Efficiency Particulate Filter，高效过滤器　　ULPA：Ultra Low Penetration Filter，超高效过滤器　　A/S：Air Shower，空气浴尘室　　A/L：Air Lock，气闭门室　　3. 通风与防火　　FD：Fire Damper，防火风门　　FSD：Combined Fire Smoke Damper，防火防烟风门　　SD：Smoke Damper，防烟风门　　SF：Smoke Fan，消防排烟风机　　EF：Exhaust Fan，通风排气风机　　三、电力与监控系统　　SCADA：Supervisory Control And Data Acquisition，监视控制和数据采集系统　　CCTV：Close Circuit Television，闭路电视　　PA：Public Address System，广播系统　　FA：Fire Alarm System，火灾报警系统　　四、水处理系统　　1. 纯水与废水　　UPW：Ultra Pure Water，超纯水　　RO：Reverse Osmosis，逆渗透膜　　DI：Deionized Water，去离子水　　TOC：Total Organic Carbon，总有机碳　　2. 废水类型　　FWW：Fluoride Waste Water，低浓度氢氟酸废水　　HFW：High Fluoride Waste Water，高浓度氢氟酸废水　　IWW：Industry Waste Water，工业废水　　OWW：Organic Waste Water，有机溶剂废水　　DAHW：Drain Ammonia Hydride Wastewater，含氨废水　　3. 回收与处理　　RCL：Recycle Water，制程回收循环水　　RCM：Reclaim Water，制程回收再利用水　　BGW：Backgrinding Waste Water，晶背研磨废水　　SAW：Sulfuric Acid Waste Water，硫酸废液　　五、气体与化学系统　　VMB：Valve Manifold Box，阀箱　　VMP：Valve Manifold Panel，阀盘　　GMS：Gas Monitoring System，气体监测系统　　CDS：Chemical Dispense System，化学供液系统　　SDS：Slurry Dispense System，化学研磨液供液系统　　六、环境安全卫生(ESH)　　SCBA：Self Contained Breathing Apparatus，自给式空气呼吸器　　ISO：International Organization for Standardization，国际标准化组织　　七、通用工艺术语(按字母排序)　　A　　Acetone：丙酮，有机溶剂，用于光阻清洗，具神经毒性。　　AEI：After Etching Inspection，蚀刻后检查，确保良率。　　Al-Cu-Si：铝硅铜合金，用于金属溅镀，减少电荷迁移。　　B　　Backing Pump：辅抽泵，配合高真空泵建立真空。　　BPSG：Boron-Phosphor-Silicate-Glass，硼磷硅玻璃，用于介电层平坦化。　　BOE：Buffer Oxide Etching，氢氟酸缓冲液，蚀刻氧化层。　　C　　CMP：Chemical Mechanical Polishing，化学机械研磨，表面平坦化。　　CMOS：Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体，低功耗集成电路。　　Cycle Time：生产周期时间，原料到成品的制造时间。　　D　　Diffusion：扩散，高温下杂质原子渗入硅片，改变电性能。　　Dry Oxidation：干式氧化，仅用氧气生成高质量氧化层。　　Dummy Wafer：挡片，保护炉管边缘产品，平衡工艺条件。　　E　　ETCH：蚀刻，利用化学或物理方法定义电路图案，分湿刻和干刻。　　Epitaxy：磊晶，在硅片表面生长单晶层。　　ESD：Electrostatic Discharge，静电放电，需防静电措施防护。　　F　　Field Oxide：场氧化层，隔离晶体管的厚氧化层。　　Four Point Probe：四点测针，测量硅片薄层电阻(Rs)。　　G　　Gate：闸极，MOS 晶体管的控制电极，常用多晶硅或金属制成。　　Gas Cabinet：气体储柜，负压储存气体钢瓶，防止泄漏。　　八、设备与技术　　Cryopump：低温泵，利用低温凝结和吸附原理抽气，达高真空。　　Dry Pump：干式真空泵，螺杆原理直接抽气，用于低真空环境。　　Ellipsometer：椭圆测厚仪，利用偏光测量薄膜厚度和折射率。　　九、可靠性与测试　　Burn-in：预烧试验，高温老化筛选早期失效产品。　　EM Test：Electron Migration Test，电子迁移测试，评估金属导线可靠性。　　CV Shift：电容 - 电压偏移测试，评估氧化层电荷稳定性。　　十、洁净室技术(Cleanroom)　　1. 洁净等级标准　　ISO 14644-1 等级：　　气流模式：　　垂直层流(Vertical Laminar Flow)：气流自天花板垂直向下，粒子污染少，用于高精密工序(如光刻)。　　水平层流(Horizontal Laminar Flow)：气流沿水平方向流动，成本较低，适用于辅助区域。　　紊流(Turbulent Flow)：气流无规则，用于低等级洁净室(如仓储区)。　　2. 控制要点　　压差管理：相邻区域压差≥10Pa，防止污染扩散(如晶圆区→通道→更衣室)。　　微振动控制：光刻机等精密设备需振动频率<10Hz，振幅<1μm。　　温湿度精度：光刻区控制在 23±0.1℃，湿度 55±2% RH，避免热胀冷缩影响线宽。　　十一、先进制造工艺　　1. 光刻技术(Photolithography)　　曝光设备：　　Stepper(步进机)：逐场曝光，分辨率高(如 ASML NXE:3400B，分辨率 13nm)。　　Scanner(扫描机)：光束与晶圆同步扫描，适合大面积曝光(如 DRAM 制造)。　　光阻类型：　　正光阻：曝光后易溶于显影液，形成正型图案(主流，如 AZ 系列)。　　负光阻：曝光后难溶于显影液，形成负型图案(用于厚膜工艺)。　　关键步骤：　　HMDS 预处理：增强光阻与晶圆附着力。　　Post-Exposure Bake(PEB)：减少驻波效应，稳定图案。　　2. 薄膜沉积　　PVD(物理气相沉积)：　　溅射(Sputtering)：利用离子轰击靶材，沉积金属层(如 Al、Cu)，台阶覆盖好。　　蒸镀(Evaporation)：加热蒸发源(如 Au)，适用于高纯度薄膜，但均匀性较差。　　ALD(原子层沉积)：　　原理：反应物分阶段脉冲式通入，逐层生长(每层厚度 0.1-1nm)。　　应用：高 k 介质层(HfO₂)、阻挡层(Al₂O₃)，用于 3nm 以下节点。　　3. 刻蚀技术　　干法刻蚀类型：　　反应离子刻蚀(RIE)：离子轰击 + 化学反应，兼顾各向异性与刻蚀速率。　　原子层刻蚀(ALE)：类似 ALD，逐层刻蚀，精度达原子级(如 SiO₂刻蚀选择比>1000:1)。　　气体选择：　　硅刻蚀：SF₆(化学)+O₂(聚合物抑制)。　　金属刻蚀：Cl₂/BCCl₃(Al)、H2/Ar(Cu)。　　十二、检测与量测技术　　1. 在线检测设备　　光学显微镜(OM)：检测微米级缺陷(如桥接、断线)，倍率 50-1000 倍。　　扫描电子显微镜(SEM)：分辨率达纳米级(如 5nm)，用于 CD 量测、缺陷定位。　　聚焦离子束(FIB)：用 Ga + 离子束切割 / 沉积，制备 TEM 样品或修复电路。　　X 射线衍射(XRD)：分析薄膜应力、晶向(如 SiN 的应力值>1000MPa 需返工)。　　2. 电学测试　　探针台(Probe Station)：晶圆级电测，检测 MOS 管阈值电压(Vt)、漏电流(Idss)。　　WAT(Wafer Acceptance Test)：通过测试键(Test Key)评估工艺均匀性(如接触电阻<10Ω)。　　AOI(自动光学检测)：利用 AI 算法识别缺陷(如图案偏移>5% 报警)。　　十三、材料科学与关键耗材　　1. 半导体材料　　衬底：　　Si：占 95% 以上，直径主流 300mm(12 英寸)，向 450mm 发展。　　化合物半导体：GaAs(射频器件)、SiC/GaN(功率器件，耐高压高温)。　　高 k 介质：HfO₂(k=25)替代 SiO₂(k=3.9)，减少栅极漏电流(如 FinFET/GAA 结构)。　　光罩材料：　　石英玻璃：透光率>90%，用于传统光罩。　　相移光罩(PSM)：通过相位差增强分辨率，用于 130nm 以下工艺。　　2. 关键耗材　　光刻胶：　　ArF 光刻胶：适用于 193nm 波长，分辨率至 28nm(如信越化学、JSR)。　　EUV 光刻胶：灵敏度<10mJ/cm²，颗粒污染<10nm(如东京应化)。　　研磨液(Slurry)：　　氧化物研磨：SiO₂颗粒 + 酸性 / 碱性添加剂(如 Cabot Micro-Materials)。　　金属研磨：Al₂O₃颗粒 + 氧化剂(用于 Cu CMP)。　　十四、自动化与智能制造　　1. 生产管理系统　　MES(制造执行系统)：实时追踪工单进度、设备状态，良率预警(如良率<90% 自动停线)。　　AGV(自动导引车)：晶圆盒(FOUP)运输，定位精度 ±5mm，对接洁净室传递窗。　　2. 智能工艺优化　　机器学习(ML)：　　预测刻蚀均匀性(R²>0.95)，优化气体流量配比。　　分析缺陷模式，定位工艺瓶颈(如光刻机台污染识别)。　　数字孪生(Digital Twin)：虚拟仿真工厂运行，提前验证新工艺(如 ALD 沉积参数优化)。　　十五、能源管理与可持续性　　能耗分布：　　洁净室空调：40-50%(如 FFU 风机功耗>1000kW)。　　工艺设备：30-40%(如 CVD 炉管、光刻机)。　　节能技术：　　余热回收：将工艺废气热量用于预热新风，节能 15-20%。　　太阳能 / 风能：台积电南京厂太阳能装机容量 10MW，年减碳 8000 吨。　　废水回用：超纯水制备排水(RO 浓水)经处理后，回用至冷却塔(回收率>70%)。　　十六、安全与合规　　1. 危险化学品管理　　特气系统(SEMI S2/S8)：　　NF₃、Cl₂等腐蚀性气体需双套管输送，泄漏侦测响应时间<10 秒。　　气瓶柜配备 SCBA、洗眼器，定期执行 MSDS 培训。　　ESD 防护：　　地面电阻 10⁶-10⁹Ω，人员佩戴离子手环(电压<100V)。　　晶圆盒(FOUP)接地电阻<1Ω，避免静电放电损伤。　　2. 环保法规　　SEMI 标准：废水氟离子浓度<10ppm，VOCs 排放<50ppm。　　ISO 45001：建立职业健康安全管理体系，如刻蚀废气需经 Scrubber 处理至达标。　　十七、新兴技术与趋势　　1. 先进封装　　Chiplet(小芯片)：将逻辑、存储等模块分芯片制造，通过 TSV/UBM 互连，良率提升 20%。　　扇出型封装(Fan-Out)：晶圆级封装，线宽<10μm，用于 AI 芯片(如高通 Snapdragon)。　　2. 下一代光刻　　EUV 光刻：波长 13.5nm，单次曝光分辨率 2nm，ASML NXE:3600D 已用于 3nm 节点。　　纳米压印(NIL)：成本比 EUV 低 50%，适用于存储芯片(如 Intel 3D NAND)。　　3. 三维制造　　3D NAND：堆叠层数突破 1000 层(如三星 V-NAND)，通过 ALD 实现层间绝缘。　　GAA 晶体管：全环绕栅极结构，替代 FinFET，漏电降低 90%(如台积电 3nm 工艺)。　　十八、常见工艺问题与解决方案　　应用场景示例　　逻辑芯片工厂(如 Intel)：重点关注光刻精度(EUV)、GAA 晶体管工艺，洁净室等级 ISO 1-5 级。　　存储芯片工厂(如三星)：侧重 3D NAND 堆叠、ALD 薄膜均匀性，大量使用 AOI 检测缺陷。　　功率半导体工厂(如英飞凌)：采用 SiC/GaN 外延生长、深硅刻蚀(DRIE)，需特气(H₂)安全管控。
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发布时间：2025-08-05 16:15 阅读量：308 继续阅读>>
中国大陆将成全球最大<span style='color:red'>晶圆</span>代工中心！
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中国大陆将成全球最大晶圆代工中心！

　　近日，市场调研机构Yole集团发布报告，显示我国大陆地区在2024年已占据全球代工产能的21%，位居世界第二，仅次于我国台湾地区的23%，领先韩国的19%，并预计到2030年中国的产能占比将跃升至30%，成为全球第一！　　报道指出，2024年中国大陆占全球21%的产能，随着本土产能的快速扩张，中国大陆的崛起凸显了在分散且充满战略博弈的芯片制造格局中，行业话语权正在发生转移。　　近年来，我国大力扩充本土代工产能，一方面是为应对不断升级的中美贸易摩擦和制裁措施，保证国内需求不受外部影响;另一方面亦是国家半导体自给率政策的重要组成部分。随着智慧城市、物联网与人工智能等应用快速发展，各类芯片需求持续攀升，此前高度依赖海外代工的模式正逐步被国产化替代。　　在我国代工厂中，中芯国际(SMIC)、华虹半导体、Nexchip等三家企业跻身全球前十。SMIC自2022年以来每年投入约500亿元人民币用于扩建产能，其10nm及更先进工艺正处于稳步提升阶段。　　国际半导体产业协会数据显示，2024年中国大陆芯片制造商产能增长15%，达每月885万片晶圆。这一增长得益于18座新建半导体晶圆厂的投产，推动全球同年产能扩张6%。　　按照这个扩建和发展速度，中国半导体接下来将会越来越强大。　　另外，从全球晶圆供需格局看，美国作为最大的消费市场，占据了全球约57%的需求，但其本土产能仅占全球的10%左右。巨大的供需缺口使其高度依赖进口，主要来源为中国台湾、韩国和中国大陆等主要晶圆生产地。　　相比之下，欧洲和日本的半导体代工业则呈现出相对平衡的状态，其本土产能基本能满足自身需求。此外，新加坡和马来西亚等东南亚国家也贡献了约6%的全球代工产能。然而，这些产能主要由外资代工厂主导，其核心目标是服务美国、中国等外部市场的需求。　　由此可见，中国芯片产业非但没有“熄火”，其发展势头反而正在加速。
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发布时间：2025-07-02 16:23 阅读量：722 继续阅读>>
TI计划投入超600亿美元建7座<span style='color:red'>晶圆</span>厂！
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TI计划投入超600亿美元建7座晶圆厂！

　　6月18日，德州仪器 (TI) 宣布，计划在美国七家半导体工厂投资超过600亿美元(约4300亿人民币)，这将是美国历史上对基础半导体制造业最大的投资。　　根据声明，德州仪器此次大规模扩产将主要用于在德克萨斯州和犹他州建设及扩建七座12英寸晶圆厂，专注于生产模拟芯片和嵌入式处理芯片。这七家工厂每天将生产数亿颗美国制造的芯片，开启美国创新的新篇章。　　德克萨斯州谢尔曼：SM1是德州仪器在谢尔曼的第一家新工厂，将在今年开始初步生产，距离破土动工仅三年时间。谢尔曼的第二家新工厂SM2的外部结构建设也已完成。后续投资计划还包括建设另外两家工厂SM3和SM4，以满足未来的需求。　　德克萨斯州理查森：德州仪器在理查森的第二家工厂RFAB2正在逐步扩大到全面生产，并延续了公司在2011年推出全球第一家300毫米模拟工厂RFAB1的传承。　　犹他州莱希：德州仪器正在逐步扩大莱希的第一家300毫米晶圆工厂LFAB1。莱希的第二家工厂LFAB2的建设也在顺利进行中，它将与LFAB1相连。　　作为全球模拟芯片市场的领导者，德州仪器拥有超过80年的行业经验，其产品广泛应用于工业、汽车、消费电子和通信设备等领域。公司总裁兼首席执行官哈维夫·伊兰(Haviv Ilan)在声明中强调："TI正在大规模建设可靠、低成本的300毫米产能，以提供几乎所有电子系统都至关重要的模拟和嵌入式处理芯片。"　　近年来，全球半导体供应链的脆弱性在疫情、地缘冲突等多重冲击下暴露无遗，各国纷纷将半导体制造视为国家安全和经济竞争力的核心要素。美国特朗普政府将提升本土半导体制造能力列为首要任务，特别是针对用于日常电子产品的基础半导体。　　美国商务部长霍华德-卢特尼克(Howard Lutnick)明确表示："特朗普总统已将提升美国半导体制造能力列为首要任务，我们与德州仪器的合作将为未来数十年的美国芯片制造业提供支持。"这种政府与企业间的紧密协作，反映了美国在半导体领域"再工业化"的战略决心。　　德州仪器在声明中特别提到，苹果、福特、美敦力、英伟达和SpaceX等美国领军企业都"依赖德州仪器世界级的技术和制造专长"，这也表明了德州仪器与美国高科技产业生态的深度绑定。从汽车产业上来看，现代一辆普通汽车可能使用数百个德州仪器的芯片，用于发动机控制、安全系统、信息娱乐等各个方面。随着汽车电动化、智能化趋势加速，单车半导体含量持续提升，德州仪器的新产能将为美国汽车产业提供更可靠的芯片供应保障。　　德州仪器此次600亿美元投资的技术核心在于大规模建设300毫米(12英寸)晶圆生产线，这一决策基于对半导体制造经济性的深刻理解。在半导体行业，晶圆尺寸的增大意味着单位芯片成本的显著降低。300毫米晶圆的面积是200毫米(8英寸)晶圆的2.25倍，能够生产更多的芯片，同时边缘浪费比例更低。　　德州仪器凭借其完整的产品组合、规模经济优势和技术积累构建了坚实的护城河。新工厂的建成将进一步强化这一优势，使德州仪器在价格竞争中处于更有利位置。
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发布时间：2025-06-19 14:56 阅读量：459 继续阅读>>
全球<span style='color:red'>晶圆</span>代工厂最新排名：台积电第一！
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全球晶圆代工厂最新排名：台积电第一！

　　根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季，全球晶圆代工产业受国际形势变化影响而提前备货，部分厂商接获客户急单，加上中国延续2024年推出的旧换新补贴政策，抵消部分淡季冲击，整体产业营收季减约5.4%，收敛至364亿美元。　　展望第二季营收表现，整体动能逐步放缓，唯中国旧换新的补贴政策拉货潮有望延续，加上下半年智能手机新品上市前备货陆续启动，以及AI HPC需求稳定，将成为带动第二季产能利用率和出货的关键，预期前十大晶圆代工厂营收将呈现季增。　　观察第一季各晶圆代工企业营收情况，TSMC(台积电)以67.6%市占率稳居第一，其晶圆出货虽因智能手机备货淡季而下滑，部分影响被稳健的AI HPC需求和电视急单抵消，营收为255亿美元，季减5%。　　财报显示，台积电在先进制程领域的技术壁垒是其业绩增长的核心驱动力。2025年第一季度，3纳米制程占晶圆销售收入的22%，5纳米占36%，7纳米占15%，三者合计贡献73%的晶圆销售额，较2024年第四季度的67%进一步提升。这种结构性的营收增长凸显了台积电在高端芯片市场的竞争优势，尤其是在AI加速器和HPC芯片领域。　　AI芯片需求是台积电2025年业绩的最大亮点。HPC相关收入同比增长超过70%，占总营收近60%，主要得益于NVIDIA、AMD等客户的AI加速器订单，以及微软、亚马逊等云计算厂商的扩产需求。台积电预计2025年AI加速器芯片销售同比增长100%，2024-2029年复合年增长率(CAGR)达45%，成为长期增长的支柱。　　但是CoWoS封装技术的产能瓶颈限制了部分出货潜力。为应对这一挑战，台积电正加速扩建CoWoS产能，预计2025年底前产能将翻倍，以满足AI芯片的爆发式需求。　　日前，台积电召开股东常会。台积电董事长暨总裁魏哲家在会上表示，2025 年将是台积电稳健成长的一年，全年营收预计将实现“中段二位数百分比的增长”。　　第二名的Samsung Foundry(三星)营收季减11.3%，为28.9亿美元，市占微减至7.7%。三星晶圆代工业务在2025年第一季度表现低迷，主要受到移动端芯片需求疲软导致订单量减少、晶圆厂产能利用率不足拖累盈利以及库存调整周期尚未结束等因素的影响。　　三星在技术推进方面仍有不少亮点，特别是在2nm GAA(Gate-All-Around)工艺的研发上取得了阶段性进展，在良率提升和客户拓展方面有所突破，而且其2nm制程已获得了多个AI与高性能计算(HPC)领域的订单。　　SMIC(中芯国际)受惠于客户提前备货，和中国消费补贴提前拉货等因素，削弱ASP下滑的负面效应，营收季增1.8%，达22.5亿美元，排名第三。对于业绩增长原因，联合首席执行官(联席CEO)赵海军表示，主要受益于国际形势变化引起的客户提拉出货，国内以旧换新消费补贴等政策推动的大宗类产品需求上升，以及工业与汽车产业触底补货。　　中芯国际给出的二季度收入指引为，环比下降4%到6%，毛利率指引为18%到20%。中芯国际表示下半年是机遇与挑战并存。　　联合首席执行官赵海军表示，公司整体出货数量达到229万片(折合八英寸标准)逻辑晶圆，出货量环比增长15%。不过，由于一季度出现引起生产性波动的突发事件，公司收入增长未及预期，并且影响还将延续至第二季度。　　UMC(联电)排名维持第四，上游客户提前备货抵消淡季因素，助其晶圆出货与产能利用率大致持平前一季，ASP则因年度一次性调价而下滑，营收小幅季减5.8%，为17.6亿美元。　　GlobalFoundries(格芯)营收季减13.9%，收敛至15.8亿美元，市占也微幅缩减。　　HuaHong Group(华虹集团)第一季营收排名第六，营收10.11亿美元，市占2.7%。　　Vanguard(世界先进)营收季增1.7%，达3.63亿美元，排名上升至第七名。　　退居第八名的Tower(高塔半导体)第一季营收季减7.4%，下滑至3.58亿美元。　　Nexchip(合肥晶合)第一季亦接获客户的急单，投片产出季增，带动营收成长2.6%，上升至3.53亿美元，排名第九。　　PSMC(力积电)第一季营收为3.27亿美元，微幅季减1.8%，排在第十名。
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发布时间：2025-06-10 16:07 阅读量：770 继续阅读>>
TI新12寸<span style='color:red'>晶圆</span>厂，即将投产
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TI新12寸晶圆厂，即将投产

　　据外媒报道，德州仪器(TI)宣布其在谢尔曼建设的四座新半导体制造工厂中的第一座即将竣工。　　德州仪器谢尔曼工厂经理迈克·哈格蒂表示：“我们已经完成了第一家工厂的建设，团队现在已经入驻，我们正在安装设备，准备开始生产，真正开启德克萨斯州半导体制造业的新时代。”　　德州仪器三年前在此地破土动工，该工厂每天能够生产超过一亿枚半导体。全部完工后，近150万平方英尺的生产空间将于今年晚些时候开始出货芯片。　　据了解，德州仪器于2022年宣布启动建造这一巨型12英寸晶圆制造厂。此项目投资约300亿美元，计划建造四座工厂以满足长期的市场需求。这些新工厂每天将制造数千万颗模拟和嵌入式处理芯片，广泛地应用于全球市场的各类电子产品领域。　　当时消息称，首座晶圆制造厂预计最早于2025年投产。计划将投入300亿美元建设多达4个紧邻的晶圆制造厂(SM1、SM2、SM3、SM4)，用于支持客户未来几十年的需求。
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发布时间：2025-05-21 16:12 阅读量：498 继续阅读>>
十大<span style='color:red'>晶圆</span>代工排名！
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十大晶圆代工排名！

　　9月3日消息，据TrendForce 集邦咨询报告，全球前十大晶圆代工企业 2024Q2 产值环比增长 9.6%，整体达 319.62 亿美元。　　二季度营收环比增长的主要动力来自客户陆续启动消费性零部件备货或库存回补，推动晶圆代工厂接获急单，产能利用率较 2024 年一季度显著提升。而这背后是中国 618 购物季与消费性终端库存水位回归的双重影响。　　此外 AI 服务器相关需求延续强劲也从另一个角度对十大晶圆代工企业的业绩提供了支撑。　　全球前十大晶圆代工企业的名单并未在 2024 年 2 季度发生变化。不过 VIS 世界先进得益于 DDI 急单和 PMIC 客户增加，营收环比增幅达 11.6%，排名超越力积电与合肥晶合升至第八。　　对于曾在 2023 年三季度跻身本份榜单的英特尔代工，TrendForce 集邦咨询表示该业务虽然营收规模不小，但 98%~99% 订单来自内部，按外部客户计未达全球前十。　　TrendForce 集邦咨询表示三季度是传统备货旺季且 AI HPC 订单仍在高速成长，预计 2024 年三季度代工产能利用率将进一步提升，全球前十大晶圆代工企业有望实现与二季度相同水平的产值环比增长。
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发布时间：2024-09-03 15:00 阅读量：1152 继续阅读>>
台积电进入“<span style='color:red'>晶圆</span>代工2.0”，押注先进封测技术
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台积电进入“晶圆代工2.0”，押注先进封测技术

　　日前，台积电举办了2024年第二季度业绩的法说会。释出不少动态引发业界关注，除了高性能计算代工业务带动营收高速增长之外，更是首次提供晶圆代工2.0，借由更广泛的业务尤其是先进封测技术，以期推动台积电进入下一个业务扩张的阶段。　　晶圆代工2.0的机会　　在日前台积电2024年第二季度业绩的法说会上，台积电董事长兼总裁魏哲家提出了“晶圆代工2.0”概念。他指出，“晶圆代工2.0”不仅包括传统的晶圆制造，还涵盖了封装、测试、光罩制作等环节，以及IDM(不包括存储芯片)。       台积电财务长黄仁昭进一步解释称，“晶圆制造2.0”的提出是为了适应IDM厂商介入代工市场的趋势，晶圆代工的界线逐渐模糊，因此扩大了定义。但台积电将专注于最先进后段封测技术，以帮助客户制造前瞻性产品。       若按照“晶圆代工2.0”定义来算，台积电表示2023 年晶圆制造产值接近2500亿美元，旧定义为1150 亿美元左右。而台积电2023年晶圆代工业务市占率只有28%。但台积电在2023年已经拿下全球芯片代工市场55%的份额，‌稳居全球第一。也就是说，按“晶圆代工2.0”定义，市场规模扩大了一倍。此外，在新定义下，预计2024年晶圆代工产业规模将继续增长10%。这么大的市场容量为台积电的营收成长扩充了非常多的空间。　　Q2营收同比增长32.8%，7nm及以下营收占67%　　截至2024年6月30日台积电第二季度营收为 6735.1 亿元新台币，净利润为2478.5亿元新台币。与去年同期相比，台积电第二季度营收增长 40.1%，净利润和摊薄每股收益均增长 36.3%。与2024 年第一季度相比，第二季度营收增长 13.6%，净利润增长 9.9%。       以美元计算，第二季度营收为208.2亿美元，同比增长 32.8%，环比增长 10.3%。公告显示，台积电第二季度毛利率为53.2%，营业利润率为 42.5%，净利润率为 36.8%。       按制程来看，2024年第二季度，5nm营收占总收入的35%，为最大份额，3nm占15%，7nm 占17%。7nm及以下先进制程技术营收的总占比为67%。二季度3nm营收较一季度增长显著。       从应用平台营收来看，第二季度高性能计算(HPC)营收占比达52%，智能手机占比达33%，IOT仅6%，汽车仅5%，高性能计算的营收环比增长28%，DCE环比增长20%，IOT、汽车和其他业务均有小幅增长，仅有智能手机营收环比下降1%。       对于2024年第三季度的业务预期，台积电管理层希望收入在224亿至232亿美元之间(第二季度营收为208.2亿美元)，毛利率将在53.5%至55.5%之间，营业利润率将在42.5%至44.5%之间。      资本支出方面，2024年资本支出小幅上调，从280 亿美元至300亿美元调整为300亿美元至320亿美元。台积电表示资本支出是根据客户需求来投入，看好AI的长期需求增长。今年资本支出约70%~80% 用在先进制程技术，10%~20% 用在特殊制程技术，10% 用在先进封装测试和掩模生产等。       台积电预期2nm流片数量早期会高于3nm、5nm，器件性能提升达到25~30%，芯片密度提升15%以上。推出N2P制程进一步优化能效，支持HPC、手机应用，N2P预计2026年H2量产。推出下一代技术 SPR(super power rail)，最佳的背板供电方案，保持密度和灵活性。与N2相比，相同功率性能提升10%，密度提升10%以上，在复杂信号场景有很大价值。　　CoWoS的产能改善以及 FOPLP封装预期　　受益于AI相关的先进封装需求旺盛，包括英伟达H100、A100、AMD MI300等芯片都在使用台积电的CoWoS先进封装技术，CoWoS(Chip on Wafer onSubstrate)产能供不应求。魏哲家表示，当前产能很难满足客户需求，原先预计今年产能翻倍，但现在不止翻倍，甚至到明年估计也会翻倍不止。       至于CoWoS-S迁移到CoWoS-L/R等工艺版本，魏哲家表示这些都是基于客户的需求，即便同样的客户对不同产品也有不同的技术要求。台积电的CoWoS产能翻倍是不同版本加起来。同时，也需要和所有合作伙伴进行合作来支持客户，例如不同版本的CoWoS需要不同的tool set，即使一些tool可以被所有版本使用，但不同版本还是会有不同需求。       此外，过去先进封装的毛利率比台积电的平均毛利低一些，但现在已经开始接近，主要是因为规模效应、成本减少。而毛利率是不断增长的。       当前在业内FOPLP有望以更低成本、更大灵活性等优势成为先进封装的后起之秀。对于这一工艺，魏哲家表示台积电正推进扇出式面板级封装(FOPLP)工艺，目前已经成立了专门的研发团队和生产线，只是目前仍处于起步阶段，相关成果可能会在3年内问世。魏哲家还表示未来英伟达和AMD等HPC客户可能会采用下一代先进封装技术，用玻璃基板取代现有材料。　　为AI刺激换机需求做准备等　　在台积电第二季度财报发布前夕，一条有关特朗普提及半导体芯片产业以及台湾地区的访谈报道引发广泛关注。特朗普认为，由于美国全部的芯片业务“被抢夺”，且没有得到任何好处，台湾方面应当向其支付“防务费用”。受此影响，7月17日，台积电股价一度出现大跌。       而在法说会上，魏哲家也对此做出回应，他说，到现在为止，我们没有修改任何海外扩产计划，我们会继续在Arizona和日本扩产，未来可能在欧洲也会扩产。如果有关税提升，客户需要负责。       在AI PC、AI手机的推动下，客户都希望在端侧加入AI，增加die size。魏哲家表示，增加的幅度不同客户有所不同，总体来看10%的增长较为常见。我们期待AI功能将刺激换机周期的缩短，可能2年后会看到爆发，为此我们从现在到2026年都在努力扩产支持。       魏哲家还说到，我们的客户进入N2、A16，需要采用Chiplet方案以及先进封装。所有客户都希望迁移到更好能效的制程，降低功耗，尤其是HPC客户。未来几年我们都将努力支持这样的需求。
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发布时间：2024-07-23 09:24 阅读量：951 继续阅读>>
<span style='color:red'>晶圆</span>抛光都有哪些方法？
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晶圆抛光都有哪些方法？

　　晶圆的最终命运是被切成一枚枚芯片(die)，封装在暗无天日的小盒子里，只露出几枚引脚，芯片会看阈值，阻值，电流值，电压值，就是没人看它的颜值，我们在制程中，反复给晶圆打磨抛光，还是为了满足生产中的平坦化需要，尤其是在每次做光刻时，晶圆的表面一定要极致的平坦，这是因为随着芯片制程的缩小，光刻机的镜头要实现纳米级的成像分辨率，就得拼命增大镜片的数值孔径(Numerical Aperture)，但这同时会导致焦深(DoF)的下降，焦深是指光学成像的聚焦深度，要想保证光刻图像清晰不失焦，晶圆表面的高低起伏，就必须落在焦深范围之内。简单说就是光刻机为了提高成像精度，牺牲了对焦能力，像新一代的EUV光刻机，数值孔径0.55，但垂直方向上的焦深，总共只有45纳米，光刻时的最佳成像区间则会更小。假如放上去的晶圆不够平坦，厚度不平均，表面有起伏，就会导致高低处的光刻出问题。　　当然也不只有光刻才会要求晶圆表面的丝滑，还有很多造芯片的工序，都需要打磨晶圆，湿法刻蚀后要打磨，紧致腐蚀的粗糙面，方便涂胶沉积，浅槽隔离(STI)后要打磨，磨平多余的氧化硅完成沟槽填充，金属沉积后要打磨，去除溢出的金属层，防止器件短路。因此一枚芯片的诞生，中间要经历很多次打磨来降低晶圆的粗糙度和高低起伏，去除表面多余的物质，另外晶圆上各种工艺问题，导致的表面缺陷(defect)，经常也要等到每次打磨完成后，才会暴露出来，所以负责研磨的工程师责任重大，他们既是芯片制程中承上启下的C位，也是生产会议中接盘背锅的T位，他们既要会湿法刻蚀，又得懂物理输出，因为芯片厂最主要的抛光技术。晶圆的抛光方法有哪些?　　抛光工艺根据抛光液和硅片表面间的作用在原理上可分为以下3大类｡机械抛光法机械抛光是靠切削、材料表面塑性变形去掉被抛光后的凸部而得到平滑面的抛光方法，一般使用油石条、羊毛轮、砂纸等，以手工操作为主，特殊零件如回转体表面，可使用转台等辅助工具，表面质量要求高的可采用超精研抛的方法。超精研抛是采用特制的磨具，在含有磨料的研抛液中，紧压在工件被加工表面上，作高速旋转运动。利用该技术可以达到Ra0.008μm的表面粗糙度，是各种抛光方法中高的。光学镜片模具常采用这种方法。2.化学抛光法化学抛光是让材料在化学介质中表面微观凸出的部分较凹部分优先溶解，从而得到平滑面。这种方法的主要优点是不需复杂设备，可以抛光形状复杂的工件，可以同时抛光很多工件，效率高。化学抛光的核心问题是抛光液的配制。化学抛光得到的表面粗糙度一般为数10μm。3.化学机械抛光法(CMP)前两种抛光法都有自己独特的优点，若将这两种方法结合起来，则可在工艺上达到优缺互补的效果。化学机械抛光采用将机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺，在CMP工作过程中，CMP用的抛光液中的化学试剂将使被抛光基底材料氧化，生成一层较软的氧化膜层，然后再通过机械摩擦作用去除氧化膜层，这样通过反复的氧化成膜-机械去除过程，从而达到了有效抛光的目的。　　当前化学机械抛光(CMP)领域面临一些挑战和问题，这些问题包括技术性、经济性和环境可持续性等方面：　　(1)工艺一致性：实现CMP过程的高度一致性仍然是一个挑战。即使在同一生产线上，不同批次之间或不同设备之间的工艺参数可能存在微小差异，影响最终产品的一致性。(2)新材料适应性:随着新材料的不断涌现，CMP技术需要不断适应新材料的特性。一些先进材料可能对传统CMP工艺不够兼容，需要开发适应性更强的抛光液和磨料。(3)尺寸效应：随着半导体器件尺寸的不断缩小，尺寸效应带来的问题变得更为显著。在微小尺寸下，表面平整度的要求更高，因此需要更精密的CMP工艺。(4)材料去除率控制：在一些应用中，对不同材料的精确去除率控制变得尤为关键。确保不同层材料在CMP过程中的去除率一致性对于制造高性能器件至关重要。(5)环境友好:CMP过程中使用的抛光液体和磨料可能包含一些环境有害的成分。研究和开发更环保、可持续的CMP工艺和材料是一个重要的挑战。(6)智能化与自动化:CMP系统的智能化和自动化程度逐渐提高，但仍需应对复杂多变的生产环境。如何实现更高程度的自动化和智能监测，以提高生产效率，是一个需要解决的问题。(7)成本控制：CMP工艺涉及到高昂的设备和材料成本。制造商需要在提高工艺性能的同时，努力降低生产成本，以保持市场竞争力。
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发布时间：2024-05-27 16:23 阅读量：1442 继续阅读>>
东芝12寸<span style='color:red'>晶圆</span>工厂竣工！
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东芝12寸晶圆工厂竣工！

　　5月26日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)近日在其位于日本石川县的主要分立半导体生产基地—加贺东芝电子株式会社(Kaga Toshiba Electronics Corporation)举行仪式，庆祝新的300mm功率半导体晶圆制造工厂和办公楼竣工。　　建设的完成是东芝多年投资计划第一阶段的一个重要里程碑。东芝目前将进行设备安装，争取在2024财年下半年开始量产。　　一旦一期工程全面投产，东芝功率半导体(主要是MOSFET和IGBT)的产能将是2021财年制定投资计划时的2.5倍。关于二期建设和开始运营的决定将反映市场趋势。　　新的制造大楼遵循东芝的业务连续性计划(BCP)，并将为东芝的业务连续性计划(BCP)做出重大贡献：它具有吸收地震冲击的隔震结构和冗余电源。　　来自可再生能源和建筑物屋顶太阳能电池板的能源(现场PPA模式)将使该设施能够通过可再生能源满足100%的电力需求。　　人工智能(AI)的使用将提高产品质量和生产效率。东芝还将获得日本经济产业省的拨款，以补贴其部分制造设备的投资。　　功率半导体在电力供应和控制中发挥着至关重要的作用，是电气设备提高能源效率的重要器件。随着汽车的持续电气化和工业机械的自动化，需求将持续强劲增长。　　东芝于2022财年下半年在加贺东芝电子现有工厂开始在一条新的300毫米晶圆生产线上开始功率半导体生产。展望未来，该公司将通过新工厂扩大产能，进一步为碳中和做出贡献。
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发布时间：2024-05-27 15:22 阅读量：1054 继续阅读>>
罗姆集团旗下的SiCrystal与意法半导体扩大SiC<span style='color:red'>晶圆</span>供应合同
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罗姆集团旗下的SiCrystal与意法半导体扩大SiC晶圆供应合同

　　全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)和为各种电子设备提供半导体的全球著名半导体制造商意法半导体(以下简称“ST”)宣布，罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH(以下简称“SiCrystal”)将扩大目前已持续多年的150mm SiC晶圆长期供应合同。　　扩大后的合同约定未来数年向意法半导体供应在德国纽伦堡生产的SiC晶圆，预计合同期间的交易额将超过2.3亿美元。　　ST执行副总裁兼首席采购官 Geoff West表示：“通过扩大与SiCrystal的SiC晶圆长期供应合同，我们得以确保150mm SiC晶圆的新增需求量。这将有助于扩大相应产品的产能，确保向全球汽车和工业设备领域客户供货。另外，很好地保持各地区的内部产能和外部产能的平衡，将有助于提升供应链的弹性，促进未来的长效发展。”　　罗姆集团SiCrystal总裁兼CEO Robert Eckstein(博士)表示：“SiCrystal是SiC的领军企业罗姆集团旗下的公司，具有多年的SiC晶圆生产经验。我们很高兴能够与我们的老客户ST扩大了这项供应合同。未来，我们将通过继续增加150mm SiC晶圆的供应量并始终提供高可靠性的产品，来支持我们的合作伙伴扩大SiC业务。”　　SiC功率半导体以其出色的能效著称，能够以更可持续的方式促进汽车和工业设备的电子化发展。通过促进高效的能源发电、分配和存储，在向更清洁的出行解决方案和废物排放更少的工业工艺转型过程中，SiC可提供强有力的支持。同样，还有助于为AI应用的数据中心等资源密集型基础设施提供更可靠的电力供应。　　关于ST　　ST是一家拥有5万余名员工、并拥有完善的供应链和先进制造设备的全球综合半导体制造商。目前已与超过20万家客户和数千家合作伙伴企业开展合作，致力于通过开发半导体解决方案和构建生态系统，为客户的业务发展和可持续发展社会添砖加瓦。ST的技术可实现智能出行、高效的电源与能源管理、以及云连接自主化设备的普及。此外，ST还致力于到2027年实现碳中和(范围1、2 、3的一部分)。如欲进一步了解详情，请访问ST的官网(http://www.st.com)。　　关于SiCrystal　　罗姆集团旗下的SiCrystal公司是单晶碳化硅(SiC)晶圆的全球市场领导者。在电动汽车、快速充电站、可再生能源以及工业应用等众多领域中，SiCrystal的高级半导体PCB是用来提高功率转换效率的基石。如欲进一步了解详情，请访问SiCrystal的官网(https://www.sicrystal.de/)
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发布时间：2024-04-23 16:08 阅读量：1069 继续阅读>>

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