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全球<span style='color:red'>半导体</span>芯片行业MCU名录

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全球半导体芯片行业MCU名录

　　今天Ameya360盘点全球半导体行业MCU板块名录。微控制单元MCU ，又称单片微型计算机(Single Chip Microcomputer )或者单片机。　　它是把中央处理器(Central Process Unit;CPU)的频率与规格做适当缩减，并将内存(memory)、计数器(Timer)、USB、A/D转换、UART、PLC、DMA等周边接口，甚至LCD驱动电路都整合在单一芯片上，形成芯片级的计算机，为不同的应用场合做不同组合控制。诸如手机、PC外围、遥控器，至汽车电子、工业上的步进马达、机器手臂的控制等，都可见到MCU的身影。

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发布时间：2022-12-30 14:38 阅读量：3047 继续阅读>>

意法<span style='color:red'>半导体</span>推出针对eCall、远程信息处理应用的音频功率放大器

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意法半导体推出针对eCall、远程信息处理应用的音频功率放大器

　　STMicroelectronics 最新的音频放大器设计用于 eCall、远程信息处理等汽车应用，以及音频通道需要以高达 10W 的标准输出功率水平再现人声、音乐或警告消息的任何地方。　　FDA803S和FDA903S是STMicroelectronics FDA（全数字放大器）系列中最新的单通道全差分10W D类音频功率放大器。它们设计用于eCall、远程信息处理等汽车应用，以及音频通道需要以高达10W的标准输出功率水平再现人声、音乐或警告消息的任何地方。　　这些放大器集成了 I 2S前端、数字内核、具有100dB分辨率的24位数模转换器(DAC)和D类PWM输出级。集成的数字音频处理确保在紧凑的电路占用空间内实现高音质。芯片内部反馈，在外部LC输出滤波器之前，简化了电路设计并节省了空间。　　凭借完整的 I 2C可配置性和运行中诊断（包括削波检测、热警告、过流保护和开路负载检测），这两款放大器最大限度地减少了外部组件和物料清单成本。FDA903S还集成了一个实时负载电流监控器，允许自诊断功能与高达ASIL A的功能安全应用的需求兼容。　　这两款器件均采用QFN32 5x5毫米外露焊盘向下封装，无需散热器即可实现紧凑且经济高效的全数字设计。元件数量少和无散热器的实施最大限度地减少了使用这些 IC 构建的功率放大器的体积。还受益于低静态电流，最大限度地减少尺寸、重量和功耗的机会有助于提高整体车辆能效。　　FDA803S和FDA903S具有 I 2S数字输入和时分多路复用(TDM)接口。它们可以配置为8kHz到96kHz之间的各种采样频率，以优化各种音频源的性能。从8kHz到32kHz的较低采样频率使设计人员能够在警告音发生器等应用中节省存储空间。　　EVAL-FDA903S评估板使设计人员能够快速启动基于任一设备的新音频项目。

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意法半导体

发布时间：2022-12-29 15:15 阅读量：3174 继续阅读>>

意法<span style='color:red'>半导体</span>推出三款6MHz轨到轨运算放大器

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意法半导体推出三款6MHz轨到轨运算放大器

　　意法半导体推出三款6MHz轨到轨运算放大器，参数全面，适用于工业和汽车应用。　　STMicroelectronics推出三款具有强大全面参数（包括宽工作电压范围和低噪声）的新型6MHz轨到轨器件，简化了设计人员对高性能运算放大器(op amps)的搜索。　　TSB511、TSB512和TSB514分别是单通道、双通道和四通道运算放大器。它们可以采用2.7V至36V的单电源供电，也可以采用±1.35V至±18V的双电源供电。这种宽电压范围和灵活性让工程师受益于在各种应用和不同电源域中应用熟悉的运算放大器类型。轨到轨输入和输出有助于在接近最小电源电压运行时确保合适的动态范围。　　12nV/√Hz的输入噪声密度允许在信号完整性优先的电路中使用，尤其是弱信号或宽带信号。此外，3V/s的快速转换速率节省了滤波器和放大器电路中的交易信号幅度和频率范围。1.5mV的最大失调电压确保了控制和测量应用的良好准确度和精密度。　　TSB511、TSB512和TSB514非常适合用于滤波器、电源控制、电机控制、致动器驱动器和电阻传感器，例如应变计和压力、温度和位置传感器。它们还被选择用于高侧和低侧电流检测、霍尔效应传感器以及测试和测量设备、工业过程控制器和信号调节电路中的各种应用。　　-40°C至125°C的宽工作温度范围确保了在工业和汽车环境中的稳健性能。提供符合汽车标准的型号。　　作为ST10年寿命计划的一部分，TSB511、TSB512和TSB514现已投入生产，采用Mini SO8、SO8、SOT23-5、TSSOP14和SO14封装选项，具有标准化的引脚分配，便于即插即用插入客户的电路。

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意法半导体

发布时间：2022-12-28 14:48 阅读量：3332 继续阅读>>

东芝建设新设施以扩大功率<span style='color:red'>半导体</span>产能

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东芝建设新设施以扩大功率半导体产能

　　东芝将建设一个新的功率半导体后端生产设施，以提高其产能。　　东芝将在其位于日本西部兵库县建造一个新的功率半导体后端生产设施。建设将于2024年6月开工，计划于2025年春季投产。与2022财年相比，该项目将使东芝在姬路的汽车功率半导体产能增加一倍以上。　　功率器件是各种电子设备管理和降低功耗、节约能源的重要组成部分。最重要的是，随着汽车电气化和工业设备自动化的进步，对东芝重点技术低压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的需求预计将持续增长。东芝已决定通过建设新的后端设施来满足这一需求增长。　　展望未来，东芝将通过提供高效率、高可靠性的产品来扩大其功率半导体业务并提高竞争力，以满足快速增长的需求，并为碳中和做出贡献。

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东芝

发布时间：2022-12-26 14:48 阅读量：3020 继续阅读>>

意法<span style='color:red'>半导体</span>全面提升工业和车用运放性能

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意法半导体全面提升工业和车用运放性能

　　意法半导体新推出三款6MHz轨到轨运算放大器TSB511、TSB512 和 TSB514，简化设计人员对高性能运算放大器 (运放)的搜索。　　意法半导体新推出三款6MHz轨到轨运算放大器，简化设计人员对高性能运算放大器 (运放)的搜索。新产品在各个参数方面都表现不俗，包括宽工作电压和低噪声。　　TSB511、TSB512 和 TSB514分别是单通道、双通道和四通道运放，供电采用 2.7V 至 36V 的单电源和±1.35V 至 ±18V 的双电源均可，宽压和供电灵活性让工程师可以在各种应用和不同电源域中使用熟悉的运放。轨到轨输入输出有助于在接近最小电源电压时确保动态范围在合理的区间。　　12nV/√Hz 的输入噪声密度允许运放用于信号完整性关键的，尤其是弱信号或宽带信号的电路中。此外，3V/?s 的快速压摆率避免了在滤波器和放大器电路中牺牲信号幅度和频率范围。1.5mV 的最大失调电压确保运放在控制和测量应用中具有良好的准确度和精准度。　　TSB511、TSB512 和 TSB514 非常适合用于滤波器、电源控制、电机控制和执行器驱动器，以及电阻传感器，例如，应变计、压力传感器、温度传感器和位置传感器。它们还被选择用于高低边电流检测、霍尔效应传感器，以及测试测量设备、工业过程控制器和信号调理电路中的各种应用。　　-40°C 至 125°C 的宽工作温度范围确保运放在工业和汽车环境中有稳健的性能表现。该运放还有车规产品。　　TSB511、TSB512和TSB514属于意法半导体10 年产品寿命保障计划，三款产品现已投入量产，采用 Mini SO8、SO8、SOT23-5、TSSOP14 和 SO14 封装，引脚分配符合工业标准，便于客户即插即用插入电路。ST eStore 提供免费样片。

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发布时间：2022-12-22 18:13 阅读量：2973 继续阅读>>

<span style='color:red'>半导体</span>元器件是怎样制造出来的

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半导体元器件是怎样制造出来的

　　电子元器件是电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用；常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称，常见的电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件等。　　半导体元器件的制造除了人们熟知的“设计→制造→封装→测试”四大环节以外，中间的整体环节其实很复杂，可分为前段制程和后段制程。半导体元器件的制备首先要有最基本的材料——硅晶圆，通过在硅晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程。由于芯片是高精度的产品，因此对制造环境有很高的要求，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘均需控制的无尘室。　　此外，一枚芯片所需处理步骤可达数百道，而且使用的加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，虽然详细的处理程序是随着产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗之后，接着进行氧化及沈积，最后进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。　　下面是主要的生产制程：　　一、硅晶圆材料　　晶圆是制作硅半导体IC所用之硅晶片，状似圆形，故称晶圆。材料是硅，芯片厂家用的硅晶片即为硅晶体，因为整片的硅晶片是单一完整的晶体，故又称为单晶体。但在整体固态晶体内，众多小晶体的方向不相，则为复晶体（或多晶体）。生成单晶体或多晶体与晶体生长时的温度，速率与杂质都有关系。　　二、光学显影　　光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。小尺寸之显像分辨率，更在IC制程的进步上，扮演着最关键的角色。由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为黄光区。　　三、蚀刻技术　　蚀刻技术（EtchingTechnology）是将材料使用化学反应物理撞击作用而移除的技术。可以分为：湿蚀刻（wetetching）：湿蚀刻所使用的是化学溶液，在经过化学反应之后达到蚀刻的目的；干蚀刻（dryetching）：干蚀刻则是利用一种电浆蚀刻（plasmaetching）。电浆蚀刻中蚀刻的作用，可能是电浆中离子撞击晶片表面所产生的物理作用，或者是电浆中活性自由基（Radical）与晶片表面原子间的化学反应，甚至也可能是以上两者的复合作用。现在主要应用等离子体刻蚀技术。　　四、CVD化学气相沉积　　化学气相沉积（CVD）是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。　　五、物理气相沉积（PVD）　　这主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氩等钝气，藉由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（通常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面。　　六、离子植入（IonImplant）　　离子植入技术可将掺质以离子型态植入半导体组件的特定区域上，以获得精确的电子特性。这些离子必须先被加速至具有足够能量与速度，以穿透（植入）薄膜，到达预定的植入深度。离子植入制程可对植入区内的掺质浓度加以精密控制。基本上，此掺质浓度（剂量）系由离子束电流（离子束内之总离子数）与扫瞄率（晶圆通过离子束之次数）来控制，而离子植入之深度则由离子束能量之大小来决定。　　七、化学机械研磨　　晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻（Lithography）技术对晶圆表面的平坦程度（Non－uniformity）的要求越来越高，IBM公司于1985年发展CMOS产品引入，并在1990年成功应用于64MB的DRAM生产中。1995年以后，CMP技术得到了快速发展，大量应用于半导体产业。化学机械研磨亦称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。　　八、光罩检测　　光罩是高精密度的石英平板，是用来制作晶圆上电子电路图像，以利集成电路的制作。光罩必须是完美无缺，才能呈现完整的电路图像，否则不完整的图像会被复制到晶圆上。光罩检测机台则是结合影像扫描技术与先进的影像处理技术，捕捉图像上的缺失。　　九、清洗技术　　清洗技术在芯片制造中非常重要。清洗的目的是去除金属杂质、有机物污染、微尘与自然氧化物；降低表面粗糙度；因此几乎所有制程之前或后都需要清洗。份量约占所有制程步骤的30％。　　十、晶片切割　　晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0．2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撑避免了胶带的皱摺与晶粒之相互碰撞。　　十一、焊线　　IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（IntegratedCircuit；简称IC），此制程的目的是为了製造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。　　十二、封胶　　封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、内部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。　　十三、剪切／成形　　剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（dejunk）。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于电路版上使用。剪切与成形主要由一部冲压机配上多套不同制程之模具，加上进料及出料机构所组成。　　十四、测试和检验　　这些测试和检验就是保证封装好芯片的质量，进行芯片结构及功能的确认。

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发布时间：2022-12-22 16:57 阅读量：3132 继续阅读>>

意法<span style='color:red'>半导体</span>发布五款新一代SiC MOSFET功率模组

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意法半导体发布五款新一代SiC MOSFET功率模组

　　12月19日消息，意法半导体（ST）今日宣布，再度扩展碳化硅（SiC）产品线，推出了五款新一代SiC MOSFET 功率模组，其涵盖多种不同额定功率，且支持电动汽车电驱系统的常用运作电压。目前新的模组已被用于现代汽车（Hyundai）的E-GMP 电动汽车平台，以及共用该平台的起亚汽车（KIA） EV6 等多款车型。　　相较于传统硅基功率半导体，碳化硅元件尺寸更小，可以处理更高的工作电压，还有更快的充电速度及卓越的车辆动力性能。除此之外，碳化硅还能提升性能及可靠性并延长续航里程。电动汽车多个系统皆可使用大量的碳化硅元件，例如，DC-DC 转换器、电驱逆变器，以及能够把动力电池组电能传送回至电网的双向车载充电器（On-Board Chargers, OBC）。　　ST 表示，新发表的功率模组采用该公司针对电驱系统优化的ACEPACK DRIVE 封装，并使用烧结技术大幅提升其可靠及稳定度，易于整合至电驱系统，提供汽车产业一个随插即用的电驱逆变器解决方案。　　同时，新推出的模组还可相容于高效的直接液冷针翅散热结构，最高额定结温175°C，并具备耐久可靠的压接连接端子；而芯片采用烧结制程安装至基板，以延长模组在车用环境中的使用寿命。　　ST 强调，其碳化硅策略是要确保产品品质及供应安全，以支持车企电动化。为此， ST 也积极采取行动，并在不久前宣布在意大利卡塔尼亚建立完全整合的碳化硅基板制造厂，并预计于2023 年开始运作。

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意法半导体

发布时间：2022-12-20 16:55 阅读量：3193 继续阅读>>

意法<span style='color:red'>半导体</span>推出100W无线充电接收芯片STWLC99

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意法半导体推出100W无线充电接收芯片STWLC99

　　意法半导体推出100W无线充电接收芯片，面向当前最快的Qi无线充电。今天Ameya360电子元器件采购网将为大家进行介绍，其大功率处理能力，提升移动用户体验，为医疗设备和智能工业技术带来新机遇。　　ST推出了100W无线充电接收器芯片，这是业内额定功率最高的无线充电接收芯片，面向当前市场上最快的无线充电。使用意法半导体的新芯片STWLC99，不到30分钟即可将一部电池容量最大的高端智能手机充满电。　　意法半导体发布100W无线充电接收芯片，面向当前最快的Qi无线充电。意法半导体模拟定制产品部总经理 Francesco Italia表示：“今天，手机是数字生活的重要组成部分，同时也是许多人的重要商务工具。我们的 STWLC99可以大幅提升充电速度，提高无线充电器可用性，并为用户生活带来更多好处。该芯片的前所未有的功率处理能力还改变了工业工具、医疗监护、药泵、移动机器人、无人机等电池供电设备的发展前景，延长设备续航时间，缩短充电时间。”　　除了提高用户便利性之外，大功率无线充电技术还能让设计人员创造出无电源插座和电源线的工业设备，给终端用户带来各种好处。取消充电插座可以节省电路板空间，加强设备的防水或防尘的密封性，便于在具有挑战性的环境中操作运行。　　无线充电技术可以避免烦人的电线缠绕问题。机器人、无人机等独立移动的设备可以轻松充电，无需机器或人工连接充电线。　　STWLC99采用 4.859m x 4.859mm 晶圆级芯片封装 (WLCSP)，现已量产。　　技术详情：　　STWLC99 的节能架构包含带低 RDS(on) MOSFET 的同步整流器和低压差稳压器，将充电器接收到的电能发射到电池，同时把损耗和耗散功率降至最低。　　新产品符合 Qi 1.2.4 和 1.3版规范，支持 Qi Extended Power Profile (EPP) ，采用意法半导体专门优化的 STSuperCharge (STSC) 快速充电协议。与意法半导体的 STWBC2-HP 发射器解决方案配套使用时，这款接收芯片可以实现最高100W的充电功率。　　STWLC99 用片上非易失性存储器保存配置参数，通过I2C 接口交换配置数据和充电控制命令。芯片内置全套安全保护功能，包括电流检测精确的异物检测、传输模式 Q 因数检测，以及过流、过压和过热保护。　　STWLC99 还可以用作充电发射器，为其他设备充电，最大功率25W。

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意法

发布时间：2022-12-19 10:50 阅读量：2857 继续阅读>>

ROHM罗姆<span style='color:red'>半导体</span>开发出隔离型DC-DC转换器“BD7Fx05EFJ-C”

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ROHM罗姆半导体开发出隔离型DC-DC转换器“BD7Fx05EFJ-C”

　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出两款隔离型反激式※1DC-DC转换器“BD7F105EFJ-C”和“BD7F205EFJ-C”，新产品非常适用于xEV（电动汽车）的主驱逆变器、车载充电器（以下简称“OBC”）、电动压缩机以及PTC加热器※2等应用中配备的栅极驱动器的驱动电源。　　近年来，为了实现社会的可持续发展，混合动力汽车和纯电动汽车（统称“xEV”）加速普及。xEV将电力作为主要动力来源，并配备了各类电动汽车特有的应用，比如用于驱动电机的主驱逆变器、用于空调的电动压缩机、用于提升车内温度的PTC加热器等等。因为这些应用都是通过高电压进行驱动的，所以为了确保安全，需要通过电池所在的一次侧电路和电机等部件所在的二次侧电路进行隔离（绝缘）。另一方面，传统的隔离电路结构还存在一些问题，比如开关频率会因安装面积、功耗的大小和输出电流等因素的影响而发生变化，而针对不同开关频率采取降噪措施需要花费很多设计工时。ROHM此次开发出的新产品，因为其电路结构里不再需要光电耦合器，再加上开关频率稳定这一特性，非常有助于削减各类应用的体积和降噪设计工时。　　通过采用ROHM所擅长的模拟设计技术，在检测二次侧的电压和电流方面，新产品无需以往产品所需的光电耦合器※3或变压器的辅助绕组以及外围部件。由此，可以在改善光电耦合器的课题如检测精度受功耗大小和温度的影响，年久老化等的同时，减少元器件数量，实现产品的小型化。因此，与普通的反激式隔离电源的电路相比，可以削减光电耦合器和用于检测电流的外围元器件等10个部件，体现在电路板面积上时，能够削减30%左右的面积。此外，由于新产品配备了自适应导通时间控制功能，可以固定开关导通时间，所以无论是在哪种输出功率状态下，开关频率都能稳定在350kHz左右。通常，在应对汽车电子电磁兼容EMC标准CISPR25※4时，往往需要针对150kHz～300kHz频段采取降噪措施，而此次开发出的新产品因为没有涉及到该频段范围，所以应用产品的降噪工作将更加轻松。这些优势再加上有助于降低辐射噪声的展频功能※5，可进一步减少降噪相关的设计工时。　　新产品于2022年10月份开始投入量产（样品价格700日元/个，不含税）。前期工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co.,Ltd.（日本滨松市），后期工序的生产基地为ROHM Electronics Philippines, Inc.（菲律宾）。另外，新产品及其评估板“BD7F105EFJ-EVK-001”和“BD7F205EFJ-EVK-001”已开始网售，可从电商平台Ameya360处购买。　　ROHM今后将继续利用所擅长的模拟技术，持续开展有利于各类应用的小型化和降噪的产品开发，为实现可持续发展社会做出贡献。　　＜产品阵容＞　　新产品不仅可以减少元器件数量和降噪设计工时，还内置了能够使输出电压稳定的功能和各种保护功能，有助于提高应用产品的可靠性。　　＜应用示例＞　　新产品非常适用于为了安全性而需要与电池绝缘供电的栅极驱动器用电源　　车载设备：主驱逆变器、OBC、电动压缩机、PTC加热器、逆变器等　　工业设备：工业设备电源、工业设备用控制器（PLC）、逆变器等　　＜电商销售信息＞　　网售平台：Ameya360　　产品和评估板在其他电商平台也将逐步发售。　　（起售时间： 2022年12月开始）　　＜术语解说＞　　*1）反激式　　作为一种电路形态用于构成绝缘电源。适用于100W左右的应用，在部件数量和成本方面优势明显。其他还有正激式等方式，这些方式的配套元器件的发展，有助于实现隔离型电源的小型化与高效化。　　*2）PTC（Positive Temperature Coefficient）加热器　　在xEV中，没有汽油车和柴油车中有的热源（发动机），由PTC担负制

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罗姆

发布时间：2022-12-16 13:23 阅读量：2535 继续阅读>>

瑞萨电子荣获全球<span style='color:red'>半导体</span>联盟 2022年“亚太杰出<span style='color:red'>半导体</span>企业奖”

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瑞萨电子荣获全球半导体联盟 2022年“亚太杰出半导体企业奖”

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，获得全球半导体联盟（Global Semiconductor Alliance，以下：GSA）颁发的2022年“亚太杰出半导体企业奖”。瑞萨电子总裁兼首席执行官、GSA董事会成员柴田英利（Hidetoshi Shibata）于当地时间（美国太平洋时间）2022年12月8日，即2022年12月9日（中国标准时间）在加利福尼亚州圣克拉拉举行的颁奖典礼上接受了该奖项。　　GSA代表全球半导体行业，在全球拥有300多家企业成员。年度奖项用以表彰在企业成就、愿景、战略和未来机会等方面表现卓越的成员。“亚太杰出半导体企业奖”旨在表彰总部位于亚太地区的半导体公司，该奖项由GSA亚太半导体领导委员会确定最终获奖者。　　瑞萨电子总裁兼首席执行官、GSA董事会成员柴田英利表示：“很荣幸代表所有瑞萨电子员工领取这个奖项。获得这一殊荣离不开客户、合作伙伴和GSA社区的大力支持。瑞萨电子的转型之旅还在继续，我们希望在不久的将来能够获得更多的认可。”

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瑞萨

发布时间：2022-12-14 15:28 阅读量：2852 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor

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