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15V超低电容高浪涌E<span style='color:red'>SD</span>元件——雷卯ULC1542CH完全替代E<span style='color:red'>SD</span>63091CN

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15V超低电容高浪涌ESD元件——雷卯ULC1542CH完全替代ESD63091CN

　　上海雷卯电子推出全新静电保护器件 ULC1542CH，这是一款小封装的(DFN1006))专为 15V信号线设计的静电保护方案。凭借14A的峰值脉冲电流(IPP)能力,ULC1542CH 具备优异的浪涌防护性能。0.6PF 低结电容，可以保障信号传输的完整性，能够有效抵御静电放电冲击，为高速数据传输线路提供可靠保护，　　ULC1542CH核心参数与 ESD63091CN 完全匹配，支持 pin-to-pin 无缝替代。无需修改电路设计即可直接替换，为工程师提供了更灵活、高效的选型方案。　　ESD63091CN与雷卯ULC1542CH参数表对比如下：　　判断ESD二极管是否可以替代建议关注这几点：　　1. VRWM 是否接近　　2. 封装是否一样　　3. 抗静电能力是否接近;　　4. VBR 是否接近;　　5. IPP 是否接近 ;　　6. CJ 是否接近。　　以上参数对比ULC1542CH完全可以替代ESD63091CN。　　应用　　1. 消费电子领域，无论是手机、平板的高速数据接口，还是智能穿戴设备的精密传感器线路。　　2. 工业控制场景下，面对复杂电磁环境中频繁出现的静电威胁，它能为 PLC 控制线路、工业以太网接口等提供可靠防护。　　3. 在汽车电子方面，从车载娱乐系统的数据线到车身电子控制单元的信号传输线，该器件都能助力设备稳定运行　　总之，该器件适用于消费电子、工业控制等多种场景，在保持高性能的同时兼具成本优势，为工程师提供了更具灵活性的选型方案。

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雷卯电子

发布时间：2025-06-06 11:08 阅读量：375 继续阅读>>

佰维特存工业级 TDP200 系列 PCIe S<span style='color:red'>SD</span> 全新上市

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佰维特存工业级 TDP200 系列 PCIe SSD 全新上市

　　佰维特存深刻理解工业场景对存储稳定、可靠、不间断运行的严苛要求，推出专为工业大数据传输打造的 TDP200 系列工业级 M.2 PCIe SSD。该产品采用工业级软硬件配置、固件算法专项优化，在 7×24 小时高频写入、强机械冲击等极限工况下，依然为【数据通信、智慧医疗、工业自动化、工业机器人、AIoT】等场景提供高效存储支持。　　【工业级软硬件配置，”抗造”又稳定】　　精选工业级电子元器件，优化电路设计，确保在 70℃ 高温、-20℃ 低温等作业场景下平稳运行，保障数据完整性。　　严选 3D TLC 高品质闪存，采用高性能主控，容量高达 2TB，满足海量密集数据的传输需求。　　【专项固件优化，确保耐久可靠】　　集成 4K LDPC、SRAM ECC、RAID 、异常掉电保护等多重可靠性技术，擦写次数高达 3000 P/E，适应 7x24 小时不间断作业，高压运行不“宕机”。　　高精度热传感器结合 S.M.A.R.T. 健康监测工具，实时监测产品温度变化，自行调节至最佳性能状态，保障高负载环境下的持续可靠运行。　　【严苛测试流程，完善的品质保障】　　通过 1000+ 项老化、高低温及可靠性测试，验证产品的强韧品质。　　严格遵循国际生产标准，通过 ORT 测试，持续对产品的性能、可靠性进行全面质量监控，确保产品在全生命周期内的高品质。　　通过全面的兼容性测试，无缝兼容全球主流平台和操作系统。　　从产品设计、硬件架构、器件选型、固件算法再到封测制造，佰维工业级 SSD 每一个细节都只为打造更稳定、更可靠、更持久的工业数据底座。

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佰维

发布时间：2025-05-30 10:51 阅读量：349 继续阅读>>

纳芯微高压半桥驱动N<span style='color:red'>SD</span>2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

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纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

　　纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。　　　应用背景　　近年来，氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)凭借高开关频率、低开关损耗的显著优势，能够大幅提升电源系统的功率密度，明显优化能效表现，降低整体系统成本，在人工智能(AI)数据中心电源、微型逆变器、车载充电机(OBC)等高压大功率领域得到日益广泛的应用。　　然而，GaN器件在实际应用中仍面临诸多挑战。以增强型氮化镓(E-mode GaN)器件为例，由于导通阈值较低，在高压大功率场景，特别是硬开关工作模式下，如果驱动电路设计不当，高频、高速开关过程中极易因串扰而导致误导通现象。与此同时，适配的驱动电路设计也比较复杂，这无疑提高了GaN器件的应用门槛。　　为了加速GaN应用普及，国内外头部GaN厂家近年来推出了一些集成驱动IC的GaN功率芯片，特别是MOSFET-LIKE类型的GaN功率芯片，其封装形式可与Si MOSFET兼容，在一定程度上降低了GaN驱动电路的设计难度。但集成驱动的GaN芯片仍存在很多局限性：一方面难以满足一些客户对于差异化产品设计的需求;另一方面，在多管并联、双向开关等应用场景中并不适用，所以在诸多应用场景中仍需要分立GaN器件及相应的驱动电路。对此，纳芯微针对E-mode GaN开发专用驱动芯片NSD2622N，致力于为高压大功率场景下的GaN应用，提供高性能、高可靠性且具备成本竞争力的驱动解决方案。　　产品特性　　NSD2622N是一款专为E-mode GaN设计的高压半桥驱动芯片，该芯片内部集成了电压调节电路，可以生成5V~6.5V可配置的稳定正压，从而实现对GaN器件的可靠驱动;内部还集成了电荷泵电路，可以生成-2.5V的固定负压用于GaN可靠关断。该芯片由于将正负电源稳压电路集成到内部，因此可以支持高边输出采用自举供电方式。　　NSD2622N采用纳芯微成熟可靠的电容隔离技术，高边驱动可以支持-700V到+700V耐压，最低可承受200V/ns的SW电压变化速率，同时高低边输出具有低传输延时和较小的传输延时匹配特性，完全满足GaN高频、高速开关的需求。此外，NSD2622N高低边输出均能提供2A/-4A峰值驱动电流，足以应对各类GaN应用对驱动速度的要求，并且可用于GaN并联使用场景。NSD2622N内部还集成一颗5V固定输出的LDO，可以为数字隔离器等电路供电，以用于需要隔离的应用场景。　　NSD2622N详细参数：　　SW耐压范围：-700V~700V　　SW dv/dt抑制能力大于200V/ns　　支持5V~15V宽范围供电　　5V~6.5V可调输出正压　　-2.5V内置输出负压　　2A/4A峰值驱动电流　　典型值10ns最小输入脉宽　　典型值38ns输入输出传输延时　　典型值5ns脉宽畸变　　典型值6.5ns上升时间(1nF 负载)　　典型值6.5ns下降时间(1nF 负载)　　典型值20ns内置死区　　高边输出支持自举供电　　内置LDO固定5V输出用于数字隔离器供电　　具备欠压保护、过温保护　　工作环境温度范围：-40℃~125℃NSD2622N功能框图　　告别误导通风险，提供更稳定的驱动电压　　相较于普通的Si MOSFET驱动方案，E-mode GaN驱动电路设计的最大痛点是需要提供适当幅值且稳定可靠的正负压偏置。这是因为E-mode GaN驱动导通电压一般在5V~6V，而导通阈值相对较低仅1V左右，在高温下甚至更低，往往需要负压关断以避免误导通。为了给E-mode GaN提供合适的正负压偏置，一般有阻容分压和直驱两种驱动方案：　　1.阻容分压驱动方案　　这种驱动方案可以采用普通的Si MOSFET驱动芯片，如图所示，当驱动开通时，图中Cc与Ra并联后和Rb串联，将驱动供电电压(如10V)进行分压后，为GaN栅极提供6V驱动导通电压，Dz1起到钳位正压的作用;当驱动关断时，Cc电容放电为GaN栅极提供关断负压，Dz2起到钳位负压的作用。阻容分压驱动方案　　以上阻容分压电路尽管对驱动芯片要求不高，但由于驱动回路元器件数量较多，容易引入额外寄生电感，会影响GaN在高频下的开关性能。此外，由于阻容分压电路的关断负压来自于电容Cc放电，关断负压并不可靠。　　如以下半桥demo板实测波形所示，在启机阶段(图中T1)由于电容Cc还没有充电，负压无法建立，所以此时是零压关断;在驱动芯片发波后的负压关断期间(图中T2)，负压幅值随电容放电波动;在长时间关断时(图中T3)，电容负压无法维持，逐渐放电到零伏。因此，阻容分压电路往往用于对可靠性要求相对较低的中小功率电源应用，对于大功率电源系统并不适用。E-mdoe GaN采用阻容分压驱动电路波形(CH2为驱动供电，CH3为GaN栅源电压)　　2.直驱式驱动方案　　直驱式驱动方案首先需要选取合适欠压点的驱动芯片，如NSI6602VD，专为驱动E-mode GaN设计了4V UVLO阈值，再配合外部正负电源稳压电路，就可以直接驱动E-mode GaN。　　这种直驱式驱动电路在辅助电源正常工作时，各种工况下都可以为GaN提供可靠的关断负压，因此被广泛使用在各类高压大功率GaN应用场景。　　纳芯微开发的新一代GaN驱动NSD2622N则直接将正负稳压电源集成在芯片内部，如以下半桥demo板实测波形所示，NSD2622N关断负压的幅值、维持时间不受工况影响，在启机阶段(图中T1)驱动发波前负压即建立起来;在GaN关断期间(图中T2)，负压幅值稳定;在驱动芯片长时间不发波时(图中T3)，负压仍然稳定可靠。E-mode GaN采用NSD2622N驱动电路波形(CH2为低边GaN Vds，CH3为低边GaN Vgs)　　简化电路设计，降低系统成本　　NSD2622N不仅可以通过直驱方式稳定、可靠驱动GaN，最为重要的是，NSD2622N通过内部集成正负稳压电源，显著减少了外围电路元器件数量，并且采用自举供电方式，极大简化了驱动芯片的供电电路设计并降低系统成本。　　以3kW PSU为例，假设两相交错TTP PFC和全桥LLC均采用GaN器件，对两种直驱电路方案的复杂度进行对比：　　如果采用NSI6602VD驱动方案，需要配合相应的隔离电源电路与正负电源稳压电路，意味着每一路半桥的高边驱动都需要一路独立的隔离供电，所以隔离辅助电源的设计较为复杂。鉴于GaN驱动对供电质量要求较高，且PFC和LLC的主功率回路通常分别放置在独立板卡上，因此，往往需要采用两级辅助电源架构，第一级使用宽输入电压范围的器件如flyback生成稳压轨，第二级可以采用开环全桥拓扑提供隔离电源，并进一步稳压生成NSI6602VD所需的正负供电电源，以下为典型供电架构：NSI6602VD驱动方案典型供电架构　　如果采用NSD2622N驱动方案，则可以直接通过自举供电的方式来简化辅助电源设计，以下为典型供电架构：NSD2622N驱动方案典型供电架构　　将以上两种GaN直驱方案的驱动及供电电路BOM进行对比并汇总在下表，可以看到NSD2622N由于可以采用自举供电，和NSI6602VD的隔离供电方案相比极大减少了整体元器件数量，并降低系统成本;即使采用隔离供电方式，NSD2622N由于内部集成正负稳压电源，相比NSI6602VD外围电路更简化，因此整体元器件数量也更少，系统成本更低。GaN直驱方案的驱动及供电电路BOM对比　　适配多种类型GaN，驱动电压灵活调节　　纳芯微开发的E-mode GaN驱动芯片NSD2622N，不仅性能强大，还能够适配不同品牌、不同类型(例如电压型和电流型)以及不同耐压等级的GaN器件。举例来说，NSD2622N的输出电压通过反馈电阻可以设定5V~6.5V的驱动电压。这样一来，在搭配不同品牌的GaN时，仅仅通过调节反馈电阻就可以根据GaN特性设定最合适的驱动电压，使不同品牌的GaN都能工作在最优效率点。　　除此之外，NSD2622N具备最低200V/ns的SW节点dv/dt抑制能力，提升了GaN开关速度上限;采用更为紧凑的QFN封装以及提供独立的开通、关断输出引脚，从而进一步减小驱动回路并降低寄生电感;提供过温保护功能，使GaN应用更安全。　　纳芯微还可提供单通道GaN驱动芯片NSD2012N，采用3mm*3mm QFN封装，并增加了负压调节功能，从而满足更多个性化应用需求。

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纳芯微

发布时间：2025-05-30 09:52 阅读量：376 继续阅读>>

上海雷卯电子：DFN1006和DFN0603 封装——5V 超低电容带回扫E<span style='color:red'>SD</span>

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上海雷卯电子：DFN1006和DFN0603 封装——5V 超低电容带回扫ESD

　　上海雷卯电子推出两款5V，小封装(DFN1006和DFN0603)，带回扫，低钳位电压VCmax的防静电二极管：ULC0521CLV、ULC0542CLV。　　带回扫ESD和普通ESD二极管电性参数图如下：　　我们可以看到，普通的ESD 是随着IPP的增加VC 在逐渐增大，而带回扫的ESD 会在击穿以后有个回转，即把VC 降低到一个更低基点后再慢慢升高。所以回扫的ESD二极管的VC是明显的比普通的VC 要低很多，可以参看下表参数对比。　　下表两款回扫型号和普通型号参数做对比：　　表格参数介绍　　Vrwm：反向关断电压，TVS管可承受的反向电压，在该电压下TVS管不导通。　　VBR：击穿电压，ESD防护开始工作的电压，通常是TVS通过1 mA时的电压。　　VC : 钳位电压　　VCmax@A： Vcmax@IPP, 8/20us 最大峰值电流对应的钳位电压。　　Cj : 结电容，TVS中的寄生电容，影响信号质量。　　可以看到表格上两行带回扫ULC0521CLV、ULC0542CLV，在Ipp 是6A时钳位电压VC为8V ，下面两款普通ESD二极管，在IPP 是4A 或者5A 时，钳位电压VC 为25V ，远远高于带回扫的。　　对于所要保护的IC来说，ESD二极管的钳位电压越低，越能更好的保护集成电路，提高集成电路的抗静电能力。所以对于选型工程师来说，更愿意选择带回扫型ESD二极管。ULC0521CLV、ULC0542CLV 低容，VC 低，高速信号静电防护最佳选择，比如可以应用于 USB3.0，RF信号等。　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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上海雷卯电子

发布时间：2025-05-26 14:10 阅读量：682 继续阅读>>

纳芯微车规级2路半桥驱动N<span style='color:red'>SD</span>3602-Q1：多负载兼容，提升汽车域控系统的灵活性

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纳芯微车规级2路半桥驱动NSD3602-Q1：多负载兼容，提升汽车域控系统的灵活性

　　纳芯微今日推出NSD3602-Q1系列双通道半桥栅极驱动芯片，提供2路半桥驱动，可驱动1路直流有刷电机或者1-2路电磁阀。　　NSD3602-Q1适合用于车身应用中多电机或多负载场景，如车窗升降、电动座椅、门锁、电动尾门和比例阀等。新推出的NSD3602-Q1是对纳芯微现有NSD360x-Q1系列的补充，NSD360x-Q1系列还包括4通道和8通道的半桥驱动产品。　　产品特性　　◆ 宽工作电压：4.9V – 37V(最大值40V)　　◆ 2通道半桥栅极驱动　　◆ 可配置时序充放电电流驱动(CCPD)，优化EMC性能　　◆ 集成电荷泵实现 0~100% PWM　　◆ 集成1路可编程宽模运放　　◆ 低功耗模式　　◆ 两种版本：SPI 版本支持16位 10MHZ SPI通信;硬件版本支持IO独立配置，减少MCU IO　　◆ 全面的诊断保护功能　　◆ 工作温度：Tj=-40°C~150°C　　◆ 封装形式：VQFN32　　◆ AEC-Q100认证　　NSD3602-Q1功能框图　　可配置时序充放电电流驱动(CCPD)：优化EMC性能　　由于车身应用中执行器的位置特殊性，例如电动尾门和天窗非常靠近车身天线，这就对相应的电机驱动提出了较高的EMC要求：驱动器即使在PWM工作时也拥有较低的辐射及传导干扰(RE/CE) 。　　为了应对这些挑战，NSD3602-Q1提供了可配置时序充放电电流驱动(CCPD: Configurable Charge/Discharge Current Profile Driver)。NSD3602-Q1可以根据外部负载(MOSFET)的参数和应用需求，同时实现2路半桥独立时序电流PWM驱动，电流型驱动也不再需要外部门级电阻和GS/GD电容。　　如下图所示，NSD3602-Q1的CCPD模块将MOS导通/关断过程分为三个阶段：预充电/预放电阶段、充电/放电阶段、尾放电阶段(导通只有两阶段)，所有阶段的持续时间和驱动电流独立可配置。CCPD驱动时间示意图　　宽模运放：精准电流检测，简化BOM　　NSD3602-Q1内部集成了1个高性能差分放大器 (CSA)，通过测量外部采样电阻上的差分电压来测量电流，CSA模块支持可编程增益和偏置、宽共模、双向输入、消隐 (blanking) 和采样保持 (sample & hold) 功能，通过CSA模块可以实现精准和灵活的电流采样，节省客户BOM。　　全面的诊断保护功能，提升系统可靠性　　NSD3602-Q1 集成了全面的诊断保护功能，如实时电源及电荷泵电压监控，实现全功能的欠压过压诊断保护(DVDD UV, PVDD OV, PVDD UV 和VCP UV)、驱动模块监控实现VGS及VDS诊断保护、实现运行和关闭状态下负载的开路、短路诊断(内置了上下拉电流源，从而实现off状态下负载检测)、过热报警及过热保护、CSA过流诊断、看门狗、睡眠模式和工作模式下的刹车保护功能等。所有诊断保护功能支持SPI配置或者信息读取，也支持独立的PIN脚实现IO状态输出。　　NSD3602-Q1集成的刹车保护功能，可有效抑制外部机械作用力(如人为拉拽、拖拽)导致的电压骤升，从而防止MOS管因过压损坏。这一功能在侧滑门、电动踏板、尾门撑杆等应用中尤为关键，可降低因误操作或突发冲击引起的系统故障风险，提升整体可靠性。　　NSD360x-Q1系列产品选型表　　除了NSD3602-Q1，纳芯微还提供NSD3604/8-Q1，以满足不同通道数的需求。NSD3602/4/8-Q1系列支持 2/4/8 路半桥驱动，具备高集成度和设计灵活性，适用于多电机或多负载应用，助力客户选型。

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纳芯微

发布时间：2025-05-08 10:09 阅读量：406 继续阅读>>

S<span style='color:red'>SD</span>/DDR5价格全线上涨！闪存市场即将回暖

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SSD/DDR5价格全线上涨！闪存市场即将回暖

　　随着特朗普政府对存储产品关税立场软化，叠加原厂控货与库存周期进入补库阶段，存储现货市场观望情绪显著减弱。渠道SSD和DDR5价格近期呈现调涨趋势，反映出供需格局的结构性调整与技术升级的双重驱动。　　关税政策的不确定性缓解是本轮市场回暖的核心动因。4月以来，美国对华存储产品加征125%关税的预期减弱，渠道客户因担忧关税导致的采购停滞逐步恢复。　　CFM闪存市场数据显示，DRAM和NAND Flash现货交易活跃度较3月提升约25%，其中受关税冲击较大的MLC NAND因停产供应短缺，价格周环比上涨7.61%。　　原厂控货策略的持续执行进一步加剧资源紧张。三星、美光、SK海力士自2024年第四季度起持续削减产能，2025年第一季度NAND Flash产能同比减少约25%。　　这种主动控产直接导致现货市场资源短缺，例如搭载QLC NAND的企业级SSD因产能被优先分配，现货价格较年初上涨约15%。　　库存周期进入补库阶段则推动需求回升。经过2024年的库存去化，全球存储芯片库存水位已从峰值下降约30%，部分大众市场客户(非Tier1客户)开始释放三季度备货需求。　　集邦咨询预测，二季度DRAM合约价涨幅将达13-18%，NAND涨幅15-20%，远超一季度预期。　　消费级SSD价格呈现“阶梯式上涨”。受NAND Flash现货价格上涨带动，256GB SATA3 SSD价格在4月21日至27日当周环比上涨7.61%，但PC厂商因库存较高对价格接受度偏低，原厂与品牌之间的博弈加剧。　　企业级SSD则因AI服务器和云计算需求持续走高，搭载QLC NAND的eSSD价格较年初上涨15%，且产能被优先分配至数据中心客户。　　DDR5价格呈现“颗粒与模组分化”。颗粒层面，DDR5 16Gb Major价格在4月29日当周微幅上涨至4.30美元，而集邦咨询预测二季度DDR5合约价涨幅将达13-18%。　　模组层面，受上游PCB等电子辅料供应紧缺影响，DDR5内存条现货价格涨幅有限，但期单价格已出现5-8%的上调。此外，三星、SK海力士加速DDR4减产，产能转向DDR5，进一步加剧了DDR5的供应紧张。　　NAND与DRAM的价格分化加剧。NAND Flash虽因原厂控产出现结构性紧缺，但整体供应仍相对过剩，消费级NAND价格上涨乏力，部分产品甚至出现价格分化。DRAM则因DDR5等高端产品需求旺盛，价格回升明显，而DDR4因低端资源冲击市场，渠道成品难以涨价。　　这种分化反映了存储行业向高端化转型的趋势，例如三星计划2025年HBM产能占比提升至60%，SK海力士HBM3E单颗售价突破1000美元。　　供需格局的长期演变将由AI与高端存储主导。2025年DRAM位元需求预计增长15%，NAND增长12%，而AI相关需求可能贡献其中50%以上的增量。　　原厂资本开支聚焦HBM和DDR5，例如美光计划放缓NAND节点升级进度，三星则将HBM产能翻倍。需求端，AI服务器、智能汽车和消费电子复苏是核心驱动力，Meta、谷歌等云厂商 2025年资本开支预计同比增长36.8%。　　国产替代加速重塑市场格局。国内存储模组厂商凭借低价库存和敏捷供应链，在SSD和DDR5市场加速替代海外品牌。　　长鑫存储的DDR5产品已进入PC厂商供应链，价格较海外竞品低约10%，预计2025年末全球市场份额将达16.1%。长江存储则通过270层3D NAND技术突破，切入企业级存储市场，与中国AI芯片厂合作强化数据中心布局。　　当前存储现货市场回暖是政策、供需、库存等多重因素共振的结果。短期来看，价格上涨趋势有望延续，但需警惕终端需求疲软和库存二次累积的风险。长期而言，AI和高端存储将主导行业增长，而国产替代和技术升级将重塑市场格局。

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发布时间：2025-05-06 16:23 阅读量：311 继续阅读>>

佰维存储企业级S<span style='color:red'>SD</span>通过OpenCloudOS、龙蜥、openEuler等开源社区认证

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佰维存储企业级SSD通过OpenCloudOS、龙蜥、openEuler等开源社区认证

　　近日，佰维存储的企业级存储产品SP406/416、SP506/516系列PCIe SSD完成了与OpenCloudOS、龙蜥(Anolis OS)和openEuler三大开源操作系统的兼容性认证。测试结果显示，系列产品在功能、性能、可靠性和兼容性等方面均表现卓越。　　佰维SP4/SP5系列企业级SSD分别与OpenCloudOS操作系统完成了全方位兼容性测试，涵盖操作系统安装测试、系统信息检查、分区和文件系统测试、热插拔测试、硬盘指示灯测试、硬盘读写性能测试、系统重启(Reboot)测试以及长时间压力测试等多轮严苛环节，测试结果表明佰维企业级SSD产品在Open CloudOS环境中表现出良好的适配性和稳定性。　　在产品功能与关键性能指标方面，佰维企业级SSD表现性能卓越、稳定可靠，可为企业级应用的连续性、长期稳定运行保驾护航。在可靠性与兼容性方面，在混合读写与快速随机切换的工作场景下，历经长时间压力测试，佰维企业级SSD依然能够稳定无误的运行。同时，佰维企业级SSD通过多家OS开源社区的互认证测试，表明可为客户OS使用提供灵活选择和适配。　　佰维企业级SSD SP4系列采用U.2形态接口，适用于各类企业级数据中心、云计算与高端服务器。该产品基于优异的企业级主控芯片结构，搭载企业级专用的高速3D TLC闪存颗粒，覆盖1.6TB~7.68TB容量，具备高吞吐量/IOPS、低延迟以及良好的 QoS 特性。采用高效固件架构，提升了产品的性能与耐用度，平均无故障时间高达250万小时。此外，极低的功耗表现可大幅降低客户运维成本，满足企业级应用对能效的严苛要求。　　佰维企业级SSD SP5系列最大带宽是Gen4产品的两倍。产品实现了性能与功耗的平衡，顺序读取/写入速度分别高达13100MB/s、10000MB/s，容量支持1.6TB~15.36TB，提供业界领先的KIOPS/Watt性能，满足企业级客户对于数据高密度存储、高兼容易用性及低TCO的需求，通过多种软件算法与固件优化，产品具备数据安全性保障、可靠与一致性等多项技术优势。可扩充E1.S、E3.S多种规格形态接口，以匹配EDSFF新型服务器、传统服务器、工作站等主流硬件平台的使用环境。　　除三大开源系统认证外，佰维SP4和SP5系列企业级SSD同时通过了飞腾、海光、龙芯等主流CPU厂商的适配测试;并通过联想、浪潮、新华三、同方等17家服务器厂商的互认证测试。广泛覆盖企业级硬件环境需求，为全球客户提供灵活、开放的存储解决方案。未来，佰维存储将推出更高性能、高可靠的企业级存储产品与解决方案，并联合更多生态伙伴深化协同创新，积极推动企业级存储产品的技术适配与生态共建，以智能存力引擎驱动数字经济高质量发展。

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佰维存储

发布时间：2025-04-21 13:34 阅读量：397 继续阅读>>

一文详解E<span style='color:red'>SD</span>与EOS失效差异

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一文详解ESD与EOS失效差异

　　静电吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响产品的功能与寿命，因电场或电流破坏元件的绝缘或导体，使元件不能工作(完全破坏)，因瞬间的电场或电流产生的热，元件受伤，仍能工作，寿命降低。　　01元器件ESD损伤失效类型　　突发性失效：　　突发性失效也称硬失效，硬损伤。是指元器件的一个或多个电气参数突发劣化，完全失去规定功能的一种失效模式。通常表现为电子元器件自身短路、开路、功能丧失或电气参数严重漂移等。　　具体现象表现为：一种是与电压相关的失效，如介质击穿，PN结方向漏电流增大等;另一种是与功率有关的失效，如烧毁、熔断等。这都使器件的电路遭到永久性损坏，可以在产品测试阶段发现。据有关统计资料表明，在受静电损伤的半导体器件中，突发性完全失效约占失效总数的10%以上。　　潜在性缓慢失效：　　如果带电体所带静电位或存储的静电能量较低，或ESD放电回路中有限流电阻存在，那么，一次静电放电脉冲可能不足以引起电子元器件的突发性失效，但强静电场电离绝缘层，会在元器件内部造成轻微损伤，这种损伤又是累积性的;随着ESD脉冲次数的增加，器件的阀值电压会逐渐下降，使元器件的电参数逐渐劣化，这类失效称为潜在失效。潜在失效往往表现为器件的使用寿命缩短，或者一个本来不会使器件损伤的小脉冲却使器件失效。这种失效事先难以检测，造成难以被人们发现的“软击穿”现象，给产品留下潜在的隐患，直接影响电子产品的质量、寿命、可靠性和经济性。据统计：潜在性失效占电子元件ESD失效总数的90%。　　翻转失效：　　翻转失效是指某些逻辑电路在正常运行中使原来记忆状态发生翻转。这种失效通常表现为信息的丢失或功能暂时变化，没有明显的硬损伤发生，且在ESD发生后、或重新输入信息、或重新启动设备能自动恢复正常的运行。　　翻转失效的根本原因在于ESD的电磁辐射，确切地说是由于ESD尖峰电流产生的电气噪声造成的。ESD干扰可通过传导或者辐射等耦合路径进入到电子设备中。在ESD的近场区，主要取决于ESD源和接收机阻抗的容性耦合、感性耦合。在远场区，取决于电磁场耦合。　　翻转失效主要表现：　　程序破碎区的位翻转，引起程序"跑飞"或者"死机"。　　数据存储区的位翻转，造成关键变量的翻转，引起功能逻辑的絮乱，比如中途突出循环程序，错误执行条件等。　　外设控制寄存器的功能中断，引起外设配置状态变换，造成模块间数据通信异常。　　中断控制器寄存器的功能中断，引起意外中断的发生导致程序的异常执行。　　程序的位翻转，引起程序的异常执行。　　JATAG逻辑的功能中断，导致整个DSP的复位或死机。　　如果ESD干扰在电子线路中产生感应电压或电流超过了电平信号，设备正常工作程序将会发生翻转。在高阻抗电路中，信号是电压电平，容性耦合占主要成分，ESD感应电压是主要干扰源;在低阻抗电路中，信号是电流信号，感性耦合占主要成分，ESD感应电流是主要干扰源。　　翻转失效通常会导致通信系统故障，画面显示异常、系统复位、时钟信号抖动、射频电路部分失效等现象。　　02ESD损伤的特征　　隐蔽性：人体不能感知静电，除非是发生了静电放电，但是发生静电放电，人体也不一定能有电击的感觉。这是因为人体感知的静电放电电压为2-3Kv　　随机性：电子元件什么情况下会遭受静电破坏呢?可以这么说，从一个元件生产后一直到它损坏前所有的过程都受到静电的威胁，而这些静电的产生也具有随机性。由于静电的产生和放电都是瞬间发生的，极难预测和防护。　　复杂性：因电子产品的精细，微小的结构特点而费时、费事、费钱，要求较复杂的技术往往需要使用扫描电镜等精密仪器，即使如此有些静电损伤现象也难以与其他原因造成的损伤加以区别，使人们误把静电损伤失效当做是其他失效。　　潜伏性：有些电子元器件受到静电损伤后，性能没有明显的下降，但是多次累加放电会给器件造成内伤而形成隐患，而且增加了器件对静电的敏感性，已经产生的问题没有任何方法可治愈。　　03过度电性应力(Electrical Over Stress)　　是指所有的过度电性应力。当外界电流和电压超过器件的最大规范条件时，器件会损伤或者直接损坏，EOS通常产生于如下方面：　　电源AC/DC干扰、电源噪声和过电压　　电路切换导致的瞬变电流/峰值/低频干扰，其持续时间可能达到几微秒或者几毫秒。　　程序开关引起的瞬态/毛刺/短时脉冲干扰　　不恰当的工作流程、工作步骤。　　雷击浪涌干扰　　闪电　　04EOS&ESD差异对比表

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ESD

发布时间：2025-04-14 16:49 阅读量：409 继续阅读>>

佰维Mini S<span style='color:red'>SD</span>助力超薄本释放魅力

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佰维Mini SSD助力超薄本释放魅力

　　端侧AI的爆发正“重塑”超薄笔记本的使命——从单纯的生产力工具进化为实时智能终端。无论是实时语音翻译、图像生成式AI，还是本地化大模型推理，这些场景对存储系统提出了双重挑战：既要满足高频数据吞吐的严苛性能需求，又需在毫米级空间内实现高效能布局。传统存储方案在性能、体积与扩展性之间顾此失彼，而佰维Mini SSD通过技术创新——空间重构、模块化设计，将为超薄笔记本带来全新解题思路。　　01空间重构：以极致压缩释放设备设计潜能　　在追求“克重必争”的超薄笔记本中，传统M.2 SSD已成为空间设计的掣肘。其“庞大”的物理尺寸迫使厂商在电池容量、散热模组、AI加速芯片之间艰难取舍，往往导致设备在续航与性能之间失衡。　　佰维Mini SSD通过LGA先进封装技术将存储模块压缩至15×17×1.4mm，面积仅为传统方案(M.2 2280 SSD)的8.3%，这一突破性小型化设计可为设备内部腾出关键空间，使超薄笔记本实现更优的功能集成：既可容纳更大电池缓解AI任务能耗压力，又能优化散热系统保障高负载稳定性，同时为NPU芯片、LiDAR传感器等AI组件提供布局可能，支撑复杂本地化智能交互。　　02模块化革命：重新定义存储扩展逻辑　　当前超薄笔记本通常采用焊接式存储设计，用户面临“初始配置决定终身”的困境。而厂商则需为不同存储规格维护多个SKU，徒增供应链成本。　　佰维Mini SSD的标准化卡槽插拔结构，把存储升级简化为“开仓-插卡-锁定”三步操作，将可带来双重价值：用户端支持创作者按需随时扩展存储容量、开发者快速部署本地AI测试环境;厂商端则通过模块化配置降低生产复杂度，并减少售后维修需求，重构产品生命周期管理模式。　　03性能不妥协，比肩主流消费级PCIe SSD　　在实现小型化、模块化突破的同时，佰维Mini SSD的存储性能并未妥协。其采用PCIe 4.0×2高速接口，顺序读/写速度分别达到3700MB/s和3400MB/s，可媲美主流消费级M.2 SSD，且容量高达2TB，将可在超薄笔记本中实现“体积缩小，性能不缩水”的突破。这一性能优势将可赋能端侧AI应用的存储需求：　　高效模型加载：适配数十GB级AI模型的快速载入需求，缩短本地推理任务启动延迟;　　稳定数据吞吐：支撑4K/8K视频流实时处理、大型设计软件多图层渲染等高负载场景的流畅性;　　低功耗高性能平衡：通过动态SLC缓存技术大幅提升读写性能，且在有限功耗下维持高性能输出。　　04从硬件创新到生态重构，Mini SSD开启端侧智能新范式　　面对AI+智能终端产业融合趋势，存储需在扩展性、轻薄设计、能效进化、稳定性保障等多方面，对设备的产品力和应用场景提供支撑。依托自身芯片设计、存储解决方案及先进封测技术等核心优势，佰维存储能够全方位满足客户与市场的多样化存储需求。　　佰维Mini SSD的技术突破，本质上是对AI端侧存储解决方案的革新。对超薄笔记本而言，这不仅是物理空间的释放，更是产品定义能力的解放——厂商可聚焦于AI算力优化与人机交互创新，而不必受困于存储设计的妥协;用户则获得“随需扩展”的自由度，真正实现智能终端与个性化需求的精准匹配。

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佰维

发布时间：2025-04-02 09:06 阅读量：311 继续阅读>>

淘汰纽扣电池：永铭<span style='color:red'>SD</span>V超级电容引领RTC备用电源新趋势

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淘汰纽扣电池：永铭SDV超级电容引领RTC备用电源新趋势

　　RTC被称为“时钟芯片”，用于记录和跟踪时间。它的中断功能够定时唤醒网络中的设备，使设备的其他模块在大部分时间可以休眠，从而大大降低设备的整体功耗。　　由于设备时间不能有任何的偏差，因此RTC时钟供电的应用场景也越来也多，被广泛应用于安防监控、工业设备、智能仪表、摄像头、3C产品等领域。　　RTC备用电源更优方案 · 贴片型超级电容　　RTC处于不间断的工作状态，为保证RTC在断电或者其他异常情况下依然能够正常工作，需要备用电源(电池/电容)来提供稳定的供电。因此，备用电源的性能就直接决定了RTC是否能够稳定、可靠的运行。如何让RTC模块实现低功耗、长寿命，其中搭载的备用电源在里面扮演了重要的角色。　　当前市面上RTC时钟芯片的备用电源主要以CR纽扣电池为主。然而，CR纽扣电池存在电量耗尽后未能及时更换，常常影响客户整机的使用体验的情况。为解决这一痛点，永铭电子深入研究RTC时钟芯片相关应用的实际需求，提供更优异的备用电源解决方案——SDV贴片型超级电容器。　　SDV贴片型超级电容器 · 应用优势　　SDV系列　　·耐高温、耐低温　　SDV贴片超级电容具备优异的温度适应性，工作温度范围宽至-25℃~70℃，无惧极寒或极热等恶劣环境条件，始终稳定运行，确保设备可靠性。　　· 免更换、免维护　　CR纽扣电池电量耗尽后需更换，不仅更换不变，还常导致时钟丢失记忆，设备重启时时钟数据出现混乱。针对这一问题，SDV贴片型超级电容具备超长循环寿命特点(10~50万次以上)，实现免更换、终身免维护，有效保障数据持续可靠存储，提升客户整机使用体验。　　· 绿色环保：SDV贴片型超级电容能够替代CR纽扣电池，直接集成于RTC时钟方案中，随整机出厂，无需额外搭配电池。这不仅减少了电池使用带来的环境负担，还优化了生产和物流流程，为绿色可持续发展贡献力量。　　· 制造自动化：区别于需要人工焊接的CR纽扣电池和常规超级电容，贴片型超级电容支持全自动贴装，可直接进入回流焊工序，大幅提升生产效率，同时降低人工成本，助力制造自动化升级。　　总结　　目前，进口414纽扣电容仅有韩资、日资能够生产，受制于进口限制，国产化需求迫在眉睫。永铭贴片型超级电容是守护RTC的更优选择，取代国际高端同行，成为RTC主流搭载电容。

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永铭

发布时间：2025-03-31 13:39 阅读量：449 继续阅读>>

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CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
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TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
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