YFW佑风微推出全系列SOD-123FL、SMA、SMB<span style='color:red'>封装</span>CRD恒流二极管
半导体<span style='color:red'>封装</span>生产线工艺流程研究
     半导体封装生产线工艺流程主要分成前道工序和后道工序两个部分。前道工序有一定的复杂性,技术难点多,一旦发生变动,会涉及多个环节,流程与设备、批次会相互影响,这也是半导体前道工序的特殊性。后道工序实施过程涉及的环节较少,操作也比较简单,但受到品种多等因素影响,需要经过分批等环节,进一步增强了工艺流程的复杂性。半导体封装后道工序具有流程型特点和离散型特点,属于混合型工艺流程。后道工序主要对半导体芯片实施封装,我国厂商多为后道封装生产商。因此,相关人员有必要开展深入调查分析,进一步研究半导体封装生产线工艺流程,为相关产业发展提供依据。  1 半导体分类  如今,半导体封装工艺得到进一步优化,半导体封装中逐渐引入各种自动化设备,自动化设备的全面普及成为社会热点,将影响半导体封装工艺效果。  半导体封装工艺是通过一些细微的加工技术,实现芯片和其他要素之间的整合,如框架等部分,利用可塑性绝缘介质增强后续的灌封固定效果,采用立体结构形式,优化半导体封装生产线工艺流程。  半导体材料多种多样,可以根据化学成分将其划分成如下部分:①元素半导体,硅和锗是两种常用元素。②化合物半导体,包含砷化镓、磷化镓等。不仅有 晶 态半导体,也有 非晶态半导体,主要包括玻璃半导体和有机半导体。对半导体进行分类时,可以根据制造技术将其划分成集成电路器件,包括分立器件、光电半导体、逻辑集成电路等,以上部分也可详细为不同的小类。也可以将运用范围、设计方法等作为分类标准,或严格遵循集成电路、规模等形式进行分类。  2 半导体封装目的  半导体封装属于后道工序,进一步对已经加工完成的半导体进行分割等工作,最终完成塑封成型。半导体封装有一方面可以为芯片提供支撑,使芯片与电路更好地连接;另一方面可以通过固定外形,增强对器件的支撑,确保器件不容易受到损坏。能否增强半导体可靠性是衡量整个封装生产线工艺流程是否标准的一个因素。未封装的半导体一旦脱离特定环境,容易受到严重损坏,这也是实施封装的主要原因。半导体芯片的工作效果及工作时长与封装材料和封装工艺有紧密关联。  3 半导体封装生产线工艺流程  现阶段,半导体封装生产线工艺流程研究取得了进一步发展,虽然迎来发展机遇,但也面临很多发展挑战。半导体封装生产线工艺流程涉及多方面问题,需要针对材料和工艺等方面进行深入研究,为优化半导体封装生产线工艺流程奠定坚实基础,为电子产品、电子科技发展提供支持。  3.1 半导体磨片  半导体磨片技术也可以称之为背面磨片技术,半导体经过打磨后才能进行装配环节。在磨片工序,工作人员要选择配比科学的离子水,将其均匀地喷洒到需要的材料上面,并将半导体硅片厚度控制在 200~500 μm。半导体硅片厚度是影响半导体设备性能的主要原因,若硅片厚度没有达到标准,不仅会影响散热效果,还会对集成电路管造成严重影响,导致其厚度不够精准,质量也不达标。随着信息技术的引入,将自动化设备和半导体封装生产线工艺流程结合,能 够更好地使磨片工序与划片工序协同发展。  3.2 半导体划片  半导体划片工序是指利用划片锯从硅片上切割半导体芯片,划片锯一般都采用金刚石刀刃,以确保有效进行切割。在进行划片时,需要从规定位置取出硅片,将其放置在刚性框架中的贴膜位置,并将其固定。通过贴膜保护硅片,之后喷洒离子水,将硅片放置在原锯上,利用标准厚度的金刚石刀刃切片锯进行划片,从X、Y 两个不同方向进行切割,最终保证切透处理度达到90%~100%。完成划片工序后,小硅片应保持完整,再通过后续的装片工序将小硅片完好取出。  3.3 半导体装片  装片工序是指工作人员完成半导体材料划片工序后,将架子上的硅片转移并进行装片。采用自动贴片机取下芯片,确定引线框架实施安装,开启引线框架的通信功能,将其与自动贴片机连接,完成硅片转移。引线框架可以分析硅片有无墨点,确保芯片质量,进一步选择符合标准的芯片,最终完成装片。其中需要重点关注的是,装片整个过程要设定专人监督,以保证装片工序更完善。大多数情况会选择环氧树脂作为粘贴使用的材料;装片过程中运用的引线框架大多数是厂家专门定制,有对应的规格和标准。在半导体封装生产中,要关注特殊的半导体芯片,使用有针对性的引线框架,一般厂家都会提供相应的引线框架,特殊半导体在生产中需要的时间也较长。  3.4 半导体芯片键合  半导体芯片键合工序主要是对芯片表面进行操作,选择对应铝压电与引线框架中的电极内端实施电气连接。大多数情况,键合线选择的都是铜质材料,引线直径要严格控制在25~75 μm,并保证芯片的压点间距为70μm。半导体芯片键合有热压键合、超声键合、热超声球键合3种方式。工作人员需要重点关注,半导体芯片脚管要处于完全键合状态,一个芯片至少要有两个脚管,还有一些芯片中含有数百个脚管。要想全面保证半导体封装取得更好的效果,在芯片键合工序也要设置专门的工作人员进行监督,确保各个步骤都顺利开展。  3.5 半导体塑封  半导体塑封工序通常采用传统封装、塑料封装、陶瓷封装3种模式,其中,塑料封装的使用频率最高,使用范围也更大,很多芯片都运用塑料封装。塑料封装能够利用环氧树脂材料,结合引线框架对已经键合的芯片进行包装。实际开展塑封工作时,工作人员要先进行预热工作,选择引线键合芯片、引线框架,将芯片放在压膜机的对应位置,之后关闭压膜机,压膜机中半溶状态的树脂材料挤压进入对应模具,需要静待一定时间,确保树脂完全填充并处于硬化装填状态,完成一个完整的半导体塑封流程。塑料封装与其他封装技术相比,不仅具有成本低的优点,还能防止半导体中存在其他杂质,如水汽等。整个塑封环节要确保封装模具的完整性,根据半导体材料和尺寸,选择有针对性的封装模具。其中要重点关注,在 装 箱 之 前 ,塑封工序所处的环节并不固定,需要进一步分析设备实际情况以及芯片加工的实际过程,利用设备完成各个工序。例如,生产双边直插式阵列可在塑封的同时,实施去废边工序,同时也可以开展打弯和测试工序,有些一体化设备可集合多个工序。  3.6 半导体去废边  半导体封装生产中去废边这一工序也被称为剪切和成型。芯片完成塑封工序后部分存在管脚,主要是从集成电路管壳中延伸出去,通过装配延伸到电路板上,并且在一些管壳周围存在部分没有用的材料,如多余的连接材料等,都需要做好去除工作。去废边工序就是去除管壳周围没用的材料,保证管壳周围更加整齐。  3.7 半导体电镀、打弯、激光打印  首先,电镀工序是在脚管完好成型后添加一层脚管涂层,预防脚管氧化、遭腐蚀。在运用电镀沉淀技术时,优先选择锡作为焊料。其次,打弯工序也可以叫作脚管成型工序,要确保铸模处于完整状态,对脚管进行再次加工,将其加工为需要的形状,如J形状或L形状的脚管,之后在表面进行贴片,完成封装工作。另外,也可以运用直插式浇灌。最后,激光打印工序需要提前了解、掌握设计图案,通过相应的半导体激光设备,采用科学方式将设计图案完整印在芯片表面。  3.8 半导体测试  测试工序是半导体封装生产线工艺流程中不能缺少的关键环节,但很多测试设备消耗的费用较高,一旦忽视就会影响产能。测试工序主要包括外观检.  测和电气性能检测两个部分内容。在检测电气性能的时候,要将重点放在集成电路测试方面,可以使用自动测试设备进行单芯片测试。开展测试时,要将不同集成电路插入测试仪中,保证和电气小孔进行有针对性的连接,在每一个小孔内都设有一定的针,这种针具有较强的弹性,通常被叫作弹簧针。要让芯片脚管和弹簧针紧密连接,确保电气性能测试更加精准。在检测外观时,需要检验人员利用显微镜对封装元器件开展多方面观察,观察元器件表面是否存在缺角等问题,保证元器件外观完整。  3.9 半导体包装、人工装箱  包装工序是根据半导体元器件类型进行不同包装,如卷盘和料条等。料条大多数用在封装直插型半导体,卷盘通常用在封装贴片型半导体。针对一些具有特殊性的封装情况,工作人员会通过特殊设备开展包装、测试工作,确保包装工作更全面。  人工装箱工序是工序段中的基本环节,需要将一定数量的半导体放置在包装箱内。例如,可以将1500 只半导体元器件放置在一个包装内,在箱子外部做好信息标记,重点确保条码以及芯片信息准确,并将其明显打印在包装上。再结合订单对小包装进行分配,整合小包装放置在大包装内,为 后续运输工作提供一定便捷。完成大包装装箱,也要在包装的外部做好信息标记,通过信息打印展示小包装内的相关信息。  总之,半导体封装生产线工艺流程具有一定的复杂性,每个工序都有重要的作用,任何工序缺失都会直接影响芯片性能,甚至降低芯片可靠性。这就需要提升对制造商的要求,确保半导体封装生产线工艺流程更加规范,保证具有较高的稳定性。  4 结语  随着电子科技的发展,半导体封装工艺也成为全新半导体元器件生产的必要工艺,需要从不同角度进行全面探究,使工作人员对其内涵有深入了解。相关人员有必要提升对半导体封装生产线工艺流程的重视程度,掌握前道、后道工序开展的重点,深入研究封装各个工序的实际内容,第一时间发现工艺中存在的不足,针对这些不足制定有效的解决方法。可以引入比较先进的自动化技术,创新半导体封装工艺;也可以借鉴更多先进国家的工艺经验,结合我国半导体封装生产实际情况,保留相符合的技术。加深对半导体封装工艺的全面研究,从根本上提升半导体材料制作效率,并从工艺流程方面保证生产质量,为 我国半导体材料发展提供全面支持。
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发布时间:2025-03-05 09:30 阅读量:288 继续阅读>>
CT革新!艾迈斯欧司朗首发创新<span style='color:red'>封装</span>光子计数传感模块
  全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗(SIX:AMS)近日宣布,推出两款全新传感器模块,再次彰显其在计算机断层扫描(CT)技术领域的深耕发展。  这两款模块作为先进诊断成像技术的核心组件,将为肿瘤学、心血管疾病治疗等多种临床应用提供更精准的诊疗支持,助力实现疾病的早期诊断。  新产品将助力CT市场各细分领域医学影像技术升级。针对高端CT市场,艾迈斯欧司朗特别推出专为光子计数探测器设计的新型系统级封装传感器模块,该模块可显著降低辐射剂量,同时提升诊断价值。艾迈斯欧司朗还推出面向价格敏感型CT市场的新型传感器模块,在保证高质量医学成像的同时,具备极具竞争力的价格优势。  艾迈斯欧司朗医学影像与代工产品线负责人Ivo Ivanovski表示:"艾迈斯欧司朗正专注于开发兼具尖端技术与成本效益的传感器模块,以实现高分辨率、信息丰富且低剂量的CT扫描。我司性能卓越且价格实惠的传感器模块,不仅显著提升现代CT技术可及性,还带来突破性的性能提升。凭借新型光子计数探测器,艾迈斯欧司朗正在医学影像技术变革中发挥关键作用,推动医疗治疗水平迈向新高度。"  首款用于光子计数探测器的创新封装解决方案  CT作为一种重要的医学影像技术,通过X射线生成全身或局部器官的3D图像,辅助医生诊断疾病并监测治疗效果。然而,由于CT依赖于电离辐射,如何在保证诊断效果的同时将辐射剂量降至最低,一直是普及现代医疗服务(如儿科检查和筛查应用)所面临的一项重大社会挑战。  针对这一挑战,艾迈斯欧司朗推出的AS5920M光子计数探测器,采用直接检测单个X射线光子的创新技术,突破了传统X射线探测器间接测量辐射强度的局限。这一独特的探测技术不仅显著降低CT扫描的辐射剂量,还确保图像质量和分辨率不受影响,从而大幅拓展CT设备在监管认证的高级诊断任务及患者筛查应用中的适用范围。  此外,新型AS5920M具备超高分辨率。其探测器像素尺寸较传统CT探测器缩小九倍,得益于出色的材料分辨能力、低噪声和优异的对比度,AS5920M能在疾病早期阶段提供精准的诊断信息,从而提升患者治疗效果。  艾迈斯欧司朗凭借这一面向未来的创新产品,为CT系统开发商提供了一套先进的系统级封装(System-in-Package,SiP)解决方案,有效降低系统集成复杂度。该方案将多个集成电路(IC)和被动元件集成于单一封装内,无需外部元件,从而显著优化零部件清单(BOM)。其四边可贴合的系统封装(BSIP)设计支持多设备任意方向并置,可构建大尺寸探测器区域,完美契合临床CT应用需求。  高性价比、高性能64排CT成像传感器模块  为实现CT医疗服务的广泛普及,市场亟需兼具高性价比与卓越性能的传感器模块。AS5952M模块正是为满足医疗影像行业这一迫切需求而研发。  AS5952M模块由三片新型AS5952传感器芯片构成,采用三边可贴合设计,有效降低制造复杂度与成本。模块采用艾迈斯欧司朗晶圆厂自主研发的缝合技术,可确保长型传感器芯片具备高品质。  同时,AS5952M集暗电流优化、噪声最小化和功耗降低等特性于一体,是覆盖范围为4厘米的64层CT系统的理想选择。在主流的CT细分市场中,这种宽传感器覆盖范围对于提高采集速度、减少运动伪影至关重要。  AS5952专用集成电路(ASIC)将256通道模数转换器(ADC)和光电二极管阵列集成于一个单片封装之中。这种集成设计不仅显著缩短光电二极管与ADC之间的距离,大幅缩减了成本,还实现优异的噪声控制,因此,AS5952M成为面向价格敏感型CT市场的性能与成本优化典范。
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发布时间:2025-03-03 14:38 阅读量:277 继续阅读>>
英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL<span style='color:red'>封装</span>的全新工业CoolSiC™ MOSFET 650V G2,实现更高的功率密度
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发布时间:2025-02-27 13:45 阅读量:306 继续阅读>>
罗姆650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL<span style='color:red'>封装</span>
  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已将TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小,散热性能出色,还具有优异的电流容量和开关特性,因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次,ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商(OSAT)拥有丰富业绩的日月新半导体(威海)有限公司(ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.,以下简称“ATX”)。  为了实现无碳社会,“提高用电量占全球一大半的电源和电机的效率”已成为全球性的社会问题。功率元器件是提高其效率的关键,SiC(碳化硅)、GaN等新材料有望进一步提高各种电源的效率。ROHM于2023年4月将650V耐压的第1代GaN HEMT投入量产,并于2023年7月将栅极驱动器和650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC投入量产。为了应对大功率应用中的进一步小型、高效率化的市场要求,ROHM采取在以往的DFN8080封装基础上追加的形式来强化650V GaN HEMT的封装阵容。在TOLL封装中内置第2代元件并实现产品化。  新产品在TOLL封装内置第2代GaN on Si芯片,在与导通电阻和输入电容相关的器件性能指标 (RDS(ON)×Qoss*2) 方面,数值表现达到业界先进水平。这将有助于需要高耐压且高速开关的电源系统进一步节能和小型化。新产品已于2024年12月投入量产(样品价格 3,000日元/个,不含税),并已开始电商销售,通过电商平台均可购买。  关于新产品的量产,ROHM利用其在垂直统合型一体化生产体系中所积累的元器件设计技术和自有优势,进行了相关的设计和规划,并于2024年12月10日宣布作为与台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited,以下简称“TSMC”)合作的一环,前道工序在TSMC生产,后道工序在ATX生产。另外,ROHM还计划与ATX合作生产车载GaN器件。预计从2026年起,GaN器件在汽车领域的普及速度将会加快,ROHM计划在加强内部开发的同时,进一步加深与这些合作伙伴之间的关系,以加快车载GaN器件投入市场的速度。  日月新半导体(威海)有限公司 董事兼总经理 廖弘昌 表示:  “ROHM拥有从晶圆制造到封装的全部生产设备,并拥有非常先进的制造技术,很高兴ROHM将部分生产外包给我们。我们从2017年开始与ROHM进行技术交流,目前正在继续探索更深合作的可能性。ATX在GaN器件后道工序制造方面的实际业绩和技术实力得到ROHM的认可,从而促成了本次合作。双方还计划针对ROHM目前正在开发的车载GaN器件也开展合作,未来也会继续加深双方的合作伙伴关系,以促进各领域的节能,为实现可持续发展的社会做出贡献。”  ROHM Co., Ltd. AP生产本部 本部长 藤谷 谕 表示:  “非常高兴ROHM 的TOLL 封装650V GaN HEMT能够以令人满意的性能投入量产。ROHM不仅提供GaN器件,还提供其与融入自身模拟技术优势的IC等元器件相结合的电源解决方案,而且还会再将这些设计过程中积累的专业知识和理念应用到元器件的设计中。通过与ATX等技术实力雄厚的OSAT合作,ROHM不仅能够跟上快速增长的GaN市场的步伐,同时还能不断向市场推出融入ROHM优势的产品。未来,我们将继续通过提高GaN器件的性能,促进各种应用产品的小型化和效率提升,为丰富人们的生活贡献力量。”  <什么是EcoGaN™>      EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能,助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。  ・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  <产品阵容>  <应用示例>      适用于服务器、AC适配器(USB充电器)、通信基站电源、工业设备电源、PV逆变器、ESS(Energy Storage System / 储能系统)等输出功率500W~1kW级的广泛电源系统。  <电商销售信息>      开始销售时间:2025年1月起  新产品在电商平台将逐步发售。  ・产品型号:GNP2070TD-ZTR  <关于日月新半导体(威海)有限公司>      ATX位于中国山东省威海市,是从事功率元器件的组装和测试的OSAT企业。公司可以生产MOSFET、IGBT、SiC、GaN等50多种封装,年产能超过57亿枚。目前产品已被广泛应用于工业设备、车载设备、可再生能源(太阳能发电等)、消费电子等领域,尤其是在电动汽车控制领域,在国际品牌市场拥有很高的市场份额。  ATX与全球排名前十的功率元器件企业建立了长期且紧密的合作关系,是一家拥有自主知识产权以及基于这些知识产权的核心技术的、下一代半导体元器件开发方面的先进企业。  如需了解更多信息,请访问ATX官网:http://www.atxwh.com/  <术语解说>     *1) GaN HEMT  GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si(硅)相比,具有更优异的物理性能,目前,因其具有出色的高频特性,越来越多的应用开始采用这种材料。  HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。  *2) RDS(ON)×Qoss  评估元器件性能的指标,Qoss是指从输出端看的漏极源极间的总电荷量。另外,RDS(ON)(导通电阻)是使MOSFET启动(导通)时漏极和源极之间的电阻值。该值越小,运行时的损耗(电力损耗)越少。这两者相乘得到的值越低,开关工作效率越高,开关损耗越少。
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发布时间:2025-02-13 16:31 阅读量:360 继续阅读>>
禹创半导体全新小<span style='color:red'>封装</span>BLDC预驱动IC介绍
  随着科技的飞速发展,我们欣喜地宣布,禹创半导体近日推出了全新的小封装单相无刷直流(BLDC)预驱动IC——ERD1101及ERD1102,为我国长期被日美欧品牌占据主导地位的马达产业注入了一股强劲的国产力量。  自 2018 年成立以来,禹创半导体一直致力于技术创新与产品研发,先后推出了 LCD 驱动 IC,AMOLED 驱动 IC 和多串锂电池保护IC等产品。2024 年禹创新推出了马达驱动IC,完成了公司产品线的三大布局。禹创半导体的马达团队来自国际大厂: TI 及安森美(三洋)的马达团队,平均拥有 20 年的马达 IC 设计年资,具有丰富的设计经验及对马达市场细致的了解。除了ERD1101/ERD1102,接下来半年内我们将陆续推出内置 MOSFET 的单相无刷直流驱动马达 IC: ERD100x 系列,以满足客户不同的应用需求。  ERD1101是一款开环的单相无刷直流(BLDC)预驱动IC,配合不同的外置MOSFET,可适用于12V/24V/48V电压,以及各种大电流的应用,主要应用于电脑处理器,显卡,电源模组的冷却风扇,冰箱的循环风扇。而ERD1102则是一款闭环的单相无刷直流(BLDC)预驱动IC。这两款IC采用了引脚兼容的设计,可轻松应用于同一PCB上的开环和闭环设计。为了减少PCB的面积,ICs采用了QFN16 3*3的小型化封装。  马达是各种电子设备中不可或缺的关键部件,尽管它们在我们的日常生活中隐形存在,却承载着重要的功能。冷气机、冰箱、洗衣机、吸尘器、打印机、电脑、汽车等各类设备都依赖于各种马达的工作。为了满足对马达稳定性和耐用性的高要求,我们在ERD1101/ ERD1102内置了锁定检测、过热保护、欠压保护和限流保护等功能,以更好地保护IC免受外界因素的损害。此外,我们还提供了GUI界面来控制IC内部的各种参数,从而大大缩短了开发周期。QFN3*3的封装使到客户可以将它应用在更小的空间,从而达到小型化的要求。在ERD1101/ ERD1102推出市场之前,我们已经得到两岸多家客户的评估及品质验证。随着2024年Q1的量产,我们相信很快就可以在市场上看到采用ERD1101/ ERD1102的产品了。  随着科技的发展,AI和机器人成为了现今科技界最热门的话题。在这个充满活力的领域,马达IC也扮演着重要的角色。我们相信马达产业的奇异点即将到来,禹创半导体布局马达驱动IC不仅可以参与这第四次工业革命的浪潮,还将为我国的人形机器人产业提供强大的后盾。
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发布时间:2024-12-17 15:50 阅读量:416 继续阅读>>
雷卯展示SOD-323<span style='color:red'>封装</span>大功率ESD
  上海雷卯有全系列各种电压的SOD-323封装ESD,现整理部分产品列表如下:  一、SOD-323的优势特点  1、尺寸与空间优势  体积小:SOD-323封装本身尺寸小巧,在电路板上所占空间小,适用于如手机、便携式设备、数码相机等对空间要求严苛的电子产品,有助于实现产品的小型化与集成化.能在有限的电路板面积上集成更多的保护器件,满足高度集成化电路设计需求,提升电路功能与性能。  2、电气性能优越  、大功率承受能力:如SD0381D3W峰值脉冲功率可达2500W,除了抗静电可以达到±30KV,也可应对较大的瞬间能量冲击,有效保护电路。  - 低钳位电压:能在ESD事件发生时快速将过电压钳制在较低水平,如SD0571D3WH具有低钳位电压特性,浪涌电流110A 时,钳位电压低至9.5V。列表里许多款钳位电压低,因此可以帮助用户产品避免敏感元件因过压损坏.  3、可靠性与兼容性强  符合标准:众多SOD-323封装大功率ESD器件符合IEC 61000-4-2等国际标准,静电等级满足4级 ,可以达到空气和接触±30KV,能满足不同应用场景的ESD防护要求,确保电子设备的电磁兼容性。  二、 应用场景  SOD-323封装大功率ESD的应用广泛,主要包括以下领域:  1、消费电子领域  智能手机和平板电脑,笔记本电脑等。用于此类产品电源浪涌防护或者频率不  高的信号处做静电浪涌防护。比如用于保护显示屏、触摸屏、按键、耳机插孔、USB接口等部件电源处免受ESD损害,防止屏幕出现闪烁、花屏、触控失灵,以及接口电路损坏等问题。  2、通信设备领域  路由器和交换机:保护网络接口、通信芯片、电源电路等,保障网络设备在复杂电磁环境下的稳定运行,防止ESD引发的通信中断、数据丢包等故障.  基站中的射频模块、基带处理单元、电源管理模块等都需要ESD保护,以确保基站在户外恶劣环境下的长期稳定工作,降低设备故障率和维护成本。  3、工业控制领域  PLC和工控计算机,传感器和变送器:保护电源防止ESD干扰导致的控制信号错误、设备误动作,保证测量数据的准确性和稳定性。  4、汽车领域  车载娱乐系统:保护车载音响、导航系统、多媒体显示屏等设备的电子元件和接口,防止ESD对其造成损害,确保车载娱乐系统的正常使用.  车身控制系统:车身控制模块、车窗控制电机、车门锁控制器等设备中的电子元件和电路,需要ESD保护来防止因静电放电导致的设备故障和误动作,保障车身控制系统的可靠性和安全性。  汽车电子传感器:汽车发动机控制单元中的温度传感器、氧传感器、曲轴位置传感器等,以及胎压监测传感器、倒车雷达传感器等,都需要SOD-323封装大功率ESD器件进行保护,以确保传感器的正常工作,提高汽车的安全性和性能。  此方案图可以应用于直流电压静电浪涌防护 ,器件选择可以参考前面表格,根据保护电源电压选择合适ESD二极管。  Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌,供应ESD,TVS,TSS,GDT,MOV,MOSFET,Zener,电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务,为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间:2024-12-11 11:10 阅读量:577 继续阅读>>
2.5D<span style='color:red'>封装</span>和3D<span style='color:red'>封装</span>的区别
  2.5D封装和3D封装是两种重要的技术发展趋势,它们对于提高电子产品性能、减小尺寸、降低功耗等方面都具有重要意义。封装技术的不断演进推动了电子行业的发展,并为各种应用场景带来了更多可能性。  1. 定义  2.5D封装是一种介于传统2D封装和全面的3D封装之间的中间形式。在2.5D封装中,多个芯片或器件被整合在同一个封装内,但这些芯片并不直接堆叠在一起,而是通过硅互连层或基板进行连接。这种封装结构可以实现更高的集成度和性能优化,同时又相对容易制造,成本较低。  与2.5D封装相比,3D封装更加先进和复杂。在3D封装中,多个芯片或器件被垂直堆叠在一起,通过封装材料或硅互联层进行互连。这种垂直堆叠的设计使得封装结构更加紧凑,信号传输路径更短,从而提高了性能和功耗效率。  2. 工艺流程  2.5D封装工艺流程  制备基板:选择合适的基板材料,进行表面处理和图形图案设计。  芯片定位:将芯片按照设计要求固定在基板上。  金线键合:使用金属线将芯片和基板上的焊盘连接。  封装成型:对整体进行封装成型,保护芯片和连接线路。  3D封装工艺流程  Wafer thinning:对芯片进行薄化处理,减小厚度以便堆叠。  TSV制造:在芯片上制造Through-Silicon Vias,用于实现垂直互连。  堆叠组装:将多个薄化后的芯片堆叠在一起,通过TSV进行互连。  封装封装:对整体进行封装,保护堆叠的芯片和连接线路。  3. 技术特点  2.5D封装特点  高度集成:多个芯片在同一封装内,提高了系统整体的集成度。  低成本:相比3D封装,2.5D封装制造成本更低。  易于设计:设计难度相对较低,对设计人员的要求也较低。  3D封装特点  更高性能:垂直堆叠结构缩短了信号传输路径,提高了系统性能。  更小尺寸:相同功能的芯片堆叠在一起,封装尺寸更小。  更低功耗:优化的堆叠布局和互连设计减小功耗。  4. 应用领域  2.5D封装应用  数据中心:用于高性能计算、人工智能等领域的服务器和处理器。  网络通信:提高网络设备的处理速度和带宽。  汽车电子:应用于汽车雷达、驾驶辅助系统等模块。  3D封装应用  移动设备:手机、平板电脑等消费类电子产品,提高性能和降低功耗。  医疗领域:医疗影像设备、植入式医疗器械等需求高性能和小尺寸的设备。  5. 优缺点分析  2.5D封装优点  生产成本低:相比3D封装成本更低。  设计容易:对设计人员要求较低。  高度集成:提高了整体系统的集成度。  2.5D封装缺点  性能局限:相比3D封装,性能提升有限。  散热困难:集成度增加可能带来散热问题。  信号干扰:多个芯片在同一封装内可能引起信号干扰。  3D封装优点  更高性能:性能提升明显。  更小尺寸:封装尺寸更小。  低功耗:通过优化互连设计减小功耗。  3D封装缺点  制造复杂:制造工艺较为复杂,技术门槛高。  成本高昂:制造成本相对较高。  设计难度大:对设计人员要求高。
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发布时间:2024-12-10 11:19 阅读量:451 继续阅读>>
上海贝岭:超小<span style='color:red'>封装</span>物联网能效监测芯片BL0971
  随着新能源汽车产业的发展,对充电设施的便利、安全、智能化等方面均提出了更高的要求。许多新车型开始采用800V架构,一辆搭载100kWh电的电动汽车,只需要15min即可完成30%~80%的充电,大大缩短了充电时间,使得当前消费者的快速充电需求得以满足。在同样充电功率时800V电池平台相比400V电池平台,只需要400V时充电电流的一半,减少了导线和电气组件的热损耗,提高了系统的能效和安全性。为实现安全、有序充电,固定充电桩设备需要对直流电压/电流、能效、温度等物理量进行实时监控,在保证测量精度足够高,电能计费准确的同时,充电中一旦出现异常,可立即实施保护断开。另外,在新能源车随车充的应用中,由于空间紧凑,需要更小的芯片体积。  ·BL0971产品介绍·  为实现这些监测及应用需求,上海贝岭在之前的物联网能效监测芯片BL0972的基础上,针对直流充电桩的应用需求,推出了超小封装的BL0971交直流能效监测芯片。  BL0971是一颗内置时钟/外接晶振的单相交直流能效监测芯片。可用于交/直流断路器、交/直流照明能耗监控、交/直流物联网仪表或终端等产品。  ·产品特性·  1U1I模式,1路电流,1路电压测量 ;2I模式,2路电流测量;  高精度,在输入动态范围(5000:1)内,交流有功电能非线性测量误差小于0.1%;  交流电压和电流有效值,测量动态范围(2500:1)内,有效值非线性误差小于0.1%;  可选直流信号测量,输入范围2000:1,测量误差<±1%;  对于输入波形,可以通过选择不同滤波器,来获得全波、交流或直流的有效值及功率;  内置波形寄存器,可以用于波形分析;  测量电流、电压有效值、有功功率、无功功率、有功电能、无功电能等参数;  批次出厂增益误差小于 1%,外围元件满足一定条件下可以免校准;  SPI/UART 通讯接口,满足交/直流计量、检测、故障监控时高速率的数据交互需要;  内置基准参考电压源;  支持内置时钟或外接晶振,可根据应用场景选择;  单工作电源3.3V,低功耗15mW(典型值);  过流、过压、欠压快速检测、中断输出可配置,满足直流充电桩保护的需求;  可用于保险丝保护,最快10ms产生中断输出;  QFN20封装,4*4mm,体积小。  ·上海贝岭选型方案·  上海贝岭拥有完善的电源管理、信号链等系列产品可供选择。以下为部分汽车充电桩应用的产品型号。
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发布时间:2024-11-20 11:26 阅读量:603 继续阅读>>
纳芯微推出全新CSP<span style='color:red'>封装</span>MOSFET: NPM12023A
  近日,纳芯微全新推出CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET ——NPM12023A系列产品,优异的短路过流能力与雪崩过压能力、更强的机械压力耐受能力,可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。  纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品,采用自有专利芯片结构设计,综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺,拥有超低导通阻抗及高ESD (>2kV) 保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求,同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题,为客户提供更安全、更可靠的产品,简化客户的设计。  图1:纳芯微CSP封装MOSFET产品优势  便携式锂电设备对于充放电保护的要求:  高强度,小体积  智能手机、平板电脑等便携式锂电设备变得比以前更轻薄,功能更强大,同时对设备的充放电功率要求也越来越高:从最初的3-5W,到现在超过100W的充放电功率,使人们在享受更便捷的生活的同时,提高了充电效率,减少了电量焦虑的困扰。充放电功率的不断提高,对用于锂电池保护的MOSFET的性能提出了更高的挑战:如何在降低内阻的同时,兼顾机械应力及雪崩能量等要求,成为聚焦的重点。  图2:CSP封装MOSFET典型应用场景  技术特点  专有的CSP封装技术  传统CSP封装结构为了降低衬底电阻,采用了芯片厚度减薄的方法,从而降低了该封装结构的机械强度,随之而来的,在生产组装过程中,可能会造成芯片翘曲变形甚者产生裂纹,从而导致应用端不良等问题。  纳芯微全新CSP封装系列产品在设计之初就在产品结构上做了调整,使导通电流平行于芯片表面,缩短电流路径,从而降低导通电阻,也就从根源上解决了CSP封装MOSFET的机械强度问题(耐受机械压力>60N),更高的机械强度,可以帮助芯片在兼顾轻薄化、小型化的基础上,最大程度上降低使用过程中的变形、裂片等问题,保证了产品的可靠性和安全性。  图3:纳芯微CSP封装结构与传统CSP封装结构对比  高抗短路和雪崩的能力  作为锂电池保护电路中的关键器件,CSP封装MOSFET的短路过流能力和雪崩过压能力也是衡量该芯片的重要参数指标。相比市场上其他产品,纳芯微该系列产品具备非常好的抗短路和雪崩的能力:短路电流测试达到280A,雪崩能力测试>30A(225mJ)。  纳芯微CSP封装MOSFET产品选型表
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发布时间:2024-09-27 11:24 阅读量:770 继续阅读>>

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