
MOS 管 DS 尖峰的产生是多重因素共同作用的结果,涉及电路寄生参数、开关速度、负载特性及驱动电路设计等关键环节。针对这一行业痛点,萨瑞微创新性推出 “低导通内阻(Rds (on))+ 低反向传输电容(Crss)+ 低输出电容(Coss)” 同步优化方案,实现效率提升与尖峰抑制的双重突破。
核心参数优势
器件本身及 MOS 管周边元件会随电压变化率(dv/dt)产生寄生电感。若电感值较大,MOS 管关断时会在电感两端产生高额压降,叠加于漏极电压形成峰值电压;其中寄生源极电感(Ls)在关断时还会产生反向峰值电压,进一步放大尖峰幅度。
萨瑞微通过精准调控 Crss 与 Coss 参数,有效降低振荡反馈,从源头抑制尖峰产生。实测数据显示,方案可显著削减漏极电压尖峰,提升电路工作稳定性(相关波形测试结果见原文附图)。
效率与散热性能提升
(输入条件:Vin=90Vac/60Hz,输出规格:20V/3.25A)
更低的 Rds (on) 带来显著性能优势:相同功耗下器件温升更低,不仅能降低热应力对器件寿命的影响,减少高温导致的参数漂移与失效风险,还可简化散热设计,大幅降低散热片的体积与成本投入。(实测效率如图)
稳定的EMI性能
传统MOS
低Rds(on)+低Crss;Coss
产品核心优势
低导通内阻设计:提升电路转换效率,降低器件工作温度,延长使用寿命,有效提升效率0.2%。
低寄生电容组合:有效减少 LC 振荡,从根源抑制电压尖峰,提升系统稳定性。
无额外 EMI 干扰:参数协同优化避免电磁兼容风险,无需额外增加滤波成本。
萨瑞微 “低 Rds (on)+ 低 Crss + 低 Coss” 方案,打破单一参数调控的行业局限,通过三者精准协同实现深度系统级优化,助力客户在电路效率与电压尖峰抑制之间达成更优工程平衡,为电源、逆变器等各类电力电子应用提供高可靠性解决方案。
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