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芯存科技 <span style='color:red'>SD</span> NAND：小轻薄优，赋能 AI 眼镜

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芯存科技 SD NAND：小轻薄优，赋能 AI 眼镜

　　在科技飞速发展的当下，AI 眼镜作为智能穿戴领域的新兴力量，正以惊人的速度闯入大众视野。近期，小米首款搭载自研 AI 大模型的智能眼镜震撼发布，其凭借 “轻量化设计 + 全场景智能交互” 的独特优势，瞬间成为行业焦点，吸引了无数目光。　　芯存科技-SD NAND产品介绍　　芯存科技凭借多年积累的产品技术底蕴、领先的封测制造工艺及规模化生产实力，不断为多元 AI 应用场景打造创新存储方案。这一方案尤其贴合 AI 眼镜等智能穿戴设备对轻薄设计的高标准需求。　　芯存科技自研推出小尺寸、大容量、超轻薄、高性价比SD NAND系列产品，最小尺寸仅8x6mm省空间、低功耗、易集成，超轻薄0.8mm便携带、适配强，整体尺寸仅为：8x6x0.8mm 为AI 眼镜的极致轻薄设计提供了核心空间支持，同时为设备续航能力的提升与佩戴舒适度的优化筑牢了硬件根基。部分产品-规格参数　　芯存科技—合封技术、突破与应用　　芯存结合自有的丰富的合封经验，此前在FTTR项目(对产品尺寸同样有小型化的需求)推出全球首款SMCP产品(SPI NAND+DDR合封)以及其他很多合封的相关经验，从而解决AI眼镜中产品对尺寸的高要求。　　芯存有投入自研的控制器技术，给客户带来高速低功耗的使用场景。　　合封技术优势　　1.高性能低功耗的控制器资源，解决客户待机时间的需求;　　2.存储芯片资源，为客户的产品形态提供更多的可能性;　　3.合封专利技术资源，解决小型化的需求;　　4.广泛的客户资源，已经在和品牌的客户进行导入;　　芯存科技-产品获主流客户认可　　在 AI 眼镜这一前沿智能终端领域，芯存科技凭借存储技术的积累与精准的产品适配能力，取得了显著的市场突破。　　近期全志科技发布了两款最新AI眼镜专用芯片—V821和V881，超低价、高性价比。芯存科技 SD NAND 产品已成功搭载于全志科技 V821 平台。这份认可不仅是对芯存科技技术实力的有力佐证，更彰显了其在智能穿戴存储领域的前瞻布局与市场竞争力，为 AI 眼镜的规模化应用与体验升级注入了关键动力。　　芯存科技-产业进阶路径　　全球半导体产业的格局处于重构与升级的关键阶段，芯存科技始终做到，一方面持续加大研发投入与国际先进封测设备投入，以此保障研发理念与创新能力始终保持前瞻与领先;另一方面，通过智能化生产线与数字化管理系统的高效配合，推动新质智造工艺、产能规模、产品研发创新及质量管理等实现突破性提升，同时以开放进取的姿态，主动投身 AI 时代浪潮，拓展更广阔的发展天地。

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芯存科技

发布时间：2025-08-26 11:36 阅读量：337 继续阅读>>

华为，将发布自研AI S<span style='color:red'>SD</span>！

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华为，将发布自研AI SSD！

　　华为定于8月27日召开 “AI SSD，加速智能经济涌现” 新品发布会，剑指 AI 存储器赛道，计划以技术创新推出大容量 AI SSD，突破传统 HBM 的容量限制。　　当前 “Token” 智能经济崛起，AI 训练效率、推理体验及成本成核心竞争力。传统 HBM 受容量制约，难满足 AI 大模型等场景需求，华为此款新品将聚焦解决效率与成本痛点，升级 AI 业务存储体验，推动智能经济从 “概念” 落地、“单点突破” 迈向 “全面涌现”。

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华为

发布时间：2025-08-26 11:30 阅读量：648 继续阅读>>

如何通过硬件电路优化降低E<span style='color:red'>SD</span>干扰

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如何通过硬件电路优化降低ESD干扰

　　在电子电路系统设计中，工程师处理ESD有时候总觉得没有头绪，主要原因是ESD测试难以量化，每次测试的结果也会存在差异，所以凭感觉处理起来很‘玄学’。简单说起来就是ESD对系统内部存在干扰，但处理起来常常就是一团乱麻，监测不到ESD泄放路径。单从电路增加ESD防护设计维度有时候是无法达到目的，所以PCB设计是解决ESD防护问题中非常重要的一环，但必要时还是要配合ESD器件共同达到抑制的目的。　　无论是普通电路系统还是高速电路系统，对于EMC的处理都很有必要，今天就分享几个PCB Layout几个原则，可以大大减小EMC出现问题的概率。PCB布局的ESD防护思路是：敏感的信号或者电路远离静电放电测试点，信号环路面积最小化噪声耦合，降低参考地平面电位差保持信号参考电平稳定。图1.PCB Layout示意图　　如图1所示，PCB Layout设计建议参考　　1. 单层PCB设计时，设置良好的接地平面和电源平面，信号线尽可能紧靠电源平面层或接地平面，保证信号回流时的通路以最短，信号环路最小的原则。　　2. 多层PCB层叠设计必须保证比较完整的GND平面，所有的 ESD泄放路径直接通过过孔连接到这个完整的GND平面，其他层尽可能多的铺 GND。　　3. 在PCB四周增加地保护环路，关键信号(RESET/Clock等)与板边距离不小于 5mm，同时必须与布线层的板边GND铜皮距离不小于 10mils。　　4. 在电源和接地之间设计高频旁路电容，要求等效串联电感值(ESL)和等效串联电阻(ESR)越小越好　　5. 对于部分ESD 整改难度较大的IO，可将IO GND独立出来，与电源GND用磁珠连接，以防止ESD能量进入GND。　　另外，在PCB布局时做好敏感器件的保护、隔离，一些敏感模块如射频、音频、存储器可以添加屏蔽罩。但屏蔽罩的整体成本太高，ESD保护器件具有更好的性价比，但如何选用合适的ESD器件才是关键，配合PCB的线路设计达到防护目的。图2.ESD泄放路径避免能量进入保护电路　　放电事件通常通过接口(如连接线)或人工端口(如USB、音频)迫使电流 IESD (图2)迅速进入系统。使用ESD二极管保护系统免受ESD影响，取决于ESD二极管能否将 IESD 分流到地，在选用ESD器件时需要注意如下参数：　　1.工作电压 (VRWM)　　VRWM工作电压是指建议器件工作电压范围，应用电路最高电压超过该值时会导致漏电流增大，从而损坏器件和影响系统运行。建议电路应用电压≤ ESD 器件的工作电压VRWM。　　2.结电容(Cj)　　ESD器件与信号并联使用，而ESD半导体设计时的寄生电容，对于高速信号应最大限度地减小结电容Cj以保持信号完整性。　　3. IEC 61000-4-2等级(Contact discharge/ Air discharge)　　IEC61000-4-2等级体现器件在接触放电和空气放电的稳健性。接触放电是指用静电枪向ESD器件放电时该器件可承受的最大电压。空气放电是指使用静电枪空气间隙向ESD器件放电时该器件可承受的最大电压。　　4.ESD器件通道数　　ESD器件有单通道和多通道不同封装类型。多通道是内部集成多个单通道器件，根据应用需求，多通道器件可实现更小尺寸方案并节省PCB空间，当然，单通道器件可提供更高的设计灵活性。　　5.单向与双向　　双向ESD器件可同时具有正负工作电压的电路中(±3.3V等)，因此，双向ESD器件可支持数据信号在正负电压之间切换的接口(如模拟信号/RS233等)。单向ESD只有工作在正电压范围，但具有更好的负钳位。　　6. 钳制电压(Vc)　　钳制电压表示瞬态脉冲下作用于ESD器件时2端的压降，钳制电压越低意味能更好的保护后级的电子元件。瞬态测试包含静电和浪涌，不同测试条件下钳制电压不同，选型前确认具体测试需求和后级极限损坏电压，保证器件选型的合理性　　综上，要想从PCB布局+ESD二极管实现最好的静电防护，很大程度上需要从整机系统上优化设计。因为设计人员无法控制 IESD，所以降低对地阻抗是将钳制电压最小化的主要方法。设计建议如下(图3)。图3.ESD二极管PCB优化建议

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发布时间：2025-08-25 13:09 阅读量：269 继续阅读>>

常见芯片失效原因—EOS/E<span style='color:red'>SD</span>介绍

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常见芯片失效原因—EOS/ESD介绍

　　在半导体制造领域，电气过应力(EOS)和静电放电(ESD)是导致芯片失效的两大主要因素，约占现场失效器件总数的50%。它们不仅直接造成器件损坏，还会引发长期性能衰退和可靠性问题，对生产效率与产品质量构成严重威胁。　　关于ESD　　ESD(Electrostatic Discharge) 即静电放电，指物体因接触摩擦积累电荷后，与导体接近或接触时发生的瞬间电子转移现象。放电电压可达数千伏，能直接击穿敏感的半导体结构。　　其产生方式主要包括：人体放电模型(HBM)——人体静电经芯片引脚放电;机器放电模型(MM)——自动化设备累积静电传导至芯片;元件充电模型(CDM)——带电芯片引脚接触接地体时内部电荷释放;电场感应模型(FIM)——外部电场变化引发芯片内部电荷重分布。　　ESD的危害呈现多重性：一是直接造成晶体管击穿、金属连线断裂等物理损坏;二是引发阈值电压漂移等参数退化，导致性能不稳定;三是形成微观损伤，降低器件长期可靠性;四是导致数据丢失或误操作，威胁系统安全。其隐蔽性和随机性进一步增加了防控难度。　　关于ESD的防护需采取综合措施：　　耗散：使用表面电阻为10⁵–10¹¹Ω的防静电台垫、地板等材料;　　泄放：通过接地导线、防静电手环/服装/鞋实现人员与设备接地;　　中和：在难以接地的区域采用离子风机中和电荷;　　屏蔽：利用法拉第笼原理对静电源或产品进行主动/被动屏蔽;　　增湿：提高环境湿度作为辅助手段;　　电路设计：在敏感元器件集成防静电电路，但需注意其防护能力存在上限。　　关于EOS　　EOS(Electrical Over Stress) 指芯片承受的电压或电流超过其耐受极限，通常由持续数微秒至数秒的过载引发。　　主要诱因包括：电源电压瞬变(如浪涌、纹波)、测试程序热切换导致的瞬态电流、雷电耦合、电磁干扰(EMI)、接地点反跳(接地不足引发高压)、测试设计缺陷(如上电时序错误)及其他设备脉冲干扰。　　EOS的失效特征以热损伤为主：过载电流在局部产生高热，导致金属连线大面积熔融、封装体碳化焦糊，甚至金/铜键合线烧毁。即使未造成物理破坏，也可能因热效应诱发材料特性衰退，表现为参数漂移或功能异常。更严重的是，EOS损伤会显著降低芯片的长期可靠性，增加后期故障率。　　EOS防护的核心是限制能量注入：　　阻容抑制：串联电阻限制进入芯片的能量;　　TVS二极管：并联瞬态电压抑制器疏导过压能量，建议搭配电阻使用以分担浪涌冲击;　　材料防护：采用静电屏蔽包装和抗静电材料;　　工作环境：使用防脉冲干扰的安全工作台，定期检查无静电材料污染;　　设计加固：优化芯片耐压结构及布局走线，减少电磁干扰影响。　　芯片级保护器　　为应对ESD/EOS威胁，需在电路中增设专用保护器件：　　ESD保护器：吸收并分散静电放电的高能量，防止瞬时高压脉冲损伤核心芯片，作用类似"防护罩"。　　EOS保护器：限制过电压幅值，通过疏导能量充当"安全阀"，避免持续过应力导致热积累。　　不同应用场景对保护器参数要求各异：　　汽车领域：需耐受-55℃~150℃极端温度、36V高电压及300A浪涌电流，符合AEC-Q101认证;　　工业与物联网：要求-40℃~85℃工作范围及±15kV ESD防护能力，通过JEDEC标准;　　消费电子：侧重低结电容(0.1pF~2000pF)和±8kV ESD防护，适应2.5V~30V电压环境。　　保护器通常置于信号线/电源线与核心IC之间，确保过电压在到达敏感元件前被拦截，显著提升系统鲁棒性。　　失效分析与防控策略　　区分ESD与EOS失效是诊断的关键：ESD因纳秒级高压放电，多表现为衬底击穿、多晶硅熔融等点状损伤;而EOS因持续热效应，常引发氧化层/金属层大面积熔融或封装碳化。但短脉冲EOS与ESD损伤形态相似，且ESD可能诱发后续EOS，此时需通过模拟测试复现失效：对芯片施加HBM/MM/CDM模型(ESD)或毫秒级过电应力(EOS)，对比实际失效特征以确定根源。　　产线改良需针对性施策：　　加强ESD防护：检查人员接地设备、工作台防静电材料有效性，控制环境湿度;　　抑制电气干扰：为电源增加过压保护及噪声滤波装置，避免热插拔操作;　　优化接地设计：杜绝接地点反跳(电流转换引发高压);　　规范操作流程：严格执行上电时序，隔离外部脉冲干扰源。

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芯片

发布时间：2025-08-20 14:02 阅读量：449 继续阅读>>

海康存储企业级S<span style='color:red'>SD</span> D300系列获OpenCloudOS兼容互认证

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海康存储企业级SSD D300系列获OpenCloudOS兼容互认证

　　近日，杭州海康存储科技有限公司(HIKSEMI，以下简称海康存储)旗下D300系列企业级 SATA SSD完成了与OpenCloudOS、TencentOS Server的相互兼容性认证。测试结果表明，该系列产品性能优异，兼容性良好，具备出色的可靠性和耐久性，是云服务、大数据处理等应用场景的理想之选。　　　本次兼容性认证覆盖了多项关键测试，包括操作系统安装、BIOS识别、BMC认盘、分区和文件系统、带IO热插拔、系统Reboot、系统DC掉电、系统AC掉电、RAID功能及Fio性能测试等。　　海康存储D300系列采用企业级主控，搭载高速3D TLC NAND闪存颗粒，顺序读写速度达到538/509 MB/s，4K随机读写IOPS达到98/61K，读写时延低至92/19 us，适用于读取密集型及轻度混合型工作负载。在可靠性方面，D300系列集成了LDPC 纠错、端到端数据保护、异常掉电保护、异常情况下只读固件自动重加载等多重安全机制，保障数据资产安全;同时，配合细致调教的磨损均衡算法，有效降低性能波动，确保企业级应用所需的高一致性。D300系列还支持固件在线更新，以保障业务连续性。　　目前，海康存储D300系列已经完成了与多个CPU平台、服务器厂商的产品兼容性互认证，为电信、金融、网络安全等领域提供高性能、高可靠的应用体验。240GB~3840GB的多容量设计和多种形态规格，满足行业客户的多样化定制需求。　　自2017年启动首代数据中心级固态硬盘研发工作起，海康存储持续深化与产业链伙伴的合作，不断提升产品性能与应用环境适配能力，构建深度协同的产业生态。未来，海康存储将打造AI+金融、AI+电信、AI+互联网等领域的存储解决方案，成为企业数字化转型的优质之选。　　关于OpenCloudOS　　OpenCloudOS沉淀了多家厂商在软件和开源生态的优势，继承了腾讯在操作系统和内核层面超过10年的技术积累，在云原生、稳定性、性能及硬件支持等方面提供坚实支撑，全面支持各类硬件平台。截止目前，OpenCloudOS已支持X86_64、ARM64、RISC-V架构，并完善适配LoongArch、飞腾、兆芯、鲲鹏等平台，生态合作伙伴超过700家。

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海康存储

发布时间：2025-08-08 14:24 阅读量：529 继续阅读>>

佰维存储推出工业级BGA S<span style='color:red'>SD</span>：成为AIoT时代的“全能选手”

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佰维存储推出工业级BGA SSD：成为AIoT时代的“全能选手”

　　顺应边缘AI对高性能计算、高集成、与微型化的趋势，佰维存储推出工业级BGA SSD，在如五角硬币大小(16 x 20 x 1.3 mm)的尺寸内，提供高达1TB的存储容量与PCIe 4.0 x4的高速传输。BGA封装形式使该产品在需要频繁移动或受到机械振动的设备中更加可靠，广泛适配边缘计算、AI智能盒子、智能工控、智能汽车、通信设备、工业平板、娱乐设备等领域。　　覆盖AIoT边缘智能全场景，更小、更强、更智能　　佰维工业级BGA SSD系列产品全面契合边缘智能时代对存储的复合型需求，不仅满足端侧AI计算对高算力、低延迟的严苛要求，同时兼顾工业级应用对长生命周期、多接口兼容性以及在极端温度、湿度等复杂环境下稳定运行的高标准，为多元化的智能应用场景提供坚实的数据存储底座。　　产品顺序读写速度最高可达7300MB/s、4600MB/s，容量覆盖256GB至1TB，灵活适配从轻量级嵌入式设备到高负载边缘计算节点的多样化需求。在环境适应性方面，产品提供工业标准级(-20°C ~ 70°C)、工业宽温级(-40°C ~ 85°C)以及超宽温级(-40°C ~ 105°C)三种宽温规格选择，守护常规工业环境、严苛户外设备、车载系统及高温密闭空间等环境下数据完整性与可靠性。　　先进自研架构固件，实现场景化精细调优　　佰维特存BGA SSD搭载自主研发的固件，针对BGA SSD的独特应用形态进行了深度优化，确保在空间受限和严苛散热需求等复杂环境下发挥最佳性能与可靠性。　　智能读写调度与GC优化：降低写入放大与冗余擦写，提升BGA SSD全场景性能与寿命，满足边缘/端侧设备在户外运行及无人值守环境下的长期高可靠性需求。　　快速启动算法与低延迟访问机制：支持工业平板、汽车自动驾驶及智能座舱瞬时开机;实现工业自动化产线高效调度与实时处理，保障控制系统稳定响应，满足高精度智能制造场景要求。　　数据可靠性：集成4K LDPC纠错引擎、端到端数据保护及RAM ECC，结合宽温支持与严苛测试，确保恶劣工业环境下数据安全与系统稳定。　　按需定制，广泛兼容：针对数据高保密性场景，提供特定加密算法、安全启动支持功能以及S.M.A.R.T.监控;支持与多类型操作系统的深度兼容性优化，提升整体系统性能。　　自主封装+测试+制造，造就严苛品控与敏捷交付　　佰维成熟掌握 BGA 封装设计和工艺技术，确保产品拥有良好的电气性能、信号完整性、热管理能力。依托佰维在测试设备硬件开发、测试算法研究以及自动化测试平台建设的全栈测试能力，对BGA SSD执行严格的工业级可靠性测试，如长时间高温老化、温度循环冲击及振动测试，有效保障产品的高稳定性和高良率。　　佰维实现了从研发设计、封装测试到生产制造的垂直整合，不仅建立了完善的品控体系，也大幅提升了生产效率与交付保障能力。依托公司在供应链资源上的深度整合与快速响应机制，佰维能够确保稳定的产能输出和高效的交付节奏，同时灵活支持客户的小批量定制化需求，快速适配特定应用场景，助力边缘智能与工业系统实现高效部署与持续创新。　　佰维特存总经理彭鹏：“设备微型化趋势日益明显，还要对性能提升和功耗形成良好的平衡，这对存储产品的综合集成能力以及厂商的技术深度都带来了更大的考验。佰维持续投入工业级存储的研发与创新，不仅具备芯片设计+固件算法+硬件设计的开发能力，更拥有先进封装技术与自主生产能力，从产品选型、封装设计到制造交付的全链路环节，我们都实现了严格的过程控制与品质管理，确保每一颗芯片都能精准匹配客户在边缘计算、AIoT等高性能场景下的复杂需求。”

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佰维存储

发布时间：2025-08-04 11:16 阅读量：681 继续阅读>>

应能微：车载无线终端T-BOX E<span style='color:red'>SD</span>&EOS解决方案

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应能微：车载无线终端T-BOX ESD&EOS解决方案

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应能微

发布时间：2025-07-31 11:35 阅读量：369 继续阅读>>

纳芯微发布N<span style='color:red'>SD</span>7315系列H桥直流有刷电机驱动芯片

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纳芯微发布NSD7315系列H桥直流有刷电机驱动芯片

　　纳芯微今日宣布推出NSD7315系列大电流H桥驱动芯片，具备40V耐压能力与10A峰值输出电流，支持硬件和软件SPI两种输入接口版本，该系列芯片支持1路H桥或者2路半桥配置，可直接驱动1路直流有刷电机或2路电磁阀等负载。　　NSD7315-Q1车规版本适用于多种汽车应用场景，包括车身电子锁、发动机控制系统中的电子节气门、废气再循环、分流阀，以及空气悬架CDC等应用。NSD7315工规版本也可应用于自动升降桌、电动窗帘、扫地洗地机等消费类设备。新推出的NSD7315是对纳芯微现有的NSD73xx系列H桥驱动产品在大电流方向上的进一步拓展。　　产品特性　　满足AEC-Q100 grade 1: –40°C~125°C TA(车规版本)　　工作电压：4.5V~35V (40V耐压) ，输出电流：10A (峰值)　　超低内阻 Rds(on) (上管+下管)：150mΩ @TJ = 25°C, 13.5V　　集成电流采样功能：比例电流输出(IPROPIx)　　集成可配置的电流调节功能　　可配置的控制模式：PH/EN，PWM(IN1/IN2) 和独立半桥控制　　输出上升/下降时间压摆率可配置，优化降低EMI性能　　低功耗模式：静态电流3μA @TJ = 25°C, 13.5V　　SPI 和硬件接口选择：　　– SPI接口：NSD7315S-Q1　　– 硬件接口：NSD7315H-Q1　　先进保护和智能诊断功能：电源欠压保护，电荷泵欠压，过流保护，负载开路检测，过热关断与过热预警，故障状态输出(nFAULT/SPI)　　大电流，低温升，具备出色带载能力　　NSD7315上下管总导通电阻仅为150mΩ，峰值输出电流可达10A，能够为汽车有刷电机、阀门泵类及工业电机提供大扭矩带载能力。即使在高温环境下，也具备较低且稳定的温升表现，运行持久可靠。　　在半桥模式下，带载持续输出2A电流，环境温度为25℃，芯片温升稳定在24.4℃。带载持续2A电流时的芯片温升　　在全桥模式下，带载持续输出5A电流，环境温度为25℃，芯片温升稳定在125°度，未触发过温保护。带载持续5A电流时的芯片温升　　灵活设置输出压摆率，有效平衡大电流驱动中的温升与EMI挑战　　在电机等负载驱动中通常采用硬开关方式，而大电流驱动会带来显著的电流变化率(△I/△T)，进而产生较大的电磁干扰(EMI)(如下图所示)。若芯片输出的压摆率固定且较慢，会导致内部MOS开关损耗增加，导致温度升高。因此，如何在满足EMI性能的同时控制温升，是大电流驱动应用中的一大难点。　　NSD7315支持根据不同负载和不同输入PWM频率，来灵活设置输出的上升/下降Slew Rate，同步配置死区时间，方便工程师在不更改硬件设计的前提下，通过软件(SPI版本)或者SR管脚(HW版本)来优化温升和EMI性能。　　内部集成电流采样和电流调节，减少系统面积和成本　　NSD7315集成电流采样功能，无需外部功率采样的电阻和电流运放即可实现电流检测。通过IPROPIx管脚，可按1/1100的比例输出每个半桥上管MOS的正向导通电流(即从Drain到Souce端的电流)。若将IPROPI1和IPROPI2管脚连接在一起，则输出电流为两个上管的正向电流之和(如下图所示)。NSD7315内置电流镜　　同时，NSD7315还集成了电流调节功能，当输出电流超过内部设定的电流阈值时，芯片会自动执行限流功能，以防止在电机启动或堵转等工况下出现过大负载电流，从而避免芯片过热和电机损坏。　　具备负载开路诊断功能，精准定位反馈故障，无需人工排查　　NSD7315支持输出端负载开路诊断功能，可在驱动芯片待机模式和工作模式下分别检测负载状态，帮助系统在电机运转前或运行中及时发现异常，提升系统可靠性。该功能支持两种检测模式：待机模式检测(OLP)和工作模式检测(OLA)。　　待机模式下的负载开路检测(OLP)：芯片通过依次使能内部的上拉和下拉电流源，测量流经内部上/下拉电阻的电压，并与内部比较器的电压阈值进行比对，从而判断输出是否存在开路。　　工作模式下的负载开路检测(OLA)：芯片通过检测死区时间内高边续流MOS管体二极管的导通压降，并与固定的VOLA电压阈值比较，实现实时开路检测。　　OLA模式检测电路　　封装与选型　　纳芯微H桥直流有刷电机驱动NSD7315系列现已全面量产，作为NSD73xx系列的重要拓展，该系列具备良好的通用性与可靠性，适用于多种典型负载需求。NSD7315系列的推出，进一步完善了纳芯微在电机驱动领域的产品布局，为客户提供更高集成度与系统适配性解决方案，助力终端产品快速落地。NSD73xx系列选型表

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纳芯微

发布时间：2025-07-30 10:50 阅读量：533 继续阅读>>

上海雷卯电子：近场通信NFC接口防静电E<span style='color:red'>SD</span>

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上海雷卯电子：近场通信NFC接口防静电ESD

　　上海雷卯EMC小哥针对NFC接口静电保护，推出了ESD器件和保护方案：ULC1811CDN 满足18V的低容参数需求，而且VC箝位电压低，电容超低，可保护NFC接口天线的有效使用。　　近场通信(Near Field Communication，NFC)是一种短距离无线通信技术，通过将两个设备的NFC芯片靠近，实现数据的传输和共享。NFC技术基于射频识别(RFID)技术，运行在13.56MHz的无线频段。NFC设备通常包括两种模式：卡模式和读写模式。在卡模式下，NFC设备可以作为一个被动的卡片，用于支付、门禁控制、公交卡等应用。在读写模式下，NFC设备可以主动读取或写入其他NFC设备中的数据。NFC技术的特点：短距离通信、快速传输、简便易用、兼容性广泛。　　1. NFC设备接口的特点　　NFC设备接口通常工作在低电压和高频率的环境下，因此，选择合适的TVS/ESD二极管需要考虑以下几个因素：　　1、低电压响应：选择具有低电压响应特性的TVS/ESD二极管，以确保在低电压下也能起到保护作用。　　2、快速响应时间：选择具有快速响应时间的TVS/ESD二极管，以能够迅速抑制瞬态过电压和静电放电。　　3、低电容：选择具有低电容的TVS/ESD二极管，以避免对NFC信号的干扰。　　2.注意TVS/ESD二极管的安装和布局　　为了确保TVS/ESD二极管发挥最佳的保护作用，需要注意以下几点：　　· 尽量靠近NFC设备接口的位置安装TVS/ESD二极管，以最大程度地减少静电放电和过电压对设备接口的影响。　　· 使用封装良好的二极管，以防止外部环境对其造成损害。　　· 采用合适的布局，确保电路的地线和信号线布线合理。

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雷卯电子

发布时间：2025-07-23 11:01 阅读量：452 继续阅读>>

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上海雷卯电子：如何选择合适电容值的ESD二极管

　　作为一名关注通信接口和电子元器件的专业人士，你一定对ESD(Electrostatic Discharge)二极管非常感兴趣。让上海雷卯电子和AMEYA360带你来了解一下ESD二极管是什么，以及如何选择合适电容值的ESD二级管吧。　　ESD二极管，也被称为静电保护二极管，是一种用于保护电子元器件免受静电放电(ESD)损害的器件。静电放电是一种常见的电磁干扰源，可能对通信接口和其他电子设备造成严重的损坏。ESD二极管能够迅速响应并吸收静电放电，将其引导到地线，保护接口和其他电路免受损害。　　在选择合适的电容值ESD管时，需要考虑以下几个因素：　　1. 通信接口的速率和带宽：不同速率和带宽的通信接口对ESD保护的要求不同。较高速率的接口可能需要更低的电容值，以确保快速的信号传输和响应。　　2. 接口的电气特性：了解通信接口的特性阻抗、信号电平以及信号线的布局等，有助于选择合适的ESD管电容值。经过仔细计算和模拟，可以确定最佳的电容值范围。　　3. ESD保护需求：根据应用场景和系统对ESD保护的需求，选择适当的电容值。一般情况下，较高的电容值可能增加对信号传输的影响。　　上图这颗是低容值ESD ，可以用在高速通讯接口上。　　通过综合考虑以上因素，可以选择适合特定通信接口的合适电容值的ESD管。此外，与供应商和技术专家的交流也是非常重要的，他们能够提供更具体的建议和指导。　　保护通信接口免受ESD损害是确保系统稳定性和可靠性的关键。通过选择合适电容值的ESD管，我们能够提供可靠的ESD保护，确保通信接口的正常工作，同时保护其他电子元器件免受静电放电的危害。

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上海雷卯电子

发布时间：2025-07-18 11:34 阅读量：349 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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