电子元器件基础知识大全电子元器件采购基本知识-Ameya360电子元器件采购网

森国科推出极小<span style='color:red'>封装</span>碳化硅二极管，提升电源效率！

行业新闻

森国科推出极小封装碳化硅二极管，提升电源效率！

　　深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS02065(650V/2A),该系列二极管主要用来提升电源类产品的效率、减少体积、降低EMI问题、提升高温特性，进而全面提升功率密度。目前2A系列的碳化硅二极管已通过多家客户的测试验证，并实现了大批量供货。　　森国科第五代650/2A TMPS二极管具有一流的鲁棒性和耐久性，具备高浪涌电流和雪崩能力，并通过100%雪崩(UIL)生产测试，技术参数对标国际一线公司的最新产品，足以满足高端领域的国产化替代需求。为了提升KS02065在不同应用中的灵活性，确保整个流程的稳定运行，森国科为客户提供TO-220, TO-252， SMA三种不同的封装：　　TO-220-2L封装散热效果最佳，但是相对来说占用空间;　　TO-252-2L封装具备优秀的散热能力，体积上也有一定的优势，在应用场景上的利用率较高;　　SMA是碳化硅功率器件封装中体积最小的一款，约为4.5mm*2.7mm，也是目前国内少有的封装样式。SMA封装通常在硅二极管中比较常见，在一些电源类产品中如需使用碳化硅二极管来替代，可以在节省电路修改和PCB设计的前提下，保障系统效率的稳步提升，这对应用端来说是一举多得的选择。　　典型应用电路如单向PFC电路: D5，电路简单，成本低，初级无电解电容。　　森国科深耕宽禁带半导体领域多年，目前已与国内外TOP级工艺厂商(X-FAB\积塔等)达成友好合作，秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。

关键词：

森国科

发布时间：2025-08-19 11:40 阅读量：370 继续阅读>>

行业新闻

森国科推出SOT227封装碳化硅功率模块，赋能高效能源系统升级

　　碳化硅(SiC)功率半导体技术引领者森国科，推出了采用SOT227封装的SiC MOSFET及JBS功率模块系列。这一突破性封装方案结合了高功率密度与系统级可靠性，为新能源发电、工业电源及电动汽车等领域提供高效能解决方案。　　SOT227作为成熟工业级封装标准，其结构性优势完美适配SiC器件的特性需求，是释放SiC 功率器件性能潜力的最优载体。SOT227 有如下的封装结构及工艺特性：　　PART.01超低寄生参数　　--超低寄生参数：　　一体成型的端子布局与紧凑内部结构，寄生电感<10nH，显著抑制开关振荡，使SiC MOSFET的超快开关性能(开关频率达100kHz+)得以充分发挥。　　--紧凑型模块设计　　SOT227是一种内绝缘封装，基板(DBC)面积大于TO-247，可容纳更多或更大尺寸的SiC芯片(如多芯片并联或混合拓扑集成)，同时整体体积显著小于传统大功率模块，适用于空间受限的高密度设计。　　引脚设计：终端引脚尺寸更大，支持更高电流承载能力(例如1200V SiC MOSFET通流能力达121A，较TO-247提升9%)。　　--绝缘与散热优化　　内绝缘陶瓷垫片：内置Al₂O₃或AlN陶瓷绝缘层，无需外加绝缘垫片，减少外部热阻并简化安装流程;　　低热阻设计：结到散热器的热阻(Rθ-jHs)比TO-247降低50%以上。例如，部分SiC MOSFET模块的结壳热阻低至0.67 K/W，显著提升散热效率。　　--机械与安全特性　　高绝缘可靠性：端子间爬电距离≥10.4mm，隔离电压达2500Vrms，满足工业安全标准(如IEC 60601);　　简化安装：支持标准M4螺钉安装，扭矩规格明确(1.5N·m)，降低装配复杂度并提高生产良率。　　PART.02电气性能优势高频与低损耗特性　　--开关性能　　SiC器件支持超高速开关(如Turn-On Delay 19ns，Rise Time 27ns)，开关损耗极低(175℃时Eon=500μJ, Eoff=250μJ)，适用于高频应用(如射频电源、LLC谐振转换器)。　　--低导通损耗　　SiC MOSFET导通电阻可低至7.6mΩ。　　SiC肖特基二极管正向压降低至1.36V，电容电荷(Qc)仅56nC，显著降低导通与开关损耗。　　--高温与可靠性表现　　工作温度：支持高达175℃环境温度，正温度系数特性便于多器件并联均流。　　鲁棒性设计：内置SiC SBD续流二极管无反向恢复问题(反向恢复时间16ns)，避免电压尖峰和EMI噪声;雪崩耐量设计增强抗负载突变能力。　　SOT227 封装的SiC 模块出色的性能，可在如下的典型应用场景中大显身手：01　　中高功率工业系统　　填补功率缺口：适用于数十至数百千瓦功率段(如TO-247与62mm模块之间的空白)，覆盖光伏逆变器、充电桩、工业UPS等场景。　　高频电源：AC/DC PFC、DC/DC超高频整流(如电信电源、服务器电源)，依赖低Qc和高速开关实现>95%效率。　　02　　精密与严苛环境设备　　半导体制造设备：等离子体射频发生器、PECVD电源，需高精度功率控制与低EMI特性。　　医疗与航空航天：密封设计适配高湿度环境，金属法兰安装增强机械稳定性(如至信微模块应用于航空航天领域)。　　森国科基于自研SiC MOSFET 及JBS晶圆，基于SOT227 封装，适时推出了SOT227 封装的SiC MOSFET 及 JBS 模块产品　　KC017Z12J1M1 SiC MOSFET　　KC100D12J1M1 SiC JBS　　SOT227封装赋予了SiC器件系统级创新的战略支点。森国科的SOT227模块化方案让客户在保持设计兼容性的同时，直接解锁SiC的能效红利。SOT-227封装通过结构创新(内绝缘、紧凑布局)与SiC材料优势(高频、耐高温)的结合，解决了中高功率系统在功率密度、散热效率和安装成本上的痛点。其标准化设计(如引脚兼容性)进一步推动了对传统硅基器件的替代，尤其在高频、高温及可靠性要求严苛的领域具备不可替代性。

关键词：

森国科

发布时间：2025-08-15 15:54 阅读量：650 继续阅读>>

行业新闻

森国科TOLL封装SiC二极管：高密度时代的封装新宠

　　在功率半导体飞速迭代的进程中，碳化硅(SiC)功率器件凭借高频、高压、低损耗、耐高温等优异性能，成为高效功率转换的核心器件。而要将这些晶圆级的性能优势完美转化成系统级价值，先进封装技术的支撑不可或缺——它如同一座桥梁，直接影响着器件的散热、稳定性、功率密度及可靠性。特别是在追求极致空间利用率的砖块电源、服务器电源、新能源车载充电器(OBC)等场景下，传统封装正逐渐暴露瓶颈。　　在这样的背景下，森国科(Gokeic)近期推出的1200V/50A SiC二极管KS50120-K2为何选择采用TOLL封装?　　TOLL封装：为高功率密度应用而生　　TOLL(TO-Leadless)封装是专为表面贴装(SMT)优化设计的新兴封装形式，在物理结构和性能层面都超越了传统主力TO-263(D²PAK)和TO-247：　　01空间革命　　TOLL的典型厚度仅约为2.3mm，相较同等性能等级厚度超5mm的TO-247有着显著的身材优势，TOLL通过独特的“翼型+底部大面积开窗”设计，同时实现了极其紧凑的占板面积与绝佳的双面散热能力，这对寸土寸金的高密度电源设计至关重要;　　02高效散热　　TOLL封装的灵魂在于底部开有大面积散热片(热焊盘)，热阻较TO-263平均降低约30%，允许芯片热量通过回流焊PCB底部铜箔与散热器高效传导。这种“双面散热”结构配合2.3mm的低厚度，在大电流工况下能显著降低结温，提升稳定性和长期寿命;　　03稳固可靠　　无曲折、短平的粗壮引脚结构(TOLL名称来源)，搭配优化的“翼型”结构设计，大幅提升贴装后的机械强度和抗热应力能力，尤其适合在汽车等振动与严苛温度循环的应用场景下使用，保证系统长期运行的稳健性;　　04SMT便捷性　　TOLL采用全表面贴装结构，与传统插件型TO-247相比消除了波峰焊的瓶颈和人工成本，尤其在高集成化、紧凑型模组设计中更易实现自动化回流焊，提升批量制造效率及良品率。　　为满足电力电子产品小型化、高功率密度的需求，森国科首家推出了TOLL封装SiC二极管，成为行业领跑者。其推出的1200V/50A SiC JBS器件KS50120-K2，正是这一封装技术的首秀载体。这款高效续流二极管专为PFC电路、变频驱动或OBC中的桥臂应用深度优化。TOLL封装的引入显著缩小了系统占用空间，通过更优的低热阻路径和更高电流密度提升了系统的整体功率密度，同时兼顾了高频工况下的可靠性与散热需求。　　随着SiC器件快速渗透入服务器电源、快充系统、新能源汽车等关键场景，系统的高功率密度和极端可靠性要求成为核心突破点。以森国科KS50120-K2为标志性代表的新一代TOLL封装SiC二极管，正在通过薄型化优化、热管理跃升与制造增效，为功率模块的小型化、自动化与集成化探索一条更优路径——封装不仅是芯片的“外衣”，更是解锁未来高效能源转换系统的物理钥匙。

关键词：

森国科

发布时间：2025-08-15 13:48 阅读量：400 继续阅读>>

海凌科：DCDC系列3W电源模块 SIP-8引脚<span style='color:red'>封装</span>

行业新闻

海凌科：DCDC系列3W电源模块 SIP-8引脚封装

　　海凌科URB24_S-3WR3系列电源模块是 4:1输入，隔离稳压输出3W。该产品为 SIP-8的引脚封装，较高的效率，满足-40℃~+85°C工作温度，具有输入欠压保护，输出过流和可持续短路保护功能。　　一、产品介绍　　URB24_S-3WR3系列电源模块，输出功率3W，隔离稳压输出，转换效率高达81%，共有6款产品，每款输出电压和电流有所区别，用户可根据需求自行选择。　　二、产品参数　　超小型 SIP 封装　　单路输出，DC/DC模块电源宽输入电压范围:4:1　　工作温度范围:-40°C~+85°C　　隔离电压 1500VDC　　低纹波噪声　　短路保护(自恢复)　　隔离稳压输出/ROHS　　效率:最高效率高达 81%　　三、应用场景　　该3W超小型SIP封装DC/DC模块URB24_S-3WR3具备4:1 宽输入、1500VDC高隔离、-40°C~+85°C宽温及低纹波等优良特性，是工业控制、能源管理、高端装备等领域理想的低成本、高可靠电源解决方案。

关键词：

海凌科

发布时间：2025-07-28 13:54 阅读量：385 继续阅读>>

投入达15亿，士兰微汽车半导体<span style='color:red'>封装</span>二期项目奠基

行业新闻

投入达15亿，士兰微汽车半导体封装二期项目奠基

　　2025 年 7 月 23 日上午，成都士兰汽车半导体封装厂房二期项目奠基仪式在金堂县淮口镇成阿工业集中发展区隆重举行。此次奠基标志着该项目正式进入建设实施阶段，对于推动成都半导体产业发展、提升汽车半导体封装能力具有重要意义。　　成都士兰汽车半导体封装项目(二期)由杭州士兰微电子股份有限公司投资建设，项目总投资达 15 亿元。据悉，该项目将新建 7.9 万平方米的厂房及配套设施设备，并对汽车级功率模块和功率器件封装生产线进行扩建。建成后，将进一步提升成都士兰在汽车半导体封装领域的生产能力和技术水平。　　杭州士兰微电子股份有限公司相关负责人在奠基仪式上表示，士兰微一直致力于半导体产业的研发与生产，成都士兰作为公司的重要布局，在过去的发展中取得了显著成绩。此次二期项目的启动，将进一步强化公司在汽车半导体领域的竞争力，为市场提供更多高品质的产品和服务。　　获悉，随着成都士兰汽车半导体封装厂房二期项目的开工建设，成都半导体产业将迎来新的发展机遇，有望在汽车半导体封装领域取得更大突破，为我国半导体产业的发展贡献更多力量。

关键词：

士兰微

发布时间：2025-07-28 13:09 阅读量：722 继续阅读>>

航顺HK32C105：高性价比主流芯片，多<span style='color:red'>封装</span>适配，兼容可靠，获IEC60730认证

行业新闻

航顺HK32C105：高性价比主流芯片，多封装适配，兼容可靠，获IEC60730认证

　　航顺芯片作为国家级专精特新重点“小巨人” 、国家级重点集成电路设计企业，深圳市重大技术攻关企业、深圳市发明技术二等奖企业、福布斯/胡润全球独角兽、身披荣光。公司先后完成八轮战略融资、连续获深圳国资委深投控、深创投、顺为资本、中电科、中航，中科院国科投、海尔、方广资本等知名机构八轮数亿元战略融资，背靠深圳市国资委深投控等强大股东阵容，手握 200 余件发明专利知识产权。航顺HK32MCU在市场中乘风破浪，书写属于自己的辉煌篇章。其芯片广泛应用于汽车电子、工业与物联网、计算机与网络设备、消费电子、智能家电等领域，深受广大客户的信赖，为推动国内芯片产业发展做出了重要贡献。　　今天给大家综合介绍HK32MCU的主流型芯片选型。　　HK32C105 主流型　　内核与性能： ARM® Cortex®-M0 内核，这一高性能内核为芯片提供了强大的运算能力，支持最高 64 MHz 的工作频率，确保了快速的指令处理和高效的计算效率，能够轻松应对各种复杂应用场景下的实时性需求，为您的项目提供强劲动力。　　存储资源：HK32C105 系列芯片内置了高达64 Kbyte 的 Flash 存储器，为您的代码存储和数据闪存需求提供了充足的空间，满足不同项目规模的存储要求。此外，芯片还配备了 10 Kbyte 的 SRAM，支持字、半字和字节的读写访问，CPU 可以零等待周期进行快速读写操作，极大地提升了系统运行效率，确保数据处理的高效性。　　工作电压与温度范围：工作电压范围为 2.6 V 至 5.5 V，适配多种供电场景，无论是工业应用还是消费电子产品，都能稳定运行。同时，其工作温度范围宽泛，可在 - 40°C 至 + 105°C 的环境下可靠工作，确保了在各种恶劣条件下都能保持稳定性能，为您的项目提供了可靠的保障。　　通信接口：HK32C105 系列芯片配备了丰富的外设功能，包括3 路 UART(最高通信速率可达 8 Mbit/s)、2 路高速 SPI/I2S(最高通信速率可达 18 Mbit/s)以及 2 路高速 I2C(最高通信速率可达 1 Mbit/s)，满足了多种设备间的数据交互需求，方便与其他硬件组件进行高效通信。此外，芯片还集成了 1 个 12 位的 SAR ADC，具备多达 21 个外部通道和 2 个内部通道，最高转换速率可达 1.14 MSPS，能够实现高精度的模拟信号采集，为您的项目提供了可靠的数据支持。　　国产替代的急先锋　　随着国内半导体产业的蓬勃发展，国产替代已成为不可逆转的趋势。航顺HK32C105 系列芯片凭借其卓越的性能、丰富的功能和高性价比，成为国产替代的急先锋。该芯片完全PIN TO PIN兼容 S*M8S105，能够直接替换进口产品，无需修改原理图及PCB，大大降低了企业的研发成本和风险，缩短了产品上市周期，为国内企业提供了一个高性价比的选择。该系列芯片不仅在性能上与国际同类产品相当，而且在价格和服务上更具优势，能够为国内企业提供优质、可靠的国产MCU 解决方案，满足日益增长的市场需求，打破国外垄断，推动国内 MCU 市场的自主可控发展。　　HK32C105 特色介绍　　(1)高性能内核：采用ARM®Cortex®-M0 内核，64MHz 的最高工作频率，提供了强大的计算能力和高效的任务处理能力，能够快速响应各种复杂的应用场景，满足实时性要求高的应用需求。　　(2)丰富的存储资源：64Kbyte 的 Flash 和 10Kbyte 的 SRAM，为用户程序和数据存储提供了充足的空间。Flash 支持传统的读写保护，确保代码和数据的安全性，同时，通过配置 Flash 控制器寄存器，还可实现中断向量在主 Flash 区内的重映射，增加了使用的灵活性。　　(3)多样的外设接口：具备3 路 UART、2 路 SPI/I2S 和 2 路 I2C 通信接口，支持多种数据传输速率和工作模式，可方便地与各种外部设备进行通信，如传感器、显示屏、其他 MCU 等，极大地扩展了芯片的应用范围。例如，通过 UART 接口可以实现与计算机的串口通信，SPI/I2S 接口可以用于与音频芯片、存储器等高速数据传输设备连接，I2C 接口则适合与一些低速的传感器或外围设备通信。　　(4)工作电压与温度范围：2.6V~5.5V 的宽工作电压范围，使得 HK32C105 能够适应不同的电源条件，降低了对电源设计的要求。同时，-40°C~+105°C 的宽温度范围，确保芯片在工业级甚至更恶劣的环境温度下都能稳定工作，适用于各种户外、工业现场等复杂环境的应用。　　(5)低功耗设计：HK32C105 具备多种低功耗模式，包括睡眠模式和停机模式。在睡眠模式下，CPU 停止工作，但外设仍可保持运行，并且能够在中断 / 事件发生时快速唤醒 CPU;停机模式则可以达到更低的功耗，此时内核域所有时钟关闭，但 SRAM 和寄存器内容仍保持不丢失。例如，在一些电池供电的物联网设备中，利用其低功耗特性，可以有效延长设备的续航时间。　　与竞品对比的突出优势　　与同类型竞品相比，HK32C105 具备以下突出优势：　　(1)更高的性能：在相同工作频率下，其处理能力和执行效率更高，能够更快地完成复杂的运算和任务调度。　　(2)更丰富的外设资源：提供了更多的通信接口和定时器等外设功能，满足了更多样化的应用需求，减少了外部器件的使用，降低了系统成本。　　(3)更宽的工作电压和温度范围：适应性更强，能够在更广泛的电源和环境条件下稳定工作，提高了系统的可靠性和稳定性。　　(4)更优的功耗表现：低功耗设计使其在电池供电或对功耗要求严格的场景下具有明显的优势，延长了设备的使用寿命。　　市场推广方向　　综上所述，航顺HK32C105 系列芯片凭借其高性能、丰富的存储资源、多样的外设接口、宽工作电压与温度范围以及低功耗设计等特点，成为了经济型通用MCU 市场中的佼佼者，并在国产替代进程中发挥着重要作用。　　其主要推广市场包括：　　(1)消费电子市场：如智能穿戴、智能家居控制等，可为产品提供高性能、低功耗的控制核心，提升产品的智能化水平和用户体验。　　(2)家电市场：在空调、冰箱、洗衣机等家电中，可实现智能控制、变频调速等功能，提高家电的能效和性能，满足消费者对智能化家电的需求。　　(3)汽车电子市场：可用于汽车车身电子控制系统、汽车娱乐系统等，助力汽车电子的智能化升级，提升汽车的安全性和舒适性。　　(4)工业控制市场：如电机驱动、工业自动化控制等，其高可靠性和丰富的外设接口能够满足工业环境下的严苛要求，保障工业生产的稳定运行。　　(5)物联网市场：凭借低功耗和高性能的特点，适用于各种物联网传感器节点和网关设备，助力物联网产业的发展。　　(6)电力储能：在电力监控系统中，能够实时监测电力系统的运行状态，包括电压、电流、功率等参数，及时发现并处理异常情况，确保电力系统的稳定运行。在无功补偿器等设备中，其高性能内核和快速运算能力，能快速计算并控制无功补偿，提高电力系统的功率因数，降低线路损耗，实现能源的优化配置。

关键词：

航顺

发布时间：2025-07-15 13:09 阅读量：378 继续阅读>>

川土微电子推出超小型<span style='color:red'>封装</span>隔离式半双工485收发器

行业新闻

川土微电子推出超小型封装隔离式半双工485收发器

　　01产品概述　　川土微电子CA-IS2082B是一款具有高可靠性的隔离式半双工RS-485收发器产品。该芯片采用超小体积的SSOP16封装，body size仅为4.9x3.9mm，可大大节约布板空间，满足小型化需求。　　CA-IS2082B具有高绝缘能力，有助于防止数据总线或其他电路上的噪声和浪涌进入本地接地端，从而干扰或损坏敏感电路。高CMTI能力可以保证数字信号的正确传输。CA-IS2082B器件支持绝缘耐压高达3kVRMS。　　02产品特性　　• 符合 TIA/EIA-485-A 标准　　• 信号传输速率：高达5Mbps　　• 失效防护接收器(总线开路、短路)　　• 支持多达256个总线节点　　• 总线引脚ESD能力　　-总线引脚对GNDB ±8kV HBM　　-总线侧其他引脚对GNDB ±6kV HBM　　-信号侧引脚对GNDA ±6kV HBM　　-总线侧±12 kV IEC 61000-4-2　　Contact Discharge　　• 2.5 V至5.5 V逻辑侧电源 (VDDA)　　• 4.5 V至 5.5 V总线侧电源(VDDB)　　• 在接收状态时，总线输入端开路或短路接收器输出高电平　　• 宽温度范围： -40 °C至125 °C　　• 引脚兼容大多数隔离式 RS-485 收发器　　• 高CMTI：±100 kV/µs (典型值)　　• 高达3000 VRMS隔离耐压　　• 隔离栅寿命： >40年　　• 封装形式：SSOP16

关键词：

川土微电子

发布时间：2025-06-23 13:50 阅读量：542 继续阅读>>

东芝推出采用DFN8×8<span style='color:red'>封装</span>的新型650V第3代SiC MOSFET

行业新闻

东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

　　东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布，推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。　　四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体积减小90%以上，并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能;以TW054V65C为例，与东芝现有产品相比[5]，其开通损耗降低了约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备中的功率损耗。　　未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。　　测量条件：VDD=400V、VGS=18V/0V、ID=20A、Ta=25°C、L=100μH，Rg(外部栅极电阻)=4.7Ω　　续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。(截至2025年5月，东芝对比结果)图1 TO-247与DFN8×8封装的导通损耗(Eon)和关断损耗(Eoff)比较　　应用　　● 服务器、数据中心、通信设备等的开关电源　　● 电动汽车充电站　　● 光伏逆变器　　● 不间断电源　　特性　　● DFN8×8表面贴装封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗　　● 东芝第3代SiC MOSFET　　● 通过优化漂移电阻和沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性　　● 低漏源导通电阻×栅漏电荷　　● 低二极管正向电压：VDSF=–1.35V(典型值)(VGS=–5V)　　主要规格

关键词：

东芝

发布时间：2025-06-17 13:14 阅读量：683 继续阅读>>

掩膜版在先进<span style='color:red'>封装</span>中的应用

行业新闻

掩膜版在先进封装中的应用

　　掩膜版(Photomask/Reticle)在半导体先进封装中扮演着至关重要的角色，其核心功能与在晶圆制造前端(FEOL)类似：精确地定义光刻胶上的图形，从而在基板或晶圆上形成所需的金属布线、通孔、凸点等结构。随着先进封装技术向更高密度、更小尺寸、更复杂互连发展，掩膜版的应用变得更加精细和关键。　　以下是掩膜版在先进封装中的主要应用领域和技术要点：　　1.再分布层：　　应用：这是掩膜版在先进封装中最核心的应用之一。RDL 是在芯片表面或封装基板上制作额外的金属布线层，将芯片的 I/O 焊盘重新布局到更利于封装互连的位置(例如，从芯片边缘分布到整个表面)。　　掩膜版作用：通过光刻工艺，掩膜版定义了 RDL 中金属导线(Trace)、连接盘(Pad)以及金属层间连接的通孔(Via)的精确图形。这通常需要多块掩膜版(一层金属对应一块掩膜版，一层通孔对应一块掩膜版)。　　先进封装要求：随着扇出型封装(Fan-Out)、2.5D/3D IC 的发展，RDL 的线宽/间距(L/S)要求越来越小(从几微米向亚微米发展)，对掩膜版的精度(CD 均匀性、套刻精度)、缺陷控制要求极高。需要更高分辨率的光刻技术(如步进式光刻机)和更精密的掩膜版。　　2.凸点下金属化层：　　应用： UBM 是在芯片焊盘或 RDL 焊盘上制作的一层金属结构，用于确保焊料凸点(Solder Bump)或铜柱凸点(Cu Pillar)的良好粘附、扩散阻挡和润湿。　　掩膜版作用：掩膜版用于定义 UBM 层的图形(通常是一个个圆形或方形开口)，限制电镀或沉积区域，确保 UBM 仅在焊盘位置精确形成。UBM 的尺寸和位置精度对凸点的形成质量和可靠性至关重要。　　3.硅通孔：　　应用： TSV 是实现 2.5D/3D 堆叠封装(如 HBM 与逻辑芯片集成)的关键技术，在硅中介层或芯片内部垂直穿孔并填充金属，实现芯片间的垂直互连。　　掩膜版作用：　　深孔刻蚀掩膜：在硅上刻蚀深孔(通常深宽比很高)之前，需要在硅表面定义刻蚀区域。掩膜版(通常是厚胶或硬掩膜上的图形)用于保护非刻蚀区域。　　金属填充图形化：在 TSV 内填充导电材料(如铜)后，需要去除表面的多余金属(过电镀)。掩膜版用于定义需要保留的金属图形(例如，连接到 RDL 的 Pad)，保护区域外的金属被蚀刻掉。这对套刻精度要求很高。　　4.封装基板制造：　　应用：虽然传统基板(如有机基板)可能使用激光直写或印刷技术，但高密度互连(HDI)基板，尤其是用于先进封装的芯材(Coreless/SLT)或类载板(SLP)，越来越多地采用类似半导体的光刻工艺。　　掩膜版作用：掩膜版用于在基板铜箔上光刻出精细的线路、焊盘和通孔图形，然后通过蚀刻或加成法形成电路。先进封装要求基板具有更细的线宽/间距(几十微米到几微米)，掩膜版是实现这一目标的关键。　　5.扇出型封装：　　应用：Fan-Out WLP/PLP 将芯片嵌入模塑料中，然后在重构的“晶圆”上制作 RDL。　　掩膜版作用：掩膜版在此主要应用于 RDL 的制作(如第1点所述)。但由于基板是模塑料，其平整度、热膨胀系数与硅片不同，对光刻工艺(包括掩膜版的套刻)提出了额外的挑战。　　6.微凸点/铜柱形成：　　应用：用于芯片间或芯片与基板间直接互连的微小焊料凸点或铜柱。　　掩膜版作用：类似于 UBM，掩膜版(通常是厚的光刻胶)用于定义电镀开口区域，精确控制每个凸点的位置、尺寸和形状。微凸点的间距(Pitch)越来越小(从 100+μm 向 40μm 甚至更低发展)，要求掩膜版开口极其精确且边缘陡直。　　7.临时键合/解键合层图形化：　　应用：在薄晶圆处理或 3D 堆叠工艺中，需要将承载晶圆与器件晶圆临时键合，处理完成后再解键合。　　掩膜版作用：可能需要掩膜版来图形化临时键合胶或解键合层，例如在特定区域制作排气通道或控制粘附力区域。　　先进封装对掩膜版的关键要求与挑战：　　01高精度：　　线宽/间距(L/S)缩小，要求掩膜版具有优异的临界尺寸(CD)均匀性、低线宽粗糙度(LWR/LER)和高套刻精度(Overlay)。　　02大尺寸：　　先进封装常处理更大尺寸的晶圆(如 300mm)或面板级封装(Panel Level Packaging, PLP)的面板(如 500x500mm² 或更大)。大尺寸掩膜版的制作、检测、处理和稳定性是巨大挑战。　　03非理想基底：　　封装基板(有机材料、模塑料等)相比硅片具有更差的平整度、更高的热膨胀系数和不同的表面特性，增加了光刻和套刻难度，对掩膜版的工艺窗口要求更宽。　　04缺陷控制：　　掩膜版上的任何缺陷都可能转移到产品上，导致短路、开路或可靠性问题。先进封装对掩膜版的缺陷密度要求非常严格。　　05成本压力：　　虽然单块掩膜版成本可能低于前端最先进节点，但封装光刻层数可能较多，且大尺寸掩膜版本身成本高昂。如何在满足性能要求下控制成本是关键。　　06特殊结构：　　可能需要制作非标准图形，如用于 TSV 的深孔阵列或特殊形状的凸点开口。　　总结　　掩膜版是先进封装技术实现高密度互连、微细化结构和复杂集成架构不可或缺的“模板”。它在 RDL、UBM、TSV、凸点形成、高密度基板制造等核心工艺步骤中起着图形定义的关键作用。随着先进封装持续向更小尺寸、更高性能、更大尺寸(面板级)和更复杂集成(3D/异构集成)发展，对掩膜版的精度、尺寸、稳定性和成本控制提出了越来越高的要求和挑战。掩膜版技术及其相关光刻工艺的进步是推动先进封装发展的核心驱动力之一。

关键词：

封装

发布时间：2025-06-13 16:46 阅读量：569 继续阅读>>

行业新闻

上海雷卯电子：DFN1006和DFN0603 封装——5V 超低电容带回扫ESD

　　上海雷卯电子推出两款5V，小封装(DFN1006和DFN0603)，带回扫，低钳位电压VCmax的防静电二极管：ULC0521CLV、ULC0542CLV。　　带回扫ESD和普通ESD二极管电性参数图如下：　　我们可以看到，普通的ESD 是随着IPP的增加VC 在逐渐增大，而带回扫的ESD 会在击穿以后有个回转，即把VC 降低到一个更低基点后再慢慢升高。所以回扫的ESD二极管的VC是明显的比普通的VC 要低很多，可以参看下表参数对比。　　下表两款回扫型号和普通型号参数做对比：　　表格参数介绍　　Vrwm：反向关断电压，TVS管可承受的反向电压，在该电压下TVS管不导通。　　VBR：击穿电压，ESD防护开始工作的电压，通常是TVS通过1 mA时的电压。　　VC : 钳位电压　　VCmax@A： Vcmax@IPP, 8/20us 最大峰值电流对应的钳位电压。　　Cj : 结电容，TVS中的寄生电容，影响信号质量。　　可以看到表格上两行带回扫ULC0521CLV、ULC0542CLV，在Ipp 是6A时钳位电压VC为8V ，下面两款普通ESD二极管，在IPP 是4A 或者5A 时，钳位电压VC 为25V ，远远高于带回扫的。　　对于所要保护的IC来说，ESD二极管的钳位电压越低，越能更好的保护集成电路，提高集成电路的抗静电能力。所以对于选型工程师来说，更愿意选择带回扫型ESD二极管。ULC0521CLV、ULC0542CLV 低容，VC 低，高速信号静电防护最佳选择，比如可以应用于 USB3.0，RF信号等。　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

关键词：

上海雷卯电子

发布时间：2025-05-26 14:10 阅读量：1018 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
备注

联系电话 *	姓名
公司
邮箱地址