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芯动神州：国产高精度ADC AD<span style='color:red'>SD</span>1220/1120

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芯动神州：国产高精度ADC ADSD1220/1120

　　芯动神州微电子科技介绍　　芯动神州作为一家专注于高性能模拟和混合信号芯片设计和研发的高科技企业，拥有一支技术精湛、经验丰富的研发团队，致力于为客户提供优质的模拟和混合信号解决方案。除了TRX芯片，公司还涵盖了以下产品系列：　　工业信号链：高精度数模转换器、模数转换器，为工业自动化控制系统提供精确的数据采集和信号转换功能。　　信号传输芯片：确保信号在不同设备和系统之间稳定、高速、无损地传输，满足工业通信和数据传输的需求。　　工业传感器芯片：用于检测和测量各种物理量(如压力、温度、湿度、气体浓度等)，为工业物联网和智能传感器系统提供核心感知元件。　　如需了解更多关于uISO1201/1200芯片及其他产品的详细信息、技术支持，请联系AMEYA360客服。　　让ADAS更“芯”动：芯动神州的国产高精度ADC ADSD1220/1120　　近年来，随着智能驾驶、工业测控、医疗电子等领域的飞速发展，高性能模数转换器(ADC)成为关键核心器件。尤其在ADAS(高级驾驶辅助系统)中，传感器输出的微弱模拟信号必须通过高精度ADC转换为数字信号，才能被ECU准确处理—ADC，是智能感知系统的“神经中枢”。然而，长期以来，高端ADC市场被国外厂商垄断，供应链受制于人，成本居高不下。如今，这一局面正在被打破。　　芯动神州推出的国产高精度ADC芯片—ADSD1220/1120，与国外经典型号1220/1120实现引脚(Pin-to-Pin)兼容，性能对标、功能一致、无缝替换，为国产化替代提供可靠、高效、低成本的解决方案！　　为什么ADAS能“飞入寻常百姓家”?高精度ADC功不可没　　如今，即便是售价几万元的经济型轿车，也能搭载自动泊车、车道偏离预警、盲区监测等ADAS功能。这背后，除了算法和传感器的进步，离不开像国外经典型号1220/1120这类高集成度、高精度ADC芯片的普及。这些芯片能精准采集来自温度传感器、压力桥、热电偶等微弱信号，并将其转换为ECU可识别的数字数据。而ADSD1220/1120正是为此而生。　　芯动神州ADSD1220/1120：国产之芯，精准如一　　ADSD1220/1120是芯动神州自主研发的24/16位高精度Σ-Δ模数转换器，专为低速、高精度传感器信号采集场景设计，广泛适用于：　　·汽车电子(如胎压监测、电池管理、座舱温控)　　·工业自动化(RTD、热电偶、应变桥测量)　　·医疗设备(生理信号采集)　　·智能仪表与环境监测　　核心优势一览：　　1. Pin-to-Pin 兼容国外经典型号1220/1120　　无需修改PCB设计，软件驱动几乎无需调整，直接替换，零适配成本!　　2. 24位高分辨率，20位有效精度(ENOB)　　精准捕捉微伏级信号变化，保障系统测量可靠性。　　3. 集成低噪声PGA(增益1~128)　　自动适配不同传感器输出范围，最大化利用ADC动态范围。　　4. 内置双路可编程激励电流源　　轻松驱动RTD、热敏电阻等无源传感器，简化外围电路。　　5. 集成精密温度传感器 + 内部基准源　　支持环境温度补偿，提升长期稳定性与测量一致性。　　6. 低功耗设计 + 低侧电源开关　　特别适用于电池供电或对能效敏感的应用场景。　　自主可控，安全可靠：芯动神州的使命　　在当前全球供应链波动加剧的背景下，关键芯片的国产替代已不是“可选项”，而是“必选项”。芯动神州坚持自主研发、本土制造，ADSD1220/1120从设计到封测均在国内完成，保障供货稳定、技术支持及时、价格更具竞争力。芯动神州不仅提供一颗芯片，更提供完整的技术支持、参考设计与应用方案，助力客户快速导入、加速量产。　　即刻体验，无缝切换!　　无论您正在使用国外经典型号1220/1120，还是在新项目中寻求高性价比ADC方案，ADSD1220/1120都是您值得信赖的国产替代选择。

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发布时间：2025-11-28 13:52 阅读量：274 继续阅读>>

上海雷卯：E<span style='color:red'>SD</span>防护实战三：雷卯E<span style='color:red'>SD</span>二极管选型指南与布局优化技巧

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上海雷卯：ESD防护实战三：雷卯ESD二极管选型指南与布局优化技巧

　　前两篇雷卯EMC小哥讲了ESD的危害和保护二极管的原理，这一篇上海雷卯EMC小哥再次上线，聚焦 “落地实操”：如何为防护电路选对ESD保护二极管?电路板布局时哪些细节会影响防护效果?雷卯EMC小哥总结了一套 “选型+布局” 实战方法论，新手也能快速上手。　　一、三步搞定ESD保护二极管选型　　选型的核心是 “匹配”——让二极管的参数与被保护电路的需求精准匹配。记住三个关键词：信号特性、防护需求、环境耐受。　　第一步：匹配信号特性　　信号电压：重点看 “最大反向工作峰值电压(VRWM)”，必须大于或者等于信号的最大电压(比如5V信号线，VRWM选5V或以上)。若VRWM不够，正常工作时二极管会漏电，导致信号失真。　　信号频率：高频信号(≥1GHz，如 USB 3.0)必须选低容值(CT≤1pF)产品，否则会增加插入损耗;当 CT>1pF 时，USB 3.0 信号的插入损耗会超过 - 3dB@10GHz，易导致信号误码。雷卯电子的低容系列(如ULC0521CT)CT 仅 0.18pF，适配高速接口;同时需注意封装选择，高频或小空间场景优先选 DFN 封装(寄生电感<0.5nH)，大电流场景可选用 SOT-23FL 封装(散热性能更优) ，封装参数会间接影响高频信号传输与器件长期稳定性。　　信号极性：单极性信号(如0-5V数字信号)可选单向二极管;双极性信号(如音频信号、±12V 电源)选双向二极管(雷卯电子LCC05DT3音频静电防护)。　　第二步：满足防护需求　　ESD 等级：根据系统测试标准选(如IEC 61000-4-2接触放电±8kV)，二极管的 VESD(静电耐受电压)必须高于该值。雷卯电子常规型号VESD 可达 ±15kV，工业级型号达±30kV。　　钳位能力： ESD防护二极管在静电注入后不会立即响应，若静电脉冲的第一峰值高于ESD防护二极管的钳位电压，该峰值电压可能施加在被保护器件(DUP)上，导致其故障或损坏。相同电流下，钳位电压(VC)越低越好，比如33V VRWM的二极管，在10A脉冲下，雷卯的产品VC比竞品低5-8V，更能保护敏感芯片。　　第三步：适配环境耐受　　浪涌电流：若电路可能遇到雷击或电源浪涌(如户外设备)，需关注 “8/20μs 峰值脉冲电流(IPP)”，雷卯电子大功率型号IPP可达2000A，满足IEC 61000-4-5 测试。　　工作温度：工业场景选- 55℃~150℃宽温产品，雷卯电子全系列满足工业要求。　　二、电路板布局：细节决定防护效果　　选对型号后，布局不当仍可能让防护失效。雷卯 EMC 小哥总结了3个 “黄金原则”：　　二极管必须 “靠近ESD入口”　　ESD脉冲的高频成分会沿 “最短路径” 传播，若二极管离接口太远(比如超过5cm)，脉冲会先击穿被保护芯片，再到达二极管;建议二极管距离接口连接器的走线长度≤3cm，进一步缩短脉冲传播时间。　　正确做法：二极管紧贴USB、网口等接口布局，信号线先经过二极管再到芯片。　　接地路径要 “短、直、粗”　　二极管分流的ESD电流需要快速回到地，若接地过孔多、线细、路径长，会产生 “寄生电感”，导致钳位电压升高(电感×电流变化率 = 额外电压)。实测显示，当接地过孔间距>5mm 或地线线宽<0.3mm 时，寄生电感会增加 2-3nH，进而导致钳位电压抬升 10-15V，削弱防护效果。　　正确做法：二极管接地端用敷铜连接，就近打地过孔(最好2个以上)，避免走细长线。　　避免 “平行线干扰”　　ESD脉冲会在周围产生强电磁场，若敏感信号线(如I2C、SPI)与接口线平行走线，会被感应出高压。　　正确做法：敏感线与接口线交叉布局，或用地线隔离，间距≥3mm。　　三、雷卯选型工具推荐　　为了简化选型，上海雷卯电子官网(www.leiditech.com)提供 “参数筛选工具”，通过筛选器件功率、工作电压、封装、钳位电压，即可自动匹配适配型号;还可以微信搜索由雷卯电子倾力打造 “EMC电磁兼容社区”小程序，包含USB、HDMI、Ethernet 等几十种典型接口的几百个参考设计方案，方案内容涵盖器件选型、标准解读和参数比对。　　四、小结　　选型的核心是 “参数匹配”，布局的核心是 “缩短路径”。做好这两点，ESD 防护效果可提升80%以上。　　上海雷卯电子(Leiditech)致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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发布时间：2025-11-24 17:36 阅读量：280 继续阅读>>

安世PE<span style='color:red'>SD</span>2IVN24-T国产化替代E<span style='color:red'>SD</span>2IVN24

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安世PESD2IVN24-T国产化替代ESD2IVN24

　　雷卯电子(Leiditech)作为国内ESD保护领域的领先厂商，为Nexperia(安世半导体)的产品线提供了成熟且完备的国产替代方案。雷卯ESD2IVN24是一款24V双路低钳位电压的ESD二极管，封装为SOT-23, ESD2IVN24可以替代安世PESD2IVN24-T,参数对比下。　　列表备注：Vrwm:最大反向工作电压，Vbr :击穿电压，VCmax@A：最大IPP条件下测的VC, Cj: 结电容，Features：1CH :单路，Bi:双向。　　判断ESD二极管是否可以替代建议关注这几点　　1、VRWM 是否接近　　2、抗静电能力是否接近;　　3、VBR 是否接近;　　4、IPP 是否接近 ;　　5、CJ 是否接近。　　通过以上参数对比，了解是可以替代的。　　如您正在使用以上安世这款，需要国产替代，可以联系雷卯销售人员申请样品测试。　　应用场景　　车载网络静电(ESD)保护：CAN LIN FlexRay SENT　　CAN(FD)/FlexRay总线静电保护方案　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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发布时间：2025-11-24 16:44 阅读量：314 继续阅读>>

上海雷卯电子：E<span style='color:red'>SD</span>静电保护元件的结构和原理

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上海雷卯电子：ESD静电保护元件的结构和原理

　　上一篇我们聊了ESD的危害和测试标准，这一篇我们聚焦 “防护主力”——ESD保护二极管(又称TVS二极管)。这个看似简单的元器件，到底是如何在瞬间将千伏级静电 “化解于无形” 的?雷卯电子的 ESD 保护二极管又有哪些独特设计?上海雷卯作为ESD行业深耕者，在防静电专用器件上积累了丰富技术沉淀，下面就为你详细拆解。　　一.从二极管基础到ESD保护专用器件　　二极管是电子电路的“老熟人”，核心特性是 “单向导电”。但ESD保护二极管和普通二极管(比如整流二极管)有本质区别 —— 它是专为 “瞬态电压抑制” 设计的 “特种部队”。雷卯EMC小哥常说，这类专用器件的设计核心，就是要在关键时刻 “精准发力、不添干扰”。　　二极管的 “家族分类”　　P-N结二极管：由P型半导体(多空穴)和N型半导体(多电子)结合而成，正向导通、反向截止，反向电压过高会击穿。　　肖特基二极管(SBD)：金属与半导体接触形成结，导通电压低、速度快，但反向耐压较低。　　ESD 保护二极管属于 P-N 结二极管的 “升级版”，基于稳压二极管原理优化，重点强化了 “反向击穿时的快速响应” 和 “大电流承载能力”，　　这也是上海雷卯多年来重点攻关的技术方向。　　二.ESD 保护二极管的 “工作智慧”　　雷卯电子的ESD保护二极管的核心设计目标是：平时“隐身” 不干扰电路，ESD 来袭时 “瞬间出击” 分流保护。具体怎么实现?上海雷卯通过工艺优化和结构创新，让这个“攻防切换” 更精准高效。　　1. 正常工作时：像 “绝缘体” 一样安静　　当电路没有 ESD 冲击时，ESD 保护二极管(阴极接信号线，阳极接地)处于 “反向偏置” 状态 —— 两端电压低于反向击穿电压(VBR)，此时它像一个高电阻，几乎不影响信号传输。　　但有两个参数会影响信号质量，也是雷卯重点优化的方向：　　总电容(CT)：二极管截止时，P-N 结的 “耗尽区” 像一个小电容，高频信号(比如 5G、Thunderbolt)会被这个电容 “吸收”，导致信号衰减。雷卯通过特殊工艺将高频系列高分子产品的CT做到 0.1pF 以下，完美适配高速信号，这一指标也得到了雷卯 EMC 小哥在实战测试中的反复验证。　　反向漏电流(IR)：正常电压下流过的微小电流，IR 过大会增加电路功耗。雷卯产品在 VRWM(最大反向工作电压)下的 IR 通常≤0.5μA，对低功耗设备友好。　　2. ESD 冲击时：像 “安全阀” 一样快速分流　　当 ESD 脉冲来袭(比如插拔接口时)，信号线电压会瞬间飙升至数千伏。此时 ESD 保护二极管会：　　快速击穿导通：当电压超过 VBR 时，二极管进入 “雪崩击穿” 状态，电阻骤降(动态电阻 RDYN 低至几欧)，将大部分ESD电流导向地(GND)。　　钳位电压(VC)够低：导通时二极管两端的电压(VC)必须低于被保护芯片的耐压值(比如芯片耐压 20V，VC 需≤18V)。雷卯电子通过芯片结构优化，使VC 比行业平均水平低 15%-20%，防护更可靠，雷卯EMC小哥常把这一优势称为 “给芯片多一层安全余量”。　　双向防护设计：对跨地信号(比如音频线、差分信号)，上海雷卯的双向ESD保护二极管可同时吸收正负向 ESD 脉冲，无需额外设计。　　三.雷卯ESD保护二极管的三大核心优势　　上海雷卯凭借多年技术积累，让旗下 ESD 保护二极管具备三大核心优势，覆盖从低频到高频、从普通设备到高端终端的全场景需求：　　1.响应速度快：从截止到导通仅需亚纳秒级(<1ns)，比传统压敏电阻快100倍以上，能拦截 ESD 脉冲的 “第一峰值”，　　这也是雷卯电子适配 5G、Thunderbolt 等高速接口的关键。　　2.容值可控：覆盖 0.05pF(高频)到 100pF(低频)全系列，满足 USB 3.2、HDMI 2.1 等不同速率接口需求，雷卯EMC小哥会根据客户的信号速率，精准推荐对应容值的型号。　　3.致性高：批量生产的 VBR、VC 参数偏差≤±5%，避免因器件差异导致防护效果不稳定，上海雷卯的严格品控体系，确保每一颗器件都能达到设计标准。　　小结　　ESD 保护二极管的核心是 “平衡”—— 既要在正常工况下不干扰信号，又要在ESD来袭时快速高效分流。雷卯通过材料、结构、工艺的三重优化，上海雷卯始终坚持以实战需求为导向，让这个 “平衡” 更精准、更可靠。　　下一篇，雷卯EMC小哥进入实战环节：教你如何根据电路需求选对型号，以及电路板布局时的 “避坑指南”，让防护效果最大化～

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发布时间：2025-11-21 16:34 阅读量：313 继续阅读>>

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上海雷卯：ESD防护入门：静电放电的本质与测试体系

　　冬天脱毛衣时听到 “噼啪” 声，摸门把手时被 “电” 了一下?这就是生活中最常见的静电放电(ESD)现象。看似微小的静电，对电子设备来说可能是 “致命杀手”—— 手机屏幕失灵、传感器误触发、芯片烧毁，很多时候都和ESD脱不了干系。　　今天我们就从基础讲起，了解ESD的本质、危害，以及如何通过测试验证防护效果。上海雷卯作为 ESD 防护领域的资深厂商，也会在文中分享行业实用经验。　　一、静电放电：看不见的 “电子杀手”　　静电是物体表面积累的静止电荷，当带异种电荷的物体靠近或接触时，电荷会瞬间转移形成放电，这就是 ESD。别小看这个过程：人体带电接触电子设备时，ESD 电压可达数千伏，而如今的芯片绝缘层厚度仅几纳米，根本扛不住这样的冲击。　　静电怎么来的?　　核心原因是 “电荷转移”。两种不同材料摩擦、接触或分离时(比如插拔 USB 线、塑料外壳摩擦)，电子会从一种材料跑到另一种材料上。材料在 “摩擦电序列” 中的位置越远，转移的电荷就越多，产生的静电也就越强。　　为什么现在必须重视 ESD 防护?　　半导体器件的工艺微缩是一把 “双刃剑”，一方面遵循晶体管缩放定律：，芯片工艺越来越先进(比如 7nm、5nm)，将晶体管尺寸缩小至 1/k，其面积、功耗、延迟分别降至 1/k²、1/k、1/k，显著提升器件性能;另一方面，工艺微缩会导致绝缘膜厚度按比例缩减(如硅半导体常用的 SiO₂绝缘膜)，由于 SiO₂的介电强度为 8-10MV/cm(恒定值)，绝缘膜厚度减小会直接导致其耐压能力同步下降，使半导体器件对 ESD 的敏感度大幅提升。绝缘层越来越薄，抗 ESD 能力大幅下降。　　此外，电子设备的小型化设计使得内部器件布局更密集，ESD 产生的电场、磁场干扰更易扩散;智能手机、物联网设备等需要频繁插拔接口(USB、Type-C 等)，ESD 冲击的概率比 10 年前增加了数倍。多重因素叠加，使得 ESD 防护成为电子设备设计中不可或缺的关键环节，而增加ESD 保护二极管则是目前最主流、最有效的防护方案之一。　　二、ESD 测试：防护效果的 “试金石”　　要验证 ESD 防护是否可靠，必须通过标准化测试。目前行业通用的测试体系分为 “器件级” 和 “系统级” 两类，雷卯所有 ESD 保护二极管都经过严格测试，雷卯 EMC 小哥全程参与测试流程把控，确保产品满足各类应用需求。　　1. 器件级测试：模拟生产场景　　人体模型(HBM)：模拟工人带电接触芯片时的放电(比如拿取未封装的 IC)，测试标准是 JEDEC JESD22-A114，合格门槛通常是 2500V-8000V。　　机器模型(MM)：模拟自动化设备(比如贴片机)带电接触器件的放电，测试标准 JEDEC JESD22-A115，要求比 HBM 更严格。　　带电设备模型(CDM)：模拟芯片自身带电后接触接地电路板的放电(比如从料盘取芯片时)，测试标准 JEDEC JESD22-C101，考验器件瞬间抗冲击能力。　　2. 系统级测试：模拟用户场景　　IEC 61000-4-2：最常用的系统级 ESD 测试，分 “接触放电”(直接碰金属接口)和 “空气放电”(靠近带涂层的外壳)，一般消费电子要求接触放电 ±8kV、空气放电 ±15kV。雷卯ESD/TVS二极管全系通过该标准测试，部分型号可达接触放电 ±30kV。　　IEC 61000-4-5：模拟雷击或电源开关产生的浪涌(大电流脉冲)，测试波形为 8/20μs(8μs 上升，20μs 下降到一半)，上海雷卯高功率系列可承受峰值电流达 100A 以上，防护实力拉满。　　小结　　ESD虽小，破坏力却很大，尤其是在电子设备小型化、高频化的今天，防护已成为刚需。了上海雷卯作为ESD防护领域的专业厂商，雷卯EMC小哥凭借丰富的行业经验，常为客户答疑解惑，了解ESD的产生机理和测试标准，是做好防护的第一步。　　下一篇，雷卯EMC小哥将聚焦 “ESD 防护的核心武器”——ESD保护二极管，拆解ESD的内部结构和工作原理，看看它是如何 “以柔克刚” 化解静电冲击的～　　关注雷卯电子公众号，获取更多 ESD 防护干货，还有雷卯 EMC 小哥分享的实战案例。　　上海雷卯电子(Leiditech)致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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发布时间：2025-11-17 15:21 阅读量：222 继续阅读>>

国内首家！纳芯微发布车规级8通道可配高低边驱动N<span style='color:red'>SD</span>56xxx-Q1系列，兼具高集成与灵活配置

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国内首家！纳芯微发布车规级8通道可配高低边驱动NSD56xxx-Q1系列，兼具高集成与灵活配置

　　纳芯微今日宣布正式推出车规级8通道可配高低边驱动系列芯片——NSD56080、NSD56602、NSD56620与NSD56242，工作电压范围覆盖4.5V~28V(输出内部钳位39V)，每通道驱动电流330mA(所有通道ON)，适合驱动汽车电子的继电器、LED、灯泡及电机等各类型感性容性负载。　　该系列产品以高集成度、灵活配置和智能驱动及诊断为核心优势，相比已量产的8通道低边驱动NSD56008，新增加PWM自动发生器、On-State负载开路诊断和Bulb Inrush Mode等功能，可帮助客户节省MCU资源、降低系统设计复杂度和成本、缩小板级尺寸，进一步提升设计灵活性与整体性能。　　一芯多能：内置PWM自动发生器，两路输入支持Limp Home，节省MCU资源　　NSD56xxx-Q1系列芯片内置两个独立的PWM自动发生器，可配置PWM频率与占空比，并可映射到任意输出端口。通过与两路输入(亦可映射到任意输出端口)配合，最多可输出4路独立的不同频率与占空比的PWM信号，直接节省两路MCU的PWM口及软件资源，简化控制逻辑，提升系统响应效率。　　当系统检测到异常而进入跛行模式(Limp Home)时，NSD56xxx-Q1系列芯片可实现8通道选择性关闭，仅保留2路映射通道来维持继电器、制动泵等关键安全负载持续运行，提升整车与系统的安全可靠性。　　图1 Input Mapping　　智能诊断：双模式开路检测，简化系统设计　　NSD56xxx-Q1系列芯片支持OFF-State与ON-State双模式负载开路诊断(OLD)，可在输出关闭或打开状态下精确检测负载连接状态，显著提升系统自诊断能力。　　OFF-State OLD通过开启每通道的诊断电流源并比较输出端口电压，来检测负载开路。而新引入的ON-State OLD(仅适用于高边及配置为高边的通道)，则是通过检测实际负载电流和输出端口电压来诊断，避免了OFF-State OLD因内部电流源而造成LED负载微亮这一异常现象。　　同时，ON-State OLD既可直接选定通道来诊断，也可以对所有高边通道进行loop诊断，并能够用一帧报文来读取所有通道的诊断信息，从而简化系统设计、降低MCU负荷，让整机诊断更高效、更可靠。　　支持BIM模式：高效驱动多种负载，适应更多应用场景　　高低边驱动在实际应用中驱动白炽灯或容性负载时，输出通道会因过冲电流触发过载保护(Over Load Protection)而被关闭，若靠软件不断清除故障点(Fault)和打开通道，则响应太慢难以输出足够能量打开负载。　　为解决这一痛点，NSD56xxx-Q1系列引入Bulb Inrush Mode(BIM模式)。当该通道输出达到过载保护阈值而被关闭时，该通道会在tINRUSH时间后自动重启，然后不断重复直至持续时间tBIM(40ms)。40ms内足够让2W功率的灯泡点亮，若同时采用BIM模式和通道并联功能，则可以支持将5W灯泡点亮。　　这一设计使NSD56xxx-Q1系利能够可靠驱动白炽灯、继电器、马达等容性与感性负载，显著提升系统对不同类型负载的兼容性，为客户提供更灵活、更可靠的设计选择。　　图2 Bulb Inrush Mode(BIM)模式运行　　集成主动钳位管：轻松应对感性负载，降低系统成本　　在驱动继电器、电磁阀等感性负载时，通道关断瞬间会在输出口产生高压，若电感能量足够大，会造成芯片内部功率管雪崩击穿。　　NSD56xxx-Q1系列在每个通道内集成主动钳位管(Active Clamp)，在关断瞬间可钳位输出端电压(低边通道钳位正电压，高边通道钳位负电压)，同时输出功率管因栅极电压抬升而打开，形成电流通路来泄放电感能量，有效防止功率管损坏。这一设计让芯片在驱动感性负载时无需额外钳位管(可减少8个外部钳位管)，从而显著降低系统BOM成本与板级尺寸。　　图3 输出功率管 Active Clamp　　芯片单通道在室温下可承受高达50mJ的钳位能量，而在实际应用中，继电器负载产生的能量通常低于10mJ，足以覆盖典型继电器、电磁阀等感性负载的能量需求，确保系统运行的稳定与可靠。　　车规品质，灵活选型　　NSD56xxx-Q1系列8通道智能高低边驱动产品现已全部量产，满足AEC-Q100 Grade 1标准，工作温度范围覆盖-40℃至125℃，封装采用HTSOP24(8.65×3.9mm)，该系列提供丰富的高边、低边及可配高低边的组合方案，灵活满足不同系统架构和负载需求。　　凭借全面的高低边组合、丰富的智能功能和车规级可靠性，纳芯微可为车身电子的各类型负载驱动提供多通道高集成度的解决方案，帮助客户快速搭建安全可靠、灵活高效的系统设计。　　图4 NSD56xxx-Q1选型表

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发布时间：2025-11-12 09:48 阅读量：301 继续阅读>>

佰维存储TDS600大容量工业级S<span style='color:red'>SD</span>新品上市！面向AI智能分析与多路高清监控

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佰维存储TDS600大容量工业级SSD新品上市！面向AI智能分析与多路高清监控

　　在智慧交通、智慧城市快速普及下，视频监控系统正朝着高清化、多路化和智能化方向加速演进，存储设备的性能、稳定性和可靠性已成为保障系统高效运行的关键因素。佰维存储正式推出全新一代工业级SSD产品——TDS600系列，系列产品以8TB超大容量、媲美企业级的稳态性能、全方位高可靠性设计和全国产化BOM为核心亮点，全面满足轨交、车载、电力、安防及边缘计算等关键领域的严苛需求。　　8TB原生大容量，稳御长时间并发数据洪流　　在4K/8K高清视频普及、AI智能分析广泛应用的趋势下，轨交NVR、车载DVR等设备的数据生成量呈指数级增长。传统小容量SSD已难以满足长时间、多路并发的录制需求。佰维TDS600系列应运而生，原生支持最高8TB大容量规格，从主控架构、固件设计到NAND颗粒选型均针对大容量场景深度优化，确保在高负载写入环境下依然具备出色的稳定性和耐久性，助力轨交监控向“大容量、高清晰、智能化”全面升级。　　媲美企业级稳态性能，支持AI监控分析　　32路并发写入稳定不掉帧　　TDS600系列采用全容量内置DRAM缓存架构，搭配企业级主控与自研固件算法，显著提升数据读写效率与响应速度。其最大顺序读取、写入速度分别达560MB/s、520MB/s，即使在多通道高清视频并发写入的同时，仍能保持流畅稳定的性能输出。在随机访问性能方面，稳态4K随机读、写IOPS高达97K、25K，能够快速响应AI视频分析、人脸识别、行为检测等边缘智能应用中的高频数据读取请求。　　在实际应用中，单盘可轻松承载32路1080P视频流同时写入(每路1.5MB/s)，全程无丢帧、无卡顿，完美适用于多通道DVR/NVR系统。同时，在边缘计算节点和工业服务器中，TDS600也能高效支撑AI推理结果回传、日志记录、数据库操作等复杂任务，展现强大的综合性能实力。　　高可靠性设计，工业级品质　　抗震动、长寿命　　监控系统具有其特有的数据写入模式：单台4K@30fps摄像头每日可产生约200GB的视频数据，一个8路摄像头监控系统的每年累计写入量可达584TB。这类“持续写入、偶尔读取”的应用特点，对存储设备的耐久性、稳定性和数据完整性保障提出了极高的要求。　　TDS600系列面向严苛工业环境打造，具备全方位的高可靠性设计。硬件层面支持RAM ECC、E2E端到端数据保护、4K LDPC纠错、内部RAID冗余机制及硬件PLP异常掉电保护，即使突发断电也能有效防止数据损坏;软件层面集成先进的GC垃圾回收、磨损均衡与后台巡检算法，全面提升数据完整性与使用寿命。产品通过多重工业级验证，工作温度范围宽达-20℃至+75℃，抗震抗干扰能力强，适用于车载、轨交、电力等复杂运行环境。平均无故障时间(MTBF)超过250万小时，充分满足工业级应用对长寿命、高可用性的严苛要求。　　全国产BOM设计，自主设计+研发+封测制造　　长久供应，稳定可靠　　TDS600系列全面实现全国产BOM设计：从主控芯片、3D TLC NAND闪存、DRAM颗粒到所有阻容器件，均采用国产方案，真正实现核心元器件自主可控。更值得一提的是，产品固件由佰维自主研发团队打造，生产制造全程在佰维自有封测工厂完成，形成“设计-研发-制造”一体化闭环。这不仅保障了产品的信息安全与长期供货能力，也确保了品质一致性与快速响应服务，为轨道交通、边缘计算等行业客户带来稳定、可信赖的国产存储选择。　　结语　　TDS600系列的发布，集中体现了佰维存储在大容量工业级SSD领域的综合技术实力：从全容量DRAM缓存带来的稳定写入表现，到PLP掉电保护、E2E数据校验、4K LDPC等多重机制构筑的高可靠性防线;从8TB大容量对多路高清视频的从容承载，到自研固件与全国产化设计对长期供货与合规需求的有力支撑——每一项设计都紧扣工业场景的真实痛点。　　这款产品的诞生，不仅为AI视频监控、边缘计算和工业服务器提供了高性能、高可信的存储选择，也进一步夯实了佰维在轨道交通等关键基础设施领域的服务基础。依托多年技术积累，我们已形成面向轨交全场景的可靠存储支持能力，持续助力行业实现安全、智能与自主可控的融合发展。

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发布时间：2025-10-24 10:13 阅读量：481 继续阅读>>

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佰维存储Mini SSD荣登《TIME》“2025年度最佳发明”榜单，全球唯一入选存储产品

　　近日，《时代》周刊(《TIME》)发布了2025年“Best Inventions of the Year”(年度最佳发明)榜单，佰维Mini SSD凭借技术突破与前瞻性设计成功入选，成为全球唯一上榜的存储产品。　　《时代》周刊(TIME)作为美国三大时事周刊之一，在国际社会享有极高的声誉，其年度“最佳发明”榜单甄选出全球最具影响力、创新性和社会价值的产品，涵盖人工智能、消费电子、可持续发展等前沿领域。Mini SSD 开创性地融合超小体积与旗舰级SSD性能，被誉为“重新定义便携式存储边界，推动移动计算迈向新纪元”的关键创新。　　01.打破高性能与小体积的壁垒，　　AI端侧存储典范之作　　随着AI应用向终端侧迁移，本地大模型推理、高清视频与游戏应用等场景对存储带宽和响应速度提出更高要求，如何在极小空间内实现高性能、高可靠性的存储，成为行业关键挑战。传统嵌入式存储(如eMMC、UFS)和存储卡类(如micro SD卡)产品受限于接口与协议，性能难以满足AI计算需求;而标准M.2 SSD又因体积过大，无法适配轻薄化设备。　　佰维Mini SSD应运而生，以极致小巧身形承载强劲性能，在仅 15mm × 17mm × 1.4mm (比一枚欧元硬币还小一半)的尺寸中实现了高达 3,700MB/s、3,400MB/s的读取、写入速度，容量最高支持 2TB。产品不仅助力OEM厂商提升产品差异化竞争力、优化SKU管理，也为终端用户带来更灵活、更高速的扩容体验，目前已成功应用于知名品牌的掌机游戏设备、三合一AI PC中。　　《TIME》评价指出，佰维Mini SSD成功打破了性能与便携性之间的壁垒，是应对“设备日益轻薄、数据持续激增”这一行业挑战的典范之作，为AI终端生态的发展提供了关键支撑。　　02.存储解决方案+先进封装，　　构建系统级产品竞争力　　Mini SSD 的诞生源于佰维对AI端侧场景的深刻理解与存储技术的系统性创新。在“研发封测一体化2.0”战略驱动下，公司通过先进架构设计、固件算法优化与先进封装工艺等关键技术的协同突破，让Mini SSD真正做到了“小体积、高性能、高可靠”的系统级创新与平衡。　　先进LGA封装技术：采用Land Grid Array(平面栅格阵列)封装，将主控与NAND闪存高度集成于单层平面，显著提升空间利用率与散热效果;　　坚实可靠的使用体验：支持IP68级防尘防水能力，以及3米防跌落冲击，适用于复杂移动与户外环境;　　SIM卡式插槽设计：支持断电后插拔，无需特殊工具即可快速更换，极大提升设备维护与升级便利性;　　智能固件系统：集成动态SLC缓存、磨损均衡、TRIM指令与垃圾回收机制，确保长期使用下的稳定性能与寿命;　　广泛兼容性：模块化设计适配笔记本、平板、NAS、智能相册、手持游戏设备及各类边缘计算终端。　　03.从产品支撑到生态共建，　　助力客户价值跃升　　Mini SSD 不仅是单一产品的突破，更是存储技术与终端生态深度融合的典范，通过与合作伙伴在产品定义、联合调试到量产导入的全周期深度协同，Mini SSD以高扩展性、超小尺寸、低功耗与稳定性能，支撑壹号本三合一AI PC、GPD游戏掌机、某品牌智能相框等终端厂商的旗舰级产品，达成在轻薄设计与AI算力之间的平衡，助力客户实现产品差异化与用户体验升级。围绕“端侧AI”趋势，佰维已构建起以ePOP、BGA SSD为代表的轻薄化、高带宽、低功耗创新产品矩阵，系列产品已深度服务于国内外一线客户，预计2025年公司端侧AI相关业务同比增长将突破500%。　　秉持“存储无限，策解无疆”的产品服务理念，佰维存储正从单一存储产品供应商，迈向覆盖全场景的存储解决方案厂商，持续深耕智能终端、工业车规、边缘计算及数据中心等关键领域，致力于成为智能时代可信赖的AI基础设施赋能者。

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发布时间：2025-10-21 16:31 阅读量：477 继续阅读>>

纳芯微N<span style='color:red'>SD</span>2017从原理到布线：GaN栅极驱动Layout实战，解锁激光雷达性能跃迁

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纳芯微NSD2017从原理到布线：GaN栅极驱动Layout实战，解锁激光雷达性能跃迁

　　摘要　　激光雷达(Lidar)是一种用于精确测距的激光探测技术。栅极驱动器与GaN器件在最大化激光器发射能力上起到重要作用，为激光雷达带来更高的分辨率。NSD2017是一款适用于激光雷达应用的驱动器，具有强驱动能力、支持极窄脉宽输出以及强抗干扰能力的特点。本文从激光雷达的应用特点出发，介绍NSD2017在应用中PCB设计的注意点。　　01 激光雷达技术概要　　汽车自动驾驶中的激光雷达常采用DToF(Direct Time-of-Flight)测距方式，即通过直接测量激光的飞行时间进行距离测量和地图成像。图一是DToF激光雷达系统的典型结构，信号处理单元通过记录激光发射器发出光脉冲的时刻，以及激光接收器收到光脉冲的时刻，根据时间间隔和光速就可以计算出目标距离。图1 DToF激光雷达系统典型结构　　为实现高分辨率和宽监测范围，需要极窄的激光脉冲、极高的激光脉冲功率以及极高频开关频率，对激光发射器中的功率器件提出了较高的要求。相较于传统的Si MOSFET，GaN器件的快速开关速度以及高脉冲电流能力，非常适合DToF的应用，而GaN器件则需要对应的栅极驱动器进行驱动。以图2典型应用电路为例，低侧驱动器NSD2017驱动GaN器件为激光器提供高峰值电流。其中，激光脉冲越短，电流斜率要求越高，对PCB寄生电感的要求越高。本文从优化驱动回路出发，给出了NSD2017的PCB Layout建议。图2 典型激光雷达驱动电路　　02 驱动回路设计要点　　为减小栅极驱动回路寄生电感对驱动性能的影响，首先需要分析驱动器NSD2017开通和关断GaN器件的回路。图3给出了栅极驱动回路的示意图。图3 栅极驱动回路示意图　　红色曲线为驱动开通回路，当NSD2017输入信号转为高电平时，去耦电容正端经驱动器内部PMOS、驱动电阻至GaN HEMT的栅极，再由GaN HEMT的源极经地平面回到去耦电容负端。蓝色曲线为驱动关断回路，当NSD2017输入信号转为低电平时，电流经GaN HEMT栅极、驱动电阻、驱动器内部NMOS，再经驱动地平面回到GaN HEMT源极。　　栅极回路电感的主要影响有以下几个方面：1)栅极回路电感直接影响开关性能，降低有效栅极驱动速率;2)栅极回路电感与GaN器件栅极电容形成谐振回路，将在GaN器件栅极产生过电压;3)谐振产生的驱动信号将导致器件误开关，这对低阈值电压的GaN器件影响尤为严重。　　为减低寄生电感和器件栅极电容谐振的影响，一般会在驱动器输出增加驱动电阻，NSD2017分裂式输出的特点便于根据驱动开通和关断的谐振表现，灵活调整电阻阻值RG1和RG2。虽然调整驱动电阻可以解决驱动开关过程中遇到的振铃或误开关问题，但减缓了驱动开关速度，从而影响流经GaN HEMT的电流斜率，因此解决开关振铃的最好方法还是减小寄生电感。以此角度，可以从减小栅极回路电感和减小共源电感两个方向出发。　　03 回路寄生电感设计要点　　以驱动开通回路为例，栅极回路的寄生自感可以认为由两部分组成：其一是由去耦电容至驱动器VDD引脚的寄生电感LVDD、驱动器封装电感LN、驱动输出电感LG1和LG、GaN栅极封装电感组成，寄生电感大小与旁路电容、栅极驱动器和GaN的相对位置以及PCB的走线长短粗细有关;其二是由GaN源极封装电感、GaN源极PCB电感LSRC以及地回路电感LGND组成，受GaN封装设计、地回路的处理以及过孔的放置等影响。　　为减小驱动回路电感，有两个方向：　　其一是减小驱动回路走线自感。建议使用短粗走线进行连接。由于面积相同的情况下，长走线的寄生电感大于细走线，长走线宽度增加一倍时，走线电感并不会减半。因此GaN器件与驱动器的相对位置摆放尤为重要。以下图为例，GaN器件栅极紧靠驱动器输出，驱动开通电流路径(蓝色)与返回电流路径(灰色)实现层间平行。　　图4 驱动器与GaN器件摆放　　与栅极关断回路相比，开通回路的寄生电感的减小，还需要考虑电流流过高频去耦电容带来的影响。一般建议在NSD2017靠近供电引脚VDD附近放置大、小容值的两个电容，大容值电容一般为1-2uF用于保持VDD稳定，小容值电容一般为100nF-500nF用于滤除高频噪声。小容值电容使用短粗连线靠近放置VDD引脚附近，如果允许的话，建议使用低自感瓷片电容，如馈通电容等。　　其二是合理利用磁通抵消原则减小寄生电感。比较简单的方式是，观察驱动开通电流路径和返回路径所围面积，面积越小，寄生电感越小。因此，电流返回路径选择开通电流路径紧邻的层，可以最大限度增加电感耦合实现最小化电感。　　04 共源电感设计要点　　栅极驱动电流路径和功率回路电流路径共用器件源极的寄生电感，这部分电感称为共源电感，一般由GaN 器件源极封装电感和源极PCB电感两部分组成。　　共源电感同样需要最小化，且在激光雷达应用中最小化共源电感的优先级高于最小化栅极回路电感。当器件开通和关断过程中，共源电感在开关时刻产生与栅极驱动电压相反的电压，将减缓器件的开关过程，增大开关损耗，影响GaN的电流斜率，从而影响光脉宽信号。　　为减小共源电感对驱动性能的影响，常利用开尔文连接方式将驱动回路和功率回路分开，以减小耦合。目前有商用GaN 器件中集成开尔文引脚，实现栅极电流回路与功率电流回路的解耦，消除了共源电感的影响。图5 器件集成开尔文引脚以消除共源电感影响　　而目前较多低压GaN 器件没有开尔文引脚，可以通过PCB处理将功率回路和驱动回路分开。常见的处理方式如图6所示，选择靠近器件栅极的源极引脚作为驱动回路，其他引脚作为功率回路。图6 利用封装分开驱动回路和功率回路　　为实现最小共源电感，功率地与驱动地之间单点连接，建议将微过孔尽量靠近驱动器和功率器件摆放，如图7所示。图7 建议的微过孔摆放方式　　图8给出NSD2017一种常见的Layout设计，GaN器件中靠近Gate的Source中放置微孔，实现驱动地与功率地的单点连接，同时选用驱动开通电流相近层作为电流返回层，实现回路面积最小。(示例Layout仅2层，用作说明)

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发布时间：2025-10-17 10:52 阅读量：391 继续阅读>>

芯存科技 <span style='color:red'>SD</span> NAND：小轻薄优，赋能 AI 眼镜

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芯存科技 SD NAND：小轻薄优，赋能 AI 眼镜

　　在科技飞速发展的当下，AI 眼镜作为智能穿戴领域的新兴力量，正以惊人的速度闯入大众视野。近期，小米首款搭载自研 AI 大模型的智能眼镜震撼发布，其凭借 “轻量化设计 + 全场景智能交互” 的独特优势，瞬间成为行业焦点，吸引了无数目光。　　芯存科技-SD NAND产品介绍　　芯存科技凭借多年积累的产品技术底蕴、领先的封测制造工艺及规模化生产实力，不断为多元 AI 应用场景打造创新存储方案。这一方案尤其贴合 AI 眼镜等智能穿戴设备对轻薄设计的高标准需求。　　芯存科技自研推出小尺寸、大容量、超轻薄、高性价比SD NAND系列产品，最小尺寸仅8x6mm省空间、低功耗、易集成，超轻薄0.8mm便携带、适配强，整体尺寸仅为：8x6x0.8mm 为AI 眼镜的极致轻薄设计提供了核心空间支持，同时为设备续航能力的提升与佩戴舒适度的优化筑牢了硬件根基。部分产品-规格参数　　芯存科技—合封技术、突破与应用　　芯存结合自有的丰富的合封经验，此前在FTTR项目(对产品尺寸同样有小型化的需求)推出全球首款SMCP产品(SPI NAND+DDR合封)以及其他很多合封的相关经验，从而解决AI眼镜中产品对尺寸的高要求。　　芯存有投入自研的控制器技术，给客户带来高速低功耗的使用场景。　　合封技术优势　　1.高性能低功耗的控制器资源，解决客户待机时间的需求;　　2.存储芯片资源，为客户的产品形态提供更多的可能性;　　3.合封专利技术资源，解决小型化的需求;　　4.广泛的客户资源，已经在和品牌的客户进行导入;　　芯存科技-产品获主流客户认可　　在 AI 眼镜这一前沿智能终端领域，芯存科技凭借存储技术的积累与精准的产品适配能力，取得了显著的市场突破。　　近期全志科技发布了两款最新AI眼镜专用芯片—V821和V881，超低价、高性价比。芯存科技 SD NAND 产品已成功搭载于全志科技 V821 平台。这份认可不仅是对芯存科技技术实力的有力佐证，更彰显了其在智能穿戴存储领域的前瞻布局与市场竞争力，为 AI 眼镜的规模化应用与体验升级注入了关键动力。　　芯存科技-产业进阶路径　　全球半导体产业的格局处于重构与升级的关键阶段，芯存科技始终做到，一方面持续加大研发投入与国际先进封测设备投入，以此保障研发理念与创新能力始终保持前瞻与领先;另一方面，通过智能化生产线与数字化管理系统的高效配合，推动新质智造工艺、产能规模、产品研发创新及质量管理等实现突破性提升，同时以开放进取的姿态，主动投身 AI 时代浪潮，拓展更广阔的发展天地。

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发布时间：2025-08-26 11:36 阅读量：842 继续阅读>>

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