核芯互联丨国产高性能任意时钟发生器CLG6965发布：4×4mm小<span style='color:red'>封装</span>，支持PCIe Gen6
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核芯互联丨国产高性能任意时钟发生器CLG6965发布：4×4mm小封装，支持PCIe Gen6

　　近日，核芯互联正式推出新一代高性能、低相位噪声可编程任意时钟发生器——CLG6965。该芯片专为高性能消费电子、网络通信、工业控制及数据通信领域打造，在极其紧凑的封装内，集成了强大的时钟生成与管理功能，以超低抖动、前沿的PCIe Gen6支持以及高度灵活的可编程性，在PCIe Gen6 (SSC off)(PLL BW of 500K–1.8MHz, CDR = 20MHz)测试条件下，抖动的典型值仅为30fs，为国产时钟芯片提供了新的选择。　　一、 极致尺寸：4×4mm小封装，释放PCB空间　　在服务器主板、交换机线卡及高端嵌入式系统中，PCB面积的优化至关重要。CLG6965采用了业界通用的 4 × 4 mm 24-VFQFPN 封装工艺，在保证高性能的同时实现了体积的最小化。这一极致的小封装设计，意味着：　　节省空间：相比传统大封装时钟芯片，体积大幅缩减，更适合交换机、路由器等高密度板卡设计。　　布局灵活：允许工程师将其更紧凑地放置在芯片组附近，缩短信号传输距离，改善信号完整性。　　无缝替换：作为通用时钟发生器，该封装符合业界主流标准，便于工程师进行国产化替代设计，降低替换成本。　　二、 性能强劲：超低抖动，前瞻支持PCIe Gen6　　在保持封装小巧的同时，CLG6965也保证高时钟信号性能：　　1. 超低抖动设计芯片内置高性能低噪声PLL，输出相位抖动典型值低至 0.2ps RMS，全温范围内典型抖动小于 0.4ps RMS。这一指标能够满足高速接口对时钟质量的严苛要求，有效提升系统的信噪比与稳定性。　　2. 紧跟高速接口趋势：支持PCIe Gen6紧跟高速计算发展步伐，CLG6965完美支持 PCI Express Gen 1.0 至 Gen 6.0(SSC Off模式)，以及Gen 1.0 至 Gen 4.0的扩频时钟(SSC On模式)。这意味着无论是当下的主流服务器设计，还是下一代AI计算平台，CLG6965都能提供精准可靠的时钟支持。　　3. 宽频VCO与任意频率生成　　内置5GHz~6GHz宽范围VCO，支持从极低频(1kHz)到350MHz的差分输出，以及最高200MHz的LVCMOS输出。基于分数分频技术，可实现精度高达50ppb的任意频率转换，满足音视频等非标频应用需求。　　三、 功能特色：四大OTP配置，灵活应对复杂场景　　CLG6965不仅在性能上表现出色，更通过一系列特色功能，大幅简化了系统设计流程，提升了产品的易用性与灵活性。　　1. 四组OTP存储器，硬件管脚一键切换这是CLG6965的一大亮点。芯片内部集成了四组一次性可编程(OTP)存储器。　　灵活配置：工程师可以通过GPIO或引脚拉电阻方式，在四种预设配置间轻松切换。　　一物多用：同一颗芯片可以适配不同的系统模式(如全功能模式、省电模式)、不同的地区标准，或用于生产线的极限测试，无需更换物料，极大简化了BOM管理。　　2. 高可靠性：冗余输入与无毛刺切换针对服务器、电信线路卡等对可靠性要求极高的场景，CLG6965提供了双时钟输入冗余功能。在主备时钟源切换过程中，芯片可实现无毛刺切换，确保下游设备在时钟源故障或维护期间维持正常运转，提升系统鲁棒性。　　3. 多样化输出与独立扩频　　混合电平支持：提供4对通用差分输出(支持LVPECL、LVDS、HCSL)和1个LVCMOS参考时钟输出。支持1.8V、2.5V、3.3V混合电压供电，轻松实现电平转换。　　独立扩频(SSC)：每个输出通道均支持独立的扩频调制，可有效降低系统EMI干扰，帮助产品通过电磁兼容认证。　　四、 典型应用场景　　凭借小封装、高性能、灵活配置的核心优势，CLG6965适用于广泛的终端产品：　　网络通信：以太网交换机、路由器、MSAN/DSLAM/PON、电信线路卡。　　高速计算与存储：服务器主板、FPGA/处理器时钟板卡、光纤通道、SAN存储设备。　　消费与工业：多功能打印机、广播音视频设备、工业自动化控制。　　结语　　CLG6965的发布，展示了核芯互联在高性能时钟芯片设计领域的深厚积累。作为一款支持PCIe Gen6、具备四组OTP配置功能的4×4mm时钟发生器，CLG6965将有力支撑国内通信与计算产业的升级需求，为工程师提供更具性价比、更易用的设计选择。
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发布时间：2026-02-25 16:58 阅读量：292 继续阅读>>
高性能芯片的基石：半导体<span style='color:red'>封装</span>技术全解析！
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高性能芯片的基石：半导体封装技术全解析！

　　半导体封装是电子制造的关键环节，它将半导体芯片封装在保护性和功能性封装中，以确保其可靠性、性能以及与电子设备的集成。这些封装充当着连接微型敏感半导体芯片和更广泛电子系统的桥梁，提供电气连接、热管理和环境保护。半导体封装技术已取得显著发展，以满足人们对更小、更快、更高效的电子设备的需求，从传统的引线封装到先进的倒装芯片、系统级封装 (SiP) 和 3D 封装。这些封装创新在智能手机、物联网设备、数据中心和汽车电子设备等各种现代应用的驱动中发挥着至关重要的作用。　　一、半导体封装的历史　　在半导体行业的形成期，半导体器件采用金属罐和陶瓷封装。这些封装旨在为精密的半导体芯片提供基本保护，并实现与外部电路的电气连接。然而，它们体积相对较大、笨重且功能有限。随着半导体技术的快速发展，对更小、更高效的封装解决方案的需求日益增长，以适应半导体芯片尺寸的不断缩小。这推动了双列直插式封装 (DIP) 和表面贴装封装等创新封装技术的发展。双列直插式封装无法支持高引脚数，因此需要能够容纳大量输入/输出 (IO) 的高密度互连 (HDI) 解决方案。这催生了倒装芯片封装，也称为受控塌陷芯片连接 (C4)。为了实现高集成度，设计人员在 20 世纪 70 年代左右发明了 MCM(多芯片模块)。图1：半导体封装的历史　　二、半导体封装材料　　半导体封装材料在保护和互连设备的同时，确保其可靠性和性能方面发挥着至关重要的作用。　　基板：基板可以是有机基板，也可以是陶瓷基板。有机基板具有良好的电绝缘性能，是一种经济高效的封装解决方案。陶瓷基板通常用于需要良好导热性的高频应用。　　封装材料：封装材料保护芯片免受环境因素、湿气和机械应力的影响。环氧模塑料 (EMC) 具有良好的附着力和电气绝缘性能。然而，液晶聚合物 (LCP) 因其低介电常数和低损耗角正切，更适合高频应用。　　互连材料：金线键合通常用于半导体芯片和封装之间的电气连接。无铅焊料(锡-银-铜合金)材料用于将半导体芯片连接到基板。　　底部填充材料：底部填充材料用于填充半导体芯片和基板之间的间隙，以增强机械稳定性和可靠性。底部填充材料还能提高导热性，从而改善散热效果并降低过热风险。常见的材料包括环氧树脂(粘合性更佳)、聚酰亚胺(热稳定性更佳)或硅酮(机械稳定性更佳)。图2：倒装芯片底部填充封装工艺　　三、半导体封装的类型　　四方扁平 封装(QFP)　　四方扁平封装 (QFP) 是一种经典的半导体封装，其特点是扁平、方形或矩形，引脚从四边延伸。QFP 有多种尺寸，引脚排列成网格状。它们通常用于需要中等引脚数的集成电路 (IC)。QFP 在组装和返工过程中易于操作。　　球栅阵列(BGA)　　球栅阵列 (BGA) 封装的特点是封装底部布满了焊球阵列，而非引脚。这些焊球与 PCB 上的相应焊盘接触，从而增强了散热性能并降低了电气干扰的风险。BGA因其紧凑的尺寸、出色的散热能力和抗机械应力的能力，在现代电子产品中得到了广泛的应用。　　芯片级封装(CSP)　　芯片级封装 (CSP) 的尺寸设计几乎与其封装的半导体芯片尺寸相同，从而最大限度地减少了空间浪费。CSP 非常适合对尺寸和重量有严格要求的应用，例如移动设备和可穿戴设备。它们通常使用间距极细的焊球或铜柱进行连接。　　晶圆级封装(WLP)　　晶圆级封装是一种将多个半导体器件在晶圆级封装后再切割成单个芯片的技术。这种方法可以降低制造成本并提升器件性能。晶圆级封装 (WLP) 可以实现超紧凑和高密度封装，非常适合 MEMS 器件和传感器等应用。　　3D IC 和堆叠封装　　3D IC 封装是指将多个半导体芯片堆叠在一个封装内，并通过硅通孔 (TSV) 进行互连。这种封装技术可以实现更高的集成度、更低的信号延迟和更佳的性能。堆叠封装常用于高性能计算、显卡和内存模块等高级应用，以在节省空间的同时提升处理能力和内存容量。　　四、半导体封装的关键考虑因素和主要挑战　　半导体封装设计是一个复杂且不断发展的领域，在当今快速发展的技术环境中面临着各种挑战。以下是主要挑战：　　小型化和集成化：根据摩尔定律，电子设备体积越来越小，功能却越来越强大。封装设计如何在保持封装性能和可靠性的同时，满足小型化和集成化的需求，变得越来越具有挑战性。　　由于封装上用于元器件和互连的空间越来越小，信号完整性、功率传输和热管理等问题也面临着独特的挑战，需要创新的解决方案。　　热管理：对高性能和减小整体面积的持续需求意味着 IC 的功率密度必须很高。过热会缩短 IC 的使用寿命并影响性能。封装设计旨在更好地散热，而散热器、导热片和先进的热界面材料等先进的散热解决方案对于高效散热至关重要。此外，3D 封装和集成冷却解决方案的兴起，通过提供更佳的散热途径来应对这些挑战。　　先进材料与兼容性：半导体行业致力于采用具有更佳电气、机械和热性能的材料来设计封装。封装需要与硅、有机基板和焊料等其他材料进行接口，而这些材料可能具有不同的热膨胀系数 (CTE)。这些差异会在温度循环过程中产生热应力，从而可能导致封装故障。使用低 CTE 材料，例如铜钨 (CuW)、铝碳化硅 (AlSiC)、可伐合金等，可以减少热失配的影响，并提高封装的可靠性。　　信号完整性和电气性能：随着数据速率和处理速度的不断提高，保持半导体封装中的信号完整性和电气性能变得越来越重要。高频信号易受干扰、串扰和阻抗失配的影响。设计人员需要考虑传输线效应、电磁干扰 (EMI) 和电源完整性等因素，以确保信号无失真或无损耗地到达目的地。　　封装成本：封装成本在半导体器件总成本中占比很大。为了提高器件的竞争力，同时又能让消费者负担得起，设计公司努力在保持性能的同时降低封装成本。　　环境问题：电子垃圾对环境和人类健康有害。人们一直致力于使用环保材料和可回收材料进行半导体封装。　　含铅焊料曾经广泛用于半导体封装，但出于对环境的考虑，无铅焊料已成为标准。　　铜通常用于各种互连，并且可以回收利用。　　许多半导体封装采用塑料或聚合物材料作为封装材料、模塑料和封装结构。这些材料有时可以回收利用。　　玻璃基板通常用于微机电系统(MEMS)，回收玻璃可以减少半导体封装对环境的影响。　　异构集成：将存储器、传感器、射频 (RF) 组件等不同技术集成到单个封装中称为异构集成。这具有诸多优势，包括提高数据传输速率、降低功耗、增强设备性能以及缩小占用空间。异构集成面临着独特的挑战，包括不同技术之间的材料兼容性问题，以及不同组件在不同功率水平下工作时产生的热点管理问题。　　五、半导体封装的创新　　半导体封装面临的挑战也为创新蓬勃发展提供了机遇。以下是目前一些正在使用的先进封装技术：　　系统级封装 (SiP)：SiP 是一种先进的半导体封装技术，它将多个异构半导体元件(例如逻辑元件(微控制器或应用处理器芯片、存储器等)、无源元件(电阻器、电容器和电感器)、存储器元件和互连(微凸块、引线键合或 TSV))集成在一个封装内。SiP 具有许多优势：　　紧凑型设备：将组件集成到单个封装中可形成紧凑型设备，这对于智能手机和可穿戴设备等便携式设备尤为重要。　　增强性能：SiP 最大限度地缩短了互连长度，从而减少了信号延迟，这对于高速和高频应用至关重要。　　更高的功率效率：除了缩短信号互连长度外，SiP 内的电源分配网络也得到了更好的优化。这对于电池供电设备至关重要。　　降低制造成本：SiP 减少了需要在电路板上组装的单个组件的数量，从而降低了总体制造成本。　　扇出型晶圆级封装 (FOWLP)：传统的封装方法是将单个芯片封装并安装到印刷电路板上。FOWLP 则需要将芯片重新分布并正面朝上放置在大型晶圆尺寸的基板上。这种重新分布技术可以创建紧凑、高度集成的封装，将多个芯片、无源元件和互连集成在一个结构中，其中电气连接位于芯片的有源侧，连接到基板。　　FOWLP具有小型化、更高的热性能、成本效益和增强的电气性能等优势，使其成为智能手机、物联网设备、汽车电子产品和射频模块等广泛应用的热门选择。　　硅通孔 (TSV) 和 3D IC 封装：硅通孔(TSV) 是 3D 集成电路中使用的一项关键技术，可实现单个封装内多个半导体芯片或层的垂直集成。TSV 是穿透硅基板的垂直互连结构，为不同层级的芯片或元件提供电气连接。　　TSV 是贯穿 3D IC 堆栈中每个芯片或层的硅基板的圆柱形或垂直孔。它们内衬绝缘材料以防止电气短路，并填充铜或钨等导电材料以提供电气通路。　　垂直集成技术允许多个芯片垂直堆叠，从而促进了晶体管微缩的革新。这有助于缩短互连长度，提高集成密度，同时提升功率效率。　　嵌入式多芯片互连桥接 (EMIB)：EMIB 是英特尔开发的一种先进半导体封装技术。EMIB 技术旨在解决在单个封装内集成异构半导体芯片的挑战。它使用横跨基板的嵌入式桥接技术，从而为集成芯片之间的数据传输提供高速、低延迟的路径。它还使用微柱等细间距互连技术在集成芯片之间建立电气连接。这通过减少信号延迟实现了高效的数据传输，并由于互连长度缩短而提高了电气性能。　　总而言之，半导体封装是连接复杂的半导体芯片世界和驱动我们现代生活的多样化电子设备的重要桥梁。从早期的金属罐到3D集成的尖端发展，半导体封装改变了我们的世界，使连接我们、娱乐我们并推动我们产业发展的设备成为可能。
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发布时间：2026-02-06 17:01 阅读量：421 继续阅读>>
森国科发布创新TOLL+Cu-Clip<span style='color:red'>封装</span>SiC MOSFET，重新定义功率密度与散热新标准
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森国科发布创新TOLL+Cu-Clip封装SiC MOSFET，重新定义功率密度与散热新标准

　　在追求更高效率、更高功率密度的电力电子领域，碳化硅(SiC)功率器件的性能优势已得到广泛认可。然而，传统的封装技术正成为限制其潜能全面释放的关键瓶颈。森国科(SGKS)近日创新性地推出KM025065K1(650V/25mΩ)与 KM040120K1(1200V/40mΩ)两款SiC MOSFET产品，率先将TOLL封装与铜夹片(Cu-Clip)技术深度融合，为下一代高性能电源方案树立了新标杆。　　01 技术基石：为何选择TOLL封装?　　TOLL(TO-Leaded，L-type)封装是一种专为大电流、高散热需求设计的表面贴装(SMD)封装。其外形与标准的TO-LL规范兼容，具备以下核心优势：　　低外形与高功率密度：　　TOLL封装的高度通常极低(如规格书中标注的典型值为2.30mm)，非常适合在空间受限的应用中实现高功率密度布局。　　出色的散热能力：　　封装底部具有大面积的可焊接散热焊盘，为芯片到PCB(或散热器)提供了极低的热阻路径。规格书中KM025065K1的结壳热阻(RθJC)低至0.46°C/W，KM040120K1更是达到0.42°C/W，为高效散热奠定了基础。　　低寄生电感：　　多个开尔文源极引脚和功率引脚的优化布局，有助于减小开关回路中的寄生电感，这对于发挥SiC高频开关优势、抑制电压过冲和振铃至关重要。　　02 性能跃迁：Cu-Clip技术如何赋能TOLL封装?　　森国科的创新之处在于，在TOLL封装内部，用铜夹片(Cu-Clip) 替代了传统的铝键合线(Bonding Wires)。　　彻底告别键合线瓶颈：　　传统键合线存在寄生电感较大、载流能力有限、热机械可靠性等问题。Cu-Clip通过一块扁平的铜片直接连接芯片源极和引线框架，实现了面接触。　　实现“三位一体”的性能提升：　　超低导通电阻：　　铜的导电性远优于铝，Clip结构提供了更广阔的电流通道，显著降低了封装内部的导通电阻。　　极致散热性能：　　铜片成为高效的导热桥梁，将芯片产生的热量快速、均匀地传导至整个引线框架和封装外壳，这正是实现超低RθJC的关键。　　更高的可靠性与电流能力：　　消除了键合线可能因热疲劳而脱落的风险，载流能力大幅提升，规格书中KM025065K1的连续漏极电流在Tc=25°C时高达91A。　　03 强强联合：TOLL+Cu-Clip与SiC晶圆的完美协同　　当优化的TOLL封装、先进的Cu-Clip互联技术与高性能SiC晶圆相结合，产生了“1+1+1>3”的协同效应：　　充分发挥SiC高频特性：　　低寄生电感的封装允许SiC芯片以更快的速度开关(如KM025065K1的上升时间tr=28ns)，从而显著降低开关损耗，提升系统频率和效率。　　最大化功率密度：　　优异的散热能力使得器件能在更高结温(Tj=175°C)下持续输出大电流，允许使用更小的散热器，最终实现系统体积和重量的大幅缩减。　　提升系统鲁棒性：　　KM040120K1规格书中特别提到“带有单独驱动源引脚的优化封装”，这有助于进一步改善开关性能，减少栅极振荡，使系统运行更稳定可靠。　　04 应用场景：为高效能源未来而生　　这款创新封装的SiC MOSFET非常适合对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的应用：　　光伏/储能逆变器：　　高开关频率可减小无源元件体积，高效率直接提升发电收益。　　电动汽车车载电源(OBC/DCDC)与电机驱动：　　高功率密度和卓越散热是满足紧凑空间和高温环境要求的关键。　　服务器电源/通信电源：　　助力打造效率超过80 Plus钛金标准的高密度电源模块。　　工业电机驱动与不间断电源(UPS)：　　高可靠性和高频特性满足工业环境的严苛需求。　　森国科KM025065K1与KM040120K1的推出，不仅是两款新产品的面世，更是一次针对功率封装瓶颈的精准突破。它证明了通过封装-互联-芯片的协同设计与创新，能够充分释放第三代半导体的巨大潜力。这为设计工程师在面对未来能源挑战时，提供了一把兼具高性能、高可靠性与高功率密度的利器，必将加速光伏、电动汽车、数据中心等关键领域的技术革新。
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发布时间：2026-01-26 17:39 阅读量：485 继续阅读>>
森国科SiC MOSFET产品矩阵再扩容：三款PDFN8 * 8 + Cu-Clip<span style='color:red'>封装</span>新品引领高功率密度革命
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森国科SiC MOSFET产品矩阵再扩容：三款PDFN8 * 8 + Cu-Clip封装新品引领高功率密度革命

　　在小体积、高功率密度、高效散热成为行业刚需的今天，　　森国科通过创新的封装技术给出了自己的解决方案。　　继成功推出PDFN8 * 8+Cu-Clip封装的SiC二极管后，森国科正式发布三款同封装类型的SiC MOSFET产品——KM025065P1、KM040120P1和KM065065P1，形成了完整的650V-1200V电压覆盖，为高功率密度应用提供了更为丰富的选择。　　这一系列新品基于森国科自主研发的第三代平面栅SiC MOSFET芯片技术，通过创新的铜夹片封装技术和优化的内部结构设计，在保持高性能的同时显著提升了散热效率和功率密度。　　PART01 三款新品核心参数解析：满足不同功率等级需求　　KM025065P1：650V/25mΩ高电流型号　　这款产品在25℃条件下连续漏极电流高达91A，脉冲电流能力达到261A，特别适合大电流应用场景。其低导通电阻(典型值25mΩ)确保在高电流下仍保持较低的导通损耗。　　该器件结壳热阻低至0.49°C/W，配合Cu-Clip技术，能够将芯片产生的热量快速传导至PCB板，保证在高功率运行时的稳定性。　　KM040120P1：1200V/40mΩ高压应用优选　　针对光伏逆变器、工业电机驱动等高压应用，KM040120P1提供了1200V的耐压能力，同时在15V驱动电压下导通电阻典型值为40mΩ。该产品静态栅源电压为-5/+15V，适用于严苛的工业环境。　　值得一提的是，这款产品特别优化了开关特性，在800V/33A测试条件下，开关能量表现优异(Eon典型值530μJ，Eoff典型值32.1μJ)，有效降低系统开关损耗。　　KM065065P1：650V/65mΩ性价比之选　　对于成本敏感型应用，KM065065P1提供了平衡的性能与价格。其导通电阻典型值为65mΩ，连续漏极电流38A，适合中小功率场景。该产品输入电容仅为977pF，栅极总电荷41nC，便于驱动电路设计。　　三款产品均支持-55℃至+175℃的工作结温范围，满足汽车电子、工业控制等严苛环境要求。　　PART02 PDFN8 * 8+Cu-Clip封装技术深度解读　　PDFN8 * 8+Cu-Clip封装是森国科为应对高功率密度挑战而推出的先进封装解决方案。与传统的引线键合技术不同，Cu-Clip(铜夹片)技术采用扁平铜桥连接芯片表面和外部引脚，有效降低封装电阻和热阻。　　这种封装结构的优势显而易见：更低的寄生参数、更好的热性能以及更高的电流承载能力。实测数据显示，与传统封装相比，Cu-Clip技术能够降低约35%的封装电阻，同时提升约20%的电流能力。　　热性能是功率器件的关键指标。PDFN8 * 8+Cu-Clip封装通过优化设计，实现了从芯片到PCB的高效热管理路径。三款新品的结壳热阻均在0.46-0.81°C/W范围内，大幅提升了整体散热能力。　　封装尺寸方面，PDFN8 * 8保持了8mm×8mm的紧凑外形，引脚间距为2.0mm典型值，厚度控制在0.95mm典型值。这种紧凑设计使得器件在空间受限的应用中具有明显优势。　　PART03 电气性能优势：低损耗与高可靠性兼备　　开关损耗是影响功率转换效率的关键因素。三款新品在开关特性方面表现出色：　　优化的开关速度:　　由于减少了栅极回路的寄生电感，新品的开关速度得到显著提升。以KM025065P1为例，其开启延迟时间仅12ns，上升时间28ns，下降时间22ns，支持更高频率的运行。　　低栅极电荷：　　KM065065P1的栅极总电荷仅为41nC，KM040120P1为84nC，降低驱动电路的设计难度和功率需求。　　优异的体二极管特性：　　内置的快恢复体二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)，KM065065P1的Qrr典型值仅为67nC，减少反向恢复损耗。　　可靠性方面，所有产品均通过严格的可靠性测试，包括高温反偏(HTRB)、高低温循环等测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。　　PART04 应用场景全覆盖：从消费电子到工业驱动　　新能源汽车领域　　在车载充电机(OBC)和直流-直流转换器中，KM025065P1的高电流能力(91A连续电流)可直接替代多个并联的传统器件，简化系统设计。KM040120P1的1200V耐压适合800V电池系统应用。　　可再生能源系统　　光伏逆变器是SiC MOSFET的重要应用领域。KM040120P1的高耐压和低导通损耗可有效提升系统效率，配合其优异的开关特性，助力实现99%以上的转换效率。　　工业电源与电机驱动　　服务器电源、通信电源等场景中，KM065065P1的平衡性能和成本优势明显。其紧凑的封装尺寸有助于提升功率密度，满足现代数据中心对高密度电源的需求。　　消费类电子　　大功率快充电源适配器、便携式充电站等应用中，KM025065P1的高功率密度特性可在有限空间内实现更大的功率输出。　　PART05 设计与应用支持：助力客户快速量产　　针对不同的应用场景，森国科技术团队可提供定制化的解决方案，帮助客户优化系统性能，缩短产品上市时间。　　在驱动设计方面，由于三款产品的阈值电压(VGS(th))在2.7-3.2V范围内，建议驱动电压在15-18V之间，以确保充分导通的同时避免过驱动。　　散热设计建议　　虽然Cu-Clip封装具有良好的散热性能，但在大功率应用中仍需注意PCB的热设计。建议使用2盎司及以上铜厚的PCB，并合理设计散热过孔和散热焊盘。　　森国科此次推出的三款PDFN8 * 8+Cu-Clip封装SiC MOSFET产品，与先前发布的同封装SiC二极管共同构成了完整的功率半导体解决方案。这一产品组合体现了森国科在碳化硅技术领域的深厚积累和对市场需求的精准把握。　　随着新能源、电动汽车等行业的快速发展，对功率器件的功率密度、效率、可靠性要求不断提高。森国科通过持续的技术创新和产品优化，为行业客户提供更具竞争力的解决方案。　　未来，森国科将继续扩展Cu-Clip封装的碳化硅功率器件产品线，包括2200V及更高电压等级的器件，为全球绿色能源转型提供核心半导体支撑。　　以下是三款产品的规格：
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发布时间：2026-01-23 11:02 阅读量：472 继续阅读>>
森国科丨破局“SiC<span style='color:red'>封装</span>瓶颈”：PCB嵌入式3D<span style='color:red'>封装</span>如何引领SiC进入系统集成新时代
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森国科丨破局“SiC封装瓶颈”：PCB嵌入式3D封装如何引领SiC进入系统集成新时代

　　在碳化硅(SiC)技术飞速发展的今天，我们正面临一个关键的转折点：芯片本身的卓越性能，正日益被传统封装的寄生参数和热管理瓶颈所制约。要实现电力电子系统在效率、功率密度和可靠性上的再一次飞跃，必须从“封装”这一基础环节进行革命。PCB嵌入式3D封装技术，正是破局的关键。而森国科最新量产出货的KC027Z07E1M2(SiC S-Cell)，作为该技术的成熟载体，标志着我们正从简单的“器件替换”迈入深度的“系统重构”时代。　　01 技术基石：为何PCB嵌入式3D封装是必然趋势?　　PCB嵌入式3D封装，是一种将半导体裸芯片(Bare Die)直接埋入印制电路板(PCB)内部的先进集成技术。它不同于将封装好的器件焊接在板卡表面，而是让芯片成为PCB的一个“内部层”，从而实现系统级的性能优化。　　其核心优势体现在三个根本性突破上：　　电气性能的跃迁：实现“最短”功率回路　　通过芯片与PCB内部铜层的直接三维互连，彻底消除了传统封装中键合线(Bonding Wire)和长距离引线带来的寄生电感和电阻。这使得开关过程中的电压过冲和能量损耗(EON, EOFF)大幅降低，允许系统工作在更高的频率，同时显著改善电磁干扰(EMI)性能。这对于追求极致效率的应用至关重要。　　热管理的革命：从“点”散热到“面”散热　　传统封装热量只能通过芯片底部单一路径传导。嵌入式封装实现了双面甚至多面散热，芯片产生的热量可以通过上下方大量的导热过孔(Thermal Vias)迅速传导至PCB大面积铜层，再高效散出。这带来了极高的散热效率，直接提升了系统的长期可靠性和峰值功率输出能力。　　系统架构的重构：迈向高度集成化与小型化　　此技术为一个集成平台，而非单一器件。它允许将直流母排、驱动电路、无源元件乃至电流采样单元(如嵌入式分流器)与功率芯片共同集成于同一基板。这极大简化了系统结构，减少了互联接口，提升了生产一致性与功率密度，为终极的轻量化、小型化设计奠定了基础。　　02 广阔前景：嵌入式SiC将赋能哪些前沿领域?　　上述技术优势，精准命中了下游高端应用对电源系统的核心诉求，市场前景极为广阔。　　新能源汽车与泛新能源领域：　　在电动汽车的主驱逆变器、车载充电机(OBC)中，嵌入式SiC能进一步提升效率，延长续航，同时减小系统体积和重量。在光伏逆变器、储能变流器中，其高可靠性和高效率是提升发电效益的　　AI服务器与算力中心：　　单机柜功率密度持续攀升，对供电单元(PSU)和散热提出极致要求。嵌入式SiC的高频、高效和高功率密度特性，是构建下一代超高效、高密度服务器电源和GPU加速卡直接供电(Point-of-Load)方案的基石。　　低空飞行器(eVTOL)与航空航天：　　重量即生命线。嵌入式SiC的轻量化和小型化优势直接转化为更长的航程和更高的载重。其卓越的散热能力和在极端温度下的稳定性(如规格书中Tvjop max=175℃)，是飞行安全与可靠性的根本保障。　　智能充电网络：　　直流快充桩对功率密度和效率的追求永无止境。利用该技术可打造更紧凑、更高效的充电模块，缩短充电时间，提升运营效益。　　03 森国科推出的KC027Z07E1M2 SiC S-Cell，正是上述技术理念的成功实践。它并非一个抽象概念，而是一款已经量产的、具备优异性能的已经用于PCB 嵌入式3D封装的650V/27mΩ SiC MOSFET：　　卓越的芯片性能：　　其芯片本身具备低栅极电荷(Qg=120nC)和快速开关特性(tr=28ns, tf=22ns)，为高频高效运行提供了基础。其体二极管也具有快速反向恢复特性(trr=17ns)，适用于桥式电路;　　量化封装优势：　　规格书中0.36°C/W的极低结壳热阻(RthJC)是其双面散热能力的直接证明，确保了在高负载下的稳定输出(如Tc=100°C时Id达64A)。板上集成母排和逻辑的设计，使其实现了“易于互连、改善回路电阻、小型化”的系统级优势。　　森国科SiC S-Cell的量产，标志着PCB嵌入式3D封装技术已从实验室走向产业化。它解决了SiC技术向更高阶应用发展时的核心瓶颈，为新能源汽车、算力基建、低空经济等前沿领域提供了实现其苛刻目标的钥匙。随着这种系统级集成理念的普及，我们有理由相信，电力电子技术将进入一个性能飙升、形态重构的新纪元，而森国科已通过SiC S-Cell在此赛道上占据了有利位置。
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发布时间：2026-01-23 10:58 阅读量：500 继续阅读>>
森国科创新推出PDFN8 * 8结合Cu-Clip<span style='color:red'>封装</span>碳化硅二极管，实现高功率密度新突破
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森国科创新推出PDFN8 * 8结合Cu-Clip封装碳化硅二极管，实现高功率密度新突破

　　森国科最新推出的采用PDFN8*8封装并结合Cu-Clip(铜带)连接技术的碳化硅二极管，代表了公司在功率半导体封装技术领域的重要创新。这一创新解决方案针对高功率密度和高效率应用需求，通过优化封装结构和互连工艺，显著提升了产品性能。　　01、PDFN8*8封装技术的核心优势　　PDFN8*8封装作为一种紧凑型表面贴装技术，在功率半导体领域具有显著优势。这种封装尺寸仅为8mm x 8mm，比传统TO-220封装节省了约70%的安装空间，非常适合空间受限的高功率密度应用场景。　　与更大尺寸的封装相比，PDFN8*8的低外形设计有助于减小布板面积，提高功率密度。这种封装还具有优异的热性能，通过底部大面积裸露焊盘，能有效将芯片产生的热量传导至PCB板，并散发到周围环境中。　　02、Cu-Clip互连技术的革命性突破　　Cu-Clip(铜带)互连技术是森国科此次创新的另一大亮点。与传统键合线技术相比，Cu-Clip技术通过扁平铜带替代传统的铝线或金线，实现了芯片与引脚之间的面接触连接。这一技术显著降低了封装内部的寄生电感，有助于减少开关损耗和电压过冲。传统键合线结构的寄生电感通常在几十nH，而Cu-Clip技术能将这一值降低至十几nH，从而提升高频开关性能。　　Cu-Clip技术还改善了电流流动路径，显著降低了导通电阻。铜材料的高电导率和热导率使芯片能够承受更高的电流密度，同时提高散热效率，使器件能够在更高温度下可靠工作。　　03、PDFN8*8 & Cu-Clip双重技术结合的协同效应　　PDFN8*8封装与Cu-Clip技术的结合产生了显著的协同效应。这种组合充分发挥了碳化硅材料本身的优异特性——碳化硅的禁带宽度达3.2eV，击穿场强是硅的10倍，热导率也是硅的3倍。　　--在热性能方面，Cu-Clip技术提供了优异的垂直散热路径，而PDFN8*8封装的底部散热焊盘则增强了水平方向的散热能力。双重散热机制确保了芯片结温保持在较低水平，提高了可靠性并延长了使用寿命。　　--电性能方面，低寄生参数与紧凑封装布局相结合，使这款碳化硅二极管特别适合高频开关应用。测试数据显示，采用这种封装组合的碳化硅二极管开关损耗比传统硅基快恢复二极管降低约90%，效率提升显著。
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发布时间：2026-01-20 17:20 阅读量：435 继续阅读>>
森国科突破性推出SOD123<span style='color:red'>封装</span>1200V/1A碳化硅二极管
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森国科突破性推出SOD123封装1200V/1A碳化硅二极管

　　深圳市森国科科技股份有限公司将原本用于硅基器件的小型封装SOD123成功应用于1200V/1A碳化硅二极管，这一突破彰显了其在碳化硅器件设计领域的领先实力。　　在功率半导体领域，电压等级与器件尺寸通常呈正相关。传统硅基高压器件往往需要大型封装来满足散热和电气绝缘需求。森国科成功将1200V/1A碳化硅二极管集成到SOD123封装中，攻克了这一技术难题。SOD123封装的面积不到1平方毫米，却成功容纳了1200V耐压的碳化硅二极管芯片。这要求森国科在器件结构设计、材料选择和工艺实现上具备超强能力。在SOD123封装的1200V/1A碳化硅二极管中，森国科通过优化电场分布和电流路径，在极小空间内实现了高耐压和低漏电的平衡。封装工艺方面，森国科克服了小尺寸封装下的散热挑战装材料的匹配性，确保器件在高负载下仍能保持稳定工作。　　森国科这款迷你型高压碳化硅二极管为众多应用场景带来新的可能。在高频ACF电路、小功率适配器、驱动部分自举电路和高频DC/DC电路等应用场合器件的小尺寸尤为宝贵。　　森国科凭借这款SOD123封装的1200V/1A碳化硅二极管，向业界展示了其在碳化硅器件设计领域的深厚功底。未来，随着碳化硅技术在各个领域的渗透，森国科有望凭借其技术优势赢得更大市场份额，成为全球领先的功率半导体公司。
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发布时间：2026-01-20 11:44 阅读量：395 继续阅读>>
士兰微新品 | D6<span style='color:red'>封装</span>FS5+ IGBT 1400V600A INPC三电平模块
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士兰微新品 | D6封装FS5+ IGBT 1400V600A INPC三电平模块

　　新品　　士兰微电子推出新一代组串电站逆变模块解决方案，采用与国际TOP友商最先进芯片技术对标的FS5+ IGBT芯片技术，最大化光伏电能转换效率;搭配士兰自主开发的D6封装，全面支持2000V系统应用需求。　　产品型号　　SGM600TL14D6TFD　　产品拓扑　　产品特点　　采用FS5+ 1400V IGBT 技术，损耗低，效率高，降低系统成本　　长时持续运行工况Tjop 175℃　　集成1400V SiC SBD　　1.1倍标称BV下限管控，适配于工业新能源应用　　5000m海拔下，安规满足2kV系统电压要求，封装可兼容PV输入1500V系统和PV输入2000V系统　　采用最优的封装技术及材料，满足长时175℃高可靠性要求　　高功率密度，高效率，模块支持输出功率高　　有一体焊接针和压接针两种方案可选，满足不同客户的安装要求　　应用领域　　光伏　　储能　　开发背景　　光伏电站的BOS成本逐年下降，为降低光伏电站的BOS成本，行业主要围绕两大技术路径持续优化：一是提升逆变器单机功率，以减少设备数量、节约安装空间;二是增加组件串联数量，以提升直流侧电压、节省线缆并减少逆变器用量。在此趋势下，士兰微电子自主开发了新一代功率模块，具备高功率密度、低运行损耗和高可靠性等优势，可有效支持高电压、大功率逆变器的技术进阶，助力光伏产业持续降低BOS成本，推动行业向更高效、更经济的方向发展。
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发布时间：2025-12-19 11:02 阅读量：620 继续阅读>>
ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新<span style='color:red'>封装</span>产品
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ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品

　　2025年12月18日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压(40V/60V)MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060(4.9mm×6.0mm)封装产品。　　新封装产品与车载低耐压MOSFET中常见的TO-252(6.6mm×10.0mm)等封装产品相比，体积可以更小，通过采用鸥翼型引脚*1，还提高了其在电路板上安装时的可靠性。另外，通过采用铜夹片键合*2技术，还能支持大电流。　　采用本封装的产品已于2025年11月起陆续投入量产(样品单价500日元/个，不含税)。新产品已经开始通过电商进行销售。　　未来，ROHM将不断扩展该封装产品的机型，并计划于2026年2月左右将采用可润湿侧翼成型技术*3的更小型DFN3333(3.3mm×3.3mm)封装产品投入量产。　　另外，ROHM已着手开发TOLG(TO-Leaded with Gullwing)封装产品(9.9mm×11.7mm)，致力于进一步扩充大功率、高可靠性封装的产品阵容。　　<开发背景>　　近年来，车载低耐压MOSFET正在加速向可实现小型化的5050级以及更小尺寸的封装形式转变。然而，这些小型封装因引脚间距狭窄和无引脚结构，使确保其安装可靠性成为一大难题。ROHM针对这类课题， 通过在产品阵容中新增同时满足安装可靠性和小型化两方面需求的新封装产品，来满足车载市场多样化的 需求。　　<应用示例>　　主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等　　<关于EcoMOS™品牌>　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　“EcoMOS™”是ROHM Co.，Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1) 鸥翼型引脚　　引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异，可提高安装可靠性。　　*2)铜夹片键合　　替代传统上连接芯片和引线框架的引线键合方式，而采用铜制夹片(扁平金属桥)直接连接的一种技术。　　*3)可润湿侧翼成型技术　　一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。
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发布时间：2025-12-18 16:55 阅读量：636 继续阅读>>
Littelfuse推出采用SMPD-X<span style='color:red'>封装</span>的200V、480A超级结MOSFET
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Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200V、480A超级结MOSFET

　　Littelfuse宣布推出MMIX1T500N20X4 X4级超级结功率MOSFET。这款200V、480A N通道MOSFET的导通电阻RDS(on)极低，仅为1.99mΩ，可在功率密集型设计中实现卓越的导通效率、简化热管理并提高系统可靠性。　　MMIX1T500N20X4采用高性能陶瓷基隔离SMPD-X封装，配备顶部散热结构以实现最佳热管理。与最先进的现有X4级MOSFET解决方案相比，该器件提供高达2倍的额定电流和低63%的RDS(on)，使工程师能够将多个并联的低电流器件整合到单一的高电流解决方案中。　　功能与特色：　　· 200V阻断电压，1.99mΩ超低RDS(on)，可将传导损耗降至最低;　　· 高电流能力 (ID=480A) 减少了所需并联器件的数量;　　· 紧凑型SMPD-X隔离封装，具有2500V隔离和改进的热阻 (Rth(j-c)=0.14°C/W) ;　　· 低栅极电荷 (Qg=535nC) 降低了栅极驱动功率要求;· 采用顶部冷却式封装，简化热管理。　　这些特性共同实现了更高的功率密度、更少的元件数量以及更简便的组装流程，有利于打造出更高效、更可靠且更具成本效益的系统设计。　　应用：　　该MMIX1T500N20X4非常适合：　　· 直流负载开关;· 电池储能系统;　　· 工业和过程电源;　　· 工业充电基础设施;· 无人机和垂直起降飞行器 (VTOL) 平台。　　“新款器件使设计人员能够将多个并联的低电流器件整合到一个高电流器件中，从而简化设计并减少元件数量。”Littelfuse产品营销分析师Antonio Quijano介绍道，“这有助于提高系统可靠性，简化栅极驱动器的实施，同时提高功率密度和PCB空间利用率。”　　常见问答 (FAQ)　　1. 与现有解决方案相比，MMIX1T500N20X4 MOSFET如何提升系统效率?　　MMIX1T500N20X4提供1.99mΩ的超低RDS(on)，额定电流为480A，可减少传导损耗和发热。用单个器件取代多个并联MOSFET，可简化设计、减少元件数量并提升整体系统效率。　　2. 这款MOSFET最适合哪些应用场景?　　该MOSFET非常适合对效率和可靠性要求严苛的大电流、中低压系统。典型应用包括直流负载开关、电池储能、工业电源、充电基础设施以及无人机或垂直起降飞行器的电力电子设备。　　3. SMPD-X设计在散热和封装方面具有哪些优势?　　高性能陶瓷基SMPD-X封装具有出色的热阻 (Rth(j-c)=0.14°C/W) 和2500VRMS隔离性能，可实现更高的功率密度和更安全的操作。其顶部冷却设计简化了热管理，减小了系统尺寸，并增强了长期可靠性。
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发布时间：2025-12-15 14:56 阅读量：1059 继续阅读>>

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