芯力特3.3V单电源供电CAN收发器系列芯片<span style='color:red'>SI</span>T65HVD23x和<span style='color:red'>SI</span>T3051
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芯力特3.3V单电源供电CAN收发器系列芯片SIT65HVD23x和SIT3051

    芯力特3.3V单电源供电CAN收发器系列芯片符合ISO 11898-2国际标准,主要应用于工业自动化、电力、控制、传感器和驱动系统，电机和机器人控制，楼宇和温度控制，电信和基站控制及状态等领域。    芯力特3.3V单电源供电CAN收发器能够为工业与～自动化控制系统制造商带来更简易的电路设计方案，提供低功耗,低成本以及节省空间的解决方案，使其具有更强的市场竞争力。    芯力特3.3V单电源CAN收发器主要有SIT65HVD23x系列（SIT65HVD230-235）和SIT3051系列；如下图1：    主要性能参数如下表1，客户可以根据不同功能需求分别选用。    表1：芯力特3.3V CAN收发器系列芯片功能对比    各型号芯片引脚图如下：    各型号芯片工作模式间的切换条件如下表2:    表2：芯力特3.3V CAN收发器系列芯片模式切换    芯力特3.3V单电源供电CAN收发器能够为工业与自动化控制系统制造商带来更简易的电路设计方案，提供低功耗,低成本以及节省空间的解决方案，使其具有更强的市场竞争力。
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发布时间：2022-08-24 13:56 阅读量：3390 继续阅读>>
芯力特量产自主研发LIN收发器芯片<span style='color:red'>SI</span>T1021
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芯力特量产自主研发LIN收发器芯片SIT1021

    芯力特自主研发的SIT1021芯片是一款符合LIN2.x、SAE J2602和ISO-17987-4:2016(12V)标准的LIN收发器芯片,可应用于卡车、公交、小汽车、工业控制等领域，主要支持1kbps至20kbps传输速率的车载网络，总线端口耐压达到±42V以上，具有高耐压、低漏电、高电磁兼容能力、超低功耗的休眠模式等特点。    芯力特电子科技有限公司以面向国家需求尽“芯”尽力做特殊芯片为己任，围绕智慧电网、车联网等物联网进行相关芯片技术攻关。继成功研发CAN FD收发器芯片SIT1042后，芯力特再次打破国外垄断成功量产42V耐压LIN收发器芯片SIT1021，其主要特征如下：    总线耐压能力-42V ~ 42V；    支持1kbps至20kbps传输速率；    符合LIN2.x、SAE J2602和ISO-17987-4:2016(12V)标准,提供SOP8以及DFN3*3-8（小外形，无引脚）封装；    驱动器（TXD）显性超时功能，总线输出波形斜率控制功能；    具有远程与本地唤醒功能的超低功耗休眠模式；    内置过温保护功能；    SIT1021逻辑I/O电压范围支持3.3V和5V MCU；    VBAT电源引脚上具有欠压保护功能；    高抗电磁干扰能力，未上电节点不干扰总线。    SIT1021是一款满足国际标准的高性能LIN收发器芯片。芯力特聚焦工业与车载领域，将提供更加丰富的高性能LIN与CAN收发器型号供广大客户选用。
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发布时间：2022-08-24 13:45 阅读量：3517 继续阅读>>
纳芯微单通道隔离驱动器NSi6801二代产品发布
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纳芯微单通道隔离驱动器NSi6801二代产品发布

    近年来，随着工业系统朝着高频化、高压化、高效率的趋势发展，同时要求更长的产品寿命，对工业隔离技术提出了更高的要求。纳芯微NSi6801单通道隔离驱动器能够兼容光耦输入，其优秀的性能比起传统的光耦式栅极驱动器，工作寿命更长，能在更高温的环境下工作，传播延迟更短，脉冲宽度失真更小。可用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功率管。    该系列的第一代产品NSi6801于2021年初正式推向市场，而后持续大批量出货，得到了积极的市场反馈。其优异的性能赶超国际领先水平，已成功应用于工业电机、伺服、光伏、储能等领域。在初代产品经过市场检验的优秀性能基础之上，纳芯微全新推出第二代产品NSi6801x系列，包含NSi68010B和NSi68011C两款产品。继承第一代产品优秀性能的同时，价格更优，助力企业降本增效。    NSi6801x的特点：    新一代单通道兼容光耦输入的隔离驱动    适用于对可靠性、工作寿命、功率密度和效率要求都比较高的系统，如光伏逆变器，电机驱动系统中。    一、产品特性    引脚兼容P2P替代光耦驱动器，性能升级    高CMTI：150 kV/μs    NSi68010驱动电流达：+0.7A/-0.8A    NSi68011驱动电流达：+1.5A/-2A    驱动器侧电源电压高达32V，带欠压保护    驱动器欠压点提供9V和12V两种选择    典型传播延时：63ns    工作环境温度：-40℃ ~ 125℃    符合 RoHS 标准的封装类型：SOW6    二、应用场景    工业电机驱动、变频器、伺服、电梯    空调压缩机    光伏、储能、UPS    三、安规认证    UL认证：1分钟5700Vrms (SOW6)    VDE认证：DIN VDE V 0884-11:2017-01    CSA认证：CSA组件通知5A批准    CQC认证：符合GB4943.1-2011    四、封装示意图    五、功能框图
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发布时间：2022-08-24 13:21 阅读量：2947 继续阅读>>
芯力特推出5Mbps (CAN FD)收发器芯片<span style='color:red'>SI</span>T1044
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芯力特推出5Mbps (CAN FD)收发器芯片SIT1044

　　芯力特自主研发SIT1044芯片是一款应用于CAN协议控制器和物理总线之间的高性能(CAN FD)收发器芯片,可应用于卡车、公交、小汽车、工业控制等领域，总线耐压达到±40V，支持5Mbps(CAN FD)灵活数据速率，具有在总线与CAN协议控制器之间进行差分信号传输的能力……　　芯力特±40V耐压(CAN FD)收发器芯片SIT1044，其主要特征如下：　　图1 芯片引脚示意图（提供SOP8以及DFN3*3-8，小外形无引脚封装）　　总线耐压能力-40V~40V；　　HBM防护8KV;　　支持5Mbps(CAN FD)（灵活数据速率）；　　性能达到或优于“ISO 11898”标准,提供SOP8以及DFN3*3-8，小外形，无引脚封装；　　驱动器（TXD）显性超时功能，待机总线（BUS）显性超时功能，带唤醒功能的低功耗待机模式，内置过温保护功能；　　SIT1044T/3型号I/O电压范围支持3.3V和5V MCU；　　VCC和VIO电源引脚上具有欠压保护；　　通过-40℃~125℃高低温老化实验，满足工控与车载应用范围；　　高抗电磁干扰能力，未上电节点不干扰总线　　SIT1044是一款满足国际标准的高性能(CAN FD)收发器芯片。芯力特成为拥有(CAN FD)系列型号，CAN系列型号，LIN系列型号齐全的国内模拟IC厂商。
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发布时间：2022-08-24 11:07 阅读量：2959 继续阅读>>
芯力特推出带静音模式的5M CAN FD芯片<span style='color:red'>SI</span>T1057
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芯力特推出带静音模式的5M CAN FD芯片SIT1057

　　SIT1057是芯力特推出的一款国产CAN FD收发器芯片，可应用于CAN协议控制器和物理总线之间的接口芯片，可应用于小汽车、工业控制等领域，支持5Mbps灵活数据速率（Flexible Data-Rate），具有在总线与CAN协议控制器之间进行差分信号传输的能力，完全兼容“ISO 11898-2:2016”标准。　　主要特征如下：　　1、完全兼容“ISO 11898-2:2016”标准　　2、内置过温保护　　3、总线端口±40V耐压　　4、驱动器（TXD）显性超时功能　　5、静音接收模式　　6、SIT1057T/3 I/O电压范围支持3.3V和5V MCU　　7、VCC和VIO电源引脚上具有欠压保护　　8、高速CAN，支持5Mbps CAN FD（灵活数据速率）　　9、高抗电磁干扰能力　　10、未上电节点不干扰总线　　11、TXD至RXD典型环路延时小于100ns　　12、支持 HVSON8 /DFN3*3-8，小外形，无引脚封装
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发布时间：2022-08-24 10:45 阅读量：3655 继续阅读>>
芯力特量产极低功耗LIN收发器芯片<span style='color:red'>SI</span>T1027
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芯力特量产极低功耗LIN收发器芯片SIT1027

    SIT1027是一款国产本地互联网络LIN收发器芯片，符合LIN 2.0、LIN 2.1、LIN 2.2、LIN 2.2A、ISO 17987-4:2016 (12V) 和SAE J2602标准。主要适用于使用1kbps至20kbps传输速率的车载网络。SIT1027通过TXD 引脚控制 LIN 总线的状态，可将协议控制器的发送数据流转换为具有最佳压摆率和波形整形的总线信号，以最大程度地减少电磁辐射发射（EME）。LIN总线输出引脚具有内部上拉电阻，仅当用作主机节点时，才需将LIN总线端口通过一个与二极管串联的外部电阻上拉至VBAT。SIT1027通过LIN引脚接收总线上的数据流，并由接收器的输出引脚RXD将数据传送到外部的微控制器。    SIT1027可在5.5V~18V工作电压范围内，支持12V 应用。SIT1027在休眠模式和待机模式下可实现极低的静态电流消耗（休眠模式和待机模式下SIT1027典型电流为4uA），发生故障时可快速地将功耗降至最低，并且可通过SLP_N引脚上的消息将器件置于正常工作模式。    SIT1027的引脚定义：    主要特点：    兼容“LIN 2.x/ISO 17987-4:2016 (12V)/SAE J2602”标准；    兼容K线；    内置过温保护功能（热关断）；    内置30KΩ总线上拉从机电阻；    总线限流保护功能；    电池掉电检测功能；    极低功耗的休眠模式与待机模式；    支持远程唤醒；    LIN数据传输速率高达20kbps；    高抗电磁干扰（EMI）能力；    提供HVSON8 / DFN3*3-8，小外形，无引脚封装。
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发布时间：2022-08-23 16:41 阅读量：3187 继续阅读>>
中科芯推出A<span style='color:red'>SI</span>C安全加密芯片
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中科芯推出ASIC安全加密芯片

　　中科芯推出ASIC安全加密芯片。中科芯集成电路股份有限公司拥有集成电路设计、制版、工艺、测试、封装、可靠性和应用等完整的产业链，产品以FPGA、CPU、DSP、SoC、MCU、微系统为主，是信息系统和自主创新核心芯片及解决方案的供应商、可信公共制造平台的服务商，移动通信、云计算、工业控制、物联网等新兴产业关键芯片和信息系统的供应商。　　产品简介：　　IMA2401是一款ASIC防盗版加密芯片。用户可将关键数据信息内嵌入芯片中，从根本上杜绝数据被盗取的可能。　　支持IO模拟及I2C通信，具有超高的性价比。　　IMA2401在保证安全等级与功能相同的前提下，让客户有了更多选择，灵活采购。　　产品可广泛应用于物联网、智能制造、智能卡、加密板及打印机耗材等领域。
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发布时间：2022-08-18 13:38 阅读量：3595 继续阅读>>
纳芯微推出高压隔离半桥驱动芯片NSi6602
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纳芯微推出高压隔离半桥驱动芯片NSi6602

　　纳芯微推出高压隔离半桥驱动芯片NSi6602，作为一款隔离式双通道栅极驱动器，NSi6602具有优异的抗干扰能力，其抗共模瞬态干扰度（CMTI）可达150kV/us，可有效保证系统在各种恶劣环境下正常运行。       NSi6602的典型传输延时值为19ns，高边、低边栅极驱动器之间最大传输延迟匹配5ns，最大脉宽失真6ns，有助于减小功率管的死区时间，进而提高系统效率。通过更小的封装尺寸、更强大的功能设计，NSi6602打破了传统非隔离式栅极驱动器普遍存在的工作电压上限低、传播延迟长、灵活性差等局限性，从而带来更高的功率密度，帮助系统更快速、更稳健地运行。　　NSi6602性能特点：　　隔离式双通道栅极驱动器　　5kV RMS隔离耐压　　输入侧供电电压：2.7V至5.5V　　驱动端供电电压：最高可达25V　　4A驱动电流和6A吸收电流　　最高150KV/us抗共模瞬态干扰度　　19ns典型传播延迟　　5ns最大传输延迟匹配　　6ns最大脉冲宽度失真　　可编程死区时间　　AEC-Q100认证　　过流、过温保护机制　　工作温度范围：-40℃~125℃　　顺应拓展5G应用、建设充电桩、推广新能源汽车等新基建浪潮，NSi6602可应用于5G 通信电源中PSU、二次电源、电源砖等领域，同时在数据中心、充电桩及车载电源等能源密集型场景中也有着广泛的应用前景，为新基建的多种应用提供强大的安全保障。
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发布时间：2022-08-11 18:01 阅读量：5302 继续阅读>>
纳芯微推出全新隔离式Sigma-Delta调制器隔离采样芯片
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纳芯微推出全新隔离式Sigma-Delta调制器隔离采样芯片

　　在工业和汽车市场中，例如电机驱动、车载充电机、充电桩、光伏逆变器、储能等涉及高压、大功率的系统应用中， 受到电噪声、机械冲击、振动、极端温度、污染等恶劣影响的可能性较高，无论是哪种应用场景，工程师们都在追求更可靠、稳定的隔离电压、电流采样方案，以达到将高压和低压隔离的目的。　　隔离放大器和隔离Sigma-Delta调制器都可用来将高压端采集到的信号反馈至位于低压侧的控制器。相较于隔离放大器，隔离Sigma-Delta调制器正在为大家提供一种更高精度的隔离采样方式。直接输出数字量信号至MUC端口，既省去隔离放大器后级的差分转单端运放及ADC，也使得整体采样精度、采样带宽和延迟性能得以显著提升。　　由纳芯微（NOVOSENSE）全新研发的隔离式Sigma-Delta调制器NSi1303, NSi1305系列芯片，具有极低的失调误差及温漂，高达150kV/us高共模抗扰以及通过UL1577认证的5000Vrms电气隔离性能，以上技术均适用于工业及汽车市场典型应用中应对那些复杂的高压系统的电流采样设计。相关研发人员指出，NSi1303芯片集成了内部时钟，并具有曼彻斯特编码 (NSi1303Ex)和未编码(NSi1303M/Dx)两个版本，NSi1305则输出数据与外部时钟同步，时钟下降沿有效，充分满足客户端对时序的多种不同需求。　　NSi1303是集成了内部时钟的隔离式Sigma-Delta调制器，内部时钟具有10MHz和20MHz两种选项，输出数据流与内部时钟保持同步。NSi1303对应的线性差分输入信号范围为±50mV(满量程±64mV)或±250mV范围(满量程±320mV)，±50mV输入范围对应4.9k差分输入阻抗，±250mV输入范围对应22k差分输入阻抗。
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发布时间：2022-07-28 13:10 阅读量：2926 继续阅读>>
纳芯微全新驱动器NSi66x1A/NSi6601M发布
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纳芯微全新驱动器NSi66x1A/NSi6601M发布

    纳芯微单通道隔离式栅极驱动器两款新品NSi66x1A和NSi6601M双双发布，均适用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具车规（满足AEC-Q100标准）和工规两种等级，广泛适用于新能源汽车、空调、电源、光伏等应用场景。    一、带保护功能的智能隔离单管驱动（NSI6611A/NSI6651A）    产品特性    1. 超强驱动能力，可以提供最大10A的拉灌电流能力，支持轨到轨输出和分离输出    2. 完善的保护功能：DESAT短路保护、故障软关断、弥勒钳位、欠压保护；短路故障或欠压发生时，还能通过单独的引脚报告进行反馈    3. 输入与输出端均采用双电容增强隔离技术，外加纳芯微Adaptive OOK编码技术，最小共模瞬变抗扰度（CMTI）高达150kV/μs，提高了系统的鲁棒性    4. 驱动器侧电源电压VCC2最大为32V，输入侧VCC1为3V至5.5V电源电压供电；VCC1和VCC2都具有欠压保护（UVLO）    5. 极低的传输延时，低至80ns    6. NSi6611支持ASC特色的功能，可在紧急情况下强制输出为高    7. 工作环境温度：-40℃ ~ 125℃    8. 符合 RoHS 标准的封装类型：SOW16    功能框图：    NSi66x1A 超强驱动能力，有效节约外围电路    在大功率的应用中，用户一般会选择如IGBT和SiC这样的大功率管子，因而功率管的Qg也会更大，对产品驱动电流能力的要求变得更高了。    NSi66x1A能够提供最大10A的拉罐电流能力，比起传统方案，不需要额外的Buffer 电路，即可直接驱动大功率的管子。节省了Buffer电路的费用和PCB的体积，同时还不需要额外的电路做匹配，增加了系统的稳定性。此外，NSi66x1A内部集成弥勒钳位，支持分离输出，使用简单，外围器件更少，凸显性价比。    NSi6611A 支持ASC功能    什么是ASC?    ASC即主动短路（Active short circuit，简称ASC），是电机系统的一种安全保护机制，是将电机的UVW三相短路（通过?对功率管的开关，实现上三桥臂短路或下三桥臂短路）。    NSi6611A支持ASC功能，可以在电机处于转速过高，或者突然发生制动等其他异常时，通过三相短路的方式，让电机内耗电流，降低电机产生的反电动势，使其不超过高压电池提供的母线电压，确保动力电池、母线电容及其它高压器件不被损坏，从而保护电机和电气系统。    NSi6611A pin1 引脚便是ASC 功能。如下ASC时序图可以看到，即使在input是低电平，或者VCC1欠压情况下，当pin1引脚电平是高电平时，ASC功能就会使能，OUT会强制输出为高，打开功率管。当然，如果用户不需要ASC 功能，则可以将NSi6611A pin1 引脚悬空，或者下拉到GND2。    为了实现系统的ASC功能，UVW三相下桥臂的管子驱动IC可以使用三颗NSi6611A，将其pin1 连接到一起，连接点命名为"ASC Trigger"，默认该点电压是低电平。当系统检测到故障时，如母线电压过高时，外部触发信号使"ASC Trigger"为高电平，这时三颗NSi6611会强制打开 UVW三相下桥臂的管子，实现电机下三桥臂短路，实现ASC功能。NSi6611A被外部触发"ASC Trigger"为高电平到芯片OUT 强制输出为高，时间为0.66us (tASC_r), 响应迅速，及时保护系统。    二、带弥勒钳位功能的高可靠性隔离单管驱动    产品特性    1. 具有很强的驱动能力，可提供5A/5A的拉灌电流峰值电流    2. 集成弥勒钳位功能，钳位电流高达5A，有效抑制因为弥勒效应致使管子误开通，确保了系统的可靠性    3. 超高的共模抗扰能力：150 kV/us    4. 驱动器侧电源电压VCC2最大为32V，输入侧VCC1为3.1V至17V电源电压供电；VCC1和VCC2都具有欠压保护（UVLO）    5. 符合 RoHS 标准的封装类型：SOP8，SOW8    6. 工作环境温度：-40℃ ~ 125℃    7. 符合 RoHS 标准的封装类型：SOW16    功能框图：    NSi6601M：有效解决高压高频系统中高dv/dt    随着第三代半导体SiC MOSFET的兴起，更高压、更高频、更小体积、更大功率的系统正成为新的发展趋势。然而在高压高频的应用中系统在运行过程中却总是容易因为dv/dt过高，导致功率管子被烧坏。NSi6601M则能很好解决这一问题。
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发布时间：2022-07-19 15:28 阅读量：4126 继续阅读>>

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