瑞萨推出无线压力传感器助力更可靠的传感检测

发布时间：2023-06-01 10:18
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：2251

　　随着无线通信技术的不断发展和智能化水平的提高，无线压力传感器凭借高灵活性、减少人员工作量等优势，应用领域愈加广阔。在工业自动化中，许多工业装置在制造过程中需要使用加压气体，如果出现故障（包括制造过程中的泄露）就会影响产量，而具有精准数据传输的无线压力传感器便为其安全操作提供了支持。

瑞萨推出无线压力传感器助力更可靠的传感检测

　　瑞萨电子无线压力传感器方案具有降压-升压架构，可实现更长的电池寿命；支持芯片内/外的温度传感器进行数据校准和提高精度。

　　系统框图

瑞萨推出无线压力传感器助力更可靠的传感检测

　　主要器件介绍

　　本方案集成了DA14531模块、ISL9122A稳压器和ZSSC3224传感器芯片，能够提供准确的压力传感器数据。

　　DA14531模块是基于蓝牙?5.1系统级芯片（SoC）设计的，为低功耗蓝牙开发提供了一种简单易用的方法。其集成了天线，并提供易于使用的软件，用户仅需添加一个电源和印刷电路板即可创建蓝牙应用。该模块目标针对广泛的物联网市场应用，并通过了跨区域认证，可显著节省产品开发成本和缩短上市时间。

　　ISL9122A是一款支持旁路模式的柔性升降压开关稳压器，可提供超低静态电流（IQ），支持1.8V至5.5V电池供电，可延长纽扣电池、锂电池和多串联碱性电池组供电的智能物联网设备电池使用寿命。ISL9122A具有自动旁路功能，适用于输入电压接近输出电压的情况，它可以在降压和升压模式之间自动转换，不会对输出造成明显干扰。除自动旁路功能外，如果不需要电压调节，还可以选择强制旁路省电模式。并且使用I2C接口总线可以访问强制旁路节能模式。

　　ZSSC3224是一款传感器信号调节器（SSC）芯片，可用于差分或伪差分输入信号的高精度放大和模拟/数字转换。ZSSC3224适用于高分辨率传感器模块，可对测量信号执行偏移、量程变化、第一和第二阶温度补偿。它专为校正电阻桥或绝对电压传感器而开发，可以提供使用内部传感器测量的校正温度输出。测量和校正的传感器值由数字输出引脚提供，这些引脚可以配置为I2C（≤3.4MHz）或SPI（≤20MHz）。该器件采用集成式26位数字信号处理器（DSP）来实现线性化和校准功能。内部的校准算法实现了信号偏移、灵敏度、温度和非线性的数字补偿。校准系数存储在一个具有高可靠性、非易失性可编程存储器中。


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　　7月29日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布推出全新64位微处理器RZ/G3E(MPU)。RZ/G3E作为一款通用型产品，针对高性能人机界面(HMI)应用进行优化，集成运行频率高达1.8GHz的四核Arm® Cortex®-A55和一个神经网络处理单元(NPU)，可实现高性能边缘计算，并具备AI推理功能，从而带来更快、更高效的本地处理。凭借全高清图形处理能力和高速连接功能，该MPU主要面向工业和消费领域的HMI系统，包括工厂设备、医用监视器、零售终端和楼宇自动化系统。　　高性能边缘计算与HMI功能　　RZ/G3E的核心包含四核Arm® Cortex®-A55、一个Cortex®-M33内核，以及用于AI任务的Ethos™-U55 NPU。这种架构能够高效运行图像分类、物体识别、语音识别和异常检测等AI应用，同时将CPU负载降至最低。该产品专为HMI应用设计，可在两个独立显示屏上以60fps的速率流畅播放全高清(1920x1080)视频，其输出接口包括LVDS(双链路)、MIPI-DSI和并行RGB接口;此外RZ/G3E还配备MIPI-CSI摄像头接口，可用于视频输入与感知应用。　　Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing at Renesas表示：“RZ/G3E在RZ/G系列成熟性能的基础上，增加了NPU以支持AI处理。通过使用与我们最近发布的RA8P1微控制器相同的Ethos™-U55 NPU，我们为AI开发提供了可扩展的路径。这些增强功能凭借强大的AI能力，满足下一代HMI应用在视觉、语音和实时分析方面的需求。”　　RZ/G3E配备边缘设备所需的一系列高速通信接口，包括用于高达8Gbps数据传输的PCI Express 3.0(2通道)、用于快速10Gbps数据传输的USB 3.2 Gen2，以及实现与云服务、存储设备和5G模块无缝连接的双通道千兆以太网。　　低功耗待机与快速Linux恢复　　从第三代RZ/G3S开始，RZ/G系列就包含先进的电源管理功能，可显著降低待机功耗。RZ/G3E在保持子CPU运行和外设功能的同时，功耗可低至约50mW;深度待机模式下功耗约为1mW。它支持DDR自刷新模式以保留内存数据，从而能够从深度待机模式快速唤醒并运行Linux应用程序。　　全面的Linux软件支持　　瑞萨提供基于可靠Civil Infrastructure Platform内核且经验证的Linux软件包(VLP)，并提供超过10年的维护支持。对于需要最新版本的用户，瑞萨提供Linux BSP Plus，支持最新LTS Linux内核和Yocto。此外，Canonical的Ubuntu，以及Debian开源操作系统也可用于服务器或桌面Linux环境。　　RZ/G3E的关键特性　　CPU：四核Cortex®-A55(最高1.8GHz)、Cortex®-M33　　NPU：Ethos™-U55(512GOPS)　　HMI：双全高清输出、MIPI-DSI/双链路LVDS/并行RGB、3D图形处理、H.264/H.265编解码器　　内存接口：32位LPDDR4/LPDDR4X(带ECC)　　5G通信连接：PCIe 3.0(2通道)、USB 3.2 Gen2、USB 2.0x2、千兆以太网x2、CAN-FD　　工作温度：-40°C至125°C　　封装选项：15mm2 529引脚 FCBGA、21mm2 625引脚 FCBGA　　产品生命周期：根据产品生命周期计划(PLP)提供15年供货保障　　瑞萨及其生态系统合作伙伴推出的系统级模块解决方案　　瑞萨还推出基于RZ/G3E的模块化系统(SoM)解决方案——高性能边缘计算SoM丨瑞萨。瑞萨的生态系统合作伙伴将提供广泛的SoM解决方案：例如Tria的SMARC模块、ARIES Embedded的OSM(Size-M规格)，以及MXT的OSM(Size-L规格)。　　成功产品组合　　瑞萨电子将RZ/G3E与其它兼容设备相结合，开发了功能丰富的高端HMI平台和数字耳镜。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。更多信息，请访问：renesas.com/win。　　供货信息　　RZ/G3E和评估板套件现已上市;该套件包括一块SMARC v2.1.1模块板和一块载板。如果你想购买相关产品，可咨询AMEYA360的销售人员。
2025-07-30 11:29 阅读量：327
瑞萨电子：高性能系统如何从GaN和低压MOSFET中受益
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　　Gabriele Clapier，Power System Marketing Manager："随着汽车、工业和机器人应用对效率、功率密度和可靠性的要求不断提高，功率半导体技术也取得了长足的发展。氮化镓(GaN)和低压MOSFET是推动这一发展的两项最具影响力的创新。Renesas一直处于这些进步技术的最前沿，为这些要求苛刻的行业提供量身定制的高性能解决方案。在这里，我想探讨GaN和MOSFET在这些应用中的作用、它们的优势和挑战，并探讨一些行业用例。"　　GaN和Cascode D-Mode架构的优势　　与传统的硅基器件相比，GaN具有许多优势，包括更高的效率、更快的开关速度和卓越的热性能。这些优势源于GaN较低的导通电阻和更少的栅极电荷，这有助于降低导通和开关损耗。GaN还允许更高的开关频率，从而实现更紧凑、更高效的电力电子设计。　　GaN最有效的实现方式之一是Cascode D-Mode(耗尽模式)配置，通过常开GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT)与低压硅MOSFET配对，以创建常闭器件。　　这种组合可以发挥GaN的高效率和快速开关特性，同时保持了使用传统硅栅极驱动器的易控制的特性。 Cascode方法提供更强的耐用性、高电压作以及与现有电路拓扑的兼容性，使其成为高效电源应用的首选解决方案。　　主要应用–能源、电动汽车充电、电机控制和汽车　　可再生能源的兴起也增加了对便携性和高效系统的需求。基于GaN的解决方案被广泛使用，因为它们支持紧凑、轻便和高效的USB-C电源系统，通过提供更快的充电和更高的能源转换率，实现便携性的设计目标。　　随着电动汽车的加速采用，智能充电解决方案对于效率和监控至关重要。基于GaN和MOSFET的电力电子器件可帮助实现这关键系统的高效率、低散热和快速开关速度的目。访问这些应用页面，了解这如何有利于X-in-1集成和其他安全、高效且可扩展的电动和混合动力汽车(EV/HEV)解决方案。　　现代AI驱动型电机控制解决方案利用GaN和低压 MOSFET来提高精度和效率。边缘AI在机器人和工业自动化中发挥着重要作用，可实现实时调整、预测性维护和更高能源效率。基于AI的控制算法与高性能功率器件的集成确保了卓越的电机性能，同时降低了能耗。 高压GaN技术通过降低损耗和提高功率密度，正在彻底改变功率转换，这些进步使工业和汽车应用都受益。 基于高压GaN的转换器可实现更紧凑、更轻便的设计，并具有卓越的功率转换能力。在1.2kW高压GaN逆变器解决方案中查看其实际应用。在电机驱动和机器人应用页面上查看其他高功率交流驱动器设计。　　GaN FET和MOSFET通过实现最小的功率损耗、更强的安全性和稳健的性能，在汽车应用中发挥着至关重要的作用。例如，在上述EV系统中，将多种动力功能集成到单个X-in-1E-Axle解决方案中，可显著提高效率并降低系统复杂性。氮化镓技术提高了功率转换效率，减小了尺寸和重量，最终延长了行驶里程和可靠性，这是将逆变器、车载充电器(OBC)、DC/DC转换器和配电单元(PDU)组合在一起时的关键因素。　　在不断增长的电动两轮车市场中，高效的48V无刷直流 (BLDC)电机控制解决方案至关重要。具有优化 FOM(品质因数，RDSon xQG)的低压MOSFET可实现更高的开关频率、更低的损耗和更好的热性能，从而可帮助实现紧凑、轻便的动力系统，延长电池寿命并改善加速性能。　　总结　　GaN和低压MOSFET正在彻底改变多个领域的电力电子技术，瑞萨电子通过为可再生能源、电动汽车充电、电机控制和下一代汽车架构提供高效、高性能的解决方案来推动这些创新。随着技术的不断进步，这些技术将进一步提高未来工业和汽车应用的能效、可靠性和集成度。
2025-07-24 13:33 阅读量：406
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