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15V超低电容高浪涌ESD元件——雷卯<span style='color:red'>UL</span>C1542CH完全替代ESD63091CN

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15V超低电容高浪涌ESD元件——雷卯ULC1542CH完全替代ESD63091CN

　　上海雷卯电子推出全新静电保护器件 ULC1542CH，这是一款小封装的(DFN1006))专为 15V信号线设计的静电保护方案。凭借14A的峰值脉冲电流(IPP)能力,ULC1542CH 具备优异的浪涌防护性能。0.6PF 低结电容，可以保障信号传输的完整性，能够有效抵御静电放电冲击，为高速数据传输线路提供可靠保护，　　ULC1542CH核心参数与 ESD63091CN 完全匹配，支持 pin-to-pin 无缝替代。无需修改电路设计即可直接替换，为工程师提供了更灵活、高效的选型方案。　　ESD63091CN与雷卯ULC1542CH参数表对比如下：　　判断ESD二极管是否可以替代建议关注这几点：　　1. VRWM 是否接近　　2. 封装是否一样　　3. 抗静电能力是否接近;　　4. VBR 是否接近;　　5. IPP 是否接近 ;　　6. CJ 是否接近。　　以上参数对比ULC1542CH完全可以替代ESD63091CN。　　应用　　1. 消费电子领域，无论是手机、平板的高速数据接口，还是智能穿戴设备的精密传感器线路。　　2. 工业控制场景下，面对复杂电磁环境中频繁出现的静电威胁，它能为 PLC 控制线路、工业以太网接口等提供可靠防护。　　3. 在汽车电子方面，从车载娱乐系统的数据线到车身电子控制单元的信号传输线，该器件都能助力设备稳定运行　　总之，该器件适用于消费电子、工业控制等多种场景，在保持高性能的同时兼具成本优势，为工程师提供了更具灵活性的选型方案。

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雷卯电子

发布时间：2025-06-06 11:08 阅读量：491 继续阅读>>

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美光科技为Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI创新动能

　　美光科技于2025年5月27日宣布，Motorola最新功能强大的翻盖手机Motorola Razr 60 Ultra采用美光高性能、高能效的LPDDR5X内存以及先进的UFS 4.0解决方案。　　该款智能手机搭载Motorola基于大型语言模型的AI功能Moto AI，美光的LPDDR5X和UFS解决方案为其提供了所需的容量、能效、速率和性能。　　美光企业副总裁暨手机和客户端业务部门总经理Mark Montierth表示：“美光LPDDR5X内存和UFS 4.0存储解决方案专为Motorola Razr 60 Ultra等下一代AI设备量身打造。我们与Motorola合作，为其最新款智能手机赋能，充分展现了高性能、低功耗的内存和存储创新对于释放端侧AI全部潜力的关键作用。”　　为何存储和内存重要?　　随着智能手机AI功能的日益强大，越来越多的数据处理作业已从依赖云计算，逐渐转为直接在端侧设备执行。若要在端侧提供完整的AI体验，就需要性能更强的内存和存储，以容纳大型语言模型和不断增长的数据量。　　在美光内存和存储解决方案的助力下，Motorola Razr 60 Ultra让用户能够探索Moto AI的完整功能，享受快速、流畅的智能体验和精准的反馈。用户可以使用Moto AI提问，以专业级精准度增强照片效果，将文本转化为独特的艺术创作、虚拟人像和贴纸，聆听为每个时刻精选的音乐，并通过简洁、个性化的通知摘要了解当天的重要资讯。　　Motorola产品研发副总裁Leo Liu表示：“Motorola Razr 60 Ultra重新定义了可折叠智能手机的AI性能，让用户能够借助直观的AI功能释放创造力、掌控生活节奏，并清晰、轻松地记录生活中的美好瞬间。为了将手机个性化智能体验呈现在用户指尖，小巧的机身内需配备兼具卓越性能与能效的内存。我们与美光科技的长期合作，确保了我们能够采用针对移动端优化的解决方案，进而在我们迄今为止最强大的折叠屏手机上实现流畅的AI体验。”　　美光基于第二代 1ß(1-beta)节点的LPDDR5X内存，传输速率高达每秒9.6 Gbps ，较上一代产品，速率提升了10%。1 这一卓越性能使用户能够轻松地在应用程序间切换，并更高效地进行多任务处理，同时提供移动AI功能所需的高速数据处理能力。美光的LPDDR5X内存能够节省高达25%的功耗，2 为高能耗的AI应用提供支持，并延长续航——这是Motorola Razr 60 Ultra的一大亮点，续航超过36小时。　　在存储方面，尽管这款手机采用了紧凑的可折叠外形设计，但美光UFS 4.0解决方案为照片、电影、歌曲、应用程序和游戏提供了充足的存储空间。大容量存储功能让旗舰智能手机能够直接在设备上存储由AI分析和生成的大型数据集，无需依赖云端——从而使用户既能享受到个性化AI助手带来的便利，又能保障个人数据的安全和隐私。　　1 相较于上一代1-beta LPDDR5的8.533 Gbps的传输速率　　2 相较于上一代1-beta LPDDR5

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美光科技

发布时间：2025-05-28 09:36 阅读量：350 继续阅读>>

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佰维存储企业级SSD通过OpenCloudOS、龙蜥、openEuler等开源社区认证

　　近日，佰维存储的企业级存储产品SP406/416、SP506/516系列PCIe SSD完成了与OpenCloudOS、龙蜥(Anolis OS)和openEuler三大开源操作系统的兼容性认证。测试结果显示，系列产品在功能、性能、可靠性和兼容性等方面均表现卓越。　　佰维SP4/SP5系列企业级SSD分别与OpenCloudOS操作系统完成了全方位兼容性测试，涵盖操作系统安装测试、系统信息检查、分区和文件系统测试、热插拔测试、硬盘指示灯测试、硬盘读写性能测试、系统重启(Reboot)测试以及长时间压力测试等多轮严苛环节，测试结果表明佰维企业级SSD产品在Open CloudOS环境中表现出良好的适配性和稳定性。　　在产品功能与关键性能指标方面，佰维企业级SSD表现性能卓越、稳定可靠，可为企业级应用的连续性、长期稳定运行保驾护航。在可靠性与兼容性方面，在混合读写与快速随机切换的工作场景下，历经长时间压力测试，佰维企业级SSD依然能够稳定无误的运行。同时，佰维企业级SSD通过多家OS开源社区的互认证测试，表明可为客户OS使用提供灵活选择和适配。　　佰维企业级SSD SP4系列采用U.2形态接口，适用于各类企业级数据中心、云计算与高端服务器。该产品基于优异的企业级主控芯片结构，搭载企业级专用的高速3D TLC闪存颗粒，覆盖1.6TB~7.68TB容量，具备高吞吐量/IOPS、低延迟以及良好的 QoS 特性。采用高效固件架构，提升了产品的性能与耐用度，平均无故障时间高达250万小时。此外，极低的功耗表现可大幅降低客户运维成本，满足企业级应用对能效的严苛要求。　　佰维企业级SSD SP5系列最大带宽是Gen4产品的两倍。产品实现了性能与功耗的平衡，顺序读取/写入速度分别高达13100MB/s、10000MB/s，容量支持1.6TB~15.36TB，提供业界领先的KIOPS/Watt性能，满足企业级客户对于数据高密度存储、高兼容易用性及低TCO的需求，通过多种软件算法与固件优化，产品具备数据安全性保障、可靠与一致性等多项技术优势。可扩充E1.S、E3.S多种规格形态接口，以匹配EDSFF新型服务器、传统服务器、工作站等主流硬件平台的使用环境。　　除三大开源系统认证外，佰维SP4和SP5系列企业级SSD同时通过了飞腾、海光、龙芯等主流CPU厂商的适配测试;并通过联想、浪潮、新华三、同方等17家服务器厂商的互认证测试。广泛覆盖企业级硬件环境需求，为全球客户提供灵活、开放的存储解决方案。未来，佰维存储将推出更高性能、高可靠的企业级存储产品与解决方案，并联合更多生态伙伴深化协同创新，积极推动企业级存储产品的技术适配与生态共建，以智能存力引擎驱动数字经济高质量发展。

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佰维存储

发布时间：2025-04-21 13:34 阅读量：516 继续阅读>>

上海雷卯电子：AZ5515-02F 和AOZ8S322UD2-03国产替代型号<span style='color:red'>UL</span>C0502P3H参数对比

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上海雷卯电子：AZ5515-02F 和AOZ8S322UD2-03国产替代型号ULC0502P3H参数对比

　　上海雷卯ESD二极管ULC0502P3H完全替代Amazing 晶焱型号AZ5515-02F和 AOS万代 AOZ8S322UD2-03。已经有很多客户选用ULC0502P3H作为替代，客户可以获得更好的价格和更快的交期。　　ULC0502P3H 性能特点：　　封装：DFN1006-3 (1mmx0.6mm)　　l 性能：单向低容0.65PF　　性能：单向低容0.65PF　　抗静电能力：空气/接触均是±30KV　　应用：USB接口，HDMI1.3 1.4 5V数据接口及模拟接口手持设备信号保护　　替代料对比列表：　　通过以上参数对比可以了知：ULC0502P3H 抗静电 30KV，IPP为13A, Cj为0.65PF这些参数都较优，因此完全可以替代另外两款。AOZ8S322UD2-03的VRWM 虽然是3.3V ，但它的VBR是6V。所以5V的 ULC0502P3H完全可以替代。　　ULC0502P3H参数表　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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雷卯电子

发布时间：2025-01-03 14:07 阅读量：758 继续阅读>>

海凌科多款电源模块通过<span style='color:red'>UL</span>认证！

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海凌科多款电源模块通过UL认证！

　　海凌科多款电源模块已经过工厂验厂，通过UL认证，拿到UL相关认证报告，同时多款电源模块也通过了CE、FCC、CQC等认证，质量可靠，供货稳定。　　什么是UL认证　　UL认证是美国最具权威性的安全认证之一，UL认证对产品的检测和工厂的审查要求非常严格，申请者必须确保产品质量和安全，以及生产场所符合相关要求，才能获得认证证书。　　UL认证的产品范围广泛，涵盖电气和电子设备、家用电器、建筑材料、消防设备、化学品、个人护理产品等多个领域。具体来说，包括但不限于视听设备、汽车、电子元器件、家用电器、工业控制设备、信息技术设备、灯具、医疗器械、塑料、资讯设备、电线电缆等。　　UL认证流程　　UL认证审核非常严格，前期需确定项目、准备资料，需先送样送样;然后，再进行工厂审核，签发报告与授权;最后，还会进行后续监督与维护，包括定期审核、变更管理、标志使用。　　海凌科电源模块经过一系列严格审核后，多款模块已通过UL认证，自产自研，15年品牌保障，值得信赖。　　35款已过UL认证　　海凌科35款电源模块已过UL认证，其中包括多款1W系列电源模块、2W系列电源....　　与此同时，海凌科其他多款产品也通过不同认证，可在海凌科官方、海凌科智慧物联公众号中下载，查看认证证书和详情。　　F05xxS-1WR3系列电源模块　　F05xxS-1WR3系列一是我司为客户提供小体积、高效率的DC/DC微小功率模块电源,定电压输入，隔离非稳压,单路输出。　　该系列产品是专门针对板上电源系统中需要产生一组与输入电源隔离的电压的应用场合而设计的。　　定电压输入，隔离非稳压输出 1W　　隔离电压:3000VDC　　空载功耗低:0.025W(Typ.)　　效率:高达 90%　　工作环境温度:-40℃C~+85°C　　无故障时间　　自动恢复　　小型 SIP 封装，塑料外壳　　国际标准引脚方式　　纹波/噪声(20MHz 带宽):30mVp-p(TyP.)

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海凌科

发布时间：2025-01-03 14:00 阅读量：809 继续阅读>>

芯进电子：双重保护隔离栅极驱动器通过<span style='color:red'>UL</span>1577认证

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芯进电子：双重保护隔离栅极驱动器通过UL1577认证

　　近日，芯进电子多系列隔离驱动产品顺利通过UL1577:2023各项测试，包括结构检查、隔离耐压测试、重载测试、热老化测试等，获得UL1577认证证书 (File No.E539511, Certificate Number: UL-US-2442758-0),VISO=8000Vrms，AC BV超过20KVrms，surge测试峰值超过20KVpk，隔离耐压业绩领先。　　该系列产品型号为CCi8335SVB-LMN, CCi8335SVB-LMN-Q1, CCi8338SVB-LMN, CCi8338SVB-LMN-Q1，是芯进电子推出的适用于电机驱动、太阳能逆变器、UPS、隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动等多场景的超高性能隔离驱动器。　　此次，芯进电子双重保护隔离驱动IC凭借卓越的产品力获得了国际标准的认可，彰显了芯进电子过硬的技术能力及迈向国际化的实力与决心，也是国产替代化进程中当之无愧的实力派。未来，芯进电子将在UL认证的加持下，持续为国内外客户提供高品质、高可靠性、更安全的产品及解决方案，推动行业的发展与进步。　　产品介绍　　CCi8335是一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器，具有6A峰值拉电流和8A峰值灌电流。33V的高电源电压范围可有效驱动IGBT、MOSFET和SiC，具有60ns传播延迟和25ns最大脉宽失真。输入侧通过一个8000VRMS增强型隔离层与输出驱动器隔离，两侧之间的共模瞬态抑制(CMTI)典型值为150V/ns。　　▲CCi8335产品封装图　　应用场景　　电机驱动器　　太阳能逆变器　　UPS 和电池充电器　　隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动　　▲ CCi8335典型应用图

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芯进电子

发布时间：2024-12-26 17:18 阅读量：859 继续阅读>>

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芯进电子 | 双重保护隔离栅极驱动器通过UL1577认证

　　近日，芯进电子多系列隔离驱动产品顺利通过UL1577:2023各项测试，包括结构检查、隔离耐压测试、重载测试、热老化测试等，获得UL1577认证证书 (File No.E539511, Certificate Number: UL-US-2442758-0),VISO=8000Vrms，AC BV超过20KVrms，surge测试峰值超过20KVpk，隔离耐压业绩领先。　　该系列产品型号为CCi8335SVB-LMN, CCi8335SVB-LMN-Q1, CCi8338SVB-LMN, CCi8338SVB-LMN-Q1，是芯进电子推出的适用于电机驱动、太阳能逆变器、UPS、隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动等多场景的超高性能隔离驱动器。　　此次，芯进电子双重保护隔离驱动IC凭借卓越的产品力获得了国际标准的认可，彰显了芯进电子过硬的技术能力及迈向国际化的实力与决心，也是国产替代化进程中当之无愧的实力派。未来，芯进电子将在UL认证的加持下，持续为国内外客户提供高品质、高可靠性、更安全的产品及解决方案，推动行业的发展与进步。　　产品介绍　　CCi8335是一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器，具有6A峰值拉电流和8A峰值灌电流。33V的高电源电压范围可有效驱动IGBT、MOSFET和SiC，具有60ns传播延迟和25ns最大脉宽失真。输入侧通过一个8000VRMS增强型隔离层与输出驱动器隔离，两侧之间的共模瞬态抑制(CMTI)典型值为150V/ns。　　应用场景　　电机驱动器　　太阳能逆变器　　UPS 和电池充电器　　隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动

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发布时间：2024-12-25 09:59 阅读量：774 继续阅读>>

国民技术N32 MCU通过 IEC/EN/<span style='color:red'>UL</span> 60730功能安全认证

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国民技术N32 MCU通过 IEC/EN/UL 60730功能安全认证

　　近期，国民技术多个系列的N32 MCU产品先后通过了全球领先的检验、鉴定、测试和认证机构SGS的IEC/EN/UL 60730功能安全测试认证，获得SGS颁发的IEC/EN/UL 60730认证证书，助力自动电气控制终端安全设计。　　产品通过该认证，充分表明N32系列MCU在功能安全性方面完全满足国际IEC/EN/UL 60730标准要求，可协助客户快速实现终端产品的功能安全开发，减少客户产品开发时间与成本。同时也再次彰显国民技术在通用产品的安全研发与质量管控方面拥有国际认可的实力。　　通过IEC/EN/UL 60730认证的N32系列MCU产品包括：　　基于Arm® Cortex®-M4核的系列MCU：N32G457、N32G455、N32G452、N32G451、N32G4FR、N32G435、N32G432、N32G430、N32L402、N32L403、N32L406、N32L433、N32L436　　基于Arm® Cortex®-M0核的系列MCU：N32G003、N32G030、N32G031、N32G032、N32G052　　国民技术可为客户提供SGS出具的检测报告、证书和经过认证符合IEC/EN/UL 60730 Class B标准的功能安全软件库(Nations.CM4_60730_Classb_Library，Nations.CM0_60730_Classb_Library)，以及完备的安全文档。　　关于SGS　　SGS是国际公认的测试、检验和认证机构，拥有着强大的国际认证网络，能够为半导体客户提供全面的测试(化学测试、可靠性测试)、失效分析、车规认证服务、功能安全评估等。SGS的多国认证服务区域涵盖：北美洲、欧洲、日本、韩国、新加坡、马来西亚、越南、澳大利亚、沙特阿拉伯、科威特、伊拉克库尔德地区以及坦桑尼亚、伊朗、尼日利亚、乌干达、阿尔及利亚以及部分南美国家等，是您值得信赖的合作伙伴。

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国民技术

发布时间：2024-11-04 15:21 阅读量：754 继续阅读>>

上海雷卯：ESD管ESD113-B1-02EL(S)国产替代型号<span style='color:red'>UL</span>C0342CDNH，<span style='color:red'>UL</span>C0321CDNH参数对比

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上海雷卯：ESD管ESD113-B1-02EL(S)国产替代型号ULC0342CDNH，ULC0321CDNH参数对比

　　雷卯型号全，能替代大量infineon型号。具体如下：　　应用于3.3V高速信号静电保护器件，infineon的ESD113-B1-02EL(DFN1006)和ESD113-B1-02ELS(DFN0603)，交期长，价格高。已经有很多客户选雷卯的 ULC0342CDNH(DFN1006)，ULC0321CDNH(DFN0603)，可以获得更好的价格和更快的交期，　　ULC0321CDNH带回扫，钳位电压Vc比ESD113-B1-02EL更低只有5.5V，并且IPP为6A，能很好的保护后级电路。　　我们可以参看下面列出的参数对比。　　判断ESD二极管是否可以替代需注意的几点：　　1.VRWM是否接近;　　2.抗静电能力是否接近;　　3.VBR是否接近　　4.IPP是否接近;　　5.CJ是否接近。　　ULC0342CDNH，ESD113-B1-02EL封装都是 DFN1006。　　ULC0342CDNH的 VRWM,VBR,CJ ESD(air,contact)参数都几乎同ESD113-B1-02EL一样，但IPP, Vc两个参数更优优于ESD113-B1-02EL。　　ULC0321CDNH，ESD113-B1-02ELS封装都是 DFN0603。　　ULC0321CDNH的VRWM,VBR,CJ ESD(air,contact)参数都几乎同ESD113-B1-02ELS一样，但IPP, Vc两个参数更优优于ESD113-B1-02ELS。　　ULC0342CDNH，ULC0321CDNH主要应用于:USB3.0,HDMI,DVI,显示接口，移动HDMI,MDDI,MIPI,SWP/NFC 保护。　　规格书主要部分展示如下：　　上海雷卯专业研发销售ESD TVS产品。我们致力于为客户提供高品质的ESD TVS产品，以保护电路免受静电干扰和电压波动的影响。我们的产品涵盖广泛的应用领域，包括电子、通讯、计算机、汽车、医疗等行业。我们拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务。我们的目标是成为全球领先的ESD TVS供应商之一，为客户提供最优质的解决方案和服务。

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上海雷卯

发布时间：2024-07-15 11:18 阅读量：778 继续阅读>>

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方舟微UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用

　　ARK（方舟微）研发的UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压60V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。　　该系列耗尽型MOSFET具有超高的阈值电压参数，利用其压阈值特性，非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中，既能实现PWM IC的宽电压范围输入下的供电需求，又能很好的抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：　　01　　典型电路　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路 (以DMZ1015E为例)如下：　　图1. UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路　　02　　应用原理　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用原理：　　如图1电路所示，PWM IC与DMZ1015E的S-G并联，因此PWM IC的VCC电压就等于DMZ1015E的|VGS|电压。当输入电压较低时，DMZ1015E基本直通，仅在D-S两端有较小压降。当DMZ1015E工作在稳压状态时，MOSFET自身会工作在饱和区，根据耗尽型MOSFET的输出特性曲线可知，在不同的饱和电流IDS下都会有唯一的VGS电压相对应，且该VGS电压数值上与同样IDS电流下的|VGS(OFF)|相等。　　而在图1所示电路中，VGS≤0V，因此VGS电压的范围为：0V≤|VGS|≤|VGS(OFF)|(MAX)，即VCC的电压大小根据IDS电流的不同，只能在DMZ1015E的阈值电压范围内变化，IDS电流越大，|VGS|数值越小。当IDS电流一定时，输出电压|VGS|也唯一确定。　　因此使用ARK（方舟微）UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET可以直接给PWM IC进行宽电压范围输入条件下的稳压供电。

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方舟微

发布时间：2023-11-17 15:49 阅读量：2223 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies

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