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森国科推出第五代Thinned MPS® 碳化硅<span style='color:red'>二极管</span>KS10065(650V/10A)

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森国科推出第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS10065(650V/10A)

　　深圳市森国科科技股份有限公司发布了第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS10065(650V/10A), 该系列产品提供多达八种封装，充分满足客户在OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个应用场景的需求。　　森国科KS10065系列产品拥有超低的VF值，可降低正向导通损耗;少子器件零反向恢复，在反向恢复过程中极大的减少了反向恢复损耗，同时又减少了EMI干扰，可大大提升整机效率，整体损耗的减少也带来更小的温升;卓越的IFSM值，在抗雷击/浪涌等产品可靠性上有极其出色的表现;灵活多样的封装形式，助力客户在不同场景中的高效应用。　　KS10065(650V/10A) 碳化硅二极管, 主要应用于5种PFC电路和IGBT续流二极管，以下是典型应用电路：　　无桥PFC: D1,D2，使用SiC二极管和SiC MOS替代了传统的整流二极管，可明显提高效率。　　单向PFC: D5，电路简单，成本低，初级无电解电容。　　交错并联PFC: D5, D6，可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。　　维也纳(VIENNA)PFC ：具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。　　IGBT续流二极管：降低开关损耗，增大开关频率。　　森国科深耕宽禁带半导体领域多年，目前已与国内外TOP级工艺厂商(X-FAB\积塔等)达成友好合作，秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。　　名词释义　　TMPS：是Thinned Merged PIN Schotty Diode 的缩写，中文翻译为：减薄的混合型PN结势垒肖特基二极管，森国科将该系列产品注册商标为：Thinned MPS®　　PFC：英文全称为“PowerFactorCorrecTIon”，意思是“功率因数校正”，功率因数指的是有效功率与总耗电量(视在功率)之间的关系，也就是有效功率除以总耗电量(视在功率)的比值。基本上功率因数可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因数值越大，代表其电力利用率越高。　　维也纳整流桥：Vienna 整流桥是脉冲宽度调变的整流器，可以接收三相交流电源，也是功率因数修正电路，是Johann W. Kolar在1990年发明。

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森国科

发布时间：2025-05-12 14:27 阅读量：206 继续阅读>>

二极管系列产品" alt="森国科推出广泛用于"光、风、储、充、荷"的1200V碳化硅二极管系列产品">

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森国科推出广泛用于"光、风、储、充、荷"的1200V碳化硅二极管系列产品

　　深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS®1200V碳化硅二级管，涵盖了10A、15A、20A、30A、40A、50A系列等数十款型号，相比Si器件，碳化硅肖特基二极管具有导通电阻低，开关损耗小的特点，完美满足中高压系统的需求，成为了光伏逆变器、风能逆变器、储能双向逆变器、充电桩模块、大功率工业电源、车载充电机等领域客户的不二选择，碳化硅功率器件的使用对于能源领域朝着轻量化、节能低碳化的转型升级也具有重要的意义。　　碳化硅作为第三代宽禁带半导体的代表性材料之一，与传统Si基材料相比，其电子饱和漂移速率是硅的2倍，更加适合在高频电路中使用;热导率相当于Si的3倍，因而散热效果更佳，可靠性更高;SiC材料的临界击穿场强能力高达硅的10倍之多，可使器件更加耐高压;禁带宽度上来说，SiC材料是Si材料的3倍，使其具备了低漏电的优异性能。　　此外，经过多轮测试与验证，森国科1200V碳化硅二级管拥有强大的抗浪涌冲击能力、抗雪崩能力，强健性和鲁棒性。较高的热性能降低了对冷却系统的需求，同时由于反向恢复时间短，可降低电磁干扰的问题。在"风、光、储、充、荷"等领域常用的电路可参考：　　交错并联PFC: D5, D6：可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。　　维也纳(VIENNA)PFC：具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。　　IGBT续流二极管：降低开关损耗，增大开关频率。　　森国科深耕集成电路领域多年，目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自新能源汽车、充电桩、光伏逆变器、OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。

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发布时间：2025-05-07 09:09 阅读量：229 继续阅读>>

江西萨瑞微：高效节能新选择！SST2045DPSL 肖特基<span style='color:red'>二极管</span>助力电子设备性能升级

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江西萨瑞微：高效节能新选择！SST2045DPSL 肖特基二极管助力电子设备性能升级

　　SST2045DPSL 是江西萨瑞微电子推出的一款高性能硅肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD)的简称。专为追求高效率、低损耗的电子设备设计。　　SST2045DPSL 在众多电子产品中扮演着关键角色，它的性能优劣直接影响到相关设备的整体运行效果。　　01肖特基二极管的原理　　肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等),A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。　　02肖特基二极管的特点　　当金属与N型半导体结合时，形成MS结。这个结被称为肖特基势垒。肖特基势垒的行为会有所不同，具体取决于二极管是处于无偏置、正向偏置还是反向偏置状态。　　由于肖特基二极管基势垒高度低于PN结势垒高度，故肖特基二极管正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低。由于肖特基二极管是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复等问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管反向恢复时间。由于肖特基二极管的反向恢复电荷少，故肖特基二极管开关速度极快，开关损耗也极小，特别适合于高频应用。　　03肖特基二极管的优势　　① 超低正向电压　　0.43V(10A时)，大幅降低导通损耗，提升系统能效。　　②快速开关性能　　反向恢复时间仅57ns，适用于高频应用场景。　　③ 卓越温度稳定性　　工作温度范围-55℃至+150℃，适应严苛环境。　　④ 高可靠性设计　　PDFN5×6-8L封装，散热优异(热阻低至5℃/W)。　　⑤环保兼容性　　符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺。　　04肖特基二极管的应用　　① 高频逆变器　　优势：快速开关特性可显著降低高频电路中的开关损耗，提升逆变器效率。　　典型应用：太阳能逆变器、UPS电源、电机驱动系统。　　② 低压电源系统　　优势：超低正向电压(0.48V@20A)减少能量损耗，延长电池续航。　　典型应用：便携设备电源管理、车载电子系统、DC-DC转换模块。　　③ 自由轮续流与极性保护　　优势：高浪涌电流耐受能力(峰值290A)，保护电路免受反向电压冲击。　　典型应用：继电器保护、电机控制电路、电源反接保护。　　05技术亮点解析　　散热性能卓越　　采用PDFN5×6-8L封装，底部集成散热片，结合低至5℃/W的结壳热阻(RθJC)，确保高功率场景下的稳定运行。　　高可靠性认证　　UL 94V-0防火等级，环保型模塑材料，通过J-STD-020湿度敏感三级标准，适合工业级应用。　　焊接工艺友好　　支持无铅回流焊工艺，峰值温度耐受达260℃，满足现代电子制造的严苛要求。　　为什么选择SST2045DPSL?　　节能降耗　　低正向电压和低漏电流设计，显著降低系统功耗。　　长寿命保障　　高耐压(45V)与抗浪涌能力，减少故障率，延长设备寿命。　　紧凑设计　　5×6mm小型封装，节省PCB空间，适合高密度集成场景。　　06 结论　　SST2045DPSL 凭借其高效、稳定、紧凑的设计，已成为低压高频应用的理想选择。无论是提升能效，还是增强系统可靠性，这款二极管都能为您的产品赋能升级!

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江西萨瑞微

发布时间：2025-04-24 15:36 阅读量：289 继续阅读>>

高温环境下的MDD肖特基<span style='color:red'>二极管</span>设计如何避免热失效

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高温环境下的MDD肖特基二极管设计如何避免热失效

　　在高温环境下，肖特基二极管(Schottky Diode)以其低正向压降和快速开关特性被广泛应用于电源管理、电机驱动及新能源系统中。然而，由于其PN结被金属-半导体接触结构取代，其温度特性与普通PN结二极管存在显著不同，特别是在高温下，肖特基管的反向漏电流急剧上升，成为热失效的主要隐患。因此，设计人员在高温环境下使用肖特基二极管时，必须充分考虑其热稳定性与散热策略。　　首先，识别失效风险是设计的前提。肖特基二极管的反向漏电流随着温度上升呈指数增长，这不仅加剧功率损耗，还可能引发热失控现象。当结温过高，二极管可能出现反向击穿或短路失效，影响整个电源系统稳定性。　　其次，合理选型与降额设计至关重要。在器件选型阶段，应考虑实际工作温度下的derating(降额)条件。例如，若器件额定反向电压为60V，在高温应用中建议选择100V或更高耐压等级，以提升安全裕度。此外，选择具有低漏电流、高结温耐受能力(如175℃以上)的工业级或汽车级肖特基产品，也能显著降低热失效风险。　　热管理设计是控制结温的关键手段。在PCB布局中，应尽量扩大铜箔面积，加强热传导路径，配合导热硅脂、散热片或热垫片等散热辅助材料。对于功率密集型应用，还可采用DFN、TO-220、DPAK等高散热效率封装，甚至考虑采用多颗器件并联分流，从结构上降低单管热负载。　　最后，建议在系统设计中增加热反馈保护机制，如温度感知芯片或热敏电阻，当温度异常上升时自动限流或关断，以避免连续热应力带来的器件损伤。　　总之，高温环境下的肖特基二极管应用必须在器件选型、热设计与系统保护上多管齐下。通过精准评估漏电特性、合理降额、优化散热与加入温控保护，才能充分发挥肖特基二极管在高效率整流中的优势，同时保障系统长期稳定运行。

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发布时间：2025-04-17 17:24 阅读量：282 继续阅读>>

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佑风微：SiC Schottky Diode碳化硅肖特基二极管应用及产品选型

　　广东佑风微电子有限公司推出多款650V 1200V 1700V SiC Schottky Diode碳化硅肖特基二极管。产品广泛应用于光伏逆变器，开关模式电源，电池充电器，电动驱动，不间断电源等产品上。

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佑风微

发布时间：2025-03-27 16:46 阅读量：319 继续阅读>>

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YFW佑风微推出全系列SOD-123FL、SMA、SMB封装CRD恒流二极管

　　YFW佑风微推出全系列SOD-123FL、SMA、SMB封装CRD恒流二极管　　YFW佑风微恒流二极管CRD015A(B/D)-CRD080A(B/D) SMA/SMB/SOD-123FL产品选型　　CRD是一个二极管，它为电子设备提供恒定电流电路，即使电源电压波动或负载发生阻抗波动。CRD用于电流稳定和限流,恒流二极管具有恒定电流，保护电路，不受电压波动影响，还简单易用、温度稳定性好，而且易于修改电流容量，小尺寸、低功耗等。　　以下是CRD恒流二极管的应用电路

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佑风微

发布时间：2025-03-24 14:39 阅读量：423 继续阅读>>

德普微电子：DP951X/XT/XB集成续流<span style='color:red'>二极管</span>，轻松降本升级

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德普微电子：DP951X/XT/XB集成续流二极管，轻松降本升级

　　随着LED照明市场竞争的白热化，大家对产品性价比的追求日渐强烈，LED驱动电路集成续流二极管是大势所趋。为此，德普整合自身优质资源及雄厚研发实力，在常规DP950X/XT/XB的系列基础上推出了Pin to Pin并集成续流二极管的DP951X/XT/XB系列，方便客户降本升级，且有140℃ OTP，120℃ OTP，OVP可调功能可选。　　DP951X/XT/XB系列是工作于电感电流临界导通模式(CRM，Critical Conduction Mode)的高精度低PF非隔离降型LED恒流驱动芯片，适用于85Vac~265Vac全电压输入应用。全系列芯片内置500V高压功率MOS管，600V续流二极管。且无需VCC电容及启动电阻，外围电路简单，系统成本低。同时实现了各种保护功能，包括LED短路保护和过温自动调节等，以确保系统稳定性。　　主要特点　　●芯片内置500V高压功率MOS管，600V续流二极管　　●支持高频开关应用，可使用贴片电感　　●输出电流精度：±5%　　●内部保护功能：　　输出过压保护 (OVP)可选　　逐周期电流限制(OCP)　　前沿消隐(LEB)　　LED开路和短路保护　　120℃，140℃过热保护(OTP)可选　　●SOP7封装　　目标应用　　●LED球泡灯，日光灯，筒灯等　　●LED开关调色和感应灯等　　●其他LED驱动应用　　典型原理图　　产品特色　　1、集成续流二极管，采用SOP7三基岛封装，布局合理，散热性能优异;　　2、可Pin to Pin替换DP950X/XT/XB系列;　　3、OVP引脚具有EN使能功能，可满足开关调色及感应灯应用;　　4、可兼容高频应用，配合贴片电感，实现全贴片应用;　　产品选型表　　值得一提的是，德普通过特有的技术，使芯片损耗进一步降低，在全压输入应用时实现了高低压输入功率差异更小，温度一致性更好，且在高环温下，也具有更好的带载能力。总之，DP951X/XT/XB系列是具备可靠性的高性价比产品。

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德普微电子

发布时间：2025-03-05 11:32 阅读量：364 继续阅读>>

荣湃推出理想<span style='color:red'>二极管</span>控制器Pai8150x系列

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荣湃推出理想二极管控制器Pai8150x系列

　　荣湃半导体发布全新Pai8150x系列理想二极管控制器，该系列控制器凭借卓越的性能和创新设计，在降低系统功耗、提升效率方面表现优异。Pai8150x系列结合外部NMOS器件，不仅能够显著降低传统PN结二极管或肖特基二极管的正向压降和功率损耗，还能提供出色电池反向保护和反向电流阻断功能，对电池管理应用提供了强有力的支持。　　电池反向保护和反向电流阻断　　汽车供电系统设计时，低压电池包直供的模块或者子系统的输入侧，需要器件提供电池反向保护、多数还需要提供反向电流阻断功能。反向保护与反向电流阻断是两个概念，常见以PMOS实现防反(图1)，其无法阻止电流从输出侧回流到输入侧。在冗余安全供电(ORing)应用中，反向电流阻断是必备功能。　　实现防反与反向电流阻断的简单方法是电源输入端串接肖特基二极管。图2展示以二极管实现冗余供电。当VIN1异常跌落，VIN2会接管供电，D1导通，D2截至，反之亦然，电源切换过程中，无VIN1与VIN2之间的电流路径。常用的工业系统、电信服务器、存储和基础设施设备均需实现冗余供电。在小功率场景中，二极管简单成本低，但随功率增大，二极管压降会导致严重的功率损失。　　荣湃理想二极管Pai8150x系列　　荣湃新推出的理想二极管控制器，Pai8150x系列，其控制外部NMOS模拟二极管行为，正向导通时，打开NMOS沟道，降低正向导通压降，同时检测输入输出电压，当存在反向电流时，关闭NMOS沟道，实现反向电流截止和电池反向保护功能，其成品面积小，能够有效节省空间。Pai8150x系列引脚配置如图3。引脚功能描述如表1。　　Pai8150C典型应用框图如图4, EN为使能引脚, SW用于电池电压监控, 当EN=High, SW=ANODE, 当EN=Low, SW浮空, 降低采样功耗。Pai8150x内部集成电荷泵, 当VBAT>VOUT+50mV, GATE拉高, 驱动外部NMOS全导通。当VOUT-11mV>VBAT, GATE OFF, NMOS关断。以上两种状态以外, GATE处于闭环调节状态(Regulation Conduction Mode), 在不同负载条件下,环路目标为VBAT-VOUT=20mV。工作状态参考图5。Regulation状态作用在于, 即使微弱反向电流, 环路也会使GATE电压降低, 最终实现反向电流截止。　　Pai8150x系列的关键参数，均达到国际领先水平。　　Pai8150x关键参数　　理想二极管控制器Pai8150x系列产品可广泛应用于汽车电子和工业控制等领域。在汽车电子方面，该系列控制器可用于ADAS域控以及Camera，Cockpit，USB，TCU等模块，在工业控制领域，该系列产品同样适用于医疗成像，基站等多种场景。

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发布时间：2025-03-03 15:03 阅读量：510 继续阅读>>

Littelfuse推出业界领先的低钳位电压TPSMB-L系列汽车TVS<span style='color:red'>二极管</span>

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Littelfuse推出业界领先的低钳位电压TPSMB-L系列汽车TVS二极管

　　Littelfuse宣布推出TPSMB-L系列汽车TVS二极管，该产品专为800V电动汽车 (EVs) 中的电池管理系统 (BMS) 而创新设计，具有业界领先的超低钳位电压 (Vcl)，可为模拟前端 (AFE) 和电池管理集成电路 (BMIC) 等敏感元件提供出色的电路保护。　　TPSMB-L系列满足了快速扩张的电动汽车市场对可靠性、高性能元件日益增长的需求。该系列二极管注重安全性和可靠性，符合汽车系统功能安全全球标准ISO-26262的严苛要求，确保在关键BMS应用中实现最佳性能。　　应用范围：　　电动汽车 (EVs)：专为电动汽车和混合动力汽车中的800V电池管理系统而设计;　　电池管理系统 (BMS)：确保14~20芯设计的AFE和BMIC的安全性和使用寿命;　　高压汽车系统：适用于要求符合ISO-26262标准的先进电动汽车架构。　　主要特性和优势：　　超低钳位电压 (Vcl)：确保为AFE和BMIC提供有效保护，保护敏感电子元件免受电压尖峰和浪涌影响;　　汽车级可靠性：通过AEC-Q101认证，符合PPAP 3级标准，满足汽车应用的严苛标准;　　高功率处理：600W峰值脉冲功率能力，采用紧凑型SMB DO-214AA封装;　　应用范围广：专为14~20芯BMS配置而设计，是高压电动汽车电池管理系统的理想之选;　　快速响应时间：可防止静电放电 (ESD) 和瞬态电压浪涌。　　Littelfuse保护业务产品管理总监Charlie Cai表示："随着电动汽车系统的复杂性和功率需求不断增加，保护AFE和电池管理系统集成电路等关键电子元件比以往任何时候都更加重要。"通过将超低钳位电压与汽车级性能相结合，TPSMB-L系列使工程师能够满足ISO-26262等严苛的功能安全标准，同时提供稳健的可靠性。　　工作原理　　AFE (模拟前端) 集成电路处理电池单元电压和温度等模拟信号，并准备将其转换为数字信号。电池管理集成电路 (BMIC) 则更进一步，管理关键的电池性能功能，包括电池平衡和电压调节。TPSMB-L汽车系列TVS二极管可将瞬态电压限制在安全水平，从而保护这些元件，确保不间断运行并符合关键的安全标准。　　支持未来的电动汽车创新　　ISO-26262合规性对于确保电动汽车系统的功能安全至关重要，因为电动汽车系统的推进、储能和车辆控制都依赖于先进的电子设备。TPSMB-L系列二极管使汽车制造商能够满足这些安全标准，同时提高系统可靠性和性能。　　Littelfuse一直致力于为工程师提供创新解决方案，以满足电动汽车技术不断发展的需求。TPSMB-L系列将先进的保护功能与业界领先的质量和可靠性相结合，彰显了这一承诺。

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Littelfuse

发布时间：2025-02-24 09:52 阅读量：575 继续阅读>>

上海雷卯：通过信号浪涌35V以上的HDMI、USB3.0接口保护ESD<span style='color:red'>二极管</span>

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上海雷卯：通过信号浪涌35V以上的HDMI、USB3.0接口保护ESD二极管

　　在现代电子设备中，HDMI2.0接口已成为连接高清视频和音频信号的重要桥梁，而USB 3.0接口则成为高速数据传输和多功能连接的核心枢纽;然而，这些接口也容易受到静电放电(ESD)和浪涌电压的影响，可能导致设备损坏或性能下降。上海雷卯电子提供了一系列高性能的ESD保护器件，以确保HDMI、USB3.0等高速接口的安全性和可靠性。本文将重点介绍如何选择合适的ESD保护器件，特别是针对35V及以上浪涌电压的挑战。　　为什么选择ULC3324P10LV?　　ULC3324P10LV 是上海雷卯电子推荐的一款专为高速接口(如HDMI和USB 3.0)设计的多路回扫型ESD二极管阵列。它具有以下显著优势：　　1.强大的浪涌保护能力：ULC3324P10LV能够承受高达14A(8/20µs)的浪涌电流，远超过35V浪涌电压的要求。　　2.低钳位电压：在14A，tp=8/20us测试下的钳位电压VC仅为7V，这意味着它能够在ESD事件发生时快速将过电压钳制在较低水平，保护敏感元件不受损害，减少因过电压引起的电路故障风险，提高整个系统的可靠性。　　3.低漏电流：漏电流仅为nA级别，能够实现更节能的设计。　　4.极低的结电容：ULC3324P10LV的结电容为0.55pF(IO-GND)，这对于高速数据线路(如HDMI、USB3.0)来说至关重要，因为它可以确保信号传输的完整性，不会影响通信质量。　　5.符合最高ESD标准：ULC3324P10LV的ESD冲击消散值达到了IEC 61000-4-2(4级)国际标准中的最高水平，能够有效保护HDMI、USB3.0接口免受高达30kV的接触放电和30kV的空气放电。　　6.多路保护：单个器件可以保护四路数据线路，节省空间。　　雷卯ULC3324P10LV规格书主要参数：　　如何选择ESD保护器件?　　在选择ESD保护器件时，需要考虑以下几个关键因素：　　1. IEC 61000-4-2等级：选择符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护器件，确保其能够承受一定级别的ESD冲击。对于HDMI、USB3.0等高速接口，建议选择至少达到4级的器件。　　2. 浪涌电流承受能力：根据应用场景可能遇到的浪涌电流大小，选择能够承受相应浪涌电流的ESD保护器件。对于35V浪涌电压的保护需求，建议选择能够承受10A及以上的器件。　　3. 钳位电压：选择钳位电压低的ESD保护器件，以减少浪涌事件中的电压尖峰，保护敏感电路。对于HDMI、USB3.0接口，钳位电压应尽量低于15V，以确保信号完整性和设备安全。　　4. 结电容：对于高速数据线路，选择结电容低的ESD保护器件，以避免影响信号传输质量。理想的结电容应低于1pF，以确保最小的信号干扰。　　结论　　上海雷卯电子的ULC3324P10LV是一款专门为HDMI、USB3.0等高速接口设计的高性能回扫型ESD保护器件，它不仅能够承受高达14A的浪涌电流，还具有低钳位电压和低结电容的特点，非常适合需要通过35V浪涌电压保护的HDMI、USB3.0等高速接口。通过选择合适的ESD保护器件，可以确保电子设备在面对静电放电和浪涌电压时的安全性和可靠性，从而提升产品的整体性能和用户体验。　　关于Leiditech雷卯电子　　Leiditech雷卯电子,是电磁兼容解决方案和元器件供应领先品牌，提供包括ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等多种产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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雷卯电子

发布时间：2025-01-15 14:13 阅读量：699 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments

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