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TDK推出新型低电阻软终端型积层<span style='color:red'>陶瓷电容器</span>，进一步扩大其MLCC产品阵容

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TDK推出新型低电阻软终端型积层陶瓷电容器，进一步扩大其MLCC产品阵容

　　● 新产品中的树脂层仅覆盖板安装侧　　● 基于TDK自主设计和结构，实现高可靠性和低电阻　　● 新产品进一步增加了电容，3216和3225型的电容分别为22 μF和47 μF　　● 升级至车载等级(符合AEC-Q200标准)和商用等级　　TDK株式会社(TSE：6762)采用独特的设计和结构，扩充其CN系列积层陶瓷电容器(MLCC)产品。不同于以树脂层覆盖整个端电极的传统软终端MLCC，新产品的树脂层仅覆盖板安装侧，使得电流能够传输至层外，从而降低电阻。采用这一结构的软终端积层陶瓷电容器为业内首个*。通过新增CNA系列 (车载等级)和CNC 系列(商用等级)产品，可满足市场对大电容的需求。　　新型低电阻软终端MLCC具有3216(3.2 × 1.6 × 1.6 毫米 – 长 x 宽 x 厚)尺寸和3225(3.2 × 2.5 × 2.5 毫米 - 长 x 宽 x 厚)尺寸，电容分别为22 μF和47 μF，与传统产品相比电容更高，从而有助于减少元件数量和缩小尺寸。　　软终端MLCC可防止电源和电池线路发生短路。但由于软终端的端电极电阻略高，因此有必要保持低电阻以减少损失。　　车载等级CNA系列符合AEC-Q200标准。　　新产品将于2023年9月开始量产。而本系列产品也是对2021年9月推出的CN系列的补充，以满足对更高容量的持续需求。　　术语　　● µF：微法，电容单位，相当于0.000001F　　● 软终端：标准终端电极采用两层电镀结构，基极为Cu和Ni-Sn，而软终端在两层电镀层之间涂有导电树脂，基极为Cu和Ni-Sn　　● AEC-Q200标准：由汽车电子委员会制定的关于无源元件的标准　　主要应用　　● 各种车载电子控制单元(ECU)的电源线路的平滑和去耦　　● 工业机器人等的电源线路的平滑和去耦　　主要特点与优势　　● 高可靠性，符合AEC-Q200标准　　● 3216和3225尺寸的电容分别达22 μF 和47 μF，实现更节约空间的设计并减少元件数量　　● 采用TDK独特终端结构的软终端拥有较低的电阻，与标准产品相当

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TDK

发布时间：2023-09-13 13:07 阅读量：2229 继续阅读>>

村田创新开发的0603M尺寸小型多层<span style='color:red'>陶瓷电容器</span>开始量产

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村田创新开发的0603M尺寸小型多层陶瓷电容器开始量产

　　株式会社村田制作所创新开发出一款在0603M尺寸(0.6 x 0.3mm)中具有超大静电容量10µF的多层陶瓷电容器，并已开始量产。该产品在以智能手机为主的各种电子设备中被越来越多的使用。　　本产品系列中，最高工作温度为85°C、额定电压为4Vdc的“GRM035R60G106M”已经开始量产。此外，最高工作温度为105°C、额定电压为2.5Vdc的“GRM035C80E106M”计划在2023年9月前量产，而最高工作温度为85°C、额定电压为6.3Vdc的“GRM035R60J106M”预定在2024年量产。　　随着支持5G的智能手机的普及以及可穿戴终端等电子设备的多功能化和小型化，对电子电路的小型化和高密度化也提出了进一步的要求。　　多层陶瓷电容器作为电子设备中不可缺少的部件已被用于智能手机和可穿戴设备等多种设备中，特别是像高端智能手机，均配备了大约900至1,100个多层陶瓷电容器，对多层陶瓷电容器的小型化、大容量化的需求不断提高。特别是静电容量为10µF的多层陶瓷电容器目前已被广泛用于各种设备中。　　此外，在服务器和数据中心，随着其性能的提高，也同时要求多层陶瓷电容器能够保证在高温下稳定工作。　　村田通过确立特有的陶瓷元件及内部电极薄层化技术，与10µF静电容量的村田传统产品(1005M尺寸)相比，实现了贴装面积比约65%的缩小。此外，与相同尺寸(0603M尺寸)、静电容量为4.7µF的传统产品产品相比，容量大约为2.1倍，实现了大容量化。　　今后，村田将进一步推进多层陶瓷电容器的小型化、扩大静电容量和保证高温条件下的稳定性能，并致力于扩大产品阵容以满足市场需求，从而为电子设备的小型化、高性能化和多功能化做贡献。此外，通过电子元件的小型化，也将减少材料使用量和村田生产工厂的电力消耗量，为减少环境负荷做贡献。

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村田

发布时间：2023-05-31 13:05 阅读量：2452 继续阅读>>

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Murata村田推出GCM多层陶瓷电容器

　　Murata村田推出GCM多层陶瓷电容器，Murata GCM多层陶瓷电容器设计用于提供出色的脉冲响应度和降噪能力，得益于高频率下的极低阻抗特性。该款电容器的额定电压为630VDC，工作温度范围为-55°C至125°C。GCM陶瓷电容器采用纸带或压纹带以及卷轴封装，可实现自动贴装。这些电容器的电容范围为0.012F至22F，容差为2%/5%，符合RoHS指令。　　特性：　　出色的脉冲响应度　　降噪　　符合AEC-Q200要求　　无铅产品　　额定电压：630VDC　　温度范围：-55°C至+125°C

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村田

发布时间：2023-02-02 14:00 阅读量：2380 继续阅读>>

<span style='color:red'>陶瓷电容器</span>和高频瓷介电容器有哪些区别

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陶瓷电容器和高频瓷介电容器有哪些区别

　　今天Ameya360给大家带来，在大多数人看来陶瓷电容器和高频陶瓷介质电容器是两种较为相似的电容器。实际上，陶瓷电容器和高频陶瓷介质电容器是有区别的。高频瓷介电容器是陶瓷高电容器的一种。以下内容是对陶瓷电容器和高频陶瓷介质电容器的区别做的简要介绍。　　陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。　　陶瓷电容器具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。　　陶瓷电容　　低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。　　高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构。高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器。就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。　　高频瓷介电容器频率特性好，Q值高，温度系数小；不能做成大的容量；广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器玻璃釉电容器。性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V。

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电容器

发布时间：2022-12-28 11:01 阅读量：2409 继续阅读>>

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陶瓷电容器的识别方法及主要用途是什么

　　陶瓷电容器的用途是多种多样的，在不同的电路中会发挥不同的功能。基本上大家平时所见的家电或者电子产品里面都能看到它的身影。主要搭配其他设备起到谐振、耦合、滤波、旁路的作用。今天Ameya360电子元器件采购网讲为大家进行介绍陶瓷电容器。　　识别陶瓷电容的方法　　1、直接标示值法　　如果是10n，那麼也就是10nF，一样100p就100pF。如果是4n7也就是4.7nF，没标单位的直接表示法：1～4位数字表示，即指数值标示，容量单位为pF，如独石和某些高压瓷片电容，一般来说就用指数值方式，471就代表47×10^1 pF=470pF。高压瓷片电容还有直接标示容量的，单位也就是pF。贴片钽电容，一般来说直接标示参数，比较普遍的单位是pF。　　2、色码表示法　　沿电容器容引出线大方向，用不一样的顏色代表不一样的数字，一，二种环代表容量，三种颜色表有效数字后零的数量（单位为pF）顏色实际意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。　　3、电容器的辨别　　看它上边的标示值，一般来说有标注容量和正负极，比如说贴片钽电容上，有白线的一边也就是正极，此外像电解电容器，就用管脚长度来区分正负极长脚为正，短脚为负。　　陶瓷电容器的主要用途　　大体上来讲，在直流电路中，电容器就相当于是断路的，隔直流显现的作用就是是阻止直流通过而让交流通过。而陶瓷电容器有以下具体的几种用途一、旁路（去耦）这是为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗的通路。　　在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容器所处的位置不同，称呼就不一样。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。　　我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。　　耦合用在耦合电路中的陶瓷电容称为耦合电容，在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路，起隔直流通交流作用，它作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路。　　滤波用在滤波电路中的陶瓷电容器称为滤波电容，滤波电容是会将一定频段内的信号从总信号中去除的，所以在电源电路中，整流电路将交流变成脉动的直流，而在整流电路之后接入一个较大容量的陶瓷电容，利用其充放电特性，使整流后的脉动直流电压变成相对比较稳定的直流电压。　　谐振用在LC谐振电路中的安规电容器称为谐振电容，LC并联和串联谐振电路中都需这种电容电路。温度补偿针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响而进行补偿，改善电路的稳定性。调谐是对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。储能储能就是储存电能，用于必要的时候释放，例如相机闪光灯，加热设备等等。

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陶瓷电容器

发布时间：2022-12-27 13:41 阅读量：2440 继续阅读>>

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陶瓷电容器使用注意事项

　　陶瓷介电电容器是陶瓷用介电材料的电容器。根据陶瓷材料的不同，可将电容器分为容量为1~300pF的低频陶瓷介电电容器和容量为300~22000pF的高频陶瓷介电电容器。按结构形式可分为图像电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿孔电容器等。今天Ameya360电子元器件采购网将给大家介绍一下陶瓷电容小知识。　　陶瓷电容使用注意事项　　1、陶瓷电容壳体损坏　　壳体损坏的陶瓷电容容易漏电流，漏电流过大时散发大量的热使温度升高，温度升高到一定程度上烧毁电路，引起火灾。　　在使用陶瓷电容时都会先对陶瓷电容进行检查，如发现陶瓷电容上有裂纹、有杂质时不要使用该陶瓷电容，换个新的壳体没有损伤的陶瓷电容。　　2、工作环境温度　　通常情况下陶瓷电容的工作温度范围是-25℃ ~ +85℃，在使用陶瓷电容前要确认工作环境温度。工作环境温度过低，对陶瓷电容的影响不大，但要注意避免陶瓷电容结露，工作性能下降。　　温度过高，电流浪涌过大，陶瓷电容容量下降，缩短陶瓷电容的工作时间，还会导致陶瓷电容击穿失效，严重时烧毁电路，给公司带来损失。换个温度适宜通风的工作环境或者在陶瓷电容工作时加散热器或者电风扇使温度下降保证陶瓷电容的正常工作。　　3、工作电压　　在使用陶瓷电容前要注意电路中的工作电压不能超过陶瓷电容的额定电压。超过额定电压容易导致陶瓷电容短路失效，电子产品不能正常工作，需要换个额定电压大于工作电压的陶瓷电容，保证电路的正常运行。

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陶瓷电容器

发布时间：2022-12-20 10:50 阅读量：2645 继续阅读>>

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陶瓷电容是什么陶瓷电容器的分类有哪些

　　陶瓷电容是指用高介电常数的电容器陶瓷钛酸钡一氧化钛挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。今天Ameya360电子元器件采购网将给大家介绍一下陶瓷电容小知识。　　一、陶瓷电容是什么　　在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。　　陶瓷电容是什么电子零件　　二、陶瓷电容器的分类有哪些　　1、半导体陶瓷电容器　　电容器的微小型化即电容器在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，这是电容器发展的趋向之一。对于分离电容器组件来说，微小型化的基本途径有两个，即使介质材料的介电常数尽可能提高和使介质层的厚度尽可能减薄。　　在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但是用铁电陶瓷制造普通铁电陶瓷电容器时，陶瓷介质很难做得很薄。首先是由于铁电陶瓷的强度低，较薄时容易碎裂，难于进行实际生产操作，其次，陶瓷介质很薄时易于造成各种各样的组织缺陷，生产工艺难度很大。　　表面层陶瓷电容器是用BaTiO3等半导体陶瓷的表面上形成的很薄的绝缘层作为介质层，而半导体陶瓷本身可视为电介质的串联回路。表面层陶瓷电容器的绝缘性表面层厚度，视形成方式和条件不同，波动于0.01～100μm之间。这样既利用了铁电陶瓷的很高的介电常数，又有效地减薄了介质层厚度，是制备微小型陶瓷电容器一个行之有效的方案。　　2、晶界层陶瓷电容器　　晶粒发育比较充分的BaTiO3半导体陶瓷的表面上，涂覆适当的金属氧化物（例如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），在适当温度下，于氧化条件下进行热处理，涂覆的氧化物将与BaTiO3形成低共溶液相，沿开口气孔和晶界迅速扩散渗透到陶瓷内部，在晶界上形成一层薄薄的固溶体绝缘层。这种薄薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（可达1012～1013Ω·cm），尽管陶瓷的晶粒内部仍为半导体，但是整个陶瓷体表现为显介电常数高达2×104到8×104的绝缘体介质。用这种瓷制备的电容器称为晶界层陶瓷电容器（boundarg layer ceramic capacitor），简称BL电容器。　　3、高压陶瓷电容器　　随着电子工业的高速发展，迫切要求开发击穿电压高、损耗小、体积小、可靠性高的高压陶瓷电容器。近20多年来，国内外研制成功的高压陶瓷电容器已经广泛应用于电力系统、激光电源、磁带录像机、彩电、电子显微镜、复印机、办公自动化设备、宇航、导弹、航海等方面。　　钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压特性较好的优点，但也有电容变化率随介质温度升高、绝缘电阻下降等缺点。钛酸锶晶体的居里温度为-250℃，在常温下为立方晶系钙钛矿结构，是顺电体，不存在自发极化现象，在高电压下钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化小，tgδ及电容变化率小，这些优点使其作为高压电容器介质是十分有利的。　　4、多层陶瓷电容器　　多层陶瓷电容器（Multilayer Ceramic Capacitor，MLCC）是片式元件中应用最广泛的一类，它是将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合，并共烧成一个整体，又称片式独石电容器，具有小尺寸、高比容、高精度的特点，可贴装于印制电路板（PCB）、混合集成电路（HIC）基片，有效地缩小电子信息终端产品（尤其是便携式产品）的体积和重量，提高产品可靠性。顺应了IT产业小型化、轻量化、高性能、多功能的发展方向。

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电容器

发布时间：2022-12-19 11:13 阅读量：2590 继续阅读>>

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陶瓷电容器在电路中起着什么作用

　　陶瓷电容器在电路中起着什么作用？今天Ameya360电子元器件采购网将为大家进行介绍。　　陶瓷电容器在电路中的主要作用是耦合、去耦、平滑和滤波。　　【1】耦合　　除去DC成分，只允许AC成分通过。　　【2】去耦　　去除不需要的噪声成分。　　　【3】平滑　　将电源回路整流后的电压调整为接近直流状态。　　【4】滤波　　与线圈和电阻组合使用，除去不需要的频段信号，获取必要的频段的信号。

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电容器

发布时间：2022-12-09 17:26 阅读量：2162 继续阅读>>

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陶瓷电容器的叠层数变化时，ESR、ESL也会变化吗

　　会变化的。陶瓷电容器的截面如下图所示，置换为等效电路时，内部电极的电阻和电感并联连接。　　　　因此，当层叠数增加时，并联连接的电阻和电感会增加，ESR和ESL会变小。　　　　一般部件尺寸较大时，内部电极会变长，电极的电阻和电感会变大。如果层叠数目多但尺寸大，则ESR和ESL可能比层叠数量少且尺寸小部件更大。有关个别产品的ESR、ESL特性，请使用可检索产品的规格和特性的TY-COMPAS。

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电容器,陶瓷电容器,ESR

发布时间：2022-12-02 16:02 阅读量：2660 继续阅读>>

太阳诱电<span style='color:red'>陶瓷电容器</span>的静电容量

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太阳诱电陶瓷电容器的静电容量

　　蓝牙技术应用以每年9%的速度稳定增长，尽管最近三年全球遭遇新冠疫情的影响，但是蓝牙市场已经在2022年开始恢复。在我们的生活中，耳机、手表、电表、电动车和电池等等产品的智能化应用都和蓝牙技术脱不开关系。　　蓝牙市场是个无比庞大的市场，蓝牙技术一直是海凌不断深入研发的赛道之一。HLK-B40蓝牙模块以其小体积、低功耗、传输距离远等特点，深受客户的青睐，有多款成熟的开发定制方案。　　B40产品特点　　HLK-B40是海凌科研发的一款主从一体BLE5.1双模蓝牙模块，最多可连接20个设备，主频48Mhz，超小体积仅14X9.5X2mm，最大发射功率10dBm，接收灵敏度-95dBm，睡眠状态下功耗低至6uA，支持透传模式和AT命令模式，可搭配APP使用，供电方式电池供电和电源供电二选一，支持OTA升级，高性能高性价比。　　B40电动车APP应用案例　　基于HLK-B40蓝牙模块开发的电动车APP方案，能够实现用户ID与车辆绑定、车辆自检和实时车速定位等功能。　　通过蓝牙模块HLK-B40，以手机app作为人机交互的接口，用户可以在APP上直接绑定电动车，快速检测电机温度过高、控制器通讯故障、仪表盘通讯故障、崔尔传感器故障等问题并及时反馈，实时记录并反馈车速、电池电量、车辆行驶里程等等重要信息，同时还可以通过APP控制车辆。　　该电动车APP开发方案大大降低了电动车售后和维护的成本，让用户行驶过程中更安全更放心，给予用户更好的使用体验。　　B40电池系统APP应用案例　　基于HLK-B40蓝牙模块研发的电池系统开发方案，支持密码校验、读取设备信息和连接BLE蓝牙设备等功能。　　HLK-B40蓝牙模块建立与电动工具电池包的交互信息，交互信息通过蓝牙与电池包连接获取，采集电池包的数据信息，根据数据信息，形成数据分析报告，并发送数据分析报告至用户终端，判断数据分析报告与预设数据报告是否一致。如果判断不一致，则形成警示信息。　　根据得到的数据分析信息，让用户实时知悉电池的使用现状，包括可用电量、电流、电压、循环次数等等信息。基于这些信息，用户还可以在APP上快速个性化设置电池各项参数，把控电池的整体使用，也让用户对产品的使用和操作更加智能化和科学化。　　主从一体BLE5.1蓝牙模块HLK-B40兼具功耗低至6uA,传输距离40-100m以及高性价比等优良特性，除了电动车和电池系统开发方案外，还拥有着水表、电表等多种成熟开发方案。

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太阳诱电

发布时间：2022-11-28 11:00 阅读量：2098 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号	品牌	抢购
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor

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