<span style='color:red'>场效应管</span>导通电阻越小越好吗
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场效应管导通电阻越小越好吗

　　场效应管广泛应用于电子电路中的开关和放大器件，其性能的一个重要参数就是导通电阻。导通电阻是指场效应管在开通状态下，漏极与源极之间的电阻值。很多设计者会认为导通电阻越小越好，但事实是否如此呢?　　一、场效应管导通电阻的意义　　导通电阻决定了MOSFET在开通时的电流通过阻力。导通电阻越小，MOSFET的功耗越低，发热越少，效率越高。这对于电源管理、开关电源和电机驱动等应用来说非常重要。　　具体表现为：　　降低导通损耗，提升能效;　　减小发热，提升器件和系统的可靠性;　　允许更大电流通过，满足高功率需求。　　因此，在许多高效能设计中，低导通电阻是重要目标。　　二、导通电阻越小真的越好吗?　　虽然导通电阻低具有明显优势，但导通电阻越小并不总是绝对越好，原因主要包括以下几个方面：　　1. 芯片面积与成本增加　　要实现更低的导通电阻，需要增加MOSFET的芯片面积，因为导通电阻与晶体管的有效通道宽度成反比。更大的芯片面积意味着更高的制造成本和更大的封装尺寸。　　2. 门极电荷增加，开关速度变慢　　导通电阻降低通常伴随着栅极总电荷(Q_g)的增加。这会使得开关时栅极驱动电流变大，增加开关损耗并降低开关速度，在高频开关电源和高速电路中尤其显著。　　3. 寄生参数影响　　过小的导通电阻设计可能导致寄生电容、寄生电感等参数变化，影响电路性能及系统稳定性。　　4. 应用环境限制　　在某些低功率或非苛刻条件下，过分追求极低导通电阻没有必要，反而增加设计复杂度和成本。　　三、实际设计中的权衡与选择　　在选择MOSFET时，导通电阻是关键指标，但应综合考虑以下方面：　　应用场景：高电流或高效率情境下，低导通电阻更重要;低功率应用则可适当宽松。　　开关频率：高频率应用需兼顾驱动能力和开关损耗，过低导通电阻带来的门极电荷增加需谨慎评估。　　成本与尺寸：预算和空间限制影响允许的芯片面积。　　热管理能力：导通电阻较大时需加强散热设计。　　通过合理权衡，才能选出性能、成本和可靠性均衡的MOSFET器件。　　场效应管导通电阻虽然是衡量其性能的重要指标之一，但导通电阻“越小越好”并非绝对真理。低导通电阻能够降低功耗和提升效率，但也会带来芯片成本增加、开关损耗加大等问题。
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发布时间：2025-09-12 17:03 阅读量：328 继续阅读>>
MOS<span style='color:red'>场效应管</span>的分类、结构以及原理
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MOS场效应管的分类、结构以及原理

　　场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管，是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应管的结构来划分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。　　1.结型场效应管　　(1) 结型场效应管结构　　它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。　　(2) 结型场效应管工作原理　　以N沟道为例说明其工作原理。　　当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。当VGS《0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏源间的沟道将变窄，ID将减小，VGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS (off)。　　(3)结型场效应管特性曲线　　结型场效应管的特性曲线有两条，　　一是输出特性曲线(ID=f(VDS)| VGS=常量)，　　二是转移特性曲线(ID=f(VGS)|VDS =常量)。　　N沟道结型场效应管的特性曲线　　2. 绝缘栅场效应三极管的工作原理　　绝缘栅场效应三极管分为：　　耗尽型→N沟道、P沟道　　增强型→N沟道、P沟道　　(1)N沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构　　它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当VGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当VGS》0时，将使ID进一步增加。VGS《0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS (off)表示，有时也用VP表示。　　(2)N沟道增强型绝缘栅场效应管结构　　N沟道增强型绝缘栅场效应管，结构与耗尽型类似。但当VGS=0 V时，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。当栅极加有电压时，若VGS》VGS (th)时，形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS》VGS (th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。　　VGS(th)——开启电压或阀电压;　　(3)P沟道增强型和耗尽型MOSFET　　P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。
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发布时间：2025-08-12 11:22 阅读量：517 继续阅读>>
江西萨瑞微独家研发一种LDMOS<span style='color:red'>场效应管</span>及其制备方法
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江西萨瑞微独家研发一种LDMOS场效应管及其制备方法

　　江西萨瑞微独家研发一种LDMOS场效应管及其制备方法。　　本发明涉及半导体器件设计领域，具体涉及一种LDMOS场效应管及其制备方法。　　在当前半导体行业竞争日趋激烈的背景下，LDMOS场效应管因其在高压应用中的优越性能而受到广泛关注。本文将深入剖析一种LDMOS场效应管及其制备方法，旨在为半导体领域的专业人士和爱好者提供前沿的技术动态和实践指导。　　01 背景技术　　LDMOS场效应管，即横向扩散金属氧化物半导体器件。随着对击穿电压要求的提高，对LDMOS场效应管中场板要求也高。　　现有的LDMOS场效应管，由于结构限制，场氧化层与浅氧化层的交界位置氧含量较低，导致生长速度慢，即降低了LDMOS器件的耐压水平。　　目前，对该击穿点的优化通常是将场氧化层与浅氧化层共同形成的场板面积增大，提升场效应管的整体耐压水平，此举直接影响是场效应管的面积对应增加。这种改进，并未从根本上优化该击穿点。　　02 发明内容　　针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种LDMOS场效应管及其制备方法，方法步骤包括：　　1、提供半导体衬底，对半导体衬底进行刻蚀以得到若干个沟槽区。　　2、在沟槽区内形成介质层，使介质层覆盖于沟槽区的底面与侧壁。　　3、对沟槽区内的介质层进行离子注入。注入成分包括碳离子与氢离子。　　4、对离子改性层刻蚀，随着深度增加，该离子改性层的厚度递增，且顶部齐平于半导体衬底的表面。　　5、采用热氧化工艺，按照第一热氧化条件，在沟槽区内的离子改性层之上形成浅氧化层，使浅氧化层的顶面低于介质层的顶面。　　6、采用热氧化工艺，按照第二热氧化条件，在半导体衬底与浅氧化层之上沉积场氧化层，使场氧化层于沟槽区内的底面低于介质层的顶面，形成LDMOS场效应管的场板。　　7、其中，第一热氧化条件与第二热氧化条件均包括温度条件、氧含量条件与氧流速条件。　　有益效果　　实现对LDMOS纵向耗尽的调节，进而提升LDMOS场效应管的BV水平。浅氧化层与场氧化层交界的附近位置并非尖角，能够有效的优化浅氧化层与场氧化层之间的薄弱击穿点，不再需要将场板加大，也就不需要被动的增加芯片面积，提升了LDMOS场效应管的耐压水平。　　实验结果分析　　在本发明中，通过降低介质层的倾斜角度，在其它参数不变的情况下，LDMOS场效应管的BV值具有一定的提升，而在介质层的倾斜角度相同、第一氧流速与第二氧流速更大的情况下，LDMOS场效应管的BV值更大;相反的，对比例中由于场氧化层与介质层无接触，即使在制备参数不变的情况下，其BV值也略有下降。　　03 结论　　综上，在本发明所示的LDMOS场效应管的制备过程中，通过降低介质层的倾斜角度，以及提升浅氧化层、场氧化层制备过程中的温度与氧流速，能够有效提升LDMOS场效应管的器件耐压。
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发布时间：2025-08-01 14:01 阅读量：407 继续阅读>>
一文了解<span style='color:red'>场效应管</span>的结构及工作原理、用途
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一文了解场效应管的结构及工作原理、用途

　　场效应管(简称FET)是一种重要的半导体器件，在电子电路中起到开关和放大作用。　　一、什么是场效应管?　　场效应管是一种通过控制电场来调节导电导通状态的半导体器件。它的主要特点是输入阻抗高、控制功率小、开关速度快，因此被广泛应用于各种电子设备中。　　二、场效应管的结构　　场效应管由三部分组成：　　源极(Source)：电子通过的输入端，类似于“水管”的入口。　　漏极(Drain)：电子流出的端口，类似于“水管”的出口。　　栅极(Gate)：控制电极，用于调节导通的大小。　　通常，场效应管还包括一个半导体衬底，为了控制导通状态，栅极与源极或衬底之间会形成一个电场。　　三、工作原理　　场效应管的工作原理是利用栅极电压产生的电场来调节半导体通道的导电性：　　当给栅极施加适当电压时，会在半导体材料中形成或破坏导电通道。　　例如，在N沟道MOSFET中，正栅电压会在沟道区形成电子通道，从而导通;　　反之，负栅电压会阻断电子流，关闭器件。　　工作状态可以看作是“开”与“关”的变化，实现对电路中电流的控制。　　四、场效应管的类型　　JFET(结型场效应管)：通过PN结控制导通。　　MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)：通过金属氧化物绝缘层控制，具有更高的输入阻抗，使用最广泛。　　五、用途与应用　　场效应管因其优异的性能，被广泛应用于：　　开关电源：用作快速开关器件，提高效率。　　放大电路：用于模拟信号放大，例如音频放大器。　　数字电路：构建CMOS逻辑电路，是现代集成电路的基础。　　功率电子：在变频器、电机控制等高功率场合中发挥作用。　　信号调节：在传感器、检测电路中实现精细调控。　　总结来说，场效应管是一种以电场控制导通状态的半导体器件，具有高输入阻抗、工作速度快、能耗低的特点。了解其结构和工作原理，有助于更好地设计和应用电子电路。
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发布时间：2025-07-24 15:03 阅读量：583 继续阅读>>
YFW佑风微MOS<span style='color:red'>场效应管</span>在车充上应用
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YFW佑风微MOS场效应管在车充上应用

　　车充就是车载充电器，是指常规通过汽车电瓶供电的车载充电器，大量使用在各种便携式、手持式设备的锂电池充电领域。　　车载充电器是为了方便车主用车载车充电源随时随地为数码产品充电的配件。部分高端车载充电器一般包括2个USB接口，可同时为两台数码产品充电。这类产品一般具有过载保护，短路保护，高压输入保护，高温保护，四重安全保护功能，确保能安全使用。车载充电器在车用的同时，也能家用，实现车充、直充、USB充三合一多功能用途。车载充电器是为了方便用车载电源随时随地为数码产品充电的配件，为您节省电池的开销。这类产品一般具有过载保护，短路保护，高压输入保护，高温保护，四重安全保护功能，确保您能安全使用。　　YFW佑风微MOS管在车充上应用，主要应用型号有：　　1》YFW40P03DF 单P沟道、DFN3X3-8封装 -30V-40A内阻11mΩ　　对应型号：AOS万代型号AON7405/AONR21357/7403/AONR21305C、意法半导体STL9P3LLH6、PANJIT/强茂型号PJQ4403P ，　　应用场景：电子烟 无线充 车充 控制器 数码产品 小家电 消费类电子。　　2》YFW3424 单N沟道、SOT-23N封装，20V4.4A内阻50mΩ，　　对应型号：AOS万代型号AO3494、威世型号Si2377EDS、安世型号PMV50XP，　　应用场景：数码产品 小家电 消费类电子。　　3》YFW4406 单N沟道、SOP-8封装，30V12A内阻9.5mΩ　　对应型号AOS万代型号AO4406A/AO4306/AO4404B/AO4466/AO4566、ON/安森美型号NTMS4801N、INFINEON/英飞凌型号Si4178DY，　　应用场景：电子烟 无线充 电机 无人机 医疗 车充 控制器 数码产品 小家电 消费类电子。　　4》YFW10G03S N+P沟道、SOP-8封装，30V12A内阻12mΩ/-30V-9.8A内阻25mΩ　　对应型号：AOS万代型号AO4620/AO4924/AO4627/AO4629/AO461、安森美型号FDS8858CZ、PANJIT/强茂PJL9606 ;　　应用场景：电子烟 无线充 电机 无人机 医疗 车充 控制器 数码产品 小家电 消费类电子。　　5》YFW2305 单P沟道、SOT-23封装， -20V-4.4A内阻50mΩ，　　对应型号：AOS万代型号AO3413/3415A/3415A/3419/3423/3435/3493/3495/3499/21115C、安森美型号CPH3356、Nxperian/安世型号PMV65XP/PMV100XPEA　　应用场景：电子烟 数码产品 小家电 消费类电子。
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发布时间：2025-03-31 14:52 阅读量：613 继续阅读>>
mos管和运算放大器的区别 <span style='color:red'>场效应管</span>和mos管的区别
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mos管和运算放大器的区别 场效应管和mos管的区别

　　综mos管和运算放大器是电子领域中常见的两种器件。mos管是一种场效应管类型，被广泛应用于数字和模拟电路中，具有高输入阻抗和低输出阻抗。而运算放大器是一种有源器件，用于信号放大和运算电路中，具有非常高的开环增益和多种功能。场效应管是一个更大的概念，包含了多种类型的管子，如JFET和IGBT等。mos管是场效应管的一种，以金属-氧化物-半导体结构为基础，具有更好的控制性能和应用灵活性。　　一、mos管和运算放大器的区别　　mos管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)和运算放大器(Operational Amplifier)是电子领域中常见的两种器件。尽管它们在电路中扮演不同的角色，但有时可能会引起混淆。下面将详细介绍mos管和运算放大器之间的区别。　　1、 mos管　　mos管是一种半导体器件，也被称为场效应管(Field-Effect Transistor，FET)。它由源极、漏极和栅极组成，并通过在栅极上加上适当的电压来控制漏极与源极之间的电流。mos管存在两种主要类型：MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)和CMOS(互补金属-氧化物-半导体)。　　mos管广泛应用于数字和模拟电路中。它们具有高输入阻抗、低输出阻抗和快速开关特性，可实现强大的放大、开关和驱动功能。mos管的工作原理基于对沟道中的电荷进行控制，通过调节栅极电压来调整沟道的导电性。　　2、运算放大器　　运算放大器是一种有源器件，通常用于信号放大和运算电路中。它由多个晶体管和被动元件组成，具有一个非常高的开环增益。运算放大器通常被设计为差分放大器，具有两个输入端(正向输入和反向输入)和一个输出端。　　运算放大器可以根据不同的电路连接方式实现各种功能，如比较、滤波、积分、微分和放大等。它们广泛应用于模拟电路、信号处理、控制系统和通信系统等领域。　　二、场效应管和mos管的区别　　虽然mos管是场效应管的一种类型，但它们之间存在一些差异。下面将详细介绍场效应管和mos管之间的区别。　　1、结构　　场效应管：场效应管是一类半导体器件，包括了mos管。除了mos管外，场效应管还包括JFET(结型场效应管)和IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等。　　mos管：mos管是场效应管的一种类型，是最常见和广泛使用的场效应管。它由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体通道组成。　　2、工作原理　　场效应管：场效应管的工作原理基于沟道中的电荷控制。通过调节栅极电压，可以改变沟道中的电荷密度，从而改变沟道的导电性。　　mos管：mos管是一种以金属-氧化物-半导体结构为基础的场效应管。它利用氧化物绝缘层来隔离栅极和沟道之间的电荷，从而实现更好的控制。　　三、应用领域　　场效应管：JFET广泛应用于高频放大器、开关和稳压器等领域。　　mos管：mos管是最常见的场效应管类型，广泛应用于数字和模拟电路中。它们在逻辑门、存储器、微处理器和功率放大器等领域发挥着重要作用。　　1、特性和优势　　场效应管：场效应管具有高输入阻抗、低输出阻抗和较低的噪声水平。JFET在低频应用中表现出色，并且具有较高的增益和较低的失真。　　mos管：mos管具有高度集成、低功耗和快速开关特性。CMOS技术结合了N型MOS和P型MOS管道，提供了更低的功耗和更高的集成度。　　理解mos管和运算放大器之间的区别对于正确选择和使用电子器件至关重要。根据具体的应用需求和电路设计，我们可以选择适合的器件来实现所需的功能和性能。
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发布时间：2023-10-09 09:53 阅读量：2244 继续阅读>>
<span style='color:red'>场效应管</span>的工作原理是什么
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场效应管的工作原理是什么

　　场效应管不但具有双极性晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且输入回路的内阻高达107~1012Ω，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，且比后者耗电省，这些优点使之从20世纪60年代诞生起就广泛地应用于各种电子电路之中。　　场效应管的工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。      更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。　　在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS（off），此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。　　场效应管的作用　　1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。　　2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。　　3、场效应管可以用作可变电阻。　　4、场效应管可以方便地用作恒流源。　　5、场效应管可以用作电子开关。
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发布时间：2022-12-26 17:06 阅读量：2948 继续阅读>>
<span style='color:red'>场效应管</span>和晶闸管的区别
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场效应管和晶闸管的区别

　　场效应管和晶闸管都是电子电路中常用的开关型器件，但是两者存在本质的区别，今天Ameya360电子元器件采购网将给大家进行介绍。场效应管包括结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管MOSFET。而晶闸管一般是指可控硅，可控硅按照导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。　　一、什么是场效应管　　这里主要介绍MOSFET。MOSFET有三个电极，分别为栅极G、源极S和漏极D，其中栅极G为控制端，源极S和漏极D为输出端。从半导体的构成方面可以分为NMOS和PMOS。　　PMOS的衬底为N型半导体，在VGS《0时，会形成P沟道，所以叫做P沟道MOS；而NMOS的衬底为P型半导体，在VGS》0时，会形成N沟道，所以叫做N沟道MOS。　　MOS管是电压驱动型的器件，主要用作可控整流、功率开关、信号放大等，应用比较广泛。MOS管的通道依靠VGS的电平，对于NMOS而言，VGS 》0时，NMOS导通，否则NMOS截止；对于PMOS而言，VGS《0，PMOS导通，否则截止。　　二、晶闸管是什么　　晶闸管又称可控硅，其与场效应管一样，皆为半导体器件，它们的外形封装也基本一样，但它们在电路中的用途却不一样。　　晶闸管可分为单向晶闸管和双向晶闸管两种。它们在电子电路中可以作为电子开关使用，用来控制负载的通断；可以用来调节交流电压，从而实现调光、调速、调温。另外，单向晶闸管还可以用于整流。　　晶闸管在日常中用的很广，像家里用的声控灯，一般采用BT169、MCR100-6这类小功率单向晶闸管作为电子开关驱动灯泡工作。在白炽灯泡无级调光或电风扇无级调速电路中，常用BT136这类大功率的双向晶闸管来实现调光或调速。　　场效应管属于单极型半导体器件，其可以分为结型场效应管和MOS场效应管两种，每种类型的场效应管又有P沟道和N沟道之分。场效应管在电子电路中既可以作为放大器件用来放大信号，又可以作为开关器件用来控制负载的通断，故场效应管的用途比晶闸管更广一些。　　在功放电路中，采用VMOS场效应管作为功率放大元件，可以提高音质；在开关电路中，驱动电机等大电流负载时，选用MOS场效应管作为电子开关，可以减轻前级驱动电路的负担（若选用晶闸管的话，需要从前级电路汲取较大的驱动电流）。　　综上，场效应管和晶闸管的区别就是：场效应管既可以放大信号，亦可以作为高速电子开关控制负载的通断，同时还可以实现调速、调光、调温等功能，而晶闸管不能用来构成放大器放大信号，用作电子开关时，工作频率也不及场效应管高，只能用于低速控制。
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发布时间：2022-09-19 14:20 阅读量：3108 继续阅读>>
<span style='color:red'>场效应管</span>的特点及使用注意事项
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场效应管的特点及使用注意事项

场效应管（MOSFET）是电子产品的基本模块之一，也是制造最为频繁的元件。场效应管是数字和模拟集成电路中占主导作用的元件，也是常见的功率器件。由于具有输入阻抗非常高（可达l09～lO15Ω）、噪声低、动态变化范围大和温度系数小，且为电压控制元件等优点，因此应用也较为广泛。场效应管的特点及使用注意事项有哪些？下面ameya360电子元器件采购网为您详细介绍！场效应管有以下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。场效应管的注意事项：（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。（3）MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。（5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。（6）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。（7）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。（8）结型场效应管的栅源电压不能接反，可以在开路状态下保存，而绝缘栅型场效应管在不使用时，由于它的输入电阻非常高，须将各电极短路，以免外电场作用而使管子损坏。（9）焊接时，电烙铁外壳必须装有外接地线，以防止由于电烙铁带电而损坏管子。对于少量焊接，也可以将电烙铁烧热后拔下插头或切断电源后焊接。特别在焊接绝缘栅场效应管时，要按源极－漏极－栅极的先后顺序焊接，并且要断电焊接。（10）用25W电烙铁焊接时应迅速，若用45～75W电烙铁焊接，应用镊子夹住管脚根部以帮助散热。结型场效应管可用表电阻档定性地检查管子的质量（检查各PN结的正反向电阻及漏源之间的电阻值），而绝缘栅场效管不能用万用表检查，必须用测试仪，而且要在接入测试仪后才能去掉各电极短路线。取下时，则应先短路再取下，关键在于避免栅极悬空。在要求输入阻抗较高的场合使用时，必须采取防潮措施，以免由于温度影响使场效应管的输入电阻降低。如果用四引线的场效应管，其衬底引线应接地。陶瓷封装的芝麻管有光敏特性，应注意避光使用。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。
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发布时间：2022-04-07 00:00 阅读量：2889 继续阅读>>
<span style='color:red'>场效应管</span>的选用注意事项
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场效应管的选用注意事项

场效应管是电压控制型，三极管是电流控制型。在只允许从信号源获取较小电流的情下，应选用场效应管;在信号电压较低，又允许从信号获取较大电流的情况下，应选用极管。场效应管输人电阻高，适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系数小，适用于保噪声放大器的前置级。(1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管子的耗散功率、最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。(2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接入电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压,P沟道管栅极不能加负偏压等。(3)MOS场效应管由于输入阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将 MOS场效应管放入塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管子的防潮。(4)为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时，先焊源极;在接人电路之前，管子的全部引线端保特互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管子时，应以适当的方式人体接地如采用接地环等;在未关断电源时，绝对不可以把管子插入电路或从电路中拔(5)安装场效管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸5mm处进行,以防止驾断管脚和引起漏气等。(6)使用MOS管时必须加合适的散热器。以NF306例,该管子加装140x1404(mm)的散热器后，最大功率才能达到30W。(7)多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加,使放大器的高频特性变坏，通过馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此,并联复合管一般不超过4个,而且在每管基杨或栅极上串接防寄生振荡电阻。8)结型场效应管的栅源电压不能接反，可以在开路状态下保存，而绝缘栅型场效应管在不使用时,由于它的输人电阻非常高,须将各电极短路,以免外电场作用而使管子损坏(9)焊接时，电烙铁外壳必须装有外接地线,以防止由于电烙铁带电而损坏管子。对于少量焊接，也可以将电烙铁烧热后拔下插头或切断电源后焊接。特别在焊接绝缘栅场效应管时,要按源极-漏极-栅极的先后顺序焊接,并且要断电焊接。(10)用25W电烙铁焊接时应迅速，若用45~75W电烙铁焊接，应用镊子夹住管脚根部以帮助散热。结型场效应管可用万用表电阻挡定性地检查管子的质量(检查各PN正反向电阻及漏源之间的电阻值)，而绝缘栅场效管不能用万用表检查，必须用测试仪且要在接入测试仪后才能去掉各电极短路线。取下时,则应先短路再取下，关键在于避免栅极悬空。在要求输人阻抗较高的场合使用时，必须采取防潮措施，以免由于温度影响使场效应管的输入电阻降低。如果用四引线的场效应管，其衬底引线应接地。陶瓷封装的芝麻管有光敏特性，应注意避光使用。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为，功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。
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发布时间：2022-04-02 00:00 阅读量：8521 继续阅读>>

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