萨瑞新品｜7V系列 SEU 系列高速 ESD 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发

发布时间：2026-05-06 10:11
作者：AMEYA360
来源：萨瑞
阅读量：153

萨瑞新品｜7V系列 SEU 系列高速 ESD 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发

　　随着 USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、MIPI、车载 SerDes、车载以太网等高速接口全面普及，10Gbps + 传输对信号完整性与 ESD 防护提出双重严苛要求。

　　江西萨瑞微电子推出SEU0721P1(双向)+ SEU0731P1(单向) 两款 DFN1006-2L 超小型 ESD 保护二极管，专为高速信号链路打造，超低电容、高钳位、强防护，覆盖单端 / 差分全场景高速 I/F 保护需求。

　　01

　　核心优势：突破权衡，高速与保护兼得

　　SEU0721P1|双向 ESD 二极管

萨瑞新品｜7V系列 SEU 系列高速 ESD 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发

萨瑞新品｜7V系列 SEU 系列高速 ESD 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发

　　类型：双向

　　结电容：典型 0.25pF，Max 0.3pF(0.2pF 级)

　　ESD 防护：IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)

　　峰值脉冲电流：4A(8/20μs)

　　封装：DFN1006-2L 无引脚小型化

　　SEU0731P1|单向 ESD 二极管

萨瑞新品｜7V系列 SEU 系列高速 ESD 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发

萨瑞新品｜7V系列 SEU 系列高速 ESD 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发

　　类型：单向

　　结电容：典型 0.4pF，Max 0.5pF

　　ESD 防护：IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)

　　峰值脉冲电流：4A(8/20μs)

　　封装：DFN1006-2L 无引脚小型化

　　02

　　核心亮点

　　SEU0721P1：≤0.3pF，极致抑制信号劣化，完美适配 USB4、PCIe、MIPI 等高灵敏度差分接口。

　　SEU0731P1：≤0.5pF，兼顾高速与成本，适合单端高速 I/O 与通用高速接口。

　　03

　　低钳位 + 低漏电流，保护更可靠

　　双向款：4A 下钳位电压典型16.5V

　　单向款：4A 下钳位电压典型11V，更低钳位、更稳保护

　　漏电流低至0.1μA/1μA，系统功耗更优

　　04

　　高等级 ESD，满足车规 / 消费 / 工业

　　两款均达到：

　　IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)

　　宽温工作：-55℃ ~ +125℃

　　RoHS、UL 94V-0、无铅绿色塑封料

　　05

　　DFN1006-2L 微型封装，高密度布局

　　超小体积、低寄生电感

　　贴近连接器摆放，不占用空间

　　适合手机、笔电、车载、相机等轻薄化设计

　　06

　　典型应用原理图

　　双向保护电路(SEU0721P1)

萨瑞新品｜7V系列 SEU 系列高速 ESD 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发

　　适用于：USB4/USB3.x、PCIe、LVDS、MIPI、车载 SerDes 等差分高速信号

　　单向保护电路(SEU0731P1)

萨瑞新品｜7V系列 SEU 系列高速 ESD 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发

　　适用于：单端高速 I/O、HDMI、音频、传感器、通用高速信号

　　07

　　关键参数对比表

萨瑞新品｜7V系列 SEU 系列高速 ESD 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发

　　08

　　应用领域

　　完美覆盖10Gbps + 高速接口：

　　USB4 / USB3.x / Thunderbolt 4

　　HDMI / DisplayPort / PCIe

　　MIPI D-PHY / C-PHY / LVDS

　　车载 SerDes、车载以太网(10/100/1000Mbps)

　　手机、笔电、平板、相机、便携仪器、车载设备、工业终端

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　　在现代智能健身器材中，高效、静音、可靠的电机驱动与电源管理是关键体验所在。江西萨瑞微电子推出的 SR45C03PS N&P 沟道增强型MOSFET，凭借其低内阻、高散热、快速响应等特性，成为跑步机、动感单车、划船机、力量器械等设备中电机控制与电源系统的理想半导体解决方案。　　一、产品核心特点　　1、先进沟槽单元设计　　采用高效Trench结构，实现低导通电阻与高开关速度的平衡。　　2、低热阻设计　　结到壳热阻(Rjc)仅为 1.3℃/W，散热性能优异，支持高功率持续输出。　　3、低栅极电荷与快速开关　　栅极电荷(Qg)低至 33.6nC(N沟道) 与 30nC(P沟道)，配合 ns 级开关时间，提升系统响应效率。　　4、全面可靠性保障　　100% EAS(雪崩能量)测试、100% Rg(栅极电阻)测试，确保每颗器件都符合严苛标准。　　5、环保工艺　　符合无卤、无铅环保要求，适用于绿色电子产品设计。　　二、关键性能参数　　作为一款兼顾高电流承载与低损耗的 MOSFET，SR45C03PS 的关键参数堪称 “实力派”：　　N沟道 MOSFET　　VDSS：30V　　RDS(on)：6.5mΩ @ VGS=10V, ID=30A　　连续漏极电流：82A @ TC=25℃　　栅极阈值电压：1.0V ~ 2.5V　　P沟道 MOSFET　　VDSS：-30V　　RDS(on)：7.0mΩ @ VGS=-10V, ID=-30A　　连续漏极电流：-75A @ TC=25℃　　栅极阈值电压：-1.2V ~ -2.5V　　三、在健身器材中的核心应用　　跑步机　　高连续电流与峰值电流能力，满足电机驱动的动力需求，应对启动瞬间的冲击电流;低导通损耗减少长时间运行的能耗，配合宽温范围适配不同使用环境;　　筋膜枪　　N+P 沟道集成设计适配无刷电机驱动，快速开关响应支持精准 PWM 调速，实现多档位力度调节;紧凑封装与低功耗特性，助力产品小型化与长续航;　　动感单车　　稳定的功率控制性能适配电动磁控系统，实现 32 档以上精准调阻，让阻力变化均匀丝滑;低损耗设计延长设备使用寿命，适配智能阻力自动调节场景;　　椭圆机　　高效 DC-DC 转换能力助力能量回收系统，将运动产生的可变电压稳定转换，实现绿色能源再利用;　　健身功率计　　低栅极电荷与快速开关特性，提升功率检测的响应速度与精度，为运动数据监测提供可靠支持。
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解决效率；电压尖峰问题！萨瑞微推出“低内阻+低Crss；Coss”同步优化方案
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解决效率；电压尖峰问题！萨瑞微推出“低内阻+低Crss；Coss”同步优化方案

　　MOS 管 DS 尖峰的产生是多重因素共同作用的结果，涉及电路寄生参数、开关速度、负载特性及驱动电路设计等关键环节。针对这一行业痛点，萨瑞微创新性推出 “低导通内阻(Rds (on))+ 低反向传输电容(Crss)+ 低输出电容(Coss)” 同步优化方案，实现效率提升与尖峰抑制的双重突破。　　核心参数优势　　器件本身及 MOS 管周边元件会随电压变化率(dv/dt)产生寄生电感。若电感值较大，MOS 管关断时会在电感两端产生高额压降，叠加于漏极电压形成峰值电压;其中寄生源极电感(Ls)在关断时还会产生反向峰值电压，进一步放大尖峰幅度。　　萨瑞微通过精准调控 Crss 与 Coss 参数，有效降低振荡反馈，从源头抑制尖峰产生。实测数据显示，方案可显著削减漏极电压尖峰，提升电路工作稳定性(相关波形测试结果见原文附图)。　　效率与散热性能提升　　(输入条件：Vin=90Vac/60Hz，输出规格：20V/3.25A)　　更低的 Rds (on) 带来显著性能优势：相同功耗下器件温升更低，不仅能降低热应力对器件寿命的影响，减少高温导致的参数漂移与失效风险，还可简化散热设计，大幅降低散热片的体积与成本投入。(实测效率如图)　　稳定的EMI性能　　传统MOS　　低Rds(on)+低Crss;Coss　　产品核心优势　　低导通内阻设计：提升电路转换效率，降低器件工作温度，延长使用寿命，有效提升效率0.2%。　　低寄生电容组合：有效减少 LC 振荡，从根源抑制电压尖峰，提升系统稳定性。　　无额外 EMI 干扰：参数协同优化避免电磁兼容风险，无需额外增加滤波成本。　　萨瑞微 “低 Rds (on)+ 低 Crss + 低 Coss” 方案，打破单一参数调控的行业局限，通过三者精准协同实现深度系统级优化，助力客户在电路效率与电压尖峰抑制之间达成更优工程平衡，为电源、逆变器等各类电力电子应用提供高可靠性解决方案。
2026-01-15 10:07 阅读量：648
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