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太阳诱电：面向<span style='color:red'>AI服务器</span>的全新产品发布

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太阳诱电：面向AI服务器的全新产品发布

　　太阳诱电株式会社面向AI服务器的全新产品发布：0402英寸(1.0x0.5mm)实现静电容量22μF的基板内置型多层陶瓷电容器(以下简称“MLCC”)商品化，并开始量产。　　该产品是用于以AI服务器为首的信息设备的IC(注1)电源线的去耦(注2)用途的MLCC。　　由于与电路连接，内置于基板的部件在外部电极的平坦性等方面要求高精度。因此，本公司通过使外部电极形成技术等各种要素技术高度化，将0402英寸(1.0x0.5mm)实现22μF的内置基板对应的MLCC商品化。　　以AI服务器为首的具有高级信息处理能力的设备中，搭载了耗电量极高的IC。这种电源电路的去耦应用需要小型、大容量MLCC来应对大电流。　　此外，为了将电路损耗和噪声降到最小，将电源电路放置在IC附近非常重要。以往的电源电路配置在IC的周围，但内置在基板背面或IC正下方等更近配置的技术开发正在进行，特别是内置基板的MLCC与导线的连接，因此高精度的外部电极的MLCC不可或缺。　　因此，太阳诱电将外部电极形成技术等高度化，在0402英寸(1.0x0.5mm)的内置基板对应的MLCC中，将全球首个容量为22μF的MLCC商品化。　　今后将继续推进MLCC的产品开发，进一步实现大容量化等。　　■用途　　用于包括AI服务器在内的信息设备中的IC电源线去耦用途　　■术语解说　　(注1)IC：集成了电容器、晶体管、二极管、电阻等元件，具有各种功能的电子回路路。　　(注2)去耦：在IC等的电源线中，供给IC的动作所需的电，并且除去经由电源线进入的噪声等。

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太阳诱电

发布时间：2025-09-12 17:13 阅读量：347 继续阅读>>

永铭电子四大<span style='color:red'>AI服务器</span>核心电容方案全线亮相——国产电容，高效打造AI算力“稳定芯”基座

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永铭电子四大AI服务器核心电容方案全线亮相——国产电容，高效打造AI算力“稳定芯”基座

　　引言：AI驱动下的电容技术变革　　随着AI算力需求呈指数级增长，服务器系统的供电、存储、备份与主板稳定性面临前所未有的挑战。永铭电子作为国产高端电容技术领军者，针对服务器电源、BBU(备用电源)、主板、存储、四大核心场景，推出全系列高性能电容解决方案，全面取代TDK、松下、NCC、Rubycon等日系品牌，为AI基础设施注入“稳定基因”。　　一、服务器电源：高能量密度+高温稳定，能效突破95%+　　挑战：AI电源需在有限空间内承载千瓦级功率，对电容的可靠性、效率与温度特性要求极高。　　方案：　　输入端：液态牛角/插件电容(IDC3、LKF/LKL系列)，保障宽压输入稳定性;　　输出端：低ESR固态电容(NPC、VHT系列)+叠层高分子电容(MPD系列)，ESR低至3mΩ，损耗极低;　　· 优势：全系支持105℃-130℃高温，寿命2000-10000小时，助力电源效率突破95%+，功率密度提升20%以上。并且，我们已提供IDC3系列高性能牛角电容给全球领先的SiC/GaN方案商纳微半导体，并被采纳至4.5kW、8.5kW服务器电源。　　选型推荐：　　二、BBU备用电源：超级电容颠覆传统UPS，响应毫秒级+寿命100万次　　挑战：传统UPS响应慢、体积大、寿命短，无法满足AI服务器突发供电需求。　　方案：　　方形锂离子超级电容(SLF/SLM系列)：　　响应速度毫秒级，电压波动≤±1%;　　体积减少50%~70%，重量减轻50%~60%;　　循环寿命100万次，使用寿命6年以上;　　代表型号：SLF-3.8V-3500F(单体)、SLM-3.8V-28600F(模组);　　适用场景：AI服务器突发电流备份、机架空间优化、TCO降低。　　三、服务器主板：极致滤波+瞬态响应，为CPU/GPU供电保驾护航　　挑战：主板供电噪声直接导致AI芯片性能波动。　　方案：　　叠层高分子固态电容(MPS/MPD/MPU系列)：ESR低至3mΩ，抑制高频噪声;　　导电高分子钽电容(TPB/TPD系列)：响应速度提升10倍，匹配瞬时电流需求;　　高温固态电容(NPC/VPC/VPW系列)：105℃下寿命达2000-15000小时，电压波动控制在±2%以内;　　全系pin-to-pin兼容日系品牌，无缝取代。　　选型推荐：　　四、服务器存储：硬件级断电保护+高速读写稳定，守护数据资产　　挑战：NVMe SSD在高速读写与突发断电下面临数据丢失风险。　　方案：　　断电保护：高容量混合电容(NGY/NHT系列)+液态铝电解电容(LK/LKM系列)，提供≥10ms备份电力;　　读写滤波：叠层高分子电容(MPX/MPD系列)，ESR<10mΩ，电压波动≤±3%;　　优势：支持105℃-125℃高温，寿命4000-10000小时，兼容日系设计，可靠性达99.999%　　选型推荐：　　永铭四大方案核心共性优势　　全系高温支持：105℃~130℃宽温工作，适应严苛环境　　长寿命设计：2000~10000小时以上寿命，部分产品达100万次循环　　pin-to-pin兼容：直接取代日系品牌，无需修改设计　　国产取代首选：性能对标国际品牌，成本降低30%+　　定制化能力：支持容量、尺寸、电压等灵活定制　　展会现场行动指南　　时间：2025年9月9日-11日　　地点：北京·国家会议中心　　展位：C10(上海永铭电子)　　立即互动，锁定展会权益！　　如您有任何需求，可联系AMEYA360的客服告知您的应用场景，让永铭电容为您的AI系统注入“稳定·高效·国产”的芯动力！9月9-11日，北京国家会议中心C10展位，我们不见不散!

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永铭

发布时间：2025-09-09 09:25 阅读量：532 继续阅读>>

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应对AI算力瞬时浪涌！上海永铭锂离子超级电容为AI服务器BBU提供毫秒级供电保障

　　ODCC2025　　2025年ODCC开放数据中心峰会开幕在即，上海永铭电子股份有限公司将携新一代锂离子超级电容BBU解决方案亮相北京，致力于解决AI算力基础设施中高频、高功耗对供电系统提出的极致要求，为数据中心能源管理带来原创突破。　　服务器BBU解决方案-超级电容　　近期，英伟达官方将GB300服务器的备用电源(BBU)从“选配”全面升级为“标配”，单机柜新增超级电容与电池配置所带来的成本提升超万元，充分反映出其对供电“零中断”的刚性需求。在单GPU功率瞬态飙升至1.4千瓦、整机10千瓦级浪涌电流的极端工况下，传统UPS响应迟缓、循环寿命短，已难以胜任AI算力负载的毫秒级保障任务。一旦发生电压跌落，训练任务重启带来的经济损失远超电源投入本身。　　针对这一行业痛点，永铭电子推出基于锂离子超级电容技术(LIC)的新一代BBU解决方案，具备以下显著技术优势：　　1、超高功率密度，极大节约空间　　永铭LIC方案体积相比传统UPS减少50%～70%，重量减轻50%～60%，显著释放机架空间，支持高密度、超大规模AI集群部署。　　2、毫秒级响应与超长寿命　　工作温度范围宽达-30℃～+80℃，适应各种恶劣环境;循环寿命超过100万次，使用寿命长达6年以上，充电速度提升5倍，全生命周期TCO大幅降低。　　3、极致稳压，拒绝宕机　　毫秒级动态响应，电压波动控制在±1%以内，从根本上杜绝AI训练任务因电压暂降中断。　　应用案例　　特别在英伟达GB300服务器应用中，单机柜需部署多达252颗超级电容单元。永铭LIC模组(如SLF4.0V3300FRDA、SLM3.8V28600FRDA等)凭借高容量密度、极速响应和卓越可靠性，性能指标全面对标国际头部品牌，成为国内客户实现高端国产取代的首选。　　我们诚挚邀请您莅临永铭电子展位C10，深入了解锂离子超级电容在AI服务器BBU中的前沿应用，体验“毫秒响应、十年守护”的数据中心供电新标准。

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上海永铭

发布时间：2025-09-08 13:08 阅读量：745 继续阅读>>

<span style='color:red'>AI服务器</span>等高性能IT设备应用，村田推荐这款小型化、大容量、耐高温的0402英寸MLCC

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AI服务器等高性能IT设备应用，村田推荐这款小型化、大容量、耐高温的0402英寸MLCC

　　株式会社村田制作所开始量产尺寸仅为0402英寸(1.0×0.5mm)且容值为47µF的多层陶瓷电容器(MLCC)。该规格的产品是本公司初款、也是产业内抢先面世的小型化、大容值MLCC(本公司调查截止至2025年7月9日)。由于可在高至105°C的高温环境下使用，因此，该电容器可置于芯片附近，特别适合数据中心(包括AI服务器)在内的各种高性能IT设备，以及其它多种民用设备。　　点击图片，了解最高使用温度105°C、温度特性为X6S的GRM158C80E476ME01产品详情。　　近年来，包括AI服务器在内的各种可应用于数据中心的高性能IT设备的部署速度不断加快。由于这些设备搭载了许多元器件，因此需要在有限的电路板上实现效率较高的元器件布放;所以对于电容器，除了需要满足小型化和大容量化的需求外，还需要满足能够在电路板或芯片发热导致的高温环境下稳定使用的高可靠性要求。　　为了满足这些需求，村田通过开发专有的陶瓷介电层及内部电纤薄层化技术，开始量产业内抢先面世的尺寸仅为0402英寸而最大容值则可高至47µF的突破性MLCC产品：　　相比于容值同为47µF的村田过往产品(0603英寸)，本产品的实装面积减少了约60%。　　此外，与尺寸同为0402英寸的村田过往产品(22µF)相比，本产品的容值提升约2.1倍。　　更重要的是，由于可在最高105°C的高温环境下使用，因此可以将本产品置于芯片附近，有助于提升客户产品及设备的性能。　　规格　　主要特长　　小型化0402英寸且电容值可达47µF的多层陶瓷电容器(MLCC)业内抢先实现量产　　可在最高105°C的高温环境下使用，因此可以将该电容器置于芯片附近　　可用于多种民用设备，如数据中心(包括AI服务器)在内的各种高性能IT设备　　村田今后将继续推进多层陶瓷电容器的小型化、容量扩大及高温耐受性的提升，并致力于扩充产品组合来满足市场需求，并为电子设备的小型化、高性能化和多功能化做出贡献。

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村田电子

发布时间：2025-07-23 13:03 阅读量：548 继续阅读>>

极海G32R501双向数字电源解决方案赋能<span style='color:red'>AI服务器</span>及电源应用创新

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极海G32R501双向数字电源解决方案赋能AI服务器及电源应用创新

　　6月26日，Big-Bit商务网主办的2025中国电子热点解决方案创新峰会在东莞召开，峰会以“核心智变、能效跃迁”为主题，聚焦光储充、800V超充、AI服务器、BMS、智能汽车照明与汽车中小电机电控应用。　　峰会期间，珠海极海半导体有限公司(以下简称“极海”)携芯片级解决方案亮相现场展区，包含：48V/50A双向电源、800W一拖二微型逆变器、低压无感双电机、交流充电桩、UPS电源、6.6kW双向OBC、ADB前灯控制模块、汽车尾灯、电动车钠离子电池保护板等。　　同时，在“AI服务器与电源技术创新研讨会”分论坛上，极海高级市场经理Evan Zhao发表了题为《极海G32R501双向数字电源解决方案赋能AI服务器及电源应用创新》的主题演讲。他在演讲中指出：随着人工智能算力需求不断增长，AI服务器在数据处理和模型训练中变得尤为关键; 与此同时，行业对电源管理提出高效、绿色、智能等更高要求，传统电源难以再满足需求。而极海G32R501双向数字电源量产级参考方案，符合80 Plus钛金能效标准，凭借高效率、高可靠、高转换率、低噪声和高性价比等优势，有助于提升AI服务器及电源的性能与能效，加速行业的应用创新与突破。　　G32R501双向数字电源量产级参考方案　　搭载单颗G32R501实时控制双核MCU作为主控芯片，方案采用两相交错的图腾柱PFC和LLC谐振变换器，结合传统硅MOSFET，实现两级变换器双向软开关及同步整流技术;支持高效能量转换，整流/逆变模式峰值效率>96.5%，额定工作效率>96%，各工况效率完全符合80 Plus钛金能效标准;同时配备全面的输入/输出保护和软启动功能，可广泛适用于通信电源、AI服务器电源、便携式储能、以及砖模块电源等应用中。

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发布时间：2025-06-30 11:51 阅读量：740 继续阅读>>

ROHM开发出适用于<span style='color:red'>AI服务器</span>48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

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ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

　　~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，被全球知名云平台企业认证为推荐器件~　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)于6月3日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。　　RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不断增长，可以轻松替代现有产品。另外，新产品同时实现了更宽SOA范围*3( 条件：VDS=48V、Pw= 1ms/10ms) 和更低导通电阻(RDS(on))*4，由此既可确保热插拔(电源启动)工作时的更高产品可靠性，又能优化电源效率，降低功耗并减少发热量。　　为了兼顾服务器的稳定运行和节能，热插拔电路必须具有较宽的SOA范围，以承受大电流负载。特别是AI服务器的热插拔电路，与传统服务器相比需要更宽的SOA范围。RY7P250BM的SOA在脉宽10ms时可达16A、1ms时也可达50A，实现业界超优性能，能够应对以往MOSFET难以支持的高负载应用。　　RY7P250BM是具有业界超宽SOA范围的MOSFET，并且实现了更低导通电阻，从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。具有宽SOA范围的普通8×8mm尺寸100V耐压MOSFET的导通电阻绝大多数约为2.28mΩ ，而RY7P250BM 的导通电阻则降低了约18% —— 仅有1.86mΩ ( 条件： VGS=10V 、ID=50A 、 Tj=25℃)。这种低导通电阻有助于提升服务器电源的效率、减轻冷却负荷并降低电力成本。　　与此同时，RY7P250BM还被全球知名云平台企业认证为推荐器件，预计未来将在AI服务器领域得到更广泛的应用。在注重可靠性与节能的服务器领域中，RY7P250BM更宽SOA范围与更低导通电阻的平衡在云应用中得到了高度好评。　　新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格800日元/个，不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂)，后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过电商平台均可购买。　　未来，ROHM将继续扩大适用于服务器和工业设备48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为建设可持续ICT基础设施和节能贡献力量。　　<开发背景>　　随着AI技术的飞速发展，数据中心的负载急剧增加，服务器功耗也逐年攀升。特别是随着配备生成式AI和高性能GPU的服务器日益普及，如何兼顾进一步提升电力效率和支持大电流这两个相互冲突的需求，一直是个难题。在此背景下，相较传统12V电源系统具有更高转换效率的48V电源系统正在加速扩大应用。另外，在服务器运行状态下实现模块更换的热插拔电路中，需要兼具更宽SOA范围和更低导通电阻的 MOSFET，以防止浪涌电流*5和过载时造成损坏。新产品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同时具备业界超宽SOA范围和超低导通电阻，有助于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，从而提升服务器的可靠性并实现节能。　　<产品主要特性>　　<应用示例>　　・AI(人工智能)服务器和数据中心的48V系统电源热插拔电路　　・工业设备48V系统电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)　　・AGV(自动导引车)等电池驱动的工业设备　　・UPS、应急电源系统(电池备份单元)　　<电商销售信息>　　发售时间：2025年5月起　　新产品在其他电商平台也将逐步发售。　　产品型号：RY7P250BM　　<关于EcoMOS™品牌>　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1)功率MOSFET　　适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前，通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品，相比Pch MOSFET，具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。　　*2)热插拔电路　　可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。　　*3)SOA(Safe Operating Area)范围　　元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。　　*4)导通电阻(RDS(on))　　MOSFET工作(导通)时漏极与源极间的电阻值。该值越小，工作时的损耗(功率损耗)越少。　　*5)浪涌电流(Inrush Current)　　在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。

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发布时间：2025-06-04 09:42 阅读量：659 继续阅读>>

华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障<span style='color:red'>AI服务器</span>电源高效可靠运行

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华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　随着训练与推理端的算力需求越来越大，AI芯片的功率持续攀升，具有更高功率密度、更高效率的大功率服务器电源会持续迭代，以满足日益增长的市场需求。根据2025年欧陆通的研究报告，2027年全球AI服务器电源和全球服务器电源市场规模分别有望达783.13亿元和911.83亿元。华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)凭借在MOSFET领域的深厚技术积累，推出新一代25V SGT MOSFET产品CRSK010NE2L6。该产品的开关损耗更低、UIS性能优异，适用于AI计算服务器DC-DC二次电源及砖块电源等高频电源领域，保障设备高效可靠运行。　　一、产品简介　　PDBG依托12吋功率器件晶圆生产线的技术优势，加速中低压SGT G6平台的产业化进程。此次推出的CRSK010NE2L6是基于公司第6代SGT技术平台的最新成果，综合性能大幅提升。相比上一代产品，CRSK010NE2L6在Ciss、Crss、Rg以及体二极管软度等方面显著优化，可为MHz级高频电源领域提供更高效、更可靠的解决方案。　　△产品封装外形　　二、产品优势　　01产品性能显著提升　　(1)体二极管特性：在DC-DC应用中，SR MOSFET的体二极管会参与续流工作。PDBG针对客户需求，对体二极管进行了优化。实测波形显示，CRSK010NE2L6在反向恢复阶段，体二极管的反向恢复特性更“软”，能有效降低Vds尖峰，提升系统可靠性。同时，其DS振荡幅度更小，电磁干扰(EMI)表现更优。虽然CRSK010NE2L6的体二极管VF参数与竞品A相当，但凭借更高的软度因子，其Vrrm电压尖峰显著降低，对抑制Vds尖峰效果显著。　　(2) 开关特性：CRSK010NE2L6 VS竞品A开关特性对比实测数据如下：　　△实测关断对比波形：CRSK010NE2L6 vs 竞品A(绿)　　从CRSK010NE2L6与竞品A的开关特性实测波形以及开关时间对比来看，CRSK010NE2L6通过优化开关特性参数，显著提升开关速度。这一改进有效减少了MOSFET开关过程中的电流与电压的交叠时长，从而降低了MOSFET的开关损耗，在高频应用场景中，这一优势尤为突出，大幅降低了电源系统的整体损耗。　　(3)UIS能力：CRSK010NE2L6与竞品A从UIS的实测数据如下：　　△实测UIS波形(CRSK010NE2L6 264A未失效波形)　　△实测UIS波形(竞品A 263A未失效波形)　　CRSK010NE2L6的Rsp略优于竞品，PDBG通过创新产品设计和结构优化调整，优化UIS性能，提升了器件的鲁棒性，加强系统的冗余可靠性。这一技术突破不仅提升了产品性能，更实现了成本优化，为客户提供兼具高性能与高性价比的解决方案，助力客户综合竞争力提升。　　02技术亮点　　先进12吋fab低压小线宽工艺　　产品采用ONO resurf 结构　　Rsp值已达到行业优异水平　　薄片工艺，减薄厚度50um　　三、应用领域　　CRSK010NE2L6广泛适配高频电源应用领域，如AI计算服务器DC-DC二次电源模块(buck)、砖块电源等。

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发布时间：2025-06-03 13:07 阅读量：1320 继续阅读>>

AI+时代，兆易创新存储助力<span style='color:red'>AI服务器</span>创新升级

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AI+时代，兆易创新存储助力AI服务器创新升级

　　在人工智能技术重构全球算力格局的当下，AI服务器作为支撑大模型训练、云端推理及边缘计算的核心基础设施，正迎来部署规模的爆发式增长。其硬件架构的复杂化与性能需求的指数级提升也对存储组件提出了多维度挑战：从启动引导的低延迟读取到算力核心的高频数据交互，从紧凑空间的高密度集成到高温环境的长期稳定运行。而SPI NOR Flash凭借在高速读写、功耗控制及可靠性上的综合优势，正在成为AI服务器硬件生态中不可或缺的关键一环。　　在AI技术浪潮的驱动下，全球AI计算硬件市场呈现爆发式增长。2024年成为AI PC元年，行业渗透率在2025年有望突破50%。同时，AI服务器与DS一体机产品亦迎来全面爆发。据Gartner与集邦咨询(TrendForce)数据显示，2024年全球AI服务器出货量约165.3万台，在2,164亿美元全球服务器市场中占比高达65%，远超通用服务器。另有机构预测，2028年全球服务器市场规模将增至3,328.7亿美元，AI服务器份额将进一步提升至近70%，持续主导市场增长。　　从产业链上游资本动向观察，微软、谷歌等头部云服务商正加速AI服务器布局：2024年微软AI服务器出货占比预计达20.2%;谷歌2025年GB200服务器采购量或达 7,000-8,000 台;Meta将2024年资本支出提升至380-400亿美元，其中AI服务器采购占比预计10.8%。此类战略性投入直接推动AI服务器对高性能存储组件的需求呈指数级增长。　　兆易创新市场部产品经理田玥表示，AI服务器将为SPI NOR Flash提供多重应用空间，包括启动引导、算力核心、网络交互、管理监控等关键环节。在主板BIOS/UEFI固件存储中，SPI NOR Flash通常用于存储服务器启动引导程序、硬件配置及底层驱动等相关数据。在GPU加速器中，SPI NOR Flash用于存储AI芯片固件、驱动及轻量化模型参数碎片，满足训练、推理过程中频繁调用的需求。而在智能网卡(DPU)与网络控制器中，SPI NOR Flash承载网卡固件、协议栈及卸载引擎配置，凭借SPI/QPI接口与控制器的强兼容性，可快速加载协议栈以减少高速数据传输延迟;针对基板管理控制器(BMC)与管理子系统，SPI NOR Flash存储独立于主 CPU 运行的监控固件及状态参数，满足数据中心复杂环境下监控的需求。　　GPU和DPU将是SPI NOR Flash应用增长最快的领域。在云端AI服务器的高密度GPU运算场景中，高频数据交互催生SPI NOR Flash的差异化需求，如8个英伟达A100组成的GPU模组中，就有4种不同容量组合的SPI NOR Flash在使用，以保障高速数据传输与计算协同稳定性。与此同时，作为云端服务器标配的数据处理单元DPU，因云端处理与GPU加速的异构计算特性，对存储方案提出分级需求：256Mb至2Gb容量适配数据缓存与临时存储的高频交互场景，8Mb至32Mb容量则满足轻量化控制代码的存储需求，通过精准匹配任务负载的分级策略，实现数据处理效率与硬件成本的优化平衡。　　通过参与开放计算项目(OCP)等开源硬件生态，SPI NOR Flash产品也在加速融入全球 AI 基础设施供应链。以2012年由 Facebook发起的OCP NIC项目为例，其标准化OCP接口设计支持面板级模块化插入服务器机箱，通过开源硬件架构推动数据中心基础设施的高效构建。在此项目中，兆易创新的GD25LB256E 等产品与 DPU 芯片形成协同方案，为数据处理单元提供适配的存储支持，进一步释放开源硬件生态下的市场机遇。　　AI服务器的技术演进推动SPI NOR Flash需求持续升级：针对紧凑空间设计，需提供小尺寸封装与高容量集成的产品方案;耐高温性能适配数据中心高温环境;面对高速信号传输中的干扰与衰减问题，需强化驱动能力以保障信号完整性;针对高安全敏感市场，数据加密功能需求显著提升;同时，BMC管理模块与DPU卡等场景对8-32Mb小型容量闪存的需求持续增多，推动产品向轻量化、定制化方向发展。　　当前，兆易创新拥有业界领先的SPI NOR Flash产品矩阵，涵盖从512Kb到2Gb的全容量范围，支持3V、1.8V、1.65~3.6V、1.8V VCC&1.2V VIO、1.2V等多电压方案，并具备RPMC(可靠电源管理控制)、SFDP(串行闪存接口协议)等先进技术，满足AI服务器在高温、高负载环境下的稳定性要求。　　以具体产品为例，兆易创新针对低电压应用需求推出1.2V SPI NOR Flash两大产品系列：若追求极致低功耗，可选用VCC与VIO均为1.2V的GD25UF系列;若需兼顾低功耗与性能表现，则推荐采用1.8V VCC搭配1.2V VIO的GD25/55NF系列。此外，在高速数据传输领域，GD25/55T及GD25/55LT系列可提供高达200MB/s的数据吞吐量，而GD25/55X与GD25/55LX 系列则进一步将吞吐量提升至400MB/s，满足不同场景下的高速读写需求。　　自2008年推出国内首颗SPI NOR Flash以来，兆易创新历经多年的研发和市场拓展，已成为SPI NOR Flash全球市场占有率排名第二的芯片厂商，凭借270亿颗累计出货量的成熟经验，为AI服务器厂商提供可靠的量产保障与定制化解决方案。　　这一成绩源自兆易创新构建的稳定高效全球供应链体系。兆易创新已建立 ESG 风险管理体系，目标是2030年实现 50%以上供应商通过 RBA(责任商业联盟)认证。其全球供应链网络覆盖15+顶尖晶圆及封测厂商，并且公司依托合肥产品测试中心的27项核心测试能力，持续确保产品性能与交付稳定性。田玥表示，兆易创新通过多元化供应商策略与本地化生产布局，为AI服务器厂商提供稳定的供应链支持，助力全球AI算力基础设施在稳定性与绿色低碳目标上实现平衡发展。　　田玥最后表示，兆易创新凭借对AI服务器存储需求的深度理解、领先的产品矩阵及前瞻性布局，正成为AI算力革命的核心存储合作伙伴，其技术创新与生态协同将持续赋能全球AI基础设施的规模化落地与升级。

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兆易创新

发布时间：2025-04-28 11:36 阅读量：610 继续阅读>>

江西萨瑞微电子SiC 和 GaN赋能<span style='color:red'>AI服务器</span>电源系统

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江西萨瑞微电子SiC 和 GaN赋能AI服务器电源系统

　　01AI服务器电源的核心挑战与技术需求　　超高功率密度：单机架功率已从传统服务器的数千瓦提升至数十千瓦(如英伟达DGX-2需10kW，未来GB300芯片预计达1.4kW单芯片功耗)，要求电源方案在有限空间内实现高效能量转换。　　高频化与高效率：单个 GPU 的功耗将呈指数级增长，到 2030 年将达到约 2000 W，而 AI 服务器机架的峰值将达到惊人的 >300 kW。这些要求对数据中心机架的 AC 和 DC 配电系统进行新的架构更改，重点是减少从电网到核心的转换和配电功率损耗。为降低损耗并适配GPU/TPU的高频运算，电源转换频率逐步提升至MHz级，同时需将转换效率从传统的96%提升至98%以上，以减少散热成本与碳排放。　　高压化与稳定性：输入电压向800V DC-HVDC(高压直流)演进，输出电压则需精准降至芯片级所需的0.8V-12V，要求器件具备宽电压范围适应性与低噪声特性。　　02PSU的拓扑图及演变　　图 2(a)显示了开放计算项目 (OCP) 机架电源架构的示例图。每个电源架由三相输入供电并容纳多个 PSU;每个 PSU 由单相输入供电。机架向母线输出直流电压(例如 50 V)，母线还连接到 IT 和电池架。　　AI 趋势要求 PSU 进行功率演进，如图 2(b)所示。让我们通过实施拓扑和设备技术建议的示例来介绍这些 PSU 的每一个代。　　AI 服务器机架 PSU 的趋势和功率演进　　第一代 AI PSU 高效电能转换基石　　在第一代 AI PSU(2010-2018 年)的硅基架构框架下，实现5.5-8kW 功率、50V 输出、277V 单相输入　　当前的AI服务器PSU大多遵循ORv3-HPR标准[9]。相较于先前的ORv3 3 kW标准[9]，该标准的大部分要求(包括输入和输出电压以及效率)保持不变，但增加了与AI服务器需求相关的更新，例如，更高的功率和峰值功率要求(稍后详述)。此外，由于与BBU架的通信方式有所调整，输出电压的调节范围变得更窄。　　尽管每个电源架都通过三相输入(400-480 Vac L-L)供电(见图2)，但每台PSU的输入仍为单相(230-277 Vac)。图3展示了符合ORv3-HPR标准的第一代PSU的部署示例：PFC级可以采用两个交错的图腾柱拓扑结构，其中，650V CoolSiC™ MOSFET用于快臂开关，600V CoolMOS™ SJ MOSFET用于慢臂开关。DC-DC级可以选用650V CoolGaN™晶体管的全桥LLC，次级全桥整流器和ORing则使用80V OptiMOS™ Power MOSFET。　　推荐使用萨瑞微电子800V-1000V整流桥　　第二代AI PSU：增加线路电压　　如上所述，随着机架功率增加到300kW以上，电源架的功率密度变得至关重要。因此，下一代PSU的设计方向是，在单相架构中实现8kW至12kW的输出功率。随着每个机架的功率增加，数据中心中的机架数量在某些情况下，可能会受配电电流额定值和损耗的约束。因此，为了降低交流配电的电流和损耗，部分数据中心可能会将机架的交流配电电压从400/480V提高到600Vac L–L(三相)，同时将PSU的输入电压从230/277Vac 提高到347Vac(单相)。　　对于DC-DC级来说，三相LLC拓扑结构是一种理想选择，其中，750V CoolSiC™ MOSFET用于初级侧开关，80V OptiMOS™ 5 Power MOSFET用于次级全桥整流器和ORing。由于增加了第三个半桥开关臂，该解决方案能够提供更高的功率，有效降低输出电流的纹波，并通过三个开关半桥之间的固有耦合实现自动电流分配。　　推荐使用萨瑞微高频开关　　高频开关(500V硅基MOS推荐)　　高频开关(650V硅基MOS推荐)　　硅基MOSFET： 500V/650V硅基MOS：采用沟槽式结构，适用于中低频(<500kHz)、中等功率场景，如辅助电源或低压侧开关，导通电阻低至30mΩ以下，支持快速开关响应。　　高频开关(600V超结MOS推荐)　　高频开关(650V超结MOS推荐)　　超结MOSFET(600V/650V/800V)：通过电荷平衡技术突破硅基材料限制，实现高耐压与低导通电阻的平衡(如650V型号Rds(on)≤15mΩ)，适用于1MHz以上高频场合，可显著减小磁性元件体积，提升功率密度。　　碳化硅MOSFET(650V/1200V/1700V)：针对800V高压输入与超高频率(>2MHz)场景，碳化硅器件展现出无可替代的优势：　　材料特性：禁带宽度是硅的3倍，支持更高结温(175℃)与耐压，开关损耗降低70%以上，适用于全碳化硅LLC拓扑，转换效率可达98.5%。　　第三代AI PSU：三相架构与400V配电　　为了进一步提高机架功率，第三代 AI PSU 将采用更具颠覆性的机架架构，如下所示：　　1PSU输入：从单相转为三相，以提高功率密度，并降低成本　　2电源架PSU输出电压：从50V提升到400V，以降低母线电流、损耗和成本　　三相输入和 400 V 输出 PSU 的示例实现，其中包含推荐的设备和技术。PFC 级是 Vienna 转换器，这是三相 PFC 应用的流行拓扑。它的主要优势在于，由于其分离总线电压，它允许使用 650 V 设备，使用两倍数量的背对背 CoolSiC MOSFET 650 V 和 CoolSiC 1200 V 二极管。由于 PFC 输出是分离电容器，因此每个电容器电压为 430 V，并向全桥 LLC 转换器供电，初级和次级侧均配备 CoolGaN 晶体管 650 V。两个 LLC 级在初级侧串联，在次级侧并联，以向 400 V 母线供电。　　或者，两个背靠背的 CoolSiC MOSFET 650 V 可以用 CoolGaN 双向开关 (BDS) 650 V 代替，后者是真正的常闭单片双向开关。这意味着单个 CoolGaN BDS 可以取代四个分立电源开关，以获得相同的 RDS(on)，因为它在 RDS(on)/mm2 方面具有高效的芯片尺寸利用率。　　在DC-DC变换器的次级整流中，同步整流MOS管替代传统二极管，消除肖特基势垒电压，大幅降低导通损耗：　　产品特性：低栅极电荷(Qg<10nC)与极低导通电阻(如40V耐压型号Rds(on)≤5mΩ)，支持全负载范围高效运行。内置体二极管反向恢复电荷(Qrr)极低，减少振荡与EMI干扰，适配高频同步整流控制方案。　　技术优势：配合驱动电路实现ZVS(零电压开关)或ZCS(零电流开关)，在10kW以上功率模块中，可将整流效率从95%提升至99%以上。　　WBG 对 AI PSU 的好处　　宽带隙 (WBG) 半导体(例如 CoolGaN)成为 AI PSU 的最佳选择，因为它们在更高的开关频率下提供最佳效率，从而实现更高功率密度的转换器，而不会影响转换效率。　　除了 AI PSU 的标称功率显著上升外，GPU 还会吸收更高的峰值功率并产生高负载瞬变。因此，DC-DC 级输出必须足够动态，而电压过冲和下冲必须保持在规定的限值内。可以通过提高开关频率来增加 DC-DC 级输出动态，从而增加控制环路带宽。　　CoolGaN 器件因其卓越的 FoM 和 Si、SiC 和 GaN 器件中最低的开关损耗而轻松满足了更高开关频率的要求。尤其是在软开关 LLC 转换器中，CoolGaN 具有最低的输出电容电荷 (Qoss)，这对于更轻松地实现 ZVS(零电压开关)起着至关重要的作用。随后，这有助于更精确地设置死区时间，从而消除不必要的死区时间传导损耗。　　辅助电源LDO推荐　　辅助电源LDO：为服务器监控芯片、传感器等提供稳定低压供电(如3.3V/5V)，萨瑞微电子的LDO系列具备低静态电流(<1μA)、高PSRR(电源抑制比)与快速瞬态响应，确保核心器件在复杂电源环境下稳定运行。　　负载开关MOS管推荐　　负载开关MOS管：用于电源系统的通断控制与负载隔离，支持大电流(10A-50A)快速切换，内置过流/过热保护，避免浪涌电流对后级电路的冲击，提升系统安全性。　　结论　　与AI算力共成长，定义电源新高度在AI服务器向更高功率、更高效率演进的征程中，电源系统的每一次优化都依赖于器件级的技术突破。萨瑞微电子以“全电压覆盖、全技术兼容、全流程可控”的产品矩阵，为AI服务器电源提供了从输入整流到精准供电的完整解决方案，助力客户在算力竞赛中抢占先机。

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发布时间：2025-04-03 14:50 阅读量：1146 继续阅读>>

帝奥微推出国内首款I3C集线器，助力<span style='color:red'>AI服务器</span>升级

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帝奥微推出国内首款I3C集线器，助力AI服务器升级

　　近日，江苏帝奥微电子股份有限公司(股票代码：688381)发布了国内首款应用于I3C总线的集线器产品DIO74812系列。在现有PCIE开关(DI3PCIE350)，I2C开关(DIO74544、DIO74546、DIO74548)基础上，填补了帝奥微在信号链产品空白，再下一城。I3C(Improved Inter-Integrated Circuit)是I2C(Inter-Integrated Circuit)的升级版本，旨在提升速度、效率和灵活性，同时降低功耗。I3C针对DIMM模块管理、多节点存储系统、智能传感器网络等场景提供一站式解决方案，将推动在云计算、5G基站、嵌入式系统、工业自动化、物联网等领域的规模化应用，并在大数据交互，例如AI计算，嵌入式机器人系统中有着广阔前景。　　DIO74812系列共有4款，对应型号是DIO74812、DIO74712、DIO78812和DIO78712。具体配置如下，可以适配客户不同应用场景。　　表1 配置单　　图1 DIO787/8812框图　　AI服务器应用　　随着AI服务器算力的不断提升，PCIE接口数量和内存访问速率急剧增长。由此PCIE和内存的控制接口升级为I3C，具体应用可以参考下面图例：　　图2 CPU/BMC访问　　图3 CPU访问PCIE　　产品特性　　1. 协议兼容性　　支持I2C、I3C Basic 1.0、I3C JEDEC SPD及SMBus协议和不同协议的网络混用，实现传统设备与高速I3C设备的无缝兼容。　　2. 智能拓扑管理　　通过动态主端口切换(MUX)和网络分区功能，支持多芯片级联(延长 I3C 总线的物理距离，解决信号衰减问题)和冲突检测与恢复。　　3. 高可靠性与灵活性　　支持热加入(Hot Join)、电平转换(1.0V-3.3V)、GPIO扩展及多电压域操作。每组slave port可以独立配置成Hub、Agent或者GPIO功能。　　4. SMBus Agent　　SMBus Agent可以隔离高速I3C网络与低速的SMBus网络，结合公司创新的I3C带内中断(IBI)方案降低主控负载，提升系统效率。　　总结　　DIO74812系列填补了国内高端I3C集线器芯片空白：助力帝奥微在服务器、数据中心、智能机器人等高增长领域建立技术壁垒。其高集成度、智能化与可靠性设计将重新定义行业标准，为全球客户提供面向未来的互联解决方案，并加速生态合作伙伴的全球化布局。

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发布时间：2025-04-02 11:24 阅读量：819 继续阅读>>

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