Littelfuse：首款采用DO-214AB紧凑型<span style='color:red'>封装</span>的2kA保护晶闸管
行业新闻

Littelfuse：首款采用DO-214AB紧凑型封装的2kA保护晶闸管

　　Littelfuse宣布推出Pxxx0S3G-A SIDACtor®保护晶闸管系列，该产品是业内首款采用DO-214AB (SMC) 紧凑型封装的2kA晶闸管。Pxxx0S3G-A系列旨在保护恶劣环境中的设备免受严重过压瞬变的影响，使工程师能够实现更高的产品小型化，同时保持出色的保护性能并符合监管标准。　　Littelfuse汽车TVS产品营销总监Charlie Cai表示：“Pxxx0S3G-A系列以紧凑的封装提供强大的高浪涌电流保护，使设计人员能够在不牺牲可靠性或合规性的情况下实现产品小型化。这对于车载充电器、电动汽车充电站、工业自动化电源和太阳能逆变器等暴露于高能浪涌事件的应用尤为重要”。　　主要功能和特点　　紧凑尺寸下的高浪涌保护：Pxxx0S3G-A系列采用DO-214AB(SMC)封装，可提供2kA(8/20µs)浪涌保护，是能够实现如此高功率密度的最小封装;　　增强设计灵活性：与需要较大TO-262封装的传统解决方案相比，DO-214AB外形小巧，更容易集成到空间受限的设计中，包括物联网设备、高功率密度工业设备和医疗电源;　　可靠性和长寿命：Pxxx0S3G-A系列与随着时间推移而降级的传统解决方案不同，它能承受瞬变而不降级，从而确保对设备的长期保护并降低维护成本;　　符合车规级标准：该系列完全符合AEC-Q101车规标准，是车载充电机(OBC)保护、BEV/PHEV保护和汽车电池充电系统等汽车应用的理想之选。　　市场和应用　　Pxxx0S3G-A系列专为在各种苛刻环境中提供稳健保护而设计，包括：　　汽车和电动汽车(EV)系统：保护车载充电机(OBC)、BEV和PHEV电池充电系统以及电动汽车壁式充电器免受高能浪涌事件的影响;　　工业和工厂自动化：在恶劣的运行条件下保护电源和大功率配电网;　　可再生能源系统：确保太阳能系统直流/交流逆变器和储能系统在电涌波动情况下的可靠性;　　信息和通信技术(ICT)：确保不间断电源(UPS)和交流大功率配电网中敏感设备的安全。　　与传统解决方案比较　　传统解决方案往往因其笨重的设计而面临挑战，随着时间的推移，这种设计可能会失效，从而降低其保护功效。Pxxx0S3G-A结构更为紧凑，浪涌额定值非常适合高度暴露的应用。与采用TO-262M封装的Pxxx0FNL 3kA SIDACtor系列相比，它具有明显的优势，所需的电路板空间减少了约50%。　　这款新产品是一次飞跃，是首款能够处理2kA(8/20)浪涌的DO-214AB尺寸产品。在此之前，要达到这样的保护水平，必须使用大得多的TO-262封装。　　供货情况
关键词：
发布时间：2025-05-19 10:40 阅读量：223 继续阅读>>
帝奥微25球<span style='color:red'>封装</span>支持1A带载的超高效率AMOLED屏驱动电源-DIO53010
行业新闻

帝奥微25球封装支持1A带载的超高效率AMOLED屏驱动电源-DIO53010

　　在智能手机、平板电脑、数码相机等移动设备飞速发展的时代，显示技术成为了各大厂商竞争的关键领域。AMOLED凭借自发光、对比度高、视角广、低功耗节能、响应速度快以及可实现柔性显示等诸多优势，迅速在市场中崛起，逐渐占据了中高端移动设备显示的主导地位。　　DIO53010简介　　DIO53010是一款专为AMOLED 显示供电设计的电源管理芯片，该产品集成了2个升压转换器和1个反相降压-升压转换器，通过数字接口控制引脚可对 3 个转换器的输出电压进行编程。　　DIO53010支持2.7V~5.0V宽压工作范围，具备出色的瞬态调节能力，是国内首款支持1A持续带载的CSP-25球封装产品。为提高轻载效率，特别当电流不超过50mA时，DIO53010引入了超轻负载模式，可最大限度地提高效率，在该模式下，ELVDD可以根据负载电流在PWM和PFM之间自动切换，同时保持较小的输出纹波。　　DIO53010主要参数　　DIO53010性能解析　　1.轻载效率：增加了超轻载模式，可有效提高轻载效率　　2. 0~1A带载效率：峰值效率>93%　　3.输入电压 vs. 最大输出电流：输入3.2V时可稳定带载1A　　4.通过正负压错相及优化SW上升沿，可优化射频干扰　　5、 Boost / Bypass 模式切换时，输出纹波变化低于20mV　　DIO53010作为一款专为AMOLED 显示精心打造的驱动电源 IC，凭借其出色的性能、丰富的功能以及紧凑的封装设计，无疑是您在移动设备显示电源解决方案上的理想之选。
关键词：
发布时间：2025-05-06 13:40 阅读量：385 继续阅读>>
TDK推出<span style='color:red'>封装</span>尺寸3225、100V电容的汽车用积层陶瓷电容器
行业新闻

TDK推出封装尺寸3225、100V电容的汽车用积层陶瓷电容器

用于汽车应用的100V新产品，在3225封装尺寸下具有10μF电容(实现大电容)　　有助于减少元件数量，实现成套设备小型化　　符合AEC-Q200标准　　TDK株式会社(TSE：6762)宣布扩展其CGA系列汽车用积层陶瓷电容器(MLCC)，推出封装尺寸为3225(长 x 宽 x 高：3.2 x 2.5 x 2.5mm)的100V/10µF规格产品。产品具有X7R特性(二类电介质)。这是目前业界具有该温度特性的、同尺寸(3225)、同额定电压(100V)下电容值最高的产品*。该系列产品将于2025年4月开始量产。　　近年来，随着电子控制单元(ECU)功能日益复杂，功耗不断增加，大电流系统逐渐成为主流。与此同时，也要求车辆轻量化(线束更轻)，并且48V电池系统的使用也越来越普遍。因此，对于大容量100V产品的需求不断增加，例如电源线中使用的平滑电容器和去耦电容器。　　通过优化材料和产品设计，CGA系列100V产品在相同封装尺寸下实现了两倍于传统产品的容量。这种新产品可以使MLCC的使用数量和安装面积减少一半，有助于减少元件数量并实现设备的小型化。今后，TDK将进一步扩大产品阵容，以满足客户需求。　　* 截至2025年4月, 根据 TDK　　术语　　平滑：大容量电容器的充放电可抑制整流电流中脉冲流的电压波动，使其更加平滑　　去耦：在集成电路电源线和接地线之间插入电容器，当负荷发生急剧变化时，通过临时提供电流来抑制电源线的电压波动　　AEC-Q200：汽车电子委员会的汽车无源元件标准　　主要应用　　各种汽车用48V产品的电源线路的平滑和去耦　　主要特点与优势　　由于产品在3225封装尺寸下可提供10μF高电容，因此可以减少元件数量并实现设备小型化　　符合AEC-Q200标准的高可靠性
关键词：
发布时间：2025-04-28 10:14 阅读量：300 继续阅读>>
QDPAK&TOLT顶部散热<span style='color:red'>封装</span>，助推华润微SJ&SiC MOS进一步提升终端产品功率密度
行业新闻

QDPAK&TOLT顶部散热封装，助推华润微SJ&SiC MOS进一步提升终端产品功率密度

　　随着高端科技的不断发展，现代工业、车业等高端应用领域对功率器件提出了更高功率密度、更低功耗、体积小、散热能力强等严苛的要求。为此，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)推出了基于QDPAK&TOLT顶部散热封装的SJ&SiC MOSFET产品，高度匹配OBC、AI服务器电源等高端应用领域需求。　　QDPAK&TOLT是在华润微电子先进功率器件封装基地自主研发成功的新型封装，采用顶部散热创新理念，相较于传统封装方式，可以优化产品的热导率和电导率，允许更高的芯片温度、更高的功率密度并延长系统寿命，不仅克服了传统贴片封装只能通过PCB板散热的限制，还能使PCB设计具有高度的灵活性，扩大了产品的应用范围，提高了产品性能竞争力。　　与此同时，QDPAK&TOLT封装方式允许更大的装片面积，可进一步提升产品的功率。该封装方式结合SJ&SiC MOSFET芯片，促使功率器件具有“体积小、重量轻、功率密度高、效率高”等诸多优点，满足高端应用场景需求，备受客户青睐。　　QDPAK封装　　一、封装外形　　二、应用特征　　顶部散热，散热片面积>120mm²，具有高耗散能力　　内置Kelvin源配置，低寄生电感　　TCOB> 2000个循环　　相比于JEDEC标准，增加了1mm的爬电距离，满足高压应用　　鸥翼型引脚　　三、应用优势　　减少寄生电感，降低开关损耗，提高效率和易用性　　提供更高功率密度解决方案　　低RDS(ON)，高电流能力　　将SMD封装概念扩展到高功率/高电流领域　　灵活的PCB布局　　焊点检测容易，焊点可靠性高　　克服PCB散热限制，实现高度自动化　　四、应用领域　　OBC、充电桩、储能设备、AI服务器电源、通信设备等。　　TOLT封装　　一、封装外形　　二、应用特征　　顶部散热，散热片面积大于45mm²　　内置Kelvin源配置，低寄生电感　　TCOB> 2000个循环　　高额定电流>300A　　鸥翼型引脚(较QDPAK体积更小，节约PCB面积)　　三、应用优势　　提高系统效率　　高功率密度　　低RDS(ON)，高电流能力　　优异的热性能　　节省冷却系统　　大幅降低产品至散热片热阻　　焊点检测容易，焊点可靠性高　　大电流应用　　改善温度循环寿命(相比于TOLL x2)　　改善散热能力，提高电流处理能力(相比于TOLL提升36%)　　四、应用领域　　通信电源、服务器电源、工业电源等。　　PDBG目前已有多颗SJ G4系列和SiC G2系列MOSFET采用了顶部散热封装，并推向市场应用。该系列产品兼顾了芯片低Rsp、开关损耗低、优异体二极管反向恢复特性、鲁棒性强的特点和QDPAK&TOLT封装高功率密度、低功耗、封装体积小、高散热的优越特性，是服务器电源、OBC、充电桩等领域的优选，得到客户高度认可。
关键词：
发布时间：2025-04-15 16:06 阅读量：365 继续阅读>>
接口IC的<span style='color:red'>封装</span>原理及功能特性分析
行业新闻

接口IC的封装原理及功能特性分析

　　接口IC(集成电路)是现代电子设备中重要的组成部分，它们负责在不同的系统组件之间进行功能连接和信号转换。　　接口IC的定义　　接口IC是专门设计用于连接不同电路或系统的集成电路，承担信号转换、协议转换和电平匹配等功能。典型的接口IC包括串口(UART)、并口、I2C、SPI、USB、CAN等接口，它们允许不同类型的电子设备进行通信和数据交换。　　封装原理　　接口IC的封装是指将集成电路芯片与外部引脚和封装材料相结合的过程。它不仅保护内部电路免受物理和环境因素的影响，还提供与外部电路的连接。封装通常包括以下几个关键方面：　　封装类型　　接口IC的封装类型多种多样，常见的封装形式有：　　DIP(双列直插封装)：引脚以两排排列，适用于插槽安装，便于手工焊接和原型测试。　　SMD(表面贴装元件)：小型化封装，适用于高密度 PCB 设计，具有更好的电性能和更小的占用空间。　　QFN(无引脚封装)：具有平坦的底面，无引脚，适合超紧凑设计，能够提供良好的散热性能。　　封装材料　　封装材料通常选择优质的塑料或陶瓷，以提供良好的机械强度和热传导特性。常用材料包括：　　塑料(如 epoxy resin)：用于大多数低成本和中等性能应用，具有较好的耐化学性和绝缘性。　　陶瓷：用于高温和高频应用，提供更好的隔热和绝缘性能。　　封装工艺　　典型封装工艺包括：　　焊接：将芯片通过焊接连接到引脚，常见于DIP和SMD封装。　　模塑：使用模具将塑料材料覆盖住芯片，形成最终的封装外形。　　功能特性分析　　接口IC在电子系统中的主要功能特性包括以下几点：　　信号转换　　接口IC可以将不同信号类型之间进行转换，例如将模拟信号转换为数字信号，以便于数字处理。同样，它们还可以将不同电压水平的信号相互转化，确保各个部分的兼容性。　　协议转换　　不同设备之间可能使用不同的数据通信协议。接口IC具有协议转换功能，使得设备能够兼容多种通信标准，如将I2C信号转换为UART信号，实现无缝通信。　　电平匹配　　接口IC能够处理不同电压级别之间的兼容性，特别是在连接不同电源电平的设备时。它们可以将低电平特性(如TTL或CMOS)转化为高电平逻辑，以避免电器损坏。　　提高信号完整性　　通过减少信号干扰和提高传输距离，接口IC可增强信号的完整性，尤其在高速数据传输中。这通常通过内置滤波器和放大器来实现。　　硬件控制　　在某些接口IC中，硬件控制和状态指示灯功能集成于内部，使得用户可以通过简单的控制逻辑实现更复杂的操作，简化了系统设计。　　应用领域　　接口IC的应用领域非常广泛，包括：　　消费电子：如手机、平板和智能家居设备，确保不同组件之间的有效通信。　　汽车电子：用于车辆的多个控制模块之间的通信，如引擎控制单元(ECU)。　　工业自动化：将传感器和执行器与控制器连接，支持数据采集和控制。　　医疗设备：保证不同医疗设备间安全、高效的数据交换。　　接口IC在现代电子设备中扮演着至关重要的角色。通过了解它们的封装原理和功能特性，设计工程师可以更高效地选择和应用这些组件，以增强系统的功能和性能。
关键词：
发布时间：2025-04-11 13:46 阅读量：293 继续阅读>>
YFW佑风微推出全系列SOD-123FL、SMA、SMB<span style='color:red'>封装</span>CRD恒流二极管
行业新闻

YFW佑风微推出全系列SOD-123FL、SMA、SMB封装CRD恒流二极管

　　YFW佑风微推出全系列SOD-123FL、SMA、SMB封装CRD恒流二极管　　YFW佑风微恒流二极管CRD015A(B/D)-CRD080A(B/D) SMA/SMB/SOD-123FL产品选型　　CRD是一个二极管，它为电子设备提供恒定电流电路，即使电源电压波动或负载发生阻抗波动。CRD用于电流稳定和限流,恒流二极管具有恒定电流，保护电路，不受电压波动影响，还简单易用、温度稳定性好，而且易于修改电流容量，小尺寸、低功耗等。　　以下是CRD恒流二极管的应用电路
关键词：
发布时间：2025-03-24 14:39 阅读量：428 继续阅读>>
半导体<span style='color:red'>封装</span>生产线工艺流程研究
行业新闻

半导体封装生产线工艺流程研究

     半导体封装生产线工艺流程主要分成前道工序和后道工序两个部分。前道工序有一定的复杂性，技术难点多，一旦发生变动，会涉及多个环节，流程与设备、批次会相互影响，这也是半导体前道工序的特殊性。后道工序实施过程涉及的环节较少，操作也比较简单，但受到品种多等因素影响，需要经过分批等环节，进一步增强了工艺流程的复杂性。半导体封装后道工序具有流程型特点和离散型特点，属于混合型工艺流程。后道工序主要对半导体芯片实施封装，我国厂商多为后道封装生产商。因此，相关人员有必要开展深入调查分析，进一步研究半导体封装生产线工艺流程，为相关产业发展提供依据。　　1 半导体分类　　如今，半导体封装工艺得到进一步优化，半导体封装中逐渐引入各种自动化设备，自动化设备的全面普及成为社会热点，将影响半导体封装工艺效果。　　半导体封装工艺是通过一些细微的加工技术，实现芯片和其他要素之间的整合，如框架等部分，利用可塑性绝缘介质增强后续的灌封固定效果，采用立体结构形式，优化半导体封装生产线工艺流程。　　半导体材料多种多样，可以根据化学成分将其划分成如下部分：①元素半导体，硅和锗是两种常用元素。②化合物半导体，包含砷化镓、磷化镓等。不仅有 晶 态半导体，也有 非晶态半导体，主要包括玻璃半导体和有机半导体。对半导体进行分类时，可以根据制造技术将其划分成集成电路器件，包括分立器件、光电半导体、逻辑集成电路等，以上部分也可详细为不同的小类。也可以将运用范围、设计方法等作为分类标准，或严格遵循集成电路、规模等形式进行分类。　　2 半导体封装目的　　半导体封装属于后道工序，进一步对已经加工完成的半导体进行分割等工作，最终完成塑封成型。半导体封装有一方面可以为芯片提供支撑，使芯片与电路更好地连接;另一方面可以通过固定外形，增强对器件的支撑，确保器件不容易受到损坏。能否增强半导体可靠性是衡量整个封装生产线工艺流程是否标准的一个因素。未封装的半导体一旦脱离特定环境，容易受到严重损坏，这也是实施封装的主要原因。半导体芯片的工作效果及工作时长与封装材料和封装工艺有紧密关联。　　3 半导体封装生产线工艺流程　　现阶段，半导体封装生产线工艺流程研究取得了进一步发展，虽然迎来发展机遇，但也面临很多发展挑战。半导体封装生产线工艺流程涉及多方面问题，需要针对材料和工艺等方面进行深入研究，为优化半导体封装生产线工艺流程奠定坚实基础，为电子产品、电子科技发展提供支持。　　3.1 半导体磨片　　半导体磨片技术也可以称之为背面磨片技术，半导体经过打磨后才能进行装配环节。在磨片工序，工作人员要选择配比科学的离子水，将其均匀地喷洒到需要的材料上面，并将半导体硅片厚度控制在 200~500 μm。半导体硅片厚度是影响半导体设备性能的主要原因，若硅片厚度没有达到标准，不仅会影响散热效果，还会对集成电路管造成严重影响，导致其厚度不够精准，质量也不达标。随着信息技术的引入，将自动化设备和半导体封装生产线工艺流程结合，能 够更好地使磨片工序与划片工序协同发展。　　3.2 半导体划片　　半导体划片工序是指利用划片锯从硅片上切割半导体芯片，划片锯一般都采用金刚石刀刃，以确保有效进行切割。在进行划片时，需要从规定位置取出硅片，将其放置在刚性框架中的贴膜位置，并将其固定。通过贴膜保护硅片，之后喷洒离子水，将硅片放置在原锯上，利用标准厚度的金刚石刀刃切片锯进行划片，从X、Y 两个不同方向进行切割，最终保证切透处理度达到90%~100%。完成划片工序后，小硅片应保持完整，再通过后续的装片工序将小硅片完好取出。　　3.3 半导体装片　　装片工序是指工作人员完成半导体材料划片工序后，将架子上的硅片转移并进行装片。采用自动贴片机取下芯片，确定引线框架实施安装，开启引线框架的通信功能，将其与自动贴片机连接，完成硅片转移。引线框架可以分析硅片有无墨点，确保芯片质量，进一步选择符合标准的芯片，最终完成装片。其中需要重点关注的是，装片整个过程要设定专人监督，以保证装片工序更完善。大多数情况会选择环氧树脂作为粘贴使用的材料;装片过程中运用的引线框架大多数是厂家专门定制，有对应的规格和标准。在半导体封装生产中，要关注特殊的半导体芯片，使用有针对性的引线框架，一般厂家都会提供相应的引线框架，特殊半导体在生产中需要的时间也较长。　　3.4 半导体芯片键合　　半导体芯片键合工序主要是对芯片表面进行操作，选择对应铝压电与引线框架中的电极内端实施电气连接。大多数情况，键合线选择的都是铜质材料，引线直径要严格控制在25~75 μm，并保证芯片的压点间距为70μm。半导体芯片键合有热压键合、超声键合、热超声球键合3种方式。工作人员需要重点关注，半导体芯片脚管要处于完全键合状态，一个芯片至少要有两个脚管，还有一些芯片中含有数百个脚管。要想全面保证半导体封装取得更好的效果，在芯片键合工序也要设置专门的工作人员进行监督，确保各个步骤都顺利开展。　　3.5 半导体塑封　　半导体塑封工序通常采用传统封装、塑料封装、陶瓷封装3种模式，其中，塑料封装的使用频率最高，使用范围也更大，很多芯片都运用塑料封装。塑料封装能够利用环氧树脂材料，结合引线框架对已经键合的芯片进行包装。实际开展塑封工作时，工作人员要先进行预热工作，选择引线键合芯片、引线框架，将芯片放在压膜机的对应位置，之后关闭压膜机，压膜机中半溶状态的树脂材料挤压进入对应模具，需要静待一定时间，确保树脂完全填充并处于硬化装填状态，完成一个完整的半导体塑封流程。塑料封装与其他封装技术相比，不仅具有成本低的优点，还能防止半导体中存在其他杂质，如水汽等。整个塑封环节要确保封装模具的完整性，根据半导体材料和尺寸，选择有针对性的封装模具。其中要重点关注，在 装 箱 之 前 ，塑封工序所处的环节并不固定，需要进一步分析设备实际情况以及芯片加工的实际过程，利用设备完成各个工序。例如，生产双边直插式阵列可在塑封的同时，实施去废边工序，同时也可以开展打弯和测试工序，有些一体化设备可集合多个工序。　　3.6 半导体去废边　　半导体封装生产中去废边这一工序也被称为剪切和成型。芯片完成塑封工序后部分存在管脚，主要是从集成电路管壳中延伸出去，通过装配延伸到电路板上，并且在一些管壳周围存在部分没有用的材料，如多余的连接材料等，都需要做好去除工作。去废边工序就是去除管壳周围没用的材料，保证管壳周围更加整齐。　　3.7 半导体电镀、打弯、激光打印　　首先，电镀工序是在脚管完好成型后添加一层脚管涂层，预防脚管氧化、遭腐蚀。在运用电镀沉淀技术时，优先选择锡作为焊料。其次，打弯工序也可以叫作脚管成型工序，要确保铸模处于完整状态，对脚管进行再次加工，将其加工为需要的形状，如J形状或L形状的脚管，之后在表面进行贴片，完成封装工作。另外，也可以运用直插式浇灌。最后，激光打印工序需要提前了解、掌握设计图案，通过相应的半导体激光设备，采用科学方式将设计图案完整印在芯片表面。　　3.8 半导体测试　　测试工序是半导体封装生产线工艺流程中不能缺少的关键环节，但很多测试设备消耗的费用较高，一旦忽视就会影响产能。测试工序主要包括外观检.　　测和电气性能检测两个部分内容。在检测电气性能的时候，要将重点放在集成电路测试方面，可以使用自动测试设备进行单芯片测试。开展测试时，要将不同集成电路插入测试仪中，保证和电气小孔进行有针对性的连接，在每一个小孔内都设有一定的针，这种针具有较强的弹性，通常被叫作弹簧针。要让芯片脚管和弹簧针紧密连接，确保电气性能测试更加精准。在检测外观时，需要检验人员利用显微镜对封装元器件开展多方面观察，观察元器件表面是否存在缺角等问题，保证元器件外观完整。　　3.9 半导体包装、人工装箱　　包装工序是根据半导体元器件类型进行不同包装，如卷盘和料条等。料条大多数用在封装直插型半导体，卷盘通常用在封装贴片型半导体。针对一些具有特殊性的封装情况，工作人员会通过特殊设备开展包装、测试工作，确保包装工作更全面。　　人工装箱工序是工序段中的基本环节，需要将一定数量的半导体放置在包装箱内。例如，可以将1500 只半导体元器件放置在一个包装内，在箱子外部做好信息标记，重点确保条码以及芯片信息准确，并将其明显打印在包装上。再结合订单对小包装进行分配，整合小包装放置在大包装内，为 后续运输工作提供一定便捷。完成大包装装箱，也要在包装的外部做好信息标记，通过信息打印展示小包装内的相关信息。　　总之，半导体封装生产线工艺流程具有一定的复杂性，每个工序都有重要的作用，任何工序缺失都会直接影响芯片性能，甚至降低芯片可靠性。这就需要提升对制造商的要求，确保半导体封装生产线工艺流程更加规范，保证具有较高的稳定性。　　4 结语　　随着电子科技的发展，半导体封装工艺也成为全新半导体元器件生产的必要工艺，需要从不同角度进行全面探究，使工作人员对其内涵有深入了解。相关人员有必要提升对半导体封装生产线工艺流程的重视程度，掌握前道、后道工序开展的重点，深入研究封装各个工序的实际内容，第一时间发现工艺中存在的不足，针对这些不足制定有效的解决方法。可以引入比较先进的自动化技术，创新半导体封装工艺;也可以借鉴更多先进国家的工艺经验，结合我国半导体封装生产实际情况，保留相符合的技术。加深对半导体封装工艺的全面研究，从根本上提升半导体材料制作效率，并从工艺流程方面保证生产质量，为 我国半导体材料发展提供全面支持。
关键词：
发布时间：2025-03-05 09:30 阅读量：456 继续阅读>>
CT革新！艾迈斯欧司朗首发创新<span style='color:red'>封装</span>光子计数传感模块
行业新闻

CT革新！艾迈斯欧司朗首发创新封装光子计数传感模块

　　全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗(SIX：AMS)近日宣布，推出两款全新传感器模块，再次彰显其在计算机断层扫描(CT)技术领域的深耕发展。　　这两款模块作为先进诊断成像技术的核心组件，将为肿瘤学、心血管疾病治疗等多种临床应用提供更精准的诊疗支持，助力实现疾病的早期诊断。　　新产品将助力CT市场各细分领域医学影像技术升级。针对高端CT市场，艾迈斯欧司朗特别推出专为光子计数探测器设计的新型系统级封装传感器模块，该模块可显著降低辐射剂量，同时提升诊断价值。艾迈斯欧司朗还推出面向价格敏感型CT市场的新型传感器模块，在保证高质量医学成像的同时，具备极具竞争力的价格优势。　　艾迈斯欧司朗医学影像与代工产品线负责人Ivo Ivanovski表示："艾迈斯欧司朗正专注于开发兼具尖端技术与成本效益的传感器模块，以实现高分辨率、信息丰富且低剂量的CT扫描。我司性能卓越且价格实惠的传感器模块，不仅显著提升现代CT技术可及性，还带来突破性的性能提升。凭借新型光子计数探测器，艾迈斯欧司朗正在医学影像技术变革中发挥关键作用，推动医疗治疗水平迈向新高度。"　　首款用于光子计数探测器的创新封装解决方案　　CT作为一种重要的医学影像技术，通过X射线生成全身或局部器官的3D图像，辅助医生诊断疾病并监测治疗效果。然而，由于CT依赖于电离辐射，如何在保证诊断效果的同时将辐射剂量降至最低，一直是普及现代医疗服务(如儿科检查和筛查应用)所面临的一项重大社会挑战。　　针对这一挑战，艾迈斯欧司朗推出的AS5920M光子计数探测器，采用直接检测单个X射线光子的创新技术，突破了传统X射线探测器间接测量辐射强度的局限。这一独特的探测技术不仅显著降低CT扫描的辐射剂量，还确保图像质量和分辨率不受影响，从而大幅拓展CT设备在监管认证的高级诊断任务及患者筛查应用中的适用范围。　　此外，新型AS5920M具备超高分辨率。其探测器像素尺寸较传统CT探测器缩小九倍，得益于出色的材料分辨能力、低噪声和优异的对比度，AS5920M能在疾病早期阶段提供精准的诊断信息，从而提升患者治疗效果。　　艾迈斯欧司朗凭借这一面向未来的创新产品，为CT系统开发商提供了一套先进的系统级封装(System-in-Package，SiP)解决方案，有效降低系统集成复杂度。该方案将多个集成电路(IC)和被动元件集成于单一封装内，无需外部元件，从而显著优化零部件清单(BOM)。其四边可贴合的系统封装(BSIP)设计支持多设备任意方向并置，可构建大尺寸探测器区域，完美契合临床CT应用需求。　　高性价比、高性能64排CT成像传感器模块　　为实现CT医疗服务的广泛普及，市场亟需兼具高性价比与卓越性能的传感器模块。AS5952M模块正是为满足医疗影像行业这一迫切需求而研发。　　AS5952M模块由三片新型AS5952传感器芯片构成，采用三边可贴合设计，有效降低制造复杂度与成本。模块采用艾迈斯欧司朗晶圆厂自主研发的缝合技术，可确保长型传感器芯片具备高品质。　　同时，AS5952M集暗电流优化、噪声最小化和功耗降低等特性于一体，是覆盖范围为4厘米的64层CT系统的理想选择。在主流的CT细分市场中，这种宽传感器覆盖范围对于提高采集速度、减少运动伪影至关重要。　　AS5952专用集成电路(ASIC)将256通道模数转换器(ADC)和光电二极管阵列集成于一个单片封装之中。这种集成设计不仅显著缩短光电二极管与ADC之间的距离，大幅缩减了成本，还实现优异的噪声控制，因此，AS5952M成为面向价格敏感型CT市场的性能与成本优化典范。
关键词：
发布时间：2025-03-03 14:38 阅读量：397 继续阅读>>
英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL<span style='color:red'>封装</span>的全新工业CoolSiC™ MOSFET 650V G2，实现更高的功率密度
行业新闻

英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC™ MOSFET 650V G2，实现更高的功率密度

　　电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，英飞凌正在扩展其CoolSiC™ MOSFET 650V单管产品组合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封装的两个全新产品系列。　　这两个产品系列采用顶部和底部冷却并基于CoolSiC™ Generation 2(G2)技术，其性能、可靠性和易用性均有显著提高。它们专门用于中高功率开关模式电源(SMPS)开发，包括AI服务器、可再生能源、充电桩、电动交通工具和人形机器人、电视机、驱动器以及固态断路器。　　TOLL封装具有出色的板载热循环(TCoB)能力，可通过减少印刷电路板(PCB)占板面积实现紧凑的系统设计。在用于SMPS时，它还能减少系统级制造成本。TOLL封装现在适用于更多目标应用，使PCB设计者能够进一步降低成本并更好地满足市场需求。　　Q-DPAK封装的推出补充了英飞凌正在开发的新型顶部冷却(TSC)产品，包括CoolMOS™ 8、CoolSiC™、CoolGaN™和OptiMOS™。TSC产品使客户能够以低成本实现出色的稳健性以及更大的功率密度和系统效率，还能将直接散热率提高至95%，通过实现PCB的双面使用更好地管理空间和减少寄生效应。
关键词：
发布时间：2025-02-27 13:45 阅读量：419 继续阅读>>
罗姆650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL<span style='color:red'>封装</span>
行业新闻

罗姆650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已将TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次，ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商(OSAT)拥有丰富业绩的日月新半导体(威海)有限公司(ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下简称“ATX”)。　　为了实现无碳社会，“提高用电量占全球一大半的电源和电机的效率”已成为全球性的社会问题。功率元器件是提高其效率的关键，SiC(碳化硅)、GaN等新材料有望进一步提高各种电源的效率。ROHM于2023年4月将650V耐压的第1代GaN HEMT投入量产，并于2023年7月将栅极驱动器和650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC投入量产。为了应对大功率应用中的进一步小型、高效率化的市场要求，ROHM采取在以往的DFN8080封装基础上追加的形式来强化650V GaN HEMT的封装阵容。在TOLL封装中内置第2代元件并实现产品化。　　新产品在TOLL封装内置第2代GaN on Si芯片，在与导通电阻和输入电容相关的器件性能指标 (RDS(ON)×Qoss*2) 方面，数值表现达到业界先进水平。这将有助于需要高耐压且高速开关的电源系统进一步节能和小型化。新产品已于2024年12月投入量产(样品价格 3,000日元/个，不含税)，并已开始电商销售，通过电商平台均可购买。　　关于新产品的量产，ROHM利用其在垂直统合型一体化生产体系中所积累的元器件设计技术和自有优势，进行了相关的设计和规划，并于2024年12月10日宣布作为与台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，以下简称“TSMC”)合作的一环，前道工序在TSMC生产，后道工序在ATX生产。另外，ROHM还计划与ATX合作生产车载GaN器件。预计从2026年起，GaN器件在汽车领域的普及速度将会加快，ROHM计划在加强内部开发的同时，进一步加深与这些合作伙伴之间的关系，以加快车载GaN器件投入市场的速度。　　日月新半导体(威海)有限公司 董事兼总经理 廖弘昌 表示：　　“ROHM拥有从晶圆制造到封装的全部生产设备，并拥有非常先进的制造技术，很高兴ROHM将部分生产外包给我们。我们从2017年开始与ROHM进行技术交流，目前正在继续探索更深合作的可能性。ATX在GaN器件后道工序制造方面的实际业绩和技术实力得到ROHM的认可，从而促成了本次合作。双方还计划针对ROHM目前正在开发的车载GaN器件也开展合作，未来也会继续加深双方的合作伙伴关系，以促进各领域的节能，为实现可持续发展的社会做出贡献。”　　ROHM Co., Ltd. AP生产本部 本部长 藤谷 谕 表示：　　“非常高兴ROHM 的TOLL 封装650V GaN HEMT能够以令人满意的性能投入量产。ROHM不仅提供GaN器件，还提供其与融入自身模拟技术优势的IC等元器件相结合的电源解决方案，而且还会再将这些设计过程中积累的专业知识和理念应用到元器件的设计中。通过与ATX等技术实力雄厚的OSAT合作，ROHM不仅能够跟上快速增长的GaN市场的步伐，同时还能不断向市场推出融入ROHM优势的产品。未来，我们将继续通过提高GaN器件的性能，促进各种应用产品的小型化和效率提升，为丰富人们的生活贡献力量。”　　<什么是EcoGaN™>      EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。　　・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<产品阵容>　　<应用示例>      适用于服务器、AC适配器(USB充电器)、通信基站电源、工业设备电源、PV逆变器、ESS(Energy Storage System / 储能系统)等输出功率500W～1kW级的广泛电源系统。　　<电商销售信息>      开始销售时间：2025年1月起　　新产品在电商平台将逐步发售。　　・产品型号：GNP2070TD-ZTR　　<关于日月新半导体(威海)有限公司>      ATX位于中国山东省威海市，是从事功率元器件的组装和测试的OSAT企业。公司可以生产MOSFET、IGBT、SiC、GaN等50多种封装，年产能超过57亿枚。目前产品已被广泛应用于工业设备、车载设备、可再生能源(太阳能发电等)、消费电子等领域，尤其是在电动汽车控制领域，在国际品牌市场拥有很高的市场份额。　　ATX与全球排名前十的功率元器件企业建立了长期且紧密的合作关系，是一家拥有自主知识产权以及基于这些知识产权的核心技术的、下一代半导体元器件开发方面的先进企业。　　如需了解更多信息，请访问ATX官网：http://www.atxwh.com/　　<术语解说>     *1) GaN HEMT　　GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si(硅)相比，具有更优异的物理性能，目前，因其具有出色的高频特性，越来越多的应用开始采用这种材料。　　HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。　　*2) RDS(ON)×Qoss　　评估元器件性能的指标，Qoss是指从输出端看的漏极源极间的总电荷量。另外，RDS(ON)(导通电阻)是使MOSFET启动(导通)时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗(电力损耗)越少。这两者相乘得到的值越低，开关工作效率越高，开关损耗越少。
关键词：
发布时间：2025-02-13 16:31 阅读量：500 继续阅读>>

跳转至

/ 10

热门分类
半导体 电路保护 机电产品 嵌入式解决方案 连接器，互连器件 传感器，变送器 光电元件 开发套件 测试与测量 电源 风扇，热管理 盒子，外壳，机架 电缆，电线 无源元件 其它
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
TL431ACLPR Texas Instruments
MC33074DR2G onsemi
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
BP3621 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

关于我们
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购销服务。

请输入下方图片中的验证码：

验证码