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意法半导体VI<span style='color:red'>Power</span>全桥电机驱动器配备实时诊断功能简化车规电驱系统设计，降低系统成本

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意法半导体VIPower全桥电机驱动器配备实时诊断功能简化车规电驱系统设计，降低系统成本

　　意法半导体VNH9030AQ集成化全桥直流电机驱动器适用于功能安全应用等多种汽车用途，不仅集成了先进的诊断功能，还配备了显示实时输出状态的专用引脚，减少了对外部电路的需求，降低了物料成本。　　VNH9030AQ每个桥臂的导通电阻RDS(on)为30mΩ，能够高效处理中低功率直流电机驱动应用，例如，车门控制模块、清洗泵、电动尾门、电动行李箱、座椅调节器等。　　片上集成的无耗散功耗的电流检测电路监测流过芯片的电流，辨别电机的每个相位，提高驱动器的整体能效，节省外部元器件。在整个工作温度范围内，驱动器能够保持很低的待机功耗，降低了驱动器在区域控制器平台中的应用难度。　　VNH9030AQ集成了高低边MOSFET开关管以及栅极驱动器、诊断功能，以及瞬态过压、欠压、短路保护功能和交叉导通预防功能。MOSFET可以并联或串联的配置灵活性使其适用于多电机系统或其他特定需求。　　该新产品属于采用意法半导体VIPower M0-9技术的产品家族，该技术可以高效单片集成功率级和逻辑电路。全系产品均采用创新的增强散热性能的6mm x 6mm三焊盘QFN封装，以优化驱动器底部散热效率。此外，全系产品还共用引脚排列，以简化电路板布局和软件二次使用。

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意法半导体

发布时间：2025-03-13 10:50 阅读量：459 继续阅读>>

瑞萨和Altium联合推出“Renesas 365 <span style='color:red'>Power</span>ed by Altium”——软件定义产品的突破性行业解决方案

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瑞萨和Altium联合推出“Renesas 365 Powered by Altium”——软件定义产品的突破性行业解决方案

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)，与全球先进电子设计软件供应商Altium，共同宣布推出“Renesas 365 Powered by Altium”(以下简称“Renesas 365”)，一款电子行业开创性解决方案，旨在优化电子开发从芯片选型到系统生命周期管理的全流程。这一变革性解决方案将在3月11日至13日于德国纽伦堡国际嵌入式展5-371号展位亮相，并预计将于2026年初上市。　　此次Renesas 365的发布标志着瑞萨电子收购Altium后的重要里程碑，突显了双方技术融合所带来的变革性潜力。基于Altium 365平台打造的Renesas 365，旨在消除低效环节、实现团队协同、促进解决方案的探索并确保数字连续性，从而加速开发进程，赋能工程师打造更优质、更智能的产品。　　引领电子系统创新的未来　　Renesas 365将致力于解决电子行业长期存在的挑战。嵌入式系统开发通常面临元器件查找手工化、文档碎片化以及团队协作壁垒的问题。Renesas 365通过将Altium先进云平台有机结合瑞萨全面的产品组合，包括嵌入式计算、模拟与连接以及电源，来应对这些挑战。通过将硬件、软件和生命周期数据整合到统一的数字环境来优化工作流程，加快产品上市，确保数字化可追溯性与实时洞察，并改善从概念到部署的整个决策过程。　　Hidetoshi Shibata, CEO of Renesas表示：“Renesas 365的推出是实现瑞萨数字化愿景的重要里程碑。我们希望通过与Altium共同创建电子系统设计和生命周期管理平台，使更广泛的市场能够轻松进行电子设计，从而激发出更多创新。瑞萨在嵌入式半导体解决方案方面的专业能力，结合Altium在电子设计和协同领域的经验，将共同打造这一款开创性的行业解决方案。Renesas 365将彻底改变智能互联电子系统的设计、开发与持续优化方式。”　　五大核心支柱　　Renesas 365基于五大相互关联的解决方案支柱构建而成，确保在整个产品生命周期内实现无缝的系统级集成以及持续的数字连接：　　- Silicon – 作为现代电子解决方案的基础，Renesas 365确保每一颗芯片都为应用做好准备，并针对软件定义产品进行优化。无论是针对超低功耗的物联网设备，还是对性能要求极高的AI驱动应用，Renesas 365所提供的芯片都能与整体系统无缝集成。　　- Discover – Powered by Altium，元器件寻源门户不仅可以帮助工程师快速查找元件，还能从瑞萨电子全面的产品阵容中找到完整的解决方案，从而加速系统设计并提高准确性。　　- Develop – Powered by Altium，电子产品协同开发平台可以提供一个多领域的基于云的开发环境，从而确保硬件、软件和机械团队之间实现实时协作。　　- Lifecycle – Powered by Altium，全生命周期管理方案建立了持久的数字可追溯性，以实现无缝流畅的无线(OTA)更新，并确保从概念到部署的合规性和安全性。　　- Software – 提供AI优化开发工具，确保软件定义系统能够满足现代应用的需求。　　面向下一代电子创新　　Renesas 365旨在推动下一代电子产品创新，与新兴的行业趋势紧密结合。通过提供统一的软件框架来适应软件定义系统从低算力到高算力的多样化需求;配备了支持AI的开发工具，赋能边缘设备实现实时、低功耗的AI推理;同时具备先进的安全性、合规性追踪以及自动化无线(OTA)更新功能，以确保从设计到部署的全生命周期安全管理。　　树立行业新标准：连接芯片与系统　　Renesas 365不仅是一项技术革新，更是电子行业数字化转型的重要一步，它弥合了芯片与系统开发之间的鸿沟。通过确保无缝协作、实时决策和持续的系统上下文，瑞萨和Altium将重新定义电子系统在互联世界中的设计、开发与持续优化方式——从芯片选型到完整的系统实现。

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瑞萨

发布时间：2025-03-07 10:34 阅读量：812 继续阅读>>

罗姆的EcoGaN™被村田制作所Murata <span style='color:red'>Power</span> Solutions的AI服务器电源采用

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罗姆的EcoGaN™被村田制作所Murata Power Solutions的AI服务器电源采用

　　～650V耐压、TOLL封装的GaN HEMT有助于进一步提高电源效率～全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN™产品GaN HEMT，被先进的日本电子元器件、电池和电源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI(人工智能)服务器电源采用。罗姆的GaN HEMT具有低损耗工作和高速开关性能，助力Murata Power Solutions的AI服务器5.5kW输出电源单元实现小型化和高效率工作。预计该电源单元将于2025年开始量产。　　近年来，随着AI(人工智能)和AR(增强现实)等在IoT领域的发展，数据通信量在全球范围内呈现持续增加趋势。其中，据说使用AI进行一次查询所消耗的电量比普通的网页搜索要高数倍，这就迫切需要为处理这些查询的高速运算设备等供电的AI服务器电源进一步提高效率。另一方面，具有低导通电阻和高速开关特性的GaN器件因其有助于电源的高效率工作和外围元器件(如电源电路中使用的电感器等)的小型化而备受瞩目。　　Murata Power Solutions Technical Fellow Dr. Joe Liu表示：“很高兴通过使用罗姆的GaN HEMT，使我们能够设计出具有更高效率和更高功率密度的AI服务器电源单元。利用GaN HEMT的高速开关工作、低寄生电容以及零反向恢复特性，可将对开关损耗的影响控制到最小，还可提高开关转换器的工作频率并削减磁性元器件的尺寸。罗姆的GaN HEMT在性能方面非常具有竞争力，且可靠性也很高，用在我们的AI服务器5.5kW输出电源单元中，取得了非常好的效果。未来，我们将通过继续与在功率半导体领域优势显著的罗姆合作，努力提高各种电源的效率，为解决电力供需紧张的社会课题贡献力量。”　　罗姆 LSI事业本部 Power Stage产品开发部部长山口雄平表示：“罗姆的EcoGaN™能够被电源领域的全球领导者Murata Power Solutions的AI服务器电源单元采用，深感荣幸。这次采用的GaN HEMT具有行业先进的开关性能，而且使用的是散热性优异的TOLL封装，有助于Murata Power Solutions的电源单元实现更高功率密度和更高效率。另外，在“通过电子产品为社会做贡献”方面，Murata Power Solutions与罗姆的经营愿景一致，我们希望未来也继续与村田制作所合作，双方共同促进电源的小型化和效率提升，并为人们丰富多彩的生活贡献力量。　　关于Murata Power Solutions的AI服务器电源单元　　Murata Power Solutions的AC-DC电源“1U前端”系列包括高功率密度Short Version的M-CRPS封装3.2kW电源“D1U T-W-3200-12-HB4C”(输出12V版)和“D1U T-W-3200-54-HB4C”(输出54V版) ，另外还新增了AI服务器用的5.5kW“D1U67T-W-5500-50-HB4C”等产品。Murata Power Solutions的前端电源的转换效率很高，可以满足80 Plus Titanium和开放计算产品的最严格要求;还支持N+M冗余工作，可提高系统的可靠性，因此也适合为最新的GPU服务器供电。不仅能够为服务器、工作站、存储系统和通信系统提供可靠性高且效率高的电力，而且其低矮的1U尺寸还有助于削减系统面积。　　关于罗姆的EcoGaN™　　EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。　　・EcoGaN™是 ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　与本文有关的罗姆官网页面　　・关于650V耐压的TOLL封装GaN HEMT(2025年2月发布时的新闻稿)　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2025-02-13_news_gan&defaultGroupId=false　　・关于罗姆的GaN功率器件(EcoGaN™产品介绍)　　https://www.rohm.com.cn/products/gan-power-devices　　关于村田制作所　　村田制作所是一家全球综合电子元器件制造商，主要从事以陶瓷为基础的电子元器件的开发、生产和销售。致力于通过自主开发并积累的材料开发、流程开发、产品设计、生产技术、以及支持它们的软件和分析、评估等技术基础，村田制作所创造出独具创新的产品，为电子社会的发展做出贡献。　　了解更多信息，请访问村田制作所官网(https://corporate.murata.com/zh-cn/)。　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。　　在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。　　了解更多信息，请访问罗姆官网(https://www.rohm.com.cn/)。

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罗姆

发布时间：2025-02-26 09:24 阅读量：780 继续阅读>>

Murata <span style='color:red'>Power</span> Solutions MPS隔离式直流-直流转换器

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Murata Power Solutions MPS隔离式直流-直流转换器

　　Murata Power Solutions MPS隔离式直流-直流转换器可将36VDC 至75VDC 输入转换为隔离式稳压12VDC/17A输出。这些高效的200W器件具有全面的过流、过热和过压故障保护功能，并通过了UL、IEC和其他安全认证。其他特性包括优化的散热性能、高达95%的高效率、远程开/关使能以及输出调整。Murata Power Solutions MPS隔离式直流-直流转换器符合RoHS指令，采用行业标准1/16砖格式(带或不带基板)封装。典型应用包括以太网供电 (POE)、电信、工业和服务器、存储和网络 (SSN)。　　特性　　*36 V 到 75 V 的输入电压范围　　*稳压12VDC/17A输出　　*行业标准1/16砖，带基板(可选)　　*经过优化的散热性能　　*效率高达95%　　*过流、过热和过压保护　　*远程开/关使能(负逻辑)　　*输出调整(-20%、10%)　　*2250VDC 隔离(输入至输出)　　*符合RoHS标准　　*安全认证　　》UL 62368-1第3版　　》IEC 62368-1:2018　　》CSA-C22.2第62368-1-19号　　》通过CE和UKCA认证　　应用　　》PoE　　》SSN　　》电信　　》工业

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Murata

发布时间：2024-06-17 16:58 阅读量：1011 继续阅读>>

村田<span style='color:red'>Power</span> Solutions MPQ600四分之一砖隔离式直流-直流转换器

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村田Power Solutions MPQ600四分之一砖隔离式直流-直流转换器

　　Murata Power Solutions MPQ600四分之一砖隔离式直流-直流转换器设有 PMBus接口，设计用于射频功率放大器 (RFPA) 应用。这些600W板装式器件的输入电压范围为36VDC至75VDC，可调输出电压范围为14V至35V，在48Vin满载时效率高达96.5%。集成基板可用于在闭合盒或空气冷却系统应用中优化热性能，同时提供2250VDC输入至输出隔离，采用基本绝缘系统。保护功能包括输入欠压、过流、过热和短路。Murata Power Solutions MPQ600四分之一砖隔离式直流-直流转换器设计用于让硬件工程师能够灵活地满足严苛的RFPA系统设计计划。　　特性　　行业标准四分之一半砖封装　　用于冷却优化的基板　　输入欠压、过流、过热和短路保护　　PMBusTM 1.2接口　　黑匣子存储的数据　　电源良好信号　　远程开/关控制　　符合RoHS指令　　应用　　RFPA　　消费类设备　　工业设备　　基站　　规范　　输入范围：36V至75V（48V标称值）　　连续输出：28V（21.5A时）　　14V至35V可调输出电压　　效率高达96.5%　　2250VDC输入/输出隔离

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发布时间：2023-09-14 10:35 阅读量：1247 继续阅读>>

航顺HK32C030家族，给便携式充电枪产品提供可靠“芯”<span style='color:red'>Power</span>

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航顺HK32C030家族，给便携式充电枪产品提供可靠“芯”Power

　　充电枪是新能源汽车充电设施中最重要的连接设备，承担着为汽车电池包充电，为车体提供续航动力的角色。其中，便携式充电枪具有体积小、质量轻、充电灵活等优势，未来有望成为充电枪市场主流产品。　　2022年《车载电器产品第2部分：便携式充电枪》团体标准正式获批立项，该标准对便携式充电枪的环境适应性、安全保护功能等方面进行了严格规定。在此背景下，我国便携式充电枪行业将逐渐往规范化方向发展。　　便携式充电枪需要什么样的MCU？　　便携式充电枪一般由家用供电插头（连接固定插座）、充电枪头、控制保护盒、线缆、连接车体的车辆连接器等部件组成。其内部主要控制模块（IC-CPD）集成了供电控制、控制引导、漏电保护、显示充电过程的实时状态和温度控制等多种功能。MCU是这个控制模块的核心元件，承担着充电枪的功能运行逻辑和运算的中央处理器，通讯和协同工作的指挥中心，实现各个IC模块之间的交互，集成了内存、串口、计数器、A/D转换器、DMA等接口，计算电压、电流，产生继电器以及LED灯等器件的驱动信号。所以，便携式充电枪产品对MCU的要求极高，不仅要求充电安全可靠，即在复杂不稳定的市电环境下也可稳定运行，同时，还需要满足低功耗高效率。　　全新主流型HK32C030家族，性能升级性价比更优　　航顺芯片全新主流级MCU HK32C030家族，凭借优异的性能和超高性价比已量产应用于各主流便携式充电枪产品中，为终端产品提供可靠“芯”Power——　　高兼容性，与HK32F030家族有着较好的软硬件兼容性，是主流型HK32F030系列的全新升级版。　　性能升级，有着64MHz的主频、64 KB的Flash和10 KB的SRAM，HK32C030家族支持DMA功能，支持除法开方计算，集成了硬件除法开方运算单元，能提高软件处理能力并且更快地响应外部事件。　　高可靠性，基于更高的工艺水平和丰富的生产经验，以确保产品性能稳定与安全可靠，让用户能够有着更好的使用体验，同时也为客户在选型时提供了更多优质的选择。　　低功耗，拥有多种低功耗模式，并支持动态调节主频和电压。在正常运行模式下，功耗仅为150uA/MHz，在深度睡眠模式下，功耗仅为1uA。　　HK32C030产品特性图　　随着新能源市场和充电技术不断发展，便携式充电枪MCU产品将在未来的市场中占据越来越重要的地位。我们坚信，通过不断创新和优化，HK32MCU产品将为客户带来更多的价值。　　在未来的发展中，航顺芯片将紧密关注行业动态，紧跟市场需求，为客户提供更加完善的解决方案。我们将继续投入研发资源，提升产品性能，降低成本，以满足不断变化的市场需求。同时，我们将加强与合作伙伴的沟通与合作，共同推动行业的发展。

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发布时间：2023-09-12 15:12 阅读量：1549 继续阅读>>

意法半导体宣布开始量产<span style='color:red'>Power</span>GaN器件

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意法半导体宣布开始量产PowerGaN器件

　　意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。　　该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外，3nC和5.4nC的总栅极电荷和低寄生电容确保晶体管具有最小的导通/关断能量损耗。开尔文源极引脚可以优化栅极驱动。除了减小电源和适配器的尺寸和重量外，两款新GaN晶体管还能实现更高的能效、更低的工作温度和更长的使用寿命。　　在接下来的几个月里，意法半导体将推出新款PowerGaN产品，即车规器件，以及更多的功率封装形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。　　意法半导体的G-HEMT器件将加速功率转换系统向GaN宽带隙技术过渡。GaN晶体管的击穿电压和导通电阻RDS(on)与硅基晶体管相同，而总栅极电荷和寄生电容更低，且无反向恢复电荷。这些特性提高了晶体管的能效和开关性能，可以用更小的无源器件实现更高的开关频率，提高功率密度。因此应用设备可以变得更小，性能更高。未来，GaN还有望实现新的功率转换拓扑结构，进一步提高能效，并降低功耗。　　意法半导体PowerGaN分立器件的产能充足，能够支持客户快速量产需求。SGT120R65AL 和SGT65R65AL现已上市，采用PowerFLAT 5x6 HV封装。

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发布时间：2023-08-07 14:11 阅读量：2539 继续阅读>>

村田Murata <span style='color:red'>Power</span> Solutions 3000D表面贴装功率电感器

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村田Murata Power Solutions 3000D表面贴装功率电感器

　　Murata Power Solutions 3000D表面贴装功率电感器具有高达80A的额定电流和90nH至155nH的电感范围，采用薄型设计。这些电感器抑制高频大电流开关电源、直流-直流转换器、直流-交流逆变器和VRM中的噪声。3000D系列电感器具有湿度灵敏性等级(MSL)1，可承受J-STD-020标准规定的+245°C回流焊峰值温度。Murata Power Solutions 3000D表面贴装功率电感器的工作温度范围为-40°C至+125°C。　　特性　　薄型、表面贴装设计　　电感范围：90nH至155nH　　额定电流：高达80A　　温度范围：-40°C至+125°C　　无卤　　符合RoHS指令　　应用　　大电流开关电源　　直流-直流转换器　　直流-交流逆变器　　VRM　　机械尺寸：

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发布时间：2023-07-31 11:11 阅读量：2476 继续阅读>>

ROHM开发出EcoGaN™ <span style='color:red'>Power</span> Stage IC

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ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC

ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！【通过替换现有的Si MOSFET，可将器件体积减少约99%，功率损耗减少约55%】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源* 1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而，与Si MOSFET相比，GaN HEMT的栅极处理很难，必须与驱动栅极用的驱动器结合使用。在这种市场背景下，ROHM结合所擅长的功率和模拟两种核心技术优势，开发出集功率半导体——GaN HEMT和模拟半导体——栅极驱动器于一体的Power Stage IC。该产品的问世使得被称为“下一代功率半导体”的GaN器件轻轻松松即可实现安装。新产品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能够更大程度地激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。另外，新产品支持更宽的驱动电压范围（2.5V～30V），拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能，因此可以替换现有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET*3／以下简称“Si MOSFET”）。与Si MOSFET相比，器件体积可减少约99%，功率损耗可降低约55%，因此可同时实现更低损耗和更小体积。新产品已于2023年6月开始量产；另外，新产品及对应的三款评估板（BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003）已开始网售，在Ameya360电子元器件平台可购买。＜产品阵容＞新产品支持更宽的驱动电压范围（2.5V～30V），而且传输延迟短、启动时间快，因此支持一次侧电源中的各种控制器IC。＜应用示例＞适用于内置一次侧电源（AC-DC或PFC电路）的各种应用。消费电子：白色家电、AC适配器、电脑、电视、冰箱、空调工业设备：服务器、OA设备＜电商销售信息＞电商平台：Ameya360＜产品信息＞产品型号：BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB＜评估板信息＞评估板型号：BM3G007MUV-EVK-002（PFC 240W）BM3G007MUV-EVK-003BM3G015MUV-EVK-003＜什么是 EcoGaN™＞EcoGaN™是通过更大程度地发挥 GaN 的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的 ROHM GaN 器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。・EcoGaN™是 ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。＜术语解说＞*1) 一次侧电源在工业设备和消费电子等设备中，会通过变压器等对电源和输出单元进行隔离，以确保应用产品的安全性。在隔离部位的两侧，电源侧称为“一次侧（初级）”，输出侧称为“二次侧（次级）”，一次侧的电源部位称为“一次侧电源”。*2) GaN HEMTGaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si（硅）相比，具有更优异的物理性能，目前，因其具有出色的高频特性，越来越多的应用开始采用这种材料。HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。*3）Super Junction MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构上的不同又可细分为DMOSFET、Planar MOSFET、SuperJunction MOSFET等不同种类的产品。与DMOSFET和Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET在耐压和输出电流方面表现更出色，在处理大功率时损耗更小。

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ROHM

发布时间：2023-07-19 17:22 阅读量：787 继续阅读>>

村田Murata <span style='color:red'>Power</span> Solutions 5000A表面贴装共模扼流圈

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村田Murata Power Solutions 5000A表面贴装共模扼流圈

　　Murata Power Solutions 5000A表面贴装共模扼流圈具有51µH至4.7mH的电感范围和高达800mA的额定电流。这些扼流圈采用表面贴装设计，在需要信号线路滤波的情况下，共模噪声衰减高达100MHz。该系列采用UL 94V-0封装材料，符合J-STD-020回流焊标准。Murata Power Solutions 5000A表面贴装共模扼流圈适用于信号线路应用，工作温度范围为-40°C至+125° C。特性：　　*表面贴装设计　　*适用于信号线路应用　　*UL 94V-0封装材料　　*J-STD-020回流焊标准　　*IDC额定值：高达800mA　　*电感范围：51µH至4.7mH　　容差：+50%、-30%　　*工作温度范围：-40°C至+125°C　　*符合RoHS指令

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村田

发布时间：2023-07-07 16:50 阅读量：2534 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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